JPS63245986A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS63245986A JPS63245986A JP8150987A JP8150987A JPS63245986A JP S63245986 A JPS63245986 A JP S63245986A JP 8150987 A JP8150987 A JP 8150987A JP 8150987 A JP8150987 A JP 8150987A JP S63245986 A JPS63245986 A JP S63245986A
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- Japan
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- semiconductor laser
- stem
- pellet
- heat sink
- lead
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 26
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関し、特にステムの構造に関す
るものである。
るものである。
従来の半導体レーザにおいては、第３図に示すように半
導体レーザペレット（６１）のヒートシンク（６２）へ
のマウント面に相対する面とリード（６７）とが電気的
に接続されていた。
導体レーザペレット（６１）のヒートシンク（６２）へ
のマウント面に相対する面とリード（６７）とが電気的
に接続されていた。
従って従来の半導体レーザは、特に半導体レーザペレッ
トの極性を変更した場合においては、リードの極性迄同
時に変ってしまうという問題点を有していた。即ち、従
来の半導体レーザにおいては、このような場合忙レーザ
の電源供給回路の極性も変更しなければならなくなって
しまうという欠点があり、従来型のステム構造ではこれ
を避けることは不可能であった。
トの極性を変更した場合においては、リードの極性迄同
時に変ってしまうという問題点を有していた。即ち、従
来の半導体レーザにおいては、このような場合忙レーザ
の電源供給回路の極性も変更しなければならなくなって
しまうという欠点があり、従来型のステム構造ではこれ
を避けることは不可能であった。
本発明忙よる半導体レーザは、半絶縁性のヒートシンク
上にマウントされた半導体レーザペレットとステムとを
有し、半導体レーザペレットのマウント面側とリードと
が前記半絶縁性ヒートシンク上の電極を介して電気的に
接続されるとともだ、前記半導体レーザペレットのヒー
トシンクへのマウント面に相対する面と、前記ステムと
が電気的に金線等のワイヤにより接続されるようにする
ため、ステムのブロック上にボンディング部を有し、半
導体レーザベレットの極性が変っても、半導体レーザそ
のものの極性を変えないステム構造を有するものである
。
上にマウントされた半導体レーザペレットとステムとを
有し、半導体レーザペレットのマウント面側とリードと
が前記半絶縁性ヒートシンク上の電極を介して電気的に
接続されるとともだ、前記半導体レーザペレットのヒー
トシンクへのマウント面に相対する面と、前記ステムと
が電気的に金線等のワイヤにより接続されるようにする
ため、ステムのブロック上にボンディング部を有し、半
導体レーザベレットの極性が変っても、半導体レーザそ
のものの極性を変えないステム構造を有するものである
。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す。Ｇａ八へＡｓの結晶
積層体より成る半導体レーザペレット（１）を金を蒸着
したポンディングパッド部（４）と半導体レーザペレッ
ト（１）を接着するためのロー剤であるＳ ｎ （３１
を有する半絶縁性のシリコンによって成るヒートシンク
（２）上に、温度２８０℃にて加熱し、溶融させ、半導
体レーザペレッ゛ト（１）の裏面側に蒸着した金と溶融
させた後、冷却して固定する。次に本発明だ成るステム
に金メッキを施し、銀鉛錫半田合金によりレーザービー
ムのモニタ用ホトダイオード（１０）を上記ステムに接
着した後、前述の半導体レーザペレット（１）が接着さ
れたヒートシンク（２）を通常の鉛錫半田によりステム
の銅ブロック（５）上に接着する。なお、銅ブロック（
５）も金メッキが施されている。その後ψ２５μｍの金
線（１１）Ｋより、半導体レーザペレット（１）とステ
ムの銅ブロックのボンディング部（１２）とが接続され
、さらにヒートシンクのポンディングパッド部（４）と
リード（７）とを上述のようにψ２５μｍの金線（６）
で接続される。またモニタ用のホトダイオード（１０）
も同様にリード（８）とψ２５μｍの金線（９）によっ
て接続され、その後ガラス窓付キャップだより封止し、
半導体レーザが作製されるものである。
積層体より成る半導体レーザペレット（１）を金を蒸着
したポンディングパッド部（４）と半導体レーザペレッ
ト（１）を接着するためのロー剤であるＳ ｎ （３１
を有する半絶縁性のシリコンによって成るヒートシンク
（２）上に、温度２８０℃にて加熱し、溶融させ、半導
体レーザペレッ゛ト（１）の裏面側に蒸着した金と溶融
させた後、冷却して固定する。次に本発明だ成るステム
に金メッキを施し、銀鉛錫半田合金によりレーザービー
ムのモニタ用ホトダイオード（１０）を上記ステムに接
着した後、前述の半導体レーザペレット（１）が接着さ
れたヒートシンク（２）を通常の鉛錫半田によりステム
の銅ブロック（５）上に接着する。なお、銅ブロック（
５）も金メッキが施されている。その後ψ２５μｍの金
線（１１）Ｋより、半導体レーザペレット（１）とステ
ムの銅ブロックのボンディング部（１２）とが接続され
、さらにヒートシンクのポンディングパッド部（４）と
リード（７）とを上述のようにψ２５μｍの金線（６）
で接続される。またモニタ用のホトダイオード（１０）
も同様にリード（８）とψ２５μｍの金線（９）によっ
て接続され、その後ガラス窓付キャップだより封止し、
半導体レーザが作製されるものである。
〔実施例２〕
第２図は本発明の実施例２を示すものである。
図中の記号は第１図のそれと同等であるう本実施例２に
おいては、ボンディング部が実施例１と異なり従来例の
ステムのブロック（４５）と同等の幅を有するブロック
（２５）上にボンディング部（３２）が形成されている
。このため、実施例１と異なり、モニタ・−用のビーム
の一部はボンディング部に遮られる場合もあるが、ブロ
ックの幅を実施例１の場合↓りも小さくできるので、パ
ッケージを小型化する上で有利である。
おいては、ボンディング部が実施例１と異なり従来例の
ステムのブロック（４５）と同等の幅を有するブロック
（２５）上にボンディング部（３２）が形成されている
。このため、実施例１と異なり、モニタ・−用のビーム
の一部はボンディング部に遮られる場合もあるが、ブロ
ックの幅を実施例１の場合↓りも小さくできるので、パ
ッケージを小型化する上で有利である。
第３図は本発明だよる実施例３を示すものである。１甲
の記号は第１図および、第２図のそれと同等である。本
実施例３においてはワイヤの配置が実施例１、または実
施例２と異なり半導体レーザペレット（４１）とリード
（４７）が金線（４６）により接続され、ヒートシンク
上の金電極（４４）とステムのボンディング部（５２）
とが接続されているものである。このため、本実施例の
場合には実施例１と極性の異なる半導体レーザペレット
を用てもリードの極性は実施例１と同一である。
の記号は第１図および、第２図のそれと同等である。本
実施例３においてはワイヤの配置が実施例１、または実
施例２と異なり半導体レーザペレット（４１）とリード
（４７）が金線（４６）により接続され、ヒートシンク
上の金電極（４４）とステムのボンディング部（５２）
とが接続されているものである。このため、本実施例の
場合には実施例１と極性の異なる半導体レーザペレット
を用てもリードの極性は実施例１と同一である。
以上説明したように本発明は、半絶縁性のヒートシンク
上に半導体レーザペレットをマウントさせ、半導体レー
ザペレットのマウントｔｈｒ側とステムのリードとを前
記ヒートシンク上の電極を介して電気的に接続させ、か
つ半導体レーザベレット面の前記マウント面に相対する
面と３テムとが電気的に接続されて半導体レーザが作製
されるものであるが、本発明における半導体レーザのス
テム構造により半導体レーザペレットの極性がいずれの
場合にも、ワイヤボンディング配置と、半導体性か、伝
導性かいずれかのシリコン製ヒートシンクの選択によシ
、リードの極性を何ら変えることなく極めて容易に従来
例と同等の半導体レーザを実現することができる。
上に半導体レーザペレットをマウントさせ、半導体レー
ザペレットのマウントｔｈｒ側とステムのリードとを前
記ヒートシンク上の電極を介して電気的に接続させ、か
つ半導体レーザベレット面の前記マウント面に相対する
面と３テムとが電気的に接続されて半導体レーザが作製
されるものであるが、本発明における半導体レーザのス
テム構造により半導体レーザペレットの極性がいずれの
場合にも、ワイヤボンディング配置と、半導体性か、伝
導性かいずれかのシリコン製ヒートシンクの選択によシ
、リードの極性を何ら変えることなく極めて容易に従来
例と同等の半導体レーザを実現することができる。
また、本発明になるステム構造を用いた半導体レーザに
おいて、実施例１、および実施例２に示された半絶縁性
ヒートシンクとワイヤ配置を用いた場合においては耐サ
ージ特性に大幅な改善が見られ、サージ特性改善におい
ても大きな効果を有する。即ち、従来例においては電気
的ザージ入力が、５った場合、それはリードから直接半
導体レーサペレットにはいり、ベレットの破壊をもたら
すが、実施例１、および実施例２においてはリード（７
） （ｔたはリード（２７） ”）に加った電気的サー
ジ入力はシリコンヒートシンク（２１（ｔたはシリコン
ヒートシンク（２７） ）を介してステムを経てグラン
ドにＮちるためサージ耐力が向上するものである。
おいて、実施例１、および実施例２に示された半絶縁性
ヒートシンクとワイヤ配置を用いた場合においては耐サ
ージ特性に大幅な改善が見られ、サージ特性改善におい
ても大きな効果を有する。即ち、従来例においては電気
的ザージ入力が、５った場合、それはリードから直接半
導体レーサペレットにはいり、ベレットの破壊をもたら
すが、実施例１、および実施例２においてはリード（７
） （ｔたはリード（２７） ”）に加った電気的サー
ジ入力はシリコンヒートシンク（２１（ｔたはシリコン
ヒートシンク（２７） ）を介してステムを経てグラン
ドにＮちるためサージ耐力が向上するものである。
従って、実施例１、または実施例２の場合の方が実施例
３よりもサージ耐力は良好である。
３よりもサージ耐力は良好である。
なお、本発明の実施例如おいては半導体レーザベレット
をＧａＡｌＡｓ、ヒートシンクをシリコン、ステムのヒ
ートシンクがマウントされるステムのブロック部の材質
を銅としたが、これらの材料にかかわらず、他の同等な
材料についても共通であり、同様な効果が得られるもの
であることは言うまでもない。
をＧａＡｌＡｓ、ヒートシンクをシリコン、ステムのヒ
ートシンクがマウントされるステムのブロック部の材質
を銅としたが、これらの材料にかかわらず、他の同等な
材料についても共通であり、同様な効果が得られるもの
であることは言うまでもない。
また、本発明の実施例忙おいては半導体レーザにおける
使用例を示したが、半導体レーザに限らず、他の発光、
受光素子に広く適用できるものである。
使用例を示したが、半導体レーザに限らず、他の発光、
受光素子に広く適用できるものである。
第１図は、本発明の半導体レーザの実施例１の斜視図、
第２図は実施例２の斜視図、第３図は実施例３の斜視図
、第４図は従来の半導体レーザの斜視図である。 １、２１．４１．６１・・・・・・半導体レーザベレッ
ト、２２２．４２．６２・・・・・・ヒートシンク、３
，２３，４３．６３・・・・・・錫、４．２４．４４．
６４・・・・・・金電極、５，２５，４５゜６５・・・
・・・銅ブロック、６，２６，４６．６６・・・・・・
金線、７．２７，４７．６７・・・・・・リード、８．
２８，４８．６８ ・・・・・・リード、９，２９，
４９，６９・・・・・・金線、１０，３０ ＊５０．７
０・・・・・・ホトダイオード、１１．３１．５１・旧
・・金線、１２．３２．５２・・・・・・ポンディング
部。 条４２
第２図は実施例２の斜視図、第３図は実施例３の斜視図
、第４図は従来の半導体レーザの斜視図である。 １、２１．４１．６１・・・・・・半導体レーザベレッ
ト、２２２．４２．６２・・・・・・ヒートシンク、３
，２３，４３．６３・・・・・・錫、４．２４．４４．
６４・・・・・・金電極、５，２５，４５゜６５・・・
・・・銅ブロック、６，２６，４６．６６・・・・・・
金線、７．２７，４７．６７・・・・・・リード、８．
２８，４８．６８ ・・・・・・リード、９，２９，
４９，６９・・・・・・金線、１０，３０ ＊５０．７
０・・・・・・ホトダイオード、１１．３１．５１・旧
・・金線、１２．３２．５２・・・・・・ポンディング
部。 条４２
Claims (1)
- ヒートシンク上にマウントされた半導体レーザペレット
を有し、該ペレットのマウント面側に相対する面とステ
ムとを電気的に接続するためのボンディング部を有した
構造のステムから成ることを特徴とした半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8150987A JPS63245986A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8150987A JPS63245986A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63245986A true JPS63245986A (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=13748325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8150987A Pending JPS63245986A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63245986A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758413A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JP2017069387A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP8150987A patent/JPS63245986A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758413A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| JP2017069387A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US10804675B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-10-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package |
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