JPS63248137A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63248137A JPS63248137A JP8231287A JP8231287A JPS63248137A JP S63248137 A JPS63248137 A JP S63248137A JP 8231287 A JP8231287 A JP 8231287A JP 8231287 A JP8231287 A JP 8231287A JP S63248137 A JPS63248137 A JP S63248137A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子製造に関し、特に半導体ウェーハ製
造工程での常圧CVD装ばによる厚い気相成長酸化膜(
以下常圧CVD酸化膜と呼ぶ)の成長方法に関する。
造工程での常圧CVD装ばによる厚い気相成長酸化膜(
以下常圧CVD酸化膜と呼ぶ)の成長方法に関する。
従来、この種の半導体製造方法は、シリコン基板と絶縁
酸化膜を介して、絶縁酸化膜表面上に電極パターンを形
成するため特に高周波パワートランジスタにおいては、
その絶縁酸化膜を2μm以上厚く形成する必要があった
。厚い酸化膜を選択酸化法により素子能動部(通常はベ
ースパターン領域)の酸化膜厚を薄くし、引出電極パタ
ーン部の下の酸化膜を2μm以上と厚くしておく。この
引出電極パターン部下の酸化膜厚を厚く形成する方法と
しては1000〜1100℃の7A1jlrで酸素及び
水素ガスを流してシリコン酸化膜を加圧下で酸化し、膜
厚1.5〜3μmの酸化膜を形成する。この酸化股上に
電極パターンを形成し、サブストレート−電極間の容量
を減少するのに必要な4酸化膜を形成していた。
酸化膜を介して、絶縁酸化膜表面上に電極パターンを形
成するため特に高周波パワートランジスタにおいては、
その絶縁酸化膜を2μm以上厚く形成する必要があった
。厚い酸化膜を選択酸化法により素子能動部(通常はベ
ースパターン領域)の酸化膜厚を薄くし、引出電極パタ
ーン部の下の酸化膜を2μm以上と厚くしておく。この
引出電極パターン部下の酸化膜厚を厚く形成する方法と
しては1000〜1100℃の7A1jlrで酸素及び
水素ガスを流してシリコン酸化膜を加圧下で酸化し、膜
厚1.5〜3μmの酸化膜を形成する。この酸化股上に
電極パターンを形成し、サブストレート−電極間の容量
を減少するのに必要な4酸化膜を形成していた。
しかしながら、この4酸化膜を高圧酸化法等で形成する
ためには1000℃において約5.5時間を必要とし、
また選択酸化領域と非選択酸化領域間のバーズビークも
大きくなシ、素子形成上不利となる。また高温にて熱処
理をするため、シリコン結晶欠陥の誘発や不純物層が深
くなる等の問題があシ、常圧CVD酸化膜をウェーハ表
面に形成する様にした。
ためには1000℃において約5.5時間を必要とし、
また選択酸化領域と非選択酸化領域間のバーズビークも
大きくなシ、素子形成上不利となる。また高温にて熱処
理をするため、シリコン結晶欠陥の誘発や不純物層が深
くなる等の問題があシ、常圧CVD酸化膜をウェーハ表
面に形成する様にした。
第3図(a) 、 (b)に従来の厚膜常圧CVD酸化
膜形成工程の縦断面図を示す。半導体製造工程のウェー
ハ4の表面に、常圧CVD装置を用いて、サブストレー
ト電極間容量を充分に小さくできる膜厚である約2μm
以上の常圧CVD酸化膜10を形成する。次に常圧CV
D酸化膜にパターン形成を行ない、次工程の処理をする
製造方法となっていた。
膜形成工程の縦断面図を示す。半導体製造工程のウェー
ハ4の表面に、常圧CVD装置を用いて、サブストレー
ト電極間容量を充分に小さくできる膜厚である約2μm
以上の常圧CVD酸化膜10を形成する。次に常圧CV
D酸化膜にパターン形成を行ない、次工程の処理をする
製造方法となっていた。
上述した従来のサブストレート−電極間容量を充分に小
さくする厚膜CVDd化膜形成方法は、ウェーハ表面上
にCVD酸化膜を形成するため、ウェーハ表面の酸化膜
厚と裏面の酸化膜厚が異なシ、常圧CVD酸化膜厚が厚
くなるにつれ、ウェーハ表面CVD酸化膜厚と、裏面酸
化膜厚との間に膜厚差が生じ酸化膜成長中にウェーハが
反シ、常温にウェーハ温度が下がる時CVD酸化膜にク
ラック(ひび割れ)が生じ、品質上問題を生じさせると
いう欠点がある。
さくする厚膜CVDd化膜形成方法は、ウェーハ表面上
にCVD酸化膜を形成するため、ウェーハ表面の酸化膜
厚と裏面の酸化膜厚が異なシ、常圧CVD酸化膜厚が厚
くなるにつれ、ウェーハ表面CVD酸化膜厚と、裏面酸
化膜厚との間に膜厚差が生じ酸化膜成長中にウェーハが
反シ、常温にウェーハ温度が下がる時CVD酸化膜にク
ラック(ひび割れ)が生じ、品質上問題を生じさせると
いう欠点がある。
本発明の厚膜CVD酸化膜成長方法は、ウェーハ表面に
膜厚約1μmのCVD酸化膜を成長する工程と、次にウ
ェーハ裏面に同様にして膜厚約1μmのCVD酸化膜を
成長する工程と、再度ウェーハ表面に約1μmのCVD
酸化膜を成長させる工程と、同様な繰り返えしを行ない
2μm以上の厚膜CVD酸化膜を得ることを有している
。
膜厚約1μmのCVD酸化膜を成長する工程と、次にウ
ェーハ裏面に同様にして膜厚約1μmのCVD酸化膜を
成長する工程と、再度ウェーハ表面に約1μmのCVD
酸化膜を成長させる工程と、同様な繰り返えしを行ない
2μm以上の厚膜CVD酸化膜を得ることを有している
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)〜(d)は本発明の一実施例の縦断面図で
ある。第1図(a)においてシリコン基板1上にシリコ
ン酸化膜2を形成し、減圧窒化膜成長装置を用いてシリ
コン窒化膜3を形成した後、フォトリングラフィ技術を
用いて所望のパターンを形成する。
ある。第1図(a)においてシリコン基板1上にシリコ
ン酸化膜2を形成し、減圧窒化膜成長装置を用いてシリ
コン窒化膜3を形成した後、フォトリングラフィ技術を
用いて所望のパターンを形成する。
第1図(b)において常圧酸化膜成長装gt(以下常圧
CVD装置)を用いて、シリコン窒化膜3にパターンを
形成したシリコン基板1のウェーハ4を、400℃前後
のサセプター上に裏面を接触させて加熱する。この時同
時にウェーハ4表面の上部からシランガス及び酸素ガス
を流しながら第1常圧CVD酸化膜5を所望の膜厚の半
分である1μm程度を堆積する。次に第1図(C)にお
いてウェーノ・4の裏表を逆転させて、ウェーハ4の裏
側に常圧CVD装置によシ所望の膜厚の半分である1μ
m程度の裏面常圧CVD酸化膜6を堆積する。次に第1
図(d)において、再びウェーハの裏表を逆にして、ウ
ェーハ4の表側に常圧CVD装置により膜厚約1μmを
堆積して、第2常圧CVD酸化膜7を形成する。
CVD装置)を用いて、シリコン窒化膜3にパターンを
形成したシリコン基板1のウェーハ4を、400℃前後
のサセプター上に裏面を接触させて加熱する。この時同
時にウェーハ4表面の上部からシランガス及び酸素ガス
を流しながら第1常圧CVD酸化膜5を所望の膜厚の半
分である1μm程度を堆積する。次に第1図(C)にお
いてウェーノ・4の裏表を逆転させて、ウェーハ4の裏
側に常圧CVD装置によシ所望の膜厚の半分である1μ
m程度の裏面常圧CVD酸化膜6を堆積する。次に第1
図(d)において、再びウェーハの裏表を逆にして、ウ
ェーハ4の表側に常圧CVD装置により膜厚約1μmを
堆積して、第2常圧CVD酸化膜7を形成する。
以下同様にして常圧CVD1t化膜を繰り返えし堆積し
、所望の厚さの常圧CVDff化膜を形成する。次にこ
のまま、800℃以上の酸素ガス下又は窒素ガス下で熱
処理を10分以上行なう。
、所望の厚さの常圧CVDff化膜を形成する。次にこ
のまま、800℃以上の酸素ガス下又は窒素ガス下で熱
処理を10分以上行なう。
〔実施例2〕
第2図(a) 、 (b)は本発明の実施例2の縦断面
図である。シリコン基板1を2J酸化し、約1μm厚の
シリコン酸化膜を形成した後、裏面に7オトレジストを
塗布し、保護した後、シリコン基板1の表面のシリコン
酸化膜をエツチング除去した後、シリコン基板lの裏面
に裏面シリコン酸化膜8を形成する。次に実施例1と同
様にしてシリコン基板10表面にシリコン窒化膜パター
ンを形成した後、常圧CVD装置によシ、常圧CVD酸
化膜9を、裏面シリコ/酸化膠8の膜厚+約1μmを形
成し、厚膜常圧CVD酸化膜を形成する。この実施例で
は、裏面シリコン酸化膜を充分厚く残すことによシ、ウ
ェーハ表面に常圧CVD酸化膜を厚く形成してもウェー
ハの反り、クラック等が発生せず約2μm以上の常圧C
VD酸化膜を形成できる利点がある。
図である。シリコン基板1を2J酸化し、約1μm厚の
シリコン酸化膜を形成した後、裏面に7オトレジストを
塗布し、保護した後、シリコン基板1の表面のシリコン
酸化膜をエツチング除去した後、シリコン基板lの裏面
に裏面シリコン酸化膜8を形成する。次に実施例1と同
様にしてシリコン基板10表面にシリコン窒化膜パター
ンを形成した後、常圧CVD装置によシ、常圧CVD酸
化膜9を、裏面シリコ/酸化膠8の膜厚+約1μmを形
成し、厚膜常圧CVD酸化膜を形成する。この実施例で
は、裏面シリコン酸化膜を充分厚く残すことによシ、ウ
ェーハ表面に常圧CVD酸化膜を厚く形成してもウェー
ハの反り、クラック等が発生せず約2μm以上の常圧C
VD酸化膜を形成できる利点がある。
以上説明したように本発明は、常圧CVD酸化膜を堆積
する時、ウェーハ表面、裏面に繰り返えし常圧CVD酸
化膜を堆積することにょシ、ウェーハ表面にのみ厚い常
圧CVD酸化膜を形成する場合、シリコン酸化膜とシリ
コン基板の熱、膨張率の差によりウェーハが堆積途中で
反り、冷却時にその反りが回復するため、常圧CVD酸
化膜にクラック(ひび割れ)等が発生することを防止で
きる効果があり、次工程において熱処理をする時、同様
にクラックが発生することを防止できる効果がある。
する時、ウェーハ表面、裏面に繰り返えし常圧CVD酸
化膜を堆積することにょシ、ウェーハ表面にのみ厚い常
圧CVD酸化膜を形成する場合、シリコン酸化膜とシリ
コン基板の熱、膨張率の差によりウェーハが堆積途中で
反り、冷却時にその反りが回復するため、常圧CVD酸
化膜にクラック(ひび割れ)等が発生することを防止で
きる効果があり、次工程において熱処理をする時、同様
にクラックが発生することを防止できる効果がある。
第1図(a)〜(d)は本発明の実施例1の厚膜CVD
酸化膜の形成工程の縦断面図、第21図(a) 、 (
b)は実施例2の厚rACV D酸化膜の形成工程の縦
断面図、第3図(a) 、 (b)は従来の厚膜CVD
酸化膜の形成工程の断面図である。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・シリコン
酸化膜、3・・・・・・シリコン窒化膜、4・・・・・
・ウェーハ、5・・・・・・第1常圧CVD酸化膜、6
・・・・・・裏面常圧CVD酸化膜、7・・・・・・第
2常圧CVD酸化膜、8・・・・・・裏面シリコン酸化
膜、9・・・・・・常圧CVD酸化膜、lO・・・・・
・従来の常圧CVD酸化膜、11・・・・・・発生した
クラック。 (幻 (刀 (C) 蛸1図
酸化膜の形成工程の縦断面図、第21図(a) 、 (
b)は実施例2の厚rACV D酸化膜の形成工程の縦
断面図、第3図(a) 、 (b)は従来の厚膜CVD
酸化膜の形成工程の断面図である。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・シリコン
酸化膜、3・・・・・・シリコン窒化膜、4・・・・・
・ウェーハ、5・・・・・・第1常圧CVD酸化膜、6
・・・・・・裏面常圧CVD酸化膜、7・・・・・・第
2常圧CVD酸化膜、8・・・・・・裏面シリコン酸化
膜、9・・・・・・常圧CVD酸化膜、lO・・・・・
・従来の常圧CVD酸化膜、11・・・・・・発生した
クラック。 (幻 (刀 (C) 蛸1図
Claims (1)
- ウェーハ表面に膜厚約1μmのCVD酸化膜を成長する
工程と、次にウェーハ裏面に同様にして膜厚約1μmの
CVD酸化膜を成長する工程と、再度ウェーハ表面に膜
厚約1μmのCVD酸化膜を成長させる工程と、以下同
様な繰り返えしを行ない、2μm以上の厚膜気相成長酸
化膜を形成する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8231287A JPS63248137A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8231287A JPS63248137A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63248137A true JPS63248137A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13771044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8231287A Pending JPS63248137A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63248137A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004059736A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | 半導体装置の製造方法 |
CN1316573C (zh) * | 2002-12-25 | 2007-05-16 | 富士通株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP8231287A patent/JPS63248137A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004059736A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | 半導体装置の製造方法 |
US7153735B2 (en) | 2002-12-25 | 2006-12-26 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device |
CN1316573C (zh) * | 2002-12-25 | 2007-05-16 | 富士通株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
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