JPS63239186A - 結晶物品およびその形成方法 - Google Patents
結晶物品およびその形成方法Info
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は結晶および結晶の成長方法に関し、特に単結晶
と多結晶とが同一基板上に制御されて形成されている結
晶物品およびその形成方法に関するものである。
と多結晶とが同一基板上に制御されて形成されている結
晶物品およびその形成方法に関するものである。
[従来の技術]
従来、半導体電子素子や光素子等に用いられる単結晶薄
膜は、単結晶基板上にエピタキシャル成長させることで
形成されていた。例えば、Si単結晶基板(シリコンウ
ェハ)上には、Si、Ge、GaAs等を液相、気相ま
たは固相からエピタキシャル成長することが知られてお
り、またGaAs単結晶基板上にはGaAs、GaAu
As等の単結晶がエピタキシャル成長することが知ら
れている。このようにして形成された半導体薄膜を用い
て、半導体素子および集積回路、半導体レーザやLED
等の発光素子等が作製される。
膜は、単結晶基板上にエピタキシャル成長させることで
形成されていた。例えば、Si単結晶基板(シリコンウ
ェハ)上には、Si、Ge、GaAs等を液相、気相ま
たは固相からエピタキシャル成長することが知られてお
り、またGaAs単結晶基板上にはGaAs、GaAu
As等の単結晶がエピタキシャル成長することが知ら
れている。このようにして形成された半導体薄膜を用い
て、半導体素子および集積回路、半導体レーザやLED
等の発光素子等が作製される。
また、最近、二次元電子ガスを用いた超高速トランジス
タや、量子井戸を利用した超格子素子等の研究開発が盛
んであるが、これらを可能にしたのは、例えば超高真空
を用いたMBE (分子線エピタキシー)やMOCV
D (有機金属化学気相法)等の高精度エピタキシャ
ル技術である。
タや、量子井戸を利用した超格子素子等の研究開発が盛
んであるが、これらを可能にしたのは、例えば超高真空
を用いたMBE (分子線エピタキシー)やMOCV
D (有機金属化学気相法)等の高精度エピタキシャ
ル技術である。
このような単結晶基板上のエピタキシャル成長では、基
板の単結晶材料とエピタキシャル成長層との間に、格子
定数と熱膨張係数とを整合をとる必要がある。この整合
が不十分であると格子欠陥がエピタキシャル層に発達す
る。また基板を構成する元素がエピタキシャル層に拡散
することもある。
板の単結晶材料とエピタキシャル成長層との間に、格子
定数と熱膨張係数とを整合をとる必要がある。この整合
が不十分であると格子欠陥がエピタキシャル層に発達す
る。また基板を構成する元素がエピタキシャル層に拡散
することもある。
このように、エピタキシャル成長による従来の単結晶薄
膜の形成方法、その基板材料に大きく依存することが分
る。Mathews等は、基板材料とエピタキシャル成
長層との組合せを調べている(EPITAXIAL G
ROWTt(、Academic Press、 Ne
w York。
膜の形成方法、その基板材料に大きく依存することが分
る。Mathews等は、基板材料とエピタキシャル成
長層との組合せを調べている(EPITAXIAL G
ROWTt(、Academic Press、 Ne
w York。
1975 ed、 by J、W、Mathews)。
また、基板の大きさは、現在Siウェハで6インチ程度
であり、GaAs、サファイア基板の大型化は更に遅れ
ている。加えて、単結晶基板は製造コストが高いために
、チップ当りのコストが高くなる。
であり、GaAs、サファイア基板の大型化は更に遅れ
ている。加えて、単結晶基板は製造コストが高いために
、チップ当りのコストが高くなる。
このように、従来の方法によって、良質な素子が作製可
能な単結晶層を形成するには、基板材料の種類が極めて
狭い範囲に限定されるという問題点を有していた。
能な単結晶層を形成するには、基板材料の種類が極めて
狭い範囲に限定されるという問題点を有していた。
一方、半導体素子を基板の法線方向に積層形成し、高集
積化および多機能化を達成する三次元集積回路の研究開
発が近年盛んに行われており、また安価なガラス上に素
子をアレー状に配列する太陽電池や液晶画素のスイッチ
ングトランジスタ等の大面積半導体装置の研究開発も年
々盛んになりつつある。
積化および多機能化を達成する三次元集積回路の研究開
発が近年盛んに行われており、また安価なガラス上に素
子をアレー状に配列する太陽電池や液晶画素のスイッチ
ングトランジスタ等の大面積半導体装置の研究開発も年
々盛んになりつつある。
これら両者に共通することは、半導体薄膜を非晶質絶縁
物上に形成し、そこにトランジスタ等の電子素子を形成
する技術を必要とすることである。その中でも特に、非
晶質絶縁物上に高品質の単結晶半導体を形成する技術が
望まれている。
物上に形成し、そこにトランジスタ等の電子素子を形成
する技術を必要とすることである。その中でも特に、非
晶質絶縁物上に高品質の単結晶半導体を形成する技術が
望まれている。
一般的に、5i02等の非晶質絶縁物基板上に薄膜を堆
積させると、基板材料の長距離秩序の欠如によって、堆
積膜の結晶構造は非晶質または多結晶となる。ここで非
晶質膜とは、最近接原子程度の近距離秩序は保存されて
いるが、それ以上の長路■秩序はない状態のものであり
、多結晶膜とは、特定の結晶方位を持たない単結晶粒が
粒界で隔離されて集合したものである。
積させると、基板材料の長距離秩序の欠如によって、堆
積膜の結晶構造は非晶質または多結晶となる。ここで非
晶質膜とは、最近接原子程度の近距離秩序は保存されて
いるが、それ以上の長路■秩序はない状態のものであり
、多結晶膜とは、特定の結晶方位を持たない単結晶粒が
粒界で隔離されて集合したものである。
例えば、5iCh上にSiをCVD法によって形成する
場合、堆積温度が約600℃以下であれば非晶質シリコ
ンとなり、それ以上の温度であれば粒径が数百〜数千人
の間で分布した多結晶シリコンとなる。ただし、多結晶
シリコレの粒径およびその分布は形成方法によって大き
く変化する。
場合、堆積温度が約600℃以下であれば非晶質シリコ
ンとなり、それ以上の温度であれば粒径が数百〜数千人
の間で分布した多結晶シリコンとなる。ただし、多結晶
シリコレの粒径およびその分布は形成方法によって大き
く変化する。
更に、非晶質または多結晶膜をレーザや棒状ヒータ等の
エネルギビームによって溶融固化させることによって、
ミクロンあるいはミリメートル程度の大粒径の多結晶薄
膜が得られている(Single−Crystal
5ilicon on non−single−c
rystalinsulators、 Journal
of crystal Growth vol。
エネルギビームによって溶融固化させることによって、
ミクロンあるいはミリメートル程度の大粒径の多結晶薄
膜が得られている(Single−Crystal
5ilicon on non−single−c
rystalinsulators、 Journal
of crystal Growth vol。
63、 No、3.0ctober、 1983 ed
ited by G、 W。
ited by G、 W。
Culle口) 。
このようにして形成された各結晶構造の薄膜にトランジ
スタを形成し、その特性から電子易動度を測定すると、
非晶質シリコンでは〜0.1cm2/V・sec 、数
百人の粒径を有する多結晶シリコンでは1〜10cm2
/V−sec 、溶融固化による大粒径の多結晶シリコ
ンでは単結晶シリコンの場合と同程度の易動度が得られ
ている。
スタを形成し、その特性から電子易動度を測定すると、
非晶質シリコンでは〜0.1cm2/V・sec 、数
百人の粒径を有する多結晶シリコンでは1〜10cm2
/V−sec 、溶融固化による大粒径の多結晶シリコ
ンでは単結晶シリコンの場合と同程度の易動度が得られ
ている。
この結果から、結晶粒内の単結晶領域に形成された素子
と、粒界にまたがって形成された素子とは、その電気的
特性に大きな差異のあることが分る。すなわち、従来法
で得られていた非晶買上の堆積膜は非晶質または粒径分
布をもった多結晶構造となり、そこに作製された素子は
、単結晶層に作製された素子に比べて、その性能が大き
く劣るものとなる。そのために、用途としては簡単なス
イッチング素子、太陽電池、光電変換素子等に限られる
。
と、粒界にまたがって形成された素子とは、その電気的
特性に大きな差異のあることが分る。すなわち、従来法
で得られていた非晶買上の堆積膜は非晶質または粒径分
布をもった多結晶構造となり、そこに作製された素子は
、単結晶層に作製された素子に比べて、その性能が大き
く劣るものとなる。そのために、用途としては簡単なス
イッチング素子、太陽電池、光電変換素子等に限られる
。
また、溶融固化によって大粒径の多結晶薄膜を形成する
方法は、ウェハごとに非晶質または単結晶薄膜をエネル
ギビームで走査するために、大粒径化に多大な時間を要
し、量産性に乏しく、また大面積化に向かないという問
題点を有していた。
方法は、ウェハごとに非晶質または単結晶薄膜をエネル
ギビームで走査するために、大粒径化に多大な時間を要
し、量産性に乏しく、また大面積化に向かないという問
題点を有していた。
[発明が解決しようとする問題点1
以上述べたように、従来の結晶成長方法およびそれによ
って形成される結晶では、三次元集積化や大面積化が容
易ではなく、デバイスへの実用的な応用が困難であり、
優れた特性を有するデバイスを作製するために必要とさ
れる単結晶および多結晶等の結晶を容易に、かつ低コス
トで形成することができなかった。
って形成される結晶では、三次元集積化や大面積化が容
易ではなく、デバイスへの実用的な応用が困難であり、
優れた特性を有するデバイスを作製するために必要とさ
れる単結晶および多結晶等の結晶を容易に、かつ低コス
トで形成することができなかった。
従って、本発明は上記の従来の問題点を解消し、三次元
集積化や大面積化が容易で、デバイスへの実用的な応用
が容易で優れた特性を有する単結晶および多結晶の形成
方法を提供することを目的とする。
集積化や大面積化が容易で、デバイスへの実用的な応用
が容易で優れた特性を有する単結晶および多結晶の形成
方法を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段1
このような目的を達成するために、本発明は核形成密度
の小さい非核形成面(SNcs)、非核形成面(SNO
9)に隣接して配され、単一核のみより結晶成長するに
充分小さい面積を有し、非核形成面(SNDS)の核形
成密度(NDS)より大きい核形成密度(NDL)を有
する少なくとも一つの小核形成面(SNQL−5)、お
よび複数核が成長するに充分大きな面積を有し、非核形
成面(SNDS)の核形成密度(NDS)より大きい核
形成密度(NDL)を有する少なくとも一つの大核形成
面(SsDL−L)を有する基体と、単一核より成長し
て、小核形成面(SNDL、−5)を越えて非核形成面
(SNDS)の一部を覆っている少なくとも1個の単結
晶と、複数核から成長した多結晶膜とからなることを特
徴とする。
の小さい非核形成面(SNcs)、非核形成面(SNO
9)に隣接して配され、単一核のみより結晶成長するに
充分小さい面積を有し、非核形成面(SNDS)の核形
成密度(NDS)より大きい核形成密度(NDL)を有
する少なくとも一つの小核形成面(SNQL−5)、お
よび複数核が成長するに充分大きな面積を有し、非核形
成面(SNDS)の核形成密度(NDS)より大きい核
形成密度(NDL)を有する少なくとも一つの大核形成
面(SsDL−L)を有する基体と、単一核より成長し
て、小核形成面(SNDL、−5)を越えて非核形成面
(SNDS)の一部を覆っている少なくとも1個の単結
晶と、複数核から成長した多結晶膜とからなることを特
徴とする。
また、本発明は核形成密度の小さい非核形成面(SND
S)、単一核のみより結晶成長するに充分小さい面積を
有し、非核形成面(SNos)の核形成密度(NDS)
より大きい核形成密度(NDL)を有する少なくとも一
つの小核形成面(SNDL−5)、および非核形成面(
SNDL−s)の核形成密度(NDS)より大きな核形
成密度(周シ)を有し、複数核が成長するに充分な大き
さの面積を有する少なくとも一つの大核形成面(SND
L、−L)を有する基体に、結晶成長を施して、小核形
成面(SNDL−5)に単一核を形成し、さらに単一核
より非核形成面の一部を覆うように単結晶を成長させる
と共に、大核形成面(SNDL−L)上に多結晶膜を形
成することを特徴とする。
S)、単一核のみより結晶成長するに充分小さい面積を
有し、非核形成面(SNos)の核形成密度(NDS)
より大きい核形成密度(NDL)を有する少なくとも一
つの小核形成面(SNDL−5)、および非核形成面(
SNDL−s)の核形成密度(NDS)より大きな核形
成密度(周シ)を有し、複数核が成長するに充分な大き
さの面積を有する少なくとも一つの大核形成面(SND
L、−L)を有する基体に、結晶成長を施して、小核形
成面(SNDL−5)に単一核を形成し、さらに単一核
より非核形成面の一部を覆うように単結晶を成長させる
と共に、大核形成面(SNDL−L)上に多結晶膜を形
成することを特徴とする。
[作 用]
本発明は成長させるべき結晶の核形成密度(ND)が結
晶を成長させる面の材質によって異なることに利用する
ものである。例えばSi結晶を堆積する場合、SiO□
は小さな核形成密度(NDS)を、SiNは大きな核形
成密度(NDL)を有する。モして5t(h面とSiN
面を基板上ではこの核形成密度の差(八NO) によっ
て、Si結晶はSiN上にのみ堆積成長し、5iOz上
には成長しない。このように大きな核形成密度(NDL
)をもち結晶が堆積成長する面を核形成面(SNDL−
L)、小さな核形成密度(NDS)をもち、結晶が成長
しない面を非核形成面(SNas)と称する。この時核
形成面(SNDL)の面積を単一の核しか発生し得ない
程度に十分小さくしておくと、核形成面(SNDL)上
には単結晶が成長し、この単結晶は核形成面(SNDL
)を越えて、非核形成面(SNDS)上へも成長する。
晶を成長させる面の材質によって異なることに利用する
ものである。例えばSi結晶を堆積する場合、SiO□
は小さな核形成密度(NDS)を、SiNは大きな核形
成密度(NDL)を有する。モして5t(h面とSiN
面を基板上ではこの核形成密度の差(八NO) によっ
て、Si結晶はSiN上にのみ堆積成長し、5iOz上
には成長しない。このように大きな核形成密度(NDL
)をもち結晶が堆積成長する面を核形成面(SNDL−
L)、小さな核形成密度(NDS)をもち、結晶が成長
しない面を非核形成面(SNas)と称する。この時核
形成面(SNDL)の面積を単一の核しか発生し得ない
程度に十分小さくしておくと、核形成面(SNDL)上
には単結晶が成長し、この単結晶は核形成面(SNDL
)を越えて、非核形成面(SNDS)上へも成長する。
本発明はこのような結晶の選択形成技術を用いることに
よって、同一の基板上に制御されて形成された単結晶と
多結晶とからなる結晶を得ることができる。
よって、同一の基板上に制御されて形成された単結晶と
多結晶とからなる結晶を得ることができる。
[実施例]
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図(A)に示すように任意の下地基板1上に5in
2膜2を形成する。SiO□膜2はStを下地基板とし
て熱酸化によっても形成でき、アルミナ、高融点ガラス
その他を下地基板として通常のCVD法によっても形成
できる。5i02膜2の厚さは1000人程度とする。
2膜2を形成する。SiO□膜2はStを下地基板とし
て熱酸化によっても形成でき、アルミナ、高融点ガラス
その他を下地基板として通常のCVD法によっても形成
できる。5i02膜2の厚さは1000人程度とする。
ついで、5in2膜2上に、5iH2Cf12とNH3
ガスを用いたCVD法によってSiNx膜を厚さ500
人程度堆積し、さらにフォトリソグラフィによって、S
iNx膜をバターニングする。こうして、数μm以下の
小面積のSiN3膜3Aと、大面積のSiNx膜3Bと
が5i02膜2上に形成される。
ガスを用いたCVD法によってSiNx膜を厚さ500
人程度堆積し、さらにフォトリソグラフィによって、S
iNx膜をバターニングする。こうして、数μm以下の
小面積のSiN3膜3Aと、大面積のSiNx膜3Bと
が5i02膜2上に形成される。
この時5iQ2膜2上ではSiの核形成密度が小さく、
Sin□1192は非核形成面(SNDS)となり、S
iN3膜3Aおよび3BはSiの核形成密度が大きく、
核形成面(SNOL)となる。
Sin□1192は非核形成面(SNDS)となり、S
iN3膜3Aおよび3BはSiの核形成密度が大きく、
核形成面(SNOL)となる。
次に、このようにして形成された基板上に5iH2CJ
Z2ガスを用いた熱CvI11法によってSi結晶を成
長させる。第1図(B) に示すように、SiはS
iNX膜3Aおよび3B上にのみ成長し、5in2膜か
らは成長しない。小面積のSiN、(llU3Aは大き
さが数μm以下であり、この上にはSiの単一核のみが
形成され、この単一核から単結晶4が成長し、SiO□
膜を覆うようになる。一方、大面積のSiNx膜3Bに
は多数の核が形成され、Si多結晶が成長し、やはり5
i02膜2を覆うようになる。さらに成長を続けるとS
i結晶はSiO□膜2の全面を覆うようになる。
Z2ガスを用いた熱CvI11法によってSi結晶を成
長させる。第1図(B) に示すように、SiはS
iNX膜3Aおよび3B上にのみ成長し、5in2膜か
らは成長しない。小面積のSiN、(llU3Aは大き
さが数μm以下であり、この上にはSiの単一核のみが
形成され、この単一核から単結晶4が成長し、SiO□
膜を覆うようになる。一方、大面積のSiNx膜3Bに
は多数の核が形成され、Si多結晶が成長し、やはり5
i02膜2を覆うようになる。さらに成長を続けるとS
i結晶はSiO□膜2の全面を覆うようになる。
第2図(A)は成長の結晶の断面、第2図(B)はその
上面を示す図である。図に示すように、Si単結晶4と
多結晶5とが同時に同一基板上に形成できる。
上面を示す図である。図に示すように、Si単結晶4と
多結晶5とが同時に同一基板上に形成できる。
各単結晶および多結晶は任意の位誼に、かつ任意の形状
で制御して形成することができる。形成された単結晶と
多結晶とは同一材料であり、かつ基板の全面を覆ってい
るので、表面の平坦化を容易に行うことができる。また
平坦化を行った後に、各単結晶の粒界をエツチングして
、各単結晶を分離すること、フォトリングラフィ工程に
よって多結晶部分を任意の形状に再加工することも容易
である。
で制御して形成することができる。形成された単結晶と
多結晶とは同一材料であり、かつ基板の全面を覆ってい
るので、表面の平坦化を容易に行うことができる。また
平坦化を行った後に、各単結晶の粒界をエツチングして
、各単結晶を分離すること、フォトリングラフィ工程に
よって多結晶部分を任意の形状に再加工することも容易
である。
以上の実施例ではSi結晶を例として説明したが、本発
明は核形成面と非核形成面の組合わせによって、広く他
の結晶に適用できる。
明は核形成面と非核形成面の組合わせによって、広く他
の結晶に適用できる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば同一基板上に、単
結晶と多結晶とが制御された位置および太き盲で形成さ
れた結晶を得ることができる。
結晶と多結晶とが制御された位置および太き盲で形成さ
れた結晶を得ることができる。
この結晶は表面の平坦化も容易であり、各単結晶の分離
、多結晶部分の加工も容易であり、各単結晶および多結
晶のそれぞれに異なる機能を有する電子素子を形成して
、複合機能を有する素子を形成することができる。
、多結晶部分の加工も容易であり、各単結晶および多結
晶のそれぞれに異なる機能を有する電子素子を形成して
、複合機能を有する素子を形成することができる。
第1図は本発明の実施例における結晶成長過程を示す断
面図、 第2図は成長結晶の状態を示す図で、同図(A)は断面
図、同図(B)は上面図である。 1・・・下地基板、 2・・・5in2膜、 :lA、3B・・・Si3N4膜、 4・・・Si単結晶、 5・・・Si多結晶。 為 第2図
面図、 第2図は成長結晶の状態を示す図で、同図(A)は断面
図、同図(B)は上面図である。 1・・・下地基板、 2・・・5in2膜、 :lA、3B・・・Si3N4膜、 4・・・Si単結晶、 5・・・Si多結晶。 為 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)核形成密度の小さい非核形成面(S_N_D_S)
、該非核形成面(S_N_D_S)に隣接して配され、
単一核のみより結晶成長するに充分小さい面積を有し、
前記非核形成面(S_N_D_S)の核形成密度(ND
_S)より大きい核形成密度(ND_L)を有する少な
くとも一つの小核形成面(S_N_D_L−S)、およ
び複数核が成長するに充分大きな面積を有し、前記非核
形成面(S_N_D_S)の核形成密度(ND_S)よ
り大きい核形成密度(ND_L)を有する少なくとも一
つの大核形成面(S_N_D_L−L)を有する基体と
、前記単一核より成長して、前記小核形成面(S_N_
D_L−S)を越えて前記非核形成面(S_N_D_S
)の一部を覆っている少なくとも1個の単結晶と、前記
複数核から成長した多結晶膜とからなることを特徴とす
る結晶物品。 2)前記非核形成面(S_N_D_S)が非晶質からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の結晶物
品。 3)前記小核形成面(S_N_D_L−S)の複数が所
望の間隔で設けられ、前記単結晶が該小核形成面間のほ
ぼ中央で粒界を介して接することを特徴とする特許請求
の範囲第1項または第2項記載の結晶物品。 4)前記小核形成面(S_N_D_L−S)と前記大核
形成面(S_N_D_L−L)とが所望の間隔で設けら
れ、前記単結晶と前記多結晶が接していることを特徴と
する特許請求の範囲第1項または第2項記載の結晶物品
。 5)前記大核形成面(S_N_D_L−L)の複数が所
望の位置に所望の形状で形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれかの項に
記載の結晶物品。 6)核形成密度の小さい非核形成面(S_N_D_S)
、単一核のみより結晶成長するに充分小さい面積を有し
、前記非核形成面(S_N_D_S)の核形成密度(N
D_S)より大きい核形成密度(ND_L)を有する少
なくとも一つの小核形成面(S_N_D_L−S)、お
よび前記非核形成面(S_N_D_S)の核形成密度(
ND_S)より大きな核形成密度(N_D_L)を有し
、複数核が成長するに充分な大きさの面積を有する少な
くとも一つの大核形成面(S_N_D_L−L)を有す
る基体に、結晶成長を施して、前記小核形成面(S_N
_D_L−S)に単一核を形成し、さらに該単一核より
前記非核形成面の一部を覆うように単結晶を成長させる
と共に、前記大核形成面(S_N_D_S−L)上に多
結晶膜を形成することを特徴とする結晶物品の形成方法
。 7)前記小核形成面(S_N_D_L−S)と前記大核
形成面(S_N_D_L−L)とを、前記非核形成面(
S_N_D_S)を構成する材料より充分大きな核形成
密度を有する材料を前記非核形成面上に堆積した後、フ
ォトリソグラフィによるパターニングによって同時に形
成することを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の結
晶物品の形成方法。 8)前記小核形成面(S_N_D_L−S)と前記大核
形成面(S_N_D_L−L)とを、前記非核形成面(
S_N_D_S)を構成する材料より充分大きな核形成
密度を有する材料を前記非核形成面にイオン注入して形
成することを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の結
晶物品の形成方法。 9)前記小核形成面(S_N_D_L−S)と前記大核
形成面(S_N_D_L−L)との相対的位置関係によ
って、前記単結晶の位置および大きさを制御することを
特徴とする特許請求の範囲第6項ないし第8項のいずれ
かの項に記載の結晶物品の形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62073516A JP2592834B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 結晶物品およびその形成方法 |
EP88302717A EP0284433B1 (en) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Crystal articles and method for forming the same |
DE19883856275 DE3856275T2 (de) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Kristalline Gegenstände und Verfahren zu ihrer Herstellung |
CA 562511 CA1339827C (en) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Crystal articles and method for forming the same |
US08/022,611 US5364815A (en) | 1987-03-27 | 1993-02-17 | Crystal articles and method for forming the same |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63239186A true JPS63239186A (ja) | 1988-10-05 |
JP2592834B2 JP2592834B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=13520487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62073516A Expired - Fee Related JP2592834B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 結晶物品およびその形成方法 |
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Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0284433B1 (ja) |
JP (1) | JP2592834B2 (ja) |
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DE (1) | DE3856275T2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP2660064B2 (ja) * | 1988-10-02 | 1997-10-08 | キヤノン株式会社 | 結晶物品及びその形成方法 |
ATE150212T1 (de) * | 1991-04-22 | 1997-03-15 | Canon Kk | Lichtemittierende vorrichtung unter verwendung von polykristallinem halbleitermaterial und herstellungsverfahren dafür |
DE69218038T2 (de) * | 1991-05-23 | 1997-08-28 | Canon Kk | Lichtemittierende Vorrichtung, optischer Druckkopf mit solcher Vorrichtung, und optischer Drucker mit solchem Druckkopf |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5869798A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-04-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体結晶成長方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3620833A (en) * | 1966-12-23 | 1971-11-16 | Texas Instruments Inc | Integrated circuit fabrication |
US4657603A (en) * | 1984-10-10 | 1987-04-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for the manufacture of gallium arsenide thin film solar cells |
JPH0782996B2 (ja) * | 1986-03-28 | 1995-09-06 | キヤノン株式会社 | 結晶の形成方法 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62073516A patent/JP2592834B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-03-25 DE DE19883856275 patent/DE3856275T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-25 CA CA 562511 patent/CA1339827C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-25 EP EP88302717A patent/EP0284433B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5869798A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-04-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体結晶成長方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1339827C (en) | 1998-04-21 |
EP0284433A3 (en) | 1989-03-08 |
JP2592834B2 (ja) | 1997-03-19 |
EP0284433A2 (en) | 1988-09-28 |
DE3856275T2 (de) | 1999-05-12 |
DE3856275D1 (de) | 1999-01-14 |
EP0284433B1 (en) | 1998-12-02 |
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