JPS6328074A - マイクロ波電界効果トランジスタ - Google Patents
マイクロ波電界効果トランジスタInfo
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- JPS6328074A JPS6328074A JP17216686A JP17216686A JPS6328074A JP S6328074 A JPS6328074 A JP S6328074A JP 17216686 A JP17216686 A JP 17216686A JP 17216686 A JP17216686 A JP 17216686A JP S6328074 A JPS6328074 A JP S6328074A
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- JP
- Japan
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- active layer
- fingers
- drain
- equal
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 9
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 229940015273 buspar Drugs 0.000 description 2
- QWCRAEMEVRGPNT-UHFFFAOYSA-N buspirone Chemical compound C1C(=O)N(CCCCN2CCN(CC2)C=2N=CC=CN=2)C(=O)CC21CCCC2 QWCRAEMEVRGPNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波電界効果トランジスタに関し、特
に櫛形電極構造を有するマイクロ波電界トランジスタの
電極構造に閃する。
に櫛形電極構造を有するマイクロ波電界トランジスタの
電極構造に閃する。
近年マイクロ波電界効果トランジスタ（以下ＭＥＳＦＥ
Ｔという）はその良好な特性から、マイクロ波通信等広
く用いられるようになってきている。特に高出力を要求
されるＧａＡｓ基板からなるＭＥＳＦＥ、Ｔはゲート幅
を大きくとる必要があるため、一般に櫛形電極構造が採
用されている。
Ｔという）はその良好な特性から、マイクロ波通信等広
く用いられるようになってきている。特に高出力を要求
されるＧａＡｓ基板からなるＭＥＳＦＥ、Ｔはゲート幅
を大きくとる必要があるため、一般に櫛形電極構造が採
用されている。
第２図は従来のＭＥＳＦＥＴの電極部の平面図であり、
活性層１上に形成されたバスパー４Ａとフィンガ４Ｂか
らなる櫛形のゲート電極４とバスパー５Ａとフィンガ５
Ｂとからなる櫛形のドレイン電極５とを示している。
活性層１上に形成されたバスパー４Ａとフィンガ４Ｂか
らなる櫛形のゲート電極４とバスパー５Ａとフィンガ５
Ｂとからなる櫛形のドレイン電極５とを示している。
上述した従来構造のＭＥＳＦＥＴｃｒ）電極は、第２図
に示したように、矩形状の活性層１上にゲート電極のフ
ィンガ４ Ｂが周期的に並んでいるため、ＲＦ倍信号入
力位置であるゲートパッドの０点から、ゲート電極４を
構成する各フィンガー４Ｂと活性層１の端部との交点Ａ
、Ｃ，Ｅ、Ｇ。
に示したように、矩形状の活性層１上にゲート電極のフ
ィンガ４ Ｂが周期的に並んでいるため、ＲＦ倍信号入
力位置であるゲートパッドの０点から、ゲート電極４を
構成する各フィンガー４Ｂと活性層１の端部との交点Ａ
、Ｃ，Ｅ、Ｇ。
Ｉ、に、Ｍまでの距離は等しくない。同様に、ドレイン
電極５を構成する、各フィンガーと５Ｂと活性層１の交
点Ｂ、Ｄ、Ｆ、Ｈ，Ｊ、Ｌと、ＲＦ倍信号出力位置であ
るドレインパッドのＰ点までの距離も等しくない。その
ため各電極等で構成されるＭＥＳＦＥＴの増幅部が点０
に入力したＲＦ倍信号対して同相で動作しないという問
題点がある。
電極５を構成する、各フィンガーと５Ｂと活性層１の交
点Ｂ、Ｄ、Ｆ、Ｈ，Ｊ、Ｌと、ＲＦ倍信号出力位置であ
るドレインパッドのＰ点までの距離も等しくない。その
ため各電極等で構成されるＭＥＳＦＥＴの増幅部が点０
に入力したＲＦ倍信号対して同相で動作しないという問
題点がある。
例えば第２図における点○に入力したＲＦ倍信号対して
、点ＯＡ間の距離と点００間の距離には距離にしてフィ
ンガ４Ｂ間隔ａの３倍、すなわち３ａの差がある。従っ
てゲートパッド２に最も近いフィンガ４Ｂに加わる入力
信号と、最も遠いフィンガ４Ｂに加わる入力信号には３
ａ／λの位相差が生ずる。また出力信号についても点Ｐ
Ｂ間と点ＰＦ間には２ａの距離の差があるため２ａ／λ
の位相差が生ずる。このため、ゲートパッド２に人力し
た信号とドレインパッド３から出力される信号には最大
５ａ／λの位相のずれたＰＦ倍信号混在していることに
なり、各フィンガーで構成されるＭ Ｅ Ｓ ｒ’ Ｅ
Ｔの増・幅部により増幅された出力は１００％合成さ
れずにドレインパッドから出力されることになる。この
ことはＭＥＳＦＥＴの本来有する良好な利得特性を、十
分に引き出せない原因となっている。
、点ＯＡ間の距離と点００間の距離には距離にしてフィ
ンガ４Ｂ間隔ａの３倍、すなわち３ａの差がある。従っ
てゲートパッド２に最も近いフィンガ４Ｂに加わる入力
信号と、最も遠いフィンガ４Ｂに加わる入力信号には３
ａ／λの位相差が生ずる。また出力信号についても点Ｐ
Ｂ間と点ＰＦ間には２ａの距離の差があるため２ａ／λ
の位相差が生ずる。このため、ゲートパッド２に人力し
た信号とドレインパッド３から出力される信号には最大
５ａ／λの位相のずれたＰＦ倍信号混在していることに
なり、各フィンガーで構成されるＭ Ｅ Ｓ ｒ’ Ｅ
Ｔの増・幅部により増幅された出力は１００％合成さ
れずにドレインパッドから出力されることになる。この
ことはＭＥＳＦＥＴの本来有する良好な利得特性を、十
分に引き出せない原因となっている。
本発明の目的は、利得特性の向上したマイクロ波電界効
果トランジスタを提供することにある。
果トランジスタを提供することにある。
本発明のマイクロ波電界効果トランジスタは、活性層上
に形成された櫛形構造のゲート電極とドレイン電極とを
有するマイクロ波電界効果トランジスタにおいて、前記
ゲート電極に接続するゲートパッドから、前記ゲート電
極を構成する各フィンガと前記活性層の端部との交点迄
の距離が等しく形成され、かつ前記ドレイン電極に接続
するドレインパッドから、前記ドレイン電極を構成する
各フィンガと前記活性層の端部との交点迄の距離が等し
く形成されているものである。
に形成された櫛形構造のゲート電極とドレイン電極とを
有するマイクロ波電界効果トランジスタにおいて、前記
ゲート電極に接続するゲートパッドから、前記ゲート電
極を構成する各フィンガと前記活性層の端部との交点迄
の距離が等しく形成され、かつ前記ドレイン電極に接続
するドレインパッドから、前記ドレイン電極を構成する
各フィンガと前記活性層の端部との交点迄の距離が等し
く形成されているものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の電極部の平面図である。
第１図において、ゲートパッド２に接続し活性層１上に
形成されたゲート電極４を構成するフィンガ４Ｂの長さ
は、中心に向うにつれて長く形成されており、ゲートパ
ッド２端の点○から、フィンガ４Ｂと活性層１の端部と
の交点迄の距離ＯＡ。
形成されたゲート電極４を構成するフィンガ４Ｂの長さ
は、中心に向うにつれて長く形成されており、ゲートパ
ッド２端の点○から、フィンガ４Ｂと活性層１の端部と
の交点迄の距離ＯＡ。
○Ｃ・・・ＯＭは等しい長さに形成されている。また同
様に、ドレインバンド３端の点Ｐから、ドレイン電極５
を構成するフィンガ５Ｂと活性層１の端部との交点迄の
距離ＰＢ、ＰＤ、・・・ＰＬも等しい長さに形成されて
いる。
様に、ドレインバンド３端の点Ｐから、ドレイン電極５
を構成するフィンガ５Ｂと活性層１の端部との交点迄の
距離ＰＢ、ＰＤ、・・・ＰＬも等しい長さに形成されて
いる。
このように構成された本実施例においては、ゲートパッ
ド２から入力したＰＦ倍信号分割されて各フィンガ４Ｂ
の活性層１との交点Ａ、Ｃ，・・・Ｍ走向位相で進み、
各電極のフィンガで構成されるＭＥＳＦＥＴの増幅部に
より増幅される。そして増幅されたＲＦ倍信号ドレイン
電極５の各フィンガ５Ｂ中を同位相で進み点Ｐで１００
％合成されてドレインパッド３より出力される。従って
利得特性はより向上したものとなる。
ド２から入力したＰＦ倍信号分割されて各フィンガ４Ｂ
の活性層１との交点Ａ、Ｃ，・・・Ｍ走向位相で進み、
各電極のフィンガで構成されるＭＥＳＦＥＴの増幅部に
より増幅される。そして増幅されたＲＦ倍信号ドレイン
電極５の各フィンガ５Ｂ中を同位相で進み点Ｐで１００
％合成されてドレインパッド３より出力される。従って
利得特性はより向上したものとなる。
以上説明したように本発明は、ゲートパッドから、ゲー
ト電極を構成する各フィンガと活性層の端部との交点迄
の距離と、ドレインパッドから、ドレイン電極を構成す
る各フィンガと活性層の端部との交点迄の距離とを等し
くすることにより、ゲート電極及びドレイン電極の各フ
ィンガで構成されるＭＥＳＦＥＴの増幅部を同位相の入
力信号で動作できるため、櫛形電極構造を有するマイク
ロ波電界効果トランジスタの本来有する良好な利得特性
をより向上させることができる。
ト電極を構成する各フィンガと活性層の端部との交点迄
の距離と、ドレインパッドから、ドレイン電極を構成す
る各フィンガと活性層の端部との交点迄の距離とを等し
くすることにより、ゲート電極及びドレイン電極の各フ
ィンガで構成されるＭＥＳＦＥＴの増幅部を同位相の入
力信号で動作できるため、櫛形電極構造を有するマイク
ロ波電界効果トランジスタの本来有する良好な利得特性
をより向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の電極部の平面図、第２図は
従来のマイクロ波電界効果トランジスタの電極部の平面
図である。 １・・・活性層、２−・ゲートバッドド、３・・・ドレ
インパッド、４・・・ゲート電極、４Ａ・・・バスバー
、４Ｂ・・・フィンガ、５・・・ドレイン電極、５Ａ・
・バスバー、５Ｂ・・・フィンガ。 第１図 躬２図
従来のマイクロ波電界効果トランジスタの電極部の平面
図である。 １・・・活性層、２−・ゲートバッドド、３・・・ドレ
インパッド、４・・・ゲート電極、４Ａ・・・バスバー
、４Ｂ・・・フィンガ、５・・・ドレイン電極、５Ａ・
・バスバー、５Ｂ・・・フィンガ。 第１図 躬２図
Claims (1)
- 活性層上に形成された櫛形構造のゲート電極とドレイ
ン電極とを有するマイクロ波電界効果トランジスタにお
いて、前記ゲート電極に接続するゲートパッドから、前
記ゲート電極を構成する各フィンガと前記活性層の端部
との交点迄の距離が等しく形成され、かつ前記ドレイン
電極に接続するドレインパッドから、前記ドレイン電極
を構成する各フィンガと前記活性層の端部との交点迄の
距離が等しく形成されていることを特徴とするマイクロ
波電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17216686A JPS6328074A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | マイクロ波電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17216686A JPS6328074A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | マイクロ波電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6328074A true JPS6328074A (ja) | 1988-02-05 |
Family
ID=15936795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17216686A Pending JPS6328074A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | マイクロ波電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6328074A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8796697B2 (en) | 2012-07-11 | 2014-08-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device including transistor chips having oblique gate electrode fingers |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107868A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP17216686A patent/JPS6328074A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107868A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8796697B2 (en) | 2012-07-11 | 2014-08-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device including transistor chips having oblique gate electrode fingers |
| DE102013208142B4 (de) | 2012-07-11 | 2019-07-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
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