JPH01150379A - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
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- JPH01150379A JPH01150379A JP31017487A JP31017487A JPH01150379A JP H01150379 A JPH01150379 A JP H01150379A JP 31017487 A JP31017487 A JP 31017487A JP 31017487 A JP31017487 A JP 31017487A JP H01150379 A JPH01150379 A JP H01150379A
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 33
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 30
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000772415 Neovison vison Species 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LWUVWAREOOAHDW-UHFFFAOYSA-N lead silver Chemical compound [Ag].[Pb] LWUVWAREOOAHDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000020042 tonto Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発光装置に関し、特にヒートミンクの構造に特
徴のある発光装置に関するものである。
徴のある発光装置に関するものである。
従来の発光装置、例えば半導体レーザ（以下半導体レー
ザを代表側として説明する）においては、第５図〜第６
図に示すように高抵抗シリコンより成るヒートシンク（
２）により、半導体レーザペレット（１）のヒート７／
りへのマウント面側を銅ブロック（５）から電気的に浮
かしてヒー）−Ｚンク（２）の表面に形成した金電極（
４）を介してリード（７）に接続し、さらに半導体レー
ザペレットのワイヤボンディング面側電極をステム（２
０）に接続している銅ブロック（５）のボンディング部
（１２）接続して作製されていたＯ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述しｔ従来の構造においては一般にヒート７／りの幅
が半導体レーザペレットの幅より大きいため、通常の熱
圧着によるボールボンド法を用いて金線（１１）でワイ
ヤボンディングを行う場合にはヒートシンク（２）との
接触を皆無にすることが極めて困難であった。
ザを代表側として説明する）においては、第５図〜第６
図に示すように高抵抗シリコンより成るヒートシンク（
２）により、半導体レーザペレット（１）のヒート７／
りへのマウント面側を銅ブロック（５）から電気的に浮
かしてヒー）−Ｚンク（２）の表面に形成した金電極（
４）を介してリード（７）に接続し、さらに半導体レー
ザペレットのワイヤボンディング面側電極をステム（２
０）に接続している銅ブロック（５）のボンディング部
（１２）接続して作製されていたＯ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述しｔ従来の構造においては一般にヒート７／りの幅
が半導体レーザペレットの幅より大きいため、通常の熱
圧着によるボールボンド法を用いて金線（１１）でワイ
ヤボンディングを行う場合にはヒートシンク（２）との
接触を皆無にすることが極めて困難であった。
本発明による半導体レーザは少なくとも動作時に実効的
に電気的に絶縁されたアイランド部を有するヒートシン
クを有し、該アイランド部に半導体レーザペレットをマ
ウントした構造から成り、半導体レーザペレットのマウ
ント面側電極とリードとが前記ヒートン／り上の電極を
介して電気的に金線等のワイヤにより接続されるように
するため、ヒートシンク上にボンディング部を有し、ま
た半導体レーザペレットの極性が変っても半導体レーザ
のリードの極性を変えないようにするため、ペレットの
ワイヤボンディング面側電極とステムのブロック部と全
ヒートシンクを介して接続することにより、ワイヤボン
ティング線がヒートシンクと接触して、半導体レーザペ
レットのマウント面側と該ワイヤボンディング線とが電
気的に導通することを避けることが可能なヒートシンク
の構造を有するものである。
に電気的に絶縁されたアイランド部を有するヒートシン
クを有し、該アイランド部に半導体レーザペレットをマ
ウントした構造から成り、半導体レーザペレットのマウ
ント面側電極とリードとが前記ヒートン／り上の電極を
介して電気的に金線等のワイヤにより接続されるように
するため、ヒートシンク上にボンディング部を有し、ま
た半導体レーザペレットの極性が変っても半導体レーザ
のリードの極性を変えないようにするため、ペレットの
ワイヤボンディング面側電極とステムのブロック部と全
ヒートシンクを介して接続することにより、ワイヤボン
ティング線がヒートシンクと接触して、半導体レーザペ
レットのマウント面側と該ワイヤボンディング線とが電
気的に導通することを避けることが可能なヒートシンク
の構造を有するものである。
実施例１
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図、第２図および第３図に本発明による実施例１を
示す。第３図はヒートシンク（２）の部分の断面図であ
る。本実施例は、ＧａＡ＃Ａｓ 結晶ａＩ層体より成る
半導体レーザベレッ） （１１と、ｎ型不純物が拡散さ
れた不純物披散仙域（２１）を備えたＰ型シリコン基板
から成るヒートシンク（２）と、ステムとから成ってい
る。ヒートシンク（２には金１１Ｌ極（４）を蒸着し、
さらにロー材である錫（３）全不純物拡散領域（２１）
の上部のペレットマツノド部分に蒸着し、かつ非拡散領
域を一部残し、該非拡散領域に前記金電極形成時と同様
に金が蒸着され几ボンディング部（１２〕が形成されて
いる。前記錫（３）の蒸着されたペレットマウント部上
に、温度２８０℃でヒートン／り（２）全加熱して錫（
３）ｔ−溶融させ、半導体レーザペレット（１）の裏面
側に蒸着した金とを溶融させた後に冷却して半導体レー
ザベレッｌ）？固定する。次にレーザビームのモニタ用
ホトダイオード（１０〕を銀鉛半田合金によシステム（
２０）に接着した後、前述の半導体レーザペレット（１
）が接着されたヒートシンク（２）全通常の鉛懸半田に
よりステム（２０）の銅ブロック（５）上に接着する。
示す。第３図はヒートシンク（２）の部分の断面図であ
る。本実施例は、ＧａＡ＃Ａｓ 結晶ａＩ層体より成る
半導体レーザベレッ） （１１と、ｎ型不純物が拡散さ
れた不純物披散仙域（２１）を備えたＰ型シリコン基板
から成るヒートシンク（２）と、ステムとから成ってい
る。ヒートシンク（２には金１１Ｌ極（４）を蒸着し、
さらにロー材である錫（３）全不純物拡散領域（２１）
の上部のペレットマツノド部分に蒸着し、かつ非拡散領
域を一部残し、該非拡散領域に前記金電極形成時と同様
に金が蒸着され几ボンディング部（１２〕が形成されて
いる。前記錫（３）の蒸着されたペレットマウント部上
に、温度２８０℃でヒートン／り（２）全加熱して錫（
３）ｔ−溶融させ、半導体レーザペレット（１）の裏面
側に蒸着した金とを溶融させた後に冷却して半導体レー
ザベレッｌ）？固定する。次にレーザビームのモニタ用
ホトダイオード（１０〕を銀鉛半田合金によシステム（
２０）に接着した後、前述の半導体レーザペレット（１
）が接着されたヒートシンク（２）全通常の鉛懸半田に
よりステム（２０）の銅ブロック（５）上に接着する。
その後２５μｍφの金線（１１）により半導体レーザペ
レット（１）とヒートン／りのボンディング４！ （１
２）とが接続され、さらにヒートシンクのベレフトマウ
ント部分と接続している金電極（４）Ｉが、リード（７
）と醗上述のように２５μｍφの金線（６）で接続され
る。ま友モニタ用のホトダイオード（１０）も同様にリ
ード（８）と２５μｍφの金線（９）によって接続され
、その後ガラス窓付キャップによプ封止し、半導体レー
ザが作製されるものである。
レット（１）とヒートン／りのボンディング４！ （１
２）とが接続され、さらにヒートシンクのベレフトマウ
ント部分と接続している金電極（４）Ｉが、リード（７
）と醗上述のように２５μｍφの金線（６）で接続され
る。ま友モニタ用のホトダイオード（１０）も同様にリ
ード（８）と２５μｍφの金線（９）によって接続され
、その後ガラス窓付キャップによプ封止し、半導体レー
ザが作製されるものである。
この半導体レーザは、半導体レーザペレットのワイヤボ
ンディング面側に接続した金線（ｌυが、Ｐ型シリコン
基板を介して銅ブロック、すなわちステムに電気的に接
続しているヒートシンク上のボンディング部に接続され
る構造である九め、金線（１１）が銅ブロックに接触し
て短絡するのを防止できる。ま九、動作時はヒートシン
クのｐｎ接合に逆方向の電圧が印加されるので、半導体
レーザペレットのマウント面側はｐ型シリコン基板とは
実効的に絶縁され、ボンディング面側との短絡の心配は
ない。
ンディング面側に接続した金線（ｌυが、Ｐ型シリコン
基板を介して銅ブロック、すなわちステムに電気的に接
続しているヒートシンク上のボンディング部に接続され
る構造である九め、金線（１１）が銅ブロックに接触し
て短絡するのを防止できる。ま九、動作時はヒートシン
クのｐｎ接合に逆方向の電圧が印加されるので、半導体
レーザペレットのマウント面側はｐ型シリコン基板とは
実効的に絶縁され、ボンディング面側との短絡の心配は
ない。
実施例２
本発明による実施例２として、実施例１と異なり半導体
レーザペレットの極性が逆になった場合を示す。この場
合は前述の実施例１とヒートシンクの極性を逆にしてい
る。すなわち、ｎ型シリコン基板にｐ型不純物拡散領域
を形成したシートシンクを用いている。この他は実施例
１と同じである。本実施例によれば、半導体レーザペレ
ットの極性が変った場合にも、従来例によるリードの極
性と同様の半導体レーザを実現することができ、組立上
の利点も全く同等である。
レーザペレットの極性が逆になった場合を示す。この場
合は前述の実施例１とヒートシンクの極性を逆にしてい
る。すなわち、ｎ型シリコン基板にｐ型不純物拡散領域
を形成したシートシンクを用いている。この他は実施例
１と同じである。本実施例によれば、半導体レーザペレ
ットの極性が変った場合にも、従来例によるリードの極
性と同様の半導体レーザを実現することができ、組立上
の利点も全く同等である。
実施例３
第４図に本発明の第３の実施例を示す。この実施例では
シリコン基板上にダイヤモンド薄膜から成る絶縁膜（２
２）を形成し、この絶縁膜（２２）により半導体レーザ
ペレット（１）のマウント面側をシリコン基板すなわち
ヒートシンク（２から絶縁している。この他、金電極（
４）、錫（３）、金線（１１）等は実施例１と同じに形
成しである。効果も実施例１と同じである。
シリコン基板上にダイヤモンド薄膜から成る絶縁膜（２
２）を形成し、この絶縁膜（２２）により半導体レーザ
ペレット（１）のマウント面側をシリコン基板すなわち
ヒートシンク（２から絶縁している。この他、金電極（
４）、錫（３）、金線（１１）等は実施例１と同じに形
成しである。効果も実施例１と同じである。
以上説明したように本発明は少なくとも動作時に実効的
に電気的に絶縁し之アイランド部を有するヒートシンク
を有し、該アイランド部に発光素子ペレットをマウント
し、ペレットのマウント面側とステムのリードとを前記
ヒートシンク上のアイランド部に形成されたｔ極を介し
て電気的に接続し、かつ、ペレットの前記マウント面に
相対する面とステムとが、前記ヒートシンクを介して電
気的に接続されて発光装置を栴成するものである。
に電気的に絶縁し之アイランド部を有するヒートシンク
を有し、該アイランド部に発光素子ペレットをマウント
し、ペレットのマウント面側とステムのリードとを前記
ヒートシンク上のアイランド部に形成されたｔ極を介し
て電気的に接続し、かつ、ペレットの前記マウント面に
相対する面とステムとが、前記ヒートシンクを介して電
気的に接続されて発光装置を栴成するものである。
本発明によれば、金線を用い友通常の熱圧着ボールボン
ドによるワイヤポンディング法を用いて、金線接触等の
不具合が全くなく、従来例と同等の発光装置を実現する
ことができる。
ドによるワイヤポンディング法を用いて、金線接触等の
不具合が全くなく、従来例と同等の発光装置を実現する
ことができる。
また本発明において熱抵抗の増加は極めて小さく実用上
信頼度に関し何ら問題はない。
信頼度に関し何ら問題はない。
なお本発明の実施例においては半導体レーザペレットｆ
ＧａＡｌＡｓ 、ヒートシンクをシリコン、ステムの
ブロック部を銅としたがこれらの材料にかかわらず、他
の同等な材料についても共通であり、同様な効果が得ら
れることは言う迄もない。ま九本発明の実施例において
は半導体レーザにおける使用例を示し念が、他の発光集
子、例えば発光ダイオード、等にも広く適用できるもの
である。
ＧａＡｌＡｓ 、ヒートシンクをシリコン、ステムの
ブロック部を銅としたがこれらの材料にかかわらず、他
の同等な材料についても共通であり、同様な効果が得ら
れることは言う迄もない。ま九本発明の実施例において
は半導体レーザにおける使用例を示し念が、他の発光集
子、例えば発光ダイオード、等にも広く適用できるもの
である。
第１図は本発明による半導体レーザの実施例１の斜視図
、第２図はその上面図、第３図はヒートシンクの部分の
側面図、第４図は実施例３のヒートシンク部分の側面図
、第５図は従来の半導体レーザの斜視図、第６図はその
上面図である。 ｌ・・・・・・半導体レーザペレット、２・・・・・・
ヒートシンク、３・・・・・・錫、４・・・・・・金電
極、５・・・・・・銅ブロック、６・・・・・・金線、
７・・・・・・リード、８・・・・・・リード、９・・
・・・・金線、１０・・・・・・ホトダイオード、１１
・・・・・・金線、１２・・・・・・ボンディング部、
２０・・・・・・ステム、２１・・・・・・不純物拡散
領域、２２・・・・・・ダイヤモンド薄膜。 代理人 弁理士 Ｐ３ 原 晋す１１１イ本１
＝ソ・°へ°トント
、第２図はその上面図、第３図はヒートシンクの部分の
側面図、第４図は実施例３のヒートシンク部分の側面図
、第５図は従来の半導体レーザの斜視図、第６図はその
上面図である。 ｌ・・・・・・半導体レーザペレット、２・・・・・・
ヒートシンク、３・・・・・・錫、４・・・・・・金電
極、５・・・・・・銅ブロック、６・・・・・・金線、
７・・・・・・リード、８・・・・・・リード、９・・
・・・・金線、１０・・・・・・ホトダイオード、１１
・・・・・・金線、１２・・・・・・ボンディング部、
２０・・・・・・ステム、２１・・・・・・不純物拡散
領域、２２・・・・・・ダイヤモンド薄膜。 代理人 弁理士 Ｐ３ 原 晋す１１１イ本１
＝ソ・°へ°トント
Claims (1)
- 少なくとも動作時に実効的に電気的に絶縁されたアイ
ランド部を有するヒートシンクを有し、該アイランド部
に発光素子ペレットがマウントされ、前記発光素子ペレ
ットのワイヤボンディング面側電極が前記アイランド部
以外のヒートシンク部に電気的に接続されて成ることを
特徴とした発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31017487A JPH01150379A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31017487A JPH01150379A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01150379A true JPH01150379A (ja) | 1989-06-13 |
Family
ID=18002064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31017487A Pending JPH01150379A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01150379A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03263388A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-22 | Nec Corp | 光半導体素子及びその製造方法 |
| JPH0758413A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| US6561849B2 (en) | 2000-09-29 | 2003-05-13 | Tyco Electronics. Amp, K.K. | Electrical connector having an improved outer conductive shell |
| US6872084B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-03-29 | Tyco Electronics Amp, K.K. | Electrical connector assembly |
| WO2005059436A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | 1662801 Ontario Inc. | Lighting assembly, heat sink and heat recovery system therefor |
| JP2007227724A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP31017487A patent/JPH01150379A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03263388A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-22 | Nec Corp | 光半導体素子及びその製造方法 |
| JPH0758413A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nec Corp | 光半導体装置 |
| US6872084B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-03-29 | Tyco Electronics Amp, K.K. | Electrical connector assembly |
| US6561849B2 (en) | 2000-09-29 | 2003-05-13 | Tyco Electronics. Amp, K.K. | Electrical connector having an improved outer conductive shell |
| WO2005059436A1 (en) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | 1662801 Ontario Inc. | Lighting assembly, heat sink and heat recovery system therefor |
| US7780314B2 (en) | 2003-12-16 | 2010-08-24 | 1662801 Ontario Inc. | Lighting assembly, heat sink and heat recovery system therefor |
| JP2007227724A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
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