JPH01206710A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
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- JPH01206710A JPH01206710A JP3125688A JP3125688A JPH01206710A JP H01206710 A JPH01206710 A JP H01206710A JP 3125688 A JP3125688 A JP 3125688A JP 3125688 A JP3125688 A JP 3125688A JP H01206710 A JPH01206710 A JP H01206710A
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- output
- input
- mic
- fet
- integrated circuit
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
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- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波の増幅に用いることのできる、マ
イクロ波集積回路に関するものである。
イクロ波集積回路に関するものである。
従来の技術
近年、マイクロ波集積回路(以下、MICと印す)は小
型@示、長寿命等の点から、従来の電子管にとってかわ
ってきた。(例えば、今井哲二他「化合物半導体デバイ
スI、(昭59.7.10)工業調査会、P2111) 以下、図面を参照しながら、上述したような従来のMI
Cについて説明する。
型@示、長寿命等の点から、従来の電子管にとってかわ
ってきた。(例えば、今井哲二他「化合物半導体デバイ
スI、(昭59.7.10)工業調査会、P2111) 以下、図面を参照しながら、上述したような従来のMI
Cについて説明する。
2・\ノ
第2図(a)は従来のMIGの概略図を示すものである
。第2図(a)において、21はMIC基板、22は能
動素子であるFET、23は入出力のRF倍信号伝播す
る入出力RF線路、24はインピーダンスを微調するだ
めの調整パッドである。
。第2図(a)において、21はMIC基板、22は能
動素子であるFET、23は入出力のRF倍信号伝播す
る入出力RF線路、24はインピーダンスを微調するだ
めの調整パッドである。
第2図(b)はFET部の拡大図で、25がドレイン電
極、26はゲート電極、27はゲートのフィンガーであ
る。ソースはピアホールによって裏面に直接アースされ
ている。
極、26はゲート電極、27はゲートのフィンガーであ
る。ソースはピアホールによって裏面に直接アースされ
ている。
以上のように構成されたMICについて、以下その動作
を説明する。入出力部には各DCバイアスが外部からか
けられる。入力部に入ったRF倍信号、MIC基板上で
、FETの入力インピーダンスに合うようマツチングが
とられ、さらにFETで増幅される。増幅された信号は
、出力側MIC基板上で、負荷インピーダンスに合うよ
うマツチングがとられる。そして外部にRF倍信号増幅
されて出力部から取り出される。
を説明する。入出力部には各DCバイアスが外部からか
けられる。入力部に入ったRF倍信号、MIC基板上で
、FETの入力インピーダンスに合うようマツチングが
とられ、さらにFETで増幅される。増幅された信号は
、出力側MIC基板上で、負荷インピーダンスに合うよ
うマツチングがとられる。そして外部にRF倍信号増幅
されて出力部から取り出される。
発明が解決しようとする課題
しかし々から、」二記のような]t〜成では、高出力3
1、−2 を得るために、ゲートフィンガーの数をふやしてゲート
幅を増加さぜると、FETチップのゲートフィンガーに
垂直な方向の長さが増大する。
1、−2 を得るために、ゲートフィンガーの数をふやしてゲート
幅を増加さぜると、FETチップのゲートフィンガーに
垂直な方向の長さが増大する。
この横方向長さが増幅するRF倍信号波長と同程度にな
ってくると、MIC回路上で伝播するRF倍信号位相が
、FETの中央部を通る場合と周辺部を通る場合では異
なってくるので、信号の合成がう1くいかなくなり、ゲ
ート幅を増大しても、利得がふえないという欠点を有し
ていた。
ってくると、MIC回路上で伝播するRF倍信号位相が
、FETの中央部を通る場合と周辺部を通る場合では異
なってくるので、信号の合成がう1くいかなくなり、ゲ
ート幅を増大しても、利得がふえないという欠点を有し
ていた。
本発明は上記欠点に鑑み、信号の合成ロスを増すことな
く、ゲート幅の拡大が可能で、高い利得の得られるMI
Cを提供するものである。
く、ゲート幅の拡大が可能で、高い利得の得られるMI
Cを提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明のMICは、入出力
のMIG基板と、mJ記基板上の入出力線路と垂直の方
向に入出力端子対が設けられたFETとから構成されて
いる。
のMIG基板と、mJ記基板上の入出力線路と垂直の方
向に入出力端子対が設けられたFETとから構成されて
いる。
作用
この構成によって、FETの横方向の長さが波長程度の
大きさになっても、入力RF線路から、FETを通り、
出力RF線路へ至る信号の伝播の距離は、FETの中央
部でも、チップ端でも同じ長さになり、位相差による合
成ロスをなくすことができ、利得の犬き々MIC素子を
実現できる。
大きさになっても、入力RF線路から、FETを通り、
出力RF線路へ至る信号の伝播の距離は、FETの中央
部でも、チップ端でも同じ長さになり、位相差による合
成ロスをなくすことができ、利得の犬き々MIC素子を
実現できる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第1図は本発明の第1の実施例におけるMICの概略図
を示すものである。第1図において、1ばMIC基板、
2はFET、3は入出力RF帆線路、4は調整用パッド
である。
を示すものである。第1図において、1ばMIC基板、
2はFET、3は入出力RF帆線路、4は調整用パッド
である。
以」−のように構成されたMICの動作は従来例と同じ
であるが、入力のMICおよび出力のMICでマツチン
グをとる際、従来例では、RF信号線路から遠い所を通
過する信号はど、位相の回転が大きくなり、利得のベク
トル合成が不十分だったが、本実施例ではFETのどの
セル部分を通過しても、位相は同じになるので理想的な
ベクトル合成が可能である。調整用パッド4はマツチン
グをとるための微調整用で、ワイヤボンドにより、RF
5 /\−/ 線路と接続される。
であるが、入力のMICおよび出力のMICでマツチン
グをとる際、従来例では、RF信号線路から遠い所を通
過する信号はど、位相の回転が大きくなり、利得のベク
トル合成が不十分だったが、本実施例ではFETのどの
セル部分を通過しても、位相は同じになるので理想的な
ベクトル合成が可能である。調整用パッド4はマツチン
グをとるための微調整用で、ワイヤボンドにより、RF
5 /\−/ 線路と接続される。
以上のように本実施例によれば、MMCの入出力RF線
路の方向とFETの入出力端子対の方向を垂直にとるこ
とにより、出力の合成ロスをへらすことができる。
路の方向とFETの入出力端子対の方向を垂直にとるこ
とにより、出力の合成ロスをへらすことができる。
以下、本発明の第2の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。図面は第1図と同じであるが、1は厚さ0
.4711mのアルミナ基板、2はゲート長0.5μm
、フィ7ガー長751zm、1セル当り12フインガー
で、18セル構成。全体で16.2mmのゲート幅を有
するGaAsパワーFEToソースはピアホールにて直
接アースされている。入出力RF線路3はCr / A
u各500人、1000への蒸着とAuの5μmのメ
ツキで形成されている。4の調整用バットも同様である
。
ら説明する。図面は第1図と同じであるが、1は厚さ0
.4711mのアルミナ基板、2はゲート長0.5μm
、フィ7ガー長751zm、1セル当り12フインガー
で、18セル構成。全体で16.2mmのゲート幅を有
するGaAsパワーFEToソースはピアホールにて直
接アースされている。入出力RF線路3はCr / A
u各500人、1000への蒸着とAuの5μmのメ
ツキで形成されている。4の調整用バットも同様である
。
以上のように構成されたMIC素子は、Ku帯の高出力
増幅器として動作する。利得6dB、飽和出力8Wが期
待できる。
増幅器として動作する。利得6dB、飽和出力8Wが期
待できる。
なお第1の実施例では、能動素子をFETとしたが、F
ETに限定されるものでなく、増幅とい6 ・・−7 う機能を有するものであれば何でもよい。例えばバイポ
ーラトランジスタを用いることができる。
ETに限定されるものでなく、増幅とい6 ・・−7 う機能を有するものであれば何でもよい。例えばバイポ
ーラトランジスタを用いることができる。
丑だ第2の実施例ではMIC基板をアルミナとしたがテ
フロンでもGaAsでも高誘電率基板でもよいことはい
うまでもない。
フロンでもGaAsでも高誘電率基板でもよいことはい
うまでもない。
発明の効果
以」−のように本発明は、MIJ二の入出力RF線路の
方向とFETの入出力電極対方向を垂直にとることによ
って、回路の合成ロスを少なくすることができ、その実
用的効果は犬なるものがある。
方向とFETの入出力電極対方向を垂直にとることによ
って、回路の合成ロスを少なくすることができ、その実
用的効果は犬なるものがある。
さらに、FETとMXC基板を同一の基板上につくるこ
とにより、小型化、ボンディングワイヤが不要という効
果が得られる。
とにより、小型化、ボンディングワイヤが不要という効
果が得られる。
第1図は本発明の第1と第2の実施例におけるMIC素
子の概略図、第2図は従来のMICの概略図である。 1.21・・・・MIC基板、2,22・・・・ FE
T。 3.23・・・・入出力RF線路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名2じ (シ) 2、ダ
子の概略図、第2図は従来のMICの概略図である。 1.21・・・・MIC基板、2,22・・・・ FE
T。 3.23・・・・入出力RF線路。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名2じ (シ) 2、ダ
Claims (1)
- 入力高周波線路および出力高周波入出力線路が電界効
果形トランジスタの入出力端子対の方向に垂直方向にの
びた形状をなしていることを特徴とするマイクロ波集積
回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3125688A JPH01206710A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3125688A JPH01206710A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01206710A true JPH01206710A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12326274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3125688A Pending JPH01206710A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01206710A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275943A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-10-22 | General Electric Co <Ge> | 高周波で動作する多数の並列結合されたデバイスのための低インダクタンスパッケージ |
JP2011129571A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | 高周波モジュール |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61140211A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波電力増幅装置 |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP3125688A patent/JPH01206710A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61140211A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高周波電力増幅装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275943A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-10-22 | General Electric Co <Ge> | 高周波で動作する多数の並列結合されたデバイスのための低インダクタンスパッケージ |
JP2011129571A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | 高周波モジュール |
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