JPS63245986A - Semiconductor laser - Google Patents
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- JPS63245986A JPS63245986A JP8150987A JP8150987A JPS63245986A JP S63245986 A JPS63245986 A JP S63245986A JP 8150987 A JP8150987 A JP 8150987A JP 8150987 A JP8150987 A JP 8150987A JP S63245986 A JPS63245986 A JP S63245986A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関し、特にステムの構造に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor laser, and particularly to the structure of a stem.
従来の半導体レーザにおいては、第３図に示すように半
導体レーザペレット（６１）のヒートシンク（６２）へ
のマウント面に相対する面とリード（６７）とが電気的
に接続されていた。In the conventional semiconductor laser, as shown in FIG. 3, the surface of the semiconductor laser pellet (61) facing the mounting surface on the heat sink (62) and the lead (67) are electrically connected.
従って従来の半導体レーザは、特に半導体レーザペレッ
トの極性を変更した場合においては、リードの極性迄同
時に変ってしまうという問題点を有していた。即ち、従
来の半導体レーザにおいては、このような場合忙レーザ
の電源供給回路の極性も変更しなければならなくなって
しまうという欠点があり、従来型のステム構造ではこれ
を避けることは不可能であった。Therefore, conventional semiconductor lasers have had the problem that, particularly when changing the polarity of the semiconductor laser pellet, the polarity of the leads also changes at the same time. In other words, conventional semiconductor lasers have the disadvantage that in such cases the polarity of the power supply circuit of the busy laser must also be changed, and this cannot be avoided with the conventional stem structure. Ta.
本発明忙よる半導体レーザは、半絶縁性のヒートシンク
上にマウントされた半導体レーザペレットとステムとを
有し、半導体レーザペレットのマウント面側とリードと
が前記半絶縁性ヒートシンク上の電極を介して電気的に
接続されるとともだ、前記半導体レーザペレットのヒー
トシンクへのマウント面に相対する面と、前記ステムと
が電気的に金線等のワイヤにより接続されるようにする
ため、ステムのブロック上にボンディング部を有し、半
導体レーザベレットの極性が変っても、半導体レーザそ
のものの極性を変えないステム構造を有するものである
。A semiconductor laser according to the present invention has a semiconductor laser pellet and a stem mounted on a semi-insulating heat sink, and the mounting surface side of the semiconductor laser pellet and the lead are connected via electrodes on the semi-insulating heat sink. In order to electrically connect the surface of the semiconductor laser pellet facing the mounting surface to the heat sink and the stem by a wire such as a gold wire, a block of the stem is used. It has a stem structure that has a bonding part on top and does not change the polarity of the semiconductor laser itself even if the polarity of the semiconductor laser pellet changes.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例を示す。Ｇａ八へＡｓの結晶
積層体より成る半導体レーザペレット（１）を金を蒸着
したポンディングパッド部（４）と半導体レーザペレッ
ト（１）を接着するためのロー剤であるＳ ｎ （３１
を有する半絶縁性のシリコンによって成るヒートシンク
（２）上に、温度２８０℃にて加熱し、溶融させ、半導
体レーザペレッ゛ト（１）の裏面側に蒸着した金と溶融
させた後、冷却して固定する。次に本発明だ成るステム
に金メッキを施し、銀鉛錫半田合金によりレーザービー
ムのモニタ用ホトダイオード（１０）を上記ステムに接
着した後、前述の半導体レーザペレット（１）が接着さ
れたヒートシンク（２）を通常の鉛錫半田によりステム
の銅ブロック（５）上に接着する。なお、銅ブロック（
５）も金メッキが施されている。その後ψ２５μｍの金
線（１１）Ｋより、半導体レーザペレット（１）とステ
ムの銅ブロックのボンディング部（１２）とが接続され
、さらにヒートシンクのポンディングパッド部（４）と
リード（７）とを上述のようにψ２５μｍの金線（６）
で接続される。またモニタ用のホトダイオード（１０）
も同様にリード（８）とψ２５μｍの金線（９）によっ
て接続され、その後ガラス窓付キャップだより封止し、
半導体レーザが作製されるものである。FIG. 1 shows an embodiment of the invention. S n (31
A heat sink (2) made of semi-insulating silicon having a Fix it. Next, the stem of the present invention is plated with gold, and a laser beam monitoring photodiode (10) is bonded to the stem using a silver-lead-tin solder alloy. ) onto the copper block (5) of the stem using conventional lead-tin solder. In addition, the copper block (
5) is also gold plated. After that, the semiconductor laser pellet (1) and the bonding part (12) of the copper block of the stem are connected using a gold wire (11)K with a diameter of 25 μm, and the bonding pad part (4) of the heat sink and the lead (7) are then connected. As mentioned above, the gold wire (6) with ψ25 μm
Connected with Also a photodiode for monitoring (10)
Similarly, the leads (8) and the gold wires (9) with a diameter of 25 μm are connected, and then sealed with a glass window cap.
A semiconductor laser is manufactured.
〔実施例２〕 第２図は本発明の実施例２を示すものである。[Example 2] FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention.
図中の記号は第１図のそれと同等であるう本実施例２に
おいては、ボンディング部が実施例１と異なり従来例の
ステムのブロック（４５）と同等の幅を有するブロック
（２５）上にボンディング部（３２）が形成されている
。このため、実施例１と異なり、モニタ・−用のビーム
の一部はボンディング部に遮られる場合もあるが、ブロ
ックの幅を実施例１の場合↓りも小さくできるので、パ
ッケージを小型化する上で有利である。The symbols in the figure are the same as those in FIG. A bonding portion (32) is formed. Therefore, unlike Embodiment 1, a part of the monitor beam may be blocked by the bonding part, but the width of the block can be made smaller than in Embodiment 1, so the package can be made smaller. It is advantageous above.
第３図は本発明だよる実施例３を示すものである。１甲
の記号は第１図および、第２図のそれと同等である。本
実施例３においてはワイヤの配置が実施例１、または実
施例２と異なり半導体レーザペレット（４１）とリード
（４７）が金線（４６）により接続され、ヒートシンク
上の金電極（４４）とステムのボンディング部（５２）
とが接続されているものである。このため、本実施例の
場合には実施例１と極性の異なる半導体レーザペレット
を用てもリードの極性は実施例１と同一である。FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention. The symbols in 1A are the same as those in Figures 1 and 2. In Example 3, the wire arrangement is different from Example 1 or Example 2, and the semiconductor laser pellet (41) and the lead (47) are connected by a gold wire (46), and the gold electrode (44) on the heat sink is connected to the semiconductor laser pellet (41) and the lead (47). Stem bonding part (52)
are connected. Therefore, in the case of this embodiment, even if a semiconductor laser pellet having a different polarity from that of the first embodiment is used, the lead polarity is the same as that of the first embodiment.
以上説明したように本発明は、半絶縁性のヒートシンク
上に半導体レーザペレットをマウントさせ、半導体レー
ザペレットのマウントｔｈｒ側とステムのリードとを前
記ヒートシンク上の電極を介して電気的に接続させ、か
つ半導体レーザベレット面の前記マウント面に相対する
面と３テムとが電気的に接続されて半導体レーザが作製
されるものであるが、本発明における半導体レーザのス
テム構造により半導体レーザペレットの極性がいずれの
場合にも、ワイヤボンディング配置と、半導体性か、伝
導性かいずれかのシリコン製ヒートシンクの選択によシ
、リードの極性を何ら変えることなく極めて容易に従来
例と同等の半導体レーザを実現することができる。As explained above, the present invention mounts a semiconductor laser pellet on a semi-insulating heat sink, electrically connects the mount thr side of the semiconductor laser pellet to the lead of the stem via an electrode on the heat sink, The semiconductor laser is manufactured by electrically connecting the surface of the semiconductor laser pellet surface facing the mounting surface and the three stems, and the stem structure of the semiconductor laser according to the present invention allows the polarity of the semiconductor laser pellet to be changed. In either case, by selecting a wire bonding arrangement and a silicon heat sink, either semiconducting or conductive, it is extremely easy to realize a semiconductor laser equivalent to the conventional one without changing the lead polarity. can do.
また、本発明になるステム構造を用いた半導体レーザに
おいて、実施例１、および実施例２に示された半絶縁性
ヒートシンクとワイヤ配置を用いた場合においては耐サ
ージ特性に大幅な改善が見られ、サージ特性改善におい
ても大きな効果を有する。即ち、従来例においては電気
的ザージ入力が、５った場合、それはリードから直接半
導体レーサペレットにはいり、ベレットの破壊をもたら
すが、実施例１、および実施例２においてはリード（７
） （ｔたはリード（２７） ”）に加った電気的サー
ジ入力はシリコンヒートシンク（２１（ｔたはシリコン
ヒートシンク（２７） ）を介してステムを経てグラン
ドにＮちるためサージ耐力が向上するものである。Furthermore, in the semiconductor laser using the stem structure according to the present invention, when the semi-insulating heat sink and wire arrangement shown in Examples 1 and 2 were used, a significant improvement in surge resistance was observed. , it also has a great effect on improving surge characteristics. That is, in the conventional example, when the electrical surge input is 5, it enters directly into the semiconductor laser pellet from the lead and causes destruction of the pellet, but in the first and second embodiments, the lead (7
) (t or lead (27) ”) passes through the stem via the silicon heat sink (21 (t or silicon heat sink (27) ) and goes to the ground, improving surge resistance. It is something.
従って、実施例１、または実施例２の場合の方が実施例
３よりもサージ耐力は良好である。Therefore, the surge resistance of Example 1 or Example 2 is better than that of Example 3.
なお、本発明の実施例如おいては半導体レーザベレット
をＧａＡｌＡｓ、ヒートシンクをシリコン、ステムのヒ
ートシンクがマウントされるステムのブロック部の材質
を銅としたが、これらの材料にかかわらず、他の同等な
材料についても共通であり、同様な効果が得られるもの
であることは言うまでもない。In the embodiments of the present invention, the semiconductor laser pellet is made of GaAlAs, the heat sink is made of silicon, and the material of the block portion of the stem on which the stem heat sink is mounted is made of copper. It goes without saying that the materials are also the same and similar effects can be obtained.
また、本発明の実施例忙おいては半導体レーザにおける
使用例を示したが、半導体レーザに限らず、他の発光、
受光素子に広く適用できるものである。Furthermore, in the embodiments of the present invention, an example of use in a semiconductor laser was shown, but it is not limited to semiconductor lasers, but other light emitting devices,
It can be widely applied to light receiving elements.
第１図は、本発明の半導体レーザの実施例１の斜視図、
第２図は実施例２の斜視図、第３図は実施例３の斜視図
、第４図は従来の半導体レーザの斜視図である。
１、２１．４１．６１・・・・・・半導体レーザベレッ
ト、２２２．４２．６２・・・・・・ヒートシンク、３
，２３，４３．６３・・・・・・錫、４．２４．４４．
６４・・・・・・金電極、５，２５，４５゜６５・・・
・・・銅ブロック、６，２６，４６．６６・・・・・・
金線、７．２７，４７．６７・・・・・・リード、８．
２８，４８．６８ ・・・・・・リード、９，２９，
４９，６９・・・・・・金線、１０，３０ ＊５０．７
０・・・・・・ホトダイオード、１１．３１．５１・旧
・・金線、１２．３２．５２・・・・・・ポンディング
部。
条４２FIG. 1 is a perspective view of Example 1 of the semiconductor laser of the present invention;
2 is a perspective view of a second embodiment, FIG. 3 is a perspective view of a third embodiment, and FIG. 4 is a perspective view of a conventional semiconductor laser. 1, 21.41.61... Semiconductor laser pellet, 222.42.62... Heat sink, 3
,23,43.63...Tin, 4.24.44.
64... Gold electrode, 5, 25, 45°65...
...Copper block, 6,26,46.66...
Gold wire, 7.27, 47.67...Lead, 8.
28,48.68 ・・・・Lead, 9,29,
49,69...Gold wire, 10,30 *50.7
0...Photodiode, 11.31.51 Old...Gold wire, 12.32.52...Ponding part. Article 42
Claims (1)
を有し、該ペレットのマウント面側に相対する面とステ
ムとを電気的に接続するためのボンディング部を有した
構造のステムから成ることを特徴とした半導体レーザ。A semiconductor comprising a stem having a structure including a semiconductor laser pellet mounted on a heat sink and a bonding part for electrically connecting the surface of the pellet facing the mounting surface and the stem. laser.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8150987A JPS63245986A (en) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8150987A JPS63245986A (en) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | Semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63245986A true JPS63245986A (en) | 1988-10-13 |
Family
ID=13748325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8150987A Pending JPS63245986A (en) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63245986A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758413A (en) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nec Corp | Optical semiconductor device |
| JP2017069387A (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ウシオ電機株式会社 | Semiconductor laser device |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP8150987A patent/JPS63245986A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758413A (en) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nec Corp | Optical semiconductor device |
| JP2017069387A (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ウシオ電機株式会社 | Semiconductor laser device |
| US10804675B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-10-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package |
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