JP2592834B2 - 結晶物品およびその形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は結晶および結晶の成長方法に関し、特に単結
晶と多結晶とが同一基板上に制御されて形成されている
結晶物品およびその形成方法に関するものである。
晶と多結晶とが同一基板上に制御されて形成されている
結晶物品およびその形成方法に関するものである。
［従来の技術］ 近年、半導体電子素子や光素子等に用いられる単結晶
薄膜は、単結晶基板上にエピタキシャル成長させること
で形成されていた。例えば、Si単結晶基板（シリコンウ
エハ）上には、Si,Ge,GsAs等を液相、気相または固相か
らエピタキシャル成長することが知られており、またGa
As単結晶基板上にはGaAs,GAalAs等の単結晶がエピタキ
シャル成長することが知られている。このようにして形
成された半導体薄膜を用いて、半導体素子および集積回
路、半導体レーザやLED等の発光素子等が作製される。
薄膜は、単結晶基板上にエピタキシャル成長させること
で形成されていた。例えば、Si単結晶基板（シリコンウ
エハ）上には、Si,Ge,GsAs等を液相、気相または固相か
らエピタキシャル成長することが知られており、またGa
As単結晶基板上にはGaAs,GAalAs等の単結晶がエピタキ
シャル成長することが知られている。このようにして形
成された半導体薄膜を用いて、半導体素子および集積回
路、半導体レーザやLED等の発光素子等が作製される。
また、最近、二次元電子ガスを用いた超高速トランジ
スタや、量子井戸を利用した超格子素子等の研究開発が
盛んであるが、これらを可能にしたのは、例えば超高真
空を用いたMBE（分子線エピタキシー）やMOCVD（有機金
属化学気相法）等の高精度エピタキシャル技術である。
スタや、量子井戸を利用した超格子素子等の研究開発が
盛んであるが、これらを可能にしたのは、例えば超高真
空を用いたMBE（分子線エピタキシー）やMOCVD（有機金
属化学気相法）等の高精度エピタキシャル技術である。
このような単結晶基板上のエピタキシャル成長では、
基板の単結晶材料とエピタキシャル成長層との間に、格
子定数と熱膨張係数とを整合をとる必要がある。この整
合が不十分であると格子欠陥がエピタキシャル層に発達
する。また基板を構成する元素エピタキシャル層に拡散
することもある。
基板の単結晶材料とエピタキシャル成長層との間に、格
子定数と熱膨張係数とを整合をとる必要がある。この整
合が不十分であると格子欠陥がエピタキシャル層に発達
する。また基板を構成する元素エピタキシャル層に拡散
することもある。
このように、エピタキシャル成長による従来の単結晶
薄膜の形成方法、その基板材料に大きく依存することが
分る。Mathews等は、基板材料とエピタキシャル成長層
との組合せを調べている（EPITAXIAL GROWTH.Academic
Press,New York,1975 ed.by J.W.Mathews）。
薄膜の形成方法、その基板材料に大きく依存することが
分る。Mathews等は、基板材料とエピタキシャル成長層
との組合せを調べている（EPITAXIAL GROWTH.Academic
Press,New York,1975 ed.by J.W.Mathews）。
また、基板の大きさは、現在Siウエハで６インチ程度
であり、GaAs,サファイア基板の大型化は更に遅れてい
る。加えて、単結晶基板は製造コストが高いために、チ
ップ当りのコストが高くなる。
であり、GaAs,サファイア基板の大型化は更に遅れてい
る。加えて、単結晶基板は製造コストが高いために、チ
ップ当りのコストが高くなる。
このように、従来の方法によって、良質な素子が作製
可能な単結晶層を形成するには、基板材料の種類が極め
て狭い範囲に限定されるという問題点を有していた。
可能な単結晶層を形成するには、基板材料の種類が極め
て狭い範囲に限定されるという問題点を有していた。
一方、半導体素子を基板の法線方向に積層形成し、高
集積化および多機能化を達成する三次元集積回路の研究
開発が近年盛んに行われており、また安価なガラス上に
素子をアレー状に配列する太陽電池や液晶画素のスイッ
チングトランジスタ等の大面積半導体装置の研究開発も
年々盛んになりつつある。
集積化および多機能化を達成する三次元集積回路の研究
開発が近年盛んに行われており、また安価なガラス上に
素子をアレー状に配列する太陽電池や液晶画素のスイッ
チングトランジスタ等の大面積半導体装置の研究開発も
年々盛んになりつつある。
これら両者に共通することは、半導体薄膜を非晶質絶
縁物上に形成し、そこにトランジスタ等の電子素子を形
成する技術を必要とすることである。その中でも特に、
非晶質絶縁物上に高品質の単結晶半導体を形成する技術
が望まれている。
縁物上に形成し、そこにトランジスタ等の電子素子を形
成する技術を必要とすることである。その中でも特に、
非晶質絶縁物上に高品質の単結晶半導体を形成する技術
が望まれている。
一般的に、SiO2等の非晶質絶縁物基板上に薄膜を堆積
させると、基板材料の長距離秩序の欠如によって、堆積
膜の結晶構造は非晶質または多結晶となる。ここで非晶
質膜とは、最近接原子程度の近距離秩序は保存されてい
るが、それ以上の長距離秩序はない状態のものであり、
多結晶膜とは、特定の結晶方位を持たない単結晶粒が粒
界で隔離されて集合したものである。
させると、基板材料の長距離秩序の欠如によって、堆積
膜の結晶構造は非晶質または多結晶となる。ここで非晶
質膜とは、最近接原子程度の近距離秩序は保存されてい
るが、それ以上の長距離秩序はない状態のものであり、
多結晶膜とは、特定の結晶方位を持たない単結晶粒が粒
界で隔離されて集合したものである。
例えば、SiO2上にSiをCVD法によって形成する場合、
堆積温度が約600℃以下であれば非晶質シリコンとな
り、それ以上の温度であれば粒径が数百〜数千Åの間で
分布した多結晶シリコンとなる。ただし、多結晶シリコ
ンの粒径およびその分布は形成方法によって大きく変化
する。
堆積温度が約600℃以下であれば非晶質シリコンとな
り、それ以上の温度であれば粒径が数百〜数千Åの間で
分布した多結晶シリコンとなる。ただし、多結晶シリコ
ンの粒径およびその分布は形成方法によって大きく変化
する。
更に、非晶質または多結晶膜をレーザや棒状ヒータ等
のエネルギビームによって溶融固化させることによっ
て、ミクロンあるいはミリメートル程度の大粒径の多結
晶薄膜が得られている（Single-Crystal silicon on no
n-single-crystal insulators,Journal of crystal Gro
wth vol.63,No.3,October,1983 edited by G.W.Culle
n）。
のエネルギビームによって溶融固化させることによっ
て、ミクロンあるいはミリメートル程度の大粒径の多結
晶薄膜が得られている（Single-Crystal silicon on no
n-single-crystal insulators,Journal of crystal Gro
wth vol.63,No.3,October,1983 edited by G.W.Culle
n）。
このようにして形成された多結晶構造の薄膜にトラン
ジスタを形成し、その特性から電子易動度を測定する
と、非晶質シリコンでは〜0.1cm2/V・sec、数百Åの粒
径を有する多結晶シリコンでは１〜10cm2/V・sec、溶融
固化による大粒径の多結晶シリコンでは単結晶シリコン
の場合と同程度の易動度が得られている。
ジスタを形成し、その特性から電子易動度を測定する
と、非晶質シリコンでは〜0.1cm2/V・sec、数百Åの粒
径を有する多結晶シリコンでは１〜10cm2/V・sec、溶融
固化による大粒径の多結晶シリコンでは単結晶シリコン
の場合と同程度の易動度が得られている。
この結果から、結晶粒内の単結晶領域に形成された素
子と、粒界にまたがって形成された素子とは、その電気
的特性に大きな差異のあることが分る。すなわち、従来
法で得られていた非晶質上の堆積膜は非晶質または粒径
分布をもった多結晶構造となり、そこに作製された素子
は、単結晶層に作製された素子に比べて、その性能が大
きく劣るものとなる。そのために、用途としては簡単な
スイッチング素子、太陽電池、光電変換素子等に限られ
る。
子と、粒界にまたがって形成された素子とは、その電気
的特性に大きな差異のあることが分る。すなわち、従来
法で得られていた非晶質上の堆積膜は非晶質または粒径
分布をもった多結晶構造となり、そこに作製された素子
は、単結晶層に作製された素子に比べて、その性能が大
きく劣るものとなる。そのために、用途としては簡単な
スイッチング素子、太陽電池、光電変換素子等に限られ
る。
また、溶融固化によって大粒径の多結晶薄膜を形成す
る方法は、ウエハごとに非晶質または単結晶薄膜をエネ
ルギビームで走査するために、大粒径化に多大な時間を
要し、量産性に乏しく、また大面積化に向かないという
問題点を有していた。
る方法は、ウエハごとに非晶質または単結晶薄膜をエネ
ルギビームで走査するために、大粒径化に多大な時間を
要し、量産性に乏しく、また大面積化に向かないという
問題点を有していた。
［発明が解決しようとする問題点］ 以上述べたように、従来の結晶成長方法およびそれに
よって形成される結晶では、三次元集積化や大面積化が
容易ではなく、デバイスへの実用的な応用が困難であ
り、優れた特性を有するデバイスを作製するために必要
とされる単結晶および多結晶等の結晶を容易に、かつ低
コストで形成することができなかった。
よって形成される結晶では、三次元集積化や大面積化が
容易ではなく、デバイスへの実用的な応用が困難であ
り、優れた特性を有するデバイスを作製するために必要
とされる単結晶および多結晶等の結晶を容易に、かつ低
コストで形成することができなかった。
従って、本発明は上記の従来の問題点を解消し、三次
元集積化や大面積化が容易で、デバイスへの実用的な応
用が容易で優れた特性を有する単結晶および多結晶の形
成方法を提供することを目的とする。
元集積化や大面積化が容易で、デバイスへの実用的な応
用が容易で優れた特性を有する単結晶および多結晶の形
成方法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ このような目的を達成するために、本発明の結晶物品
は、核形成密度の小さい非核形成面（ＳNDS）、該核形
成面（ＳNDS）に隣接して配され、成長させるべき結晶
の単一核が形成されるのに充分小さい面積を有し、非核
形成面（ＳNDS）の核形成密度（NDS）よりも大きい核形
成密度（NDL）を有する少なくとも一つの小核形成面
（ＳNDL−Ｓ）、および成長させるべき結晶の複数核が
形成されるのに充分大きな面積を有し、非核形成面（Ｓ
NDS）の核形成密度（NDS）よりも大きい核形成密度（ND
L）を有する少なくとも一つの大核形成面（ＳNDL−Ｌ）
を有する基体と、前記単一核より成長して、小核形成面
（ＳNDL−Ｓ）を越えて非核形成面（ＳNDS）の一部を覆
っている少なくとも１個の単結晶と、複数核から成長し
た多結晶膜とからなり、小核形成面（ＳNDL−Ｓ）およ
び大核形成面（ＳNDL−Ｌ）が単結晶および多結晶膜と
は異なる材料から形成されていることを特徴とする。
は、核形成密度の小さい非核形成面（ＳNDS）、該核形
成面（ＳNDS）に隣接して配され、成長させるべき結晶
の単一核が形成されるのに充分小さい面積を有し、非核
形成面（ＳNDS）の核形成密度（NDS）よりも大きい核形
成密度（NDL）を有する少なくとも一つの小核形成面
（ＳNDL−Ｓ）、および成長させるべき結晶の複数核が
形成されるのに充分大きな面積を有し、非核形成面（Ｓ
NDS）の核形成密度（NDS）よりも大きい核形成密度（ND
L）を有する少なくとも一つの大核形成面（ＳNDL−Ｌ）
を有する基体と、前記単一核より成長して、小核形成面
（ＳNDL−Ｓ）を越えて非核形成面（ＳNDS）の一部を覆
っている少なくとも１個の単結晶と、複数核から成長し
た多結晶膜とからなり、小核形成面（ＳNDL−Ｓ）およ
び大核形成面（ＳNDL−Ｌ）が単結晶および多結晶膜と
は異なる材料から形成されていることを特徴とする。
また、本発明による結晶物品の形成方法は、核形成密
度の小さい非核形成面（ＳNDS）、成長させるべき結晶
と異なる材料からなり、成長させるべき結晶の単一核が
形成されるのに充分小さい面積を有し、非核形成面（Ｓ
NDS）の核形成密度（NDS）よりも大きい核形成密度（ND
L）を有する少なくとも一つの小核形成面（ＳNDL−
Ｓ）、および成長させるべき結晶と異なる材料からな
り、成長させるべき結晶の複数核が形成されるのに充分
大きな面積を有し、非核形成面（ＳNDS）の核形成密度
（NDS）よりも大きい核形成密度（NDL）を有する少なく
とも一つの大核形成面（ＳNDL−Ｌ）を有する基体に、
結晶成長処理を施して、小核形成面（ＳNDL−Ｓ）に単
一核を形成し、さらに該単一核より非核形成面の一部を
覆うように単結晶を成長させると共に、大核形成面（Ｓ
NDL−Ｌ）上に多結晶膜を形成することを特徴とする。
度の小さい非核形成面（ＳNDS）、成長させるべき結晶
と異なる材料からなり、成長させるべき結晶の単一核が
形成されるのに充分小さい面積を有し、非核形成面（Ｓ
NDS）の核形成密度（NDS）よりも大きい核形成密度（ND
L）を有する少なくとも一つの小核形成面（ＳNDL−
Ｓ）、および成長させるべき結晶と異なる材料からな
り、成長させるべき結晶の複数核が形成されるのに充分
大きな面積を有し、非核形成面（ＳNDS）の核形成密度
（NDS）よりも大きい核形成密度（NDL）を有する少なく
とも一つの大核形成面（ＳNDL−Ｌ）を有する基体に、
結晶成長処理を施して、小核形成面（ＳNDL−Ｓ）に単
一核を形成し、さらに該単一核より非核形成面の一部を
覆うように単結晶を成長させると共に、大核形成面（Ｓ
NDL−Ｌ）上に多結晶膜を形成することを特徴とする。
［作用］ 本発明は成長させるべき結晶の核形成密度（ND）が結
晶を成長させる面の材質によって異なることを利用する
ものである。例えばSi結晶を堆積する場合、SiO2は小さ
な核形成密度（NDS）を、SiNは大きな核形成密度（N
DL）を有する。そしてSiO2面とSiN面を基板上ではこの
核形成密度の差（ΔND）によって、Si結晶はSiN上にの
み堆積成長し、SiO2上には成長しない。このように大き
な核形成密度（NDL）をもち結晶が堆積成長する面を核
形成面（ＳNDL）、小さな核形成密度（NDS）をもち、結
晶が成長しない面を非核形成面（ＳNDS）と称する。こ
の時核形成面（ＳNDL）の面積を単一の核しか発生し得
ない程度に十分小さくしておくと、核形成面（ＳNDL）
上には単結晶が成長し、この単結晶は核形成面
（ＳNDL）を越えて、非核形成面（ＳNDS）上へも成長す
る。
晶を成長させる面の材質によって異なることを利用する
ものである。例えばSi結晶を堆積する場合、SiO2は小さ
な核形成密度（NDS）を、SiNは大きな核形成密度（N
DL）を有する。そしてSiO2面とSiN面を基板上ではこの
核形成密度の差（ΔND）によって、Si結晶はSiN上にの
み堆積成長し、SiO2上には成長しない。このように大き
な核形成密度（NDL）をもち結晶が堆積成長する面を核
形成面（ＳNDL）、小さな核形成密度（NDS）をもち、結
晶が成長しない面を非核形成面（ＳNDS）と称する。こ
の時核形成面（ＳNDL）の面積を単一の核しか発生し得
ない程度に十分小さくしておくと、核形成面（ＳNDL）
上には単結晶が成長し、この単結晶は核形成面
（ＳNDL）を越えて、非核形成面（ＳNDS）上へも成長す
る。
本発明はこのような結晶の選択形成技術を用いること
によって、同一の基板上に制御されて形成された単結晶
と多結晶とからなる結晶を得ることができる。
によって、同一の基板上に制御されて形成された単結晶
と多結晶とからなる結晶を得ることができる。
［実施例］ 以下に図面を参照して本発明の実施例を説明する。
第１図（Ａ）に示すように任意の下地基板１上にSiO2
膜２を形成する。SiO2膜２はSiを下地基板として熱酸化
によっても形成でき、アルミナ，高融点ガラスその他を
下地基板として通常のCVD法によっても形成できる。SiO
2膜２の厚さは1000Å程度とする。ついで、SiO2膜２上
に、SiH2Cl2とNH3ガスを用いたCVD法によってSiNX膜を
厚さ500Å程度堆積し、さらにフォトリソグラフィによ
って、SiNX膜をパターニングする。こうして、数μｍ以
下の小面積のSiNX膜3Aと、大面積のSiNX膜3BとがSiO2膜
２上に形成される。
膜２を形成する。SiO2膜２はSiを下地基板として熱酸化
によっても形成でき、アルミナ，高融点ガラスその他を
下地基板として通常のCVD法によっても形成できる。SiO
2膜２の厚さは1000Å程度とする。ついで、SiO2膜２上
に、SiH2Cl2とNH3ガスを用いたCVD法によってSiNX膜を
厚さ500Å程度堆積し、さらにフォトリソグラフィによ
って、SiNX膜をパターニングする。こうして、数μｍ以
下の小面積のSiNX膜3Aと、大面積のSiNX膜3BとがSiO2膜
２上に形成される。
この時SiO2膜２上ではSiの核形成密度が小さく、SiO2
膜２は非核形成面（ＳNDS）となり、SiN3膜3Aおよび3B
はSiの核形成密度が大きく、核形成面（ＳNDL）とな
る。
膜２は非核形成面（ＳNDS）となり、SiN3膜3Aおよび3B
はSiの核形成密度が大きく、核形成面（ＳNDL）とな
る。
次に、このようにして形成された基板上にSiH2Cl2ガ
スを用いた熱CVD法によってSi結晶を成長させる。第１
図（Ｂ）に示すように、SiはSiNX膜3Aおよび3B上にのみ
に成長し、SiO2膜からは成長しない。小面積のSiNX膜3A
は大きさが数μｍ以下であり、この上にはSiの単一核の
みが形成され、この単一核から単結晶４が成長し、SiO2
膜を覆うようになる。一方、大面積のSiNX膜3Bには多数
の核が形成され、Si多結晶が成長し、やはりSiO2膜２を
覆うようになる。さらに成長を続けるとSi結晶はSiO2膜
２の全面を覆うようになる。
スを用いた熱CVD法によってSi結晶を成長させる。第１
図（Ｂ）に示すように、SiはSiNX膜3Aおよび3B上にのみ
に成長し、SiO2膜からは成長しない。小面積のSiNX膜3A
は大きさが数μｍ以下であり、この上にはSiの単一核の
みが形成され、この単一核から単結晶４が成長し、SiO2
膜を覆うようになる。一方、大面積のSiNX膜3Bには多数
の核が形成され、Si多結晶が成長し、やはりSiO2膜２を
覆うようになる。さらに成長を続けるとSi結晶はSiO2膜
２の全面を覆うようになる。
第２図（Ａ）は成長の結晶の断面、第２図（Ｂ）はそ
の上面を示す図である。図に示すように、Si単結晶４と
多結晶５とが同時に同一基板上に形成できる。
の上面を示す図である。図に示すように、Si単結晶４と
多結晶５とが同時に同一基板上に形成できる。
各単結晶および多結晶は任意の位置に、かつ任意の形
状で制御して形成することできる。形成された単結晶と
多結晶とは同一材料であり、かつ基板の全面を覆ってい
るので、表面の平坦化を容易に行うことができる。また
平坦化を行った後に、各単結晶の粒界をエッチングし
て、各単結晶を分離すること、フォトリソグラフィ工程
によって多結晶部分を任意の形状に再加工することも容
易である。
状で制御して形成することできる。形成された単結晶と
多結晶とは同一材料であり、かつ基板の全面を覆ってい
るので、表面の平坦化を容易に行うことができる。また
平坦化を行った後に、各単結晶の粒界をエッチングし
て、各単結晶を分離すること、フォトリソグラフィ工程
によって多結晶部分を任意の形状に再加工することも容
易である。
以上の実施例ではSi結晶を例として説明したが、本発
明は核形成面と非核形成面の組合わせによって、広く他
の結晶に適用できる。
明は核形成面と非核形成面の組合わせによって、広く他
の結晶に適用できる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば同一基板上に、
単結晶と多結晶とが制御された位置および大きさで形成
された結晶を得ることできる。
単結晶と多結晶とが制御された位置および大きさで形成
された結晶を得ることできる。
この結晶は表面の平坦化も容易であり、核単結晶の分
離、多結晶部分の加工も容易であり、各単結晶および多
結晶のそれぞれに異なる機能を有する電子素子を形成し
て、複合機能を有する素子を形成することができる。
離、多結晶部分の加工も容易であり、各単結晶および多
結晶のそれぞれに異なる機能を有する電子素子を形成し
て、複合機能を有する素子を形成することができる。
第１図は本発明の実施例における結晶成長過程を示す断
面図、 第２図は成長結晶の状態を示す図で、同図（Ａ）は断面
図、同図（Ｂ）は上面図である。 １……下地基板、２……SiO2膜、3A,3B……Si3Ｎ4膜、
４……Si単結晶、５……Si多結晶。
面図、 第２図は成長結晶の状態を示す図で、同図（Ａ）は断面
図、同図（Ｂ）は上面図である。 １……下地基板、２……SiO2膜、3A,3B……Si3Ｎ4膜、
４……Si単結晶、５……Si多結晶。
Claims (9)
- 【請求項１】核形成密度の小さい非核形成面
（ＳNDS）、該非核形成面（ＳNDS）に隣接して配され、
成長させるべき結晶の単一核が形成されるのに充分小さ
い面積を有し、前記非核形成面（ＳNDS）の核形成密度
（NDS）よりも大きい核形成密度（NDL）を有する少なく
とも一つの小核形成面（ＳNDL−Ｓ）、および成長させ
るべき結晶の複数核が形成されるのに充分大きな面積を
有し、前記非核形成面（ＳNDS）の核形成密度（NDS）よ
りも大きい核形成密度（NDL）を有する少なくとも一つ
の大核形成面（ＳNDL−Ｌ）を有する基体と、前記単一
核より成長して、前記小核形成面（ＳNDL−Ｓ）を越え
て前記非核形成面（ＳNDS）の一部を覆っている少なく
とも１個の単結晶と、前記複数核から成長した多結晶膜
とからなり、前記小核形成面（ＳNDL−Ｓ）および大核
形成面（ＳNDL−Ｌ）が前記単結晶および多結晶膜とは
異なる材料から形成されていることを特徴とする結晶物
品。 - 【請求項２】前記非核形成面（ＳNDS）が非晶質からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の結晶
物品。 - 【請求項３】前記小核形成面（ＳNDL−Ｓ）の複数が所
望の間隔で設けられ、前記単結晶が該小核形成面間のほ
ぼ中央で粒界を介して接することを特徴とする特許請求
の範囲第１項または第２項に記載の結晶物品。 - 【請求項４】前記小核形成面（ＳNDL−Ｓ）と前記大核
形成面（ＳNDL−Ｌ）とが所望の間隔で設けられ、前記
単結晶と前記多結晶が接することを特徴とする特許請求
の範囲第１項または第２項に記載の結晶物品。 - 【請求項５】前記大核形成面（ＳNDL−Ｌ）の複数が所
望の位置に所望の形状で形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかの項に
記載の結晶物品。 - 【請求項６】核形成密度の小さい非核形成面
（ＳNDS）、成長させるべき結晶と異なる材料からな
り、成長させるべき結晶の単一核が形成されるのに充分
小さい面積を有し、前記非核形成面（ＳNDS）の核形成
密度（NDS）よりも大きい核形成密度（NDL）を有する少
なくとも一つの小核形成面（ＳNDL−Ｓ）、および成長
させるべき結晶と異なる材料からなり、成長させるべき
結晶の複数核が形成されるのに充分大きな面積を有し、
前記非核形成面（ＳNDS）の核形成密度（NDS）よりも大
きい核形成密度（NDL）を有する少なくとも一つの大核
形成面（ＳNDL−Ｌ）を有する基体に、結晶成長処理を
施して、前記小核形成面（ＳNDL−Ｓ）に単一核を形成
し、さらに該単一核より前記非核形成面の一部を覆うよ
うに単結晶を成長させると共に、前記大核形成面（Ｓ
NDL−Ｌ）上に多結晶膜を形成することを特徴とする結
晶物品の形成方法。 - 【請求項７】前記非核形成面（ＳNDS）を構成する材料
より充分大きな核形成密度を有する材料を前記非核形成
面上に堆積した後、フォトリソグラフィによるパターニ
ングによって、前記小核形成面（ＳNDL−Ｓ）と前記大
核形成面（ＳNDL−Ｌ）とを、同時に形成することを特
徴とする特許請求の範囲第６項に記載の結晶物品の形成
方法。 - 【請求項８】前記非核形成面（ＳNDS）を構成する材料
より充分大きな核形成密度を有する材料を前記非核形成
面にイオン注入して、前記小核形成面（ＳNDL−Ｓ）と
前記大核形成面（ＳNDL−Ｌ）とを、形成することを特
徴とする特許請求の範囲第６項に記載の結晶物品の形成
方法。 - 【請求項９】前記小核形成面（ＳNDL−Ｓ）と前記大核
形成面（ＳNDL−Ｌ）との相対的位置関係によって、前
記単結晶の位置および大きさを制御することを特徴とす
る特許請求の範囲第６項ないし第８項のいずれかの項に
記載の結晶物品の形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62073516A JP2592834B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 結晶物品およびその形成方法 |
| DE19883856275 DE3856275T2 (de) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Kristalline Gegenstände und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| CA 562511 CA1339827C (en) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Crystal articles and method for forming the same |
| EP88302717A EP0284433B1 (en) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Crystal articles and method for forming the same |
| US08/022,611 US5364815A (en) | 1987-03-27 | 1993-02-17 | Crystal articles and method for forming the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62073516A JP2592834B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 結晶物品およびその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239186A JPS63239186A (ja) | 1988-10-05 |
| JP2592834B2 true JP2592834B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=13520487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62073516A Expired - Fee Related JP2592834B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 結晶物品およびその形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0284433B1 (ja) |
| JP (1) | JP2592834B2 (ja) |
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| DE69218038T2 (de) * | 1991-05-23 | 1997-08-28 | Canon Kk | Lichtemittierende Vorrichtung, optischer Druckkopf mit solcher Vorrichtung, und optischer Drucker mit solchem Druckkopf |
Family Cites Families (4)
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-
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- 1987-03-27 JP JP62073516A patent/JP2592834B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-03-25 CA CA 562511 patent/CA1339827C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-25 EP EP88302717A patent/EP0284433B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-25 DE DE19883856275 patent/DE3856275T2/de not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| DE3856275D1 (de) | 1999-01-14 |
| EP0284433A3 (en) | 1989-03-08 |
| EP0284433A2 (en) | 1988-09-28 |
| DE3856275T2 (de) | 1999-05-12 |
| CA1339827C (en) | 1998-04-21 |
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| JPS63239186A (ja) | 1988-10-05 |
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