JPH032546A - 異物検査装置 - Google Patents
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- JPH032546A JPH032546A JP1134796A JP13479689A JPH032546A JP H032546 A JPH032546 A JP H032546A JP 1134796 A JP1134796 A JP 1134796A JP 13479689 A JP13479689 A JP 13479689A JP H032546 A JPH032546 A JP H032546A
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 28
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 206010036618 Premenstrual syndrome Diseases 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 101100244390 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PMT7 gene Proteins 0.000 description 1
- 235000019892 Stellar Nutrition 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
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-
- G—PHYSICS
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は異物検査装置に関し、特に半導体製造工程で使
用されるレチクル、）１トマスク等の露光用パターン以
外のごみ等の異物を検出する装置に関する。
用されるレチクル、）１トマスク等の露光用パターン以
外のごみ等の異物を検出する装置に関する。
特にレチクルを使用し、ステップアントリピートしてウ
ェハに所望のパターンを焼付けるステッパを用いる場合
、レチクル上の１ケのごみがウェハ全面に焼ぎ付けられ
ることとなる。
ェハに所望のパターンを焼付けるステッパを用いる場合
、レチクル上の１ケのごみがウェハ全面に焼ぎ付けられ
ることとなる。
そこで従来、光電変換によりこれら異物の有無を検査す
るようにしている。
るようにしている。
［従来の技術］
一般に、ＩＣ製造工程においては、レチクルまたはマス
クの所望の露光用パターンを、半導体焼付は装置（ステ
ッパまたはマスクアライナ）の投影光学系等により、レ
ジストが塗布された半導体ウェハ上に転写するという方
法が採用されている。
クの所望の露光用パターンを、半導体焼付は装置（ステ
ッパまたはマスクアライナ）の投影光学系等により、レ
ジストが塗布された半導体ウェハ上に転写するという方
法が採用されている。
ここで、半導体焼付は装置によりレチクルまたはマスク
からレジストを塗っであるウェハ上にパターンを転写す
る時、ごみ等の欠陥がレチクルやマスクの上に付いてい
ると本来のレチクルやマスクのパターン以外に欠陥の形
も焼付けることとなり、ＩＣ製造の歩留り低下の原因と
なる。
からレジストを塗っであるウェハ上にパターンを転写す
る時、ごみ等の欠陥がレチクルやマスクの上に付いてい
ると本来のレチクルやマスクのパターン以外に欠陥の形
も焼付けることとなり、ＩＣ製造の歩留り低下の原因と
なる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、この従来技術によれば、ペリクル枠イ」
レチクルを検査する場合、ペリクル枠からの過大散乱光
により、光電変換部へのダメージ及び過大信号による前
置増幅器の誤動作が発生し、異物からの微弱光の検出が
不可能であるという欠点があった。
レチクルを検査する場合、ペリクル枠からの過大散乱光
により、光電変換部へのダメージ及び過大信号による前
置増幅器の誤動作が発生し、異物からの微弱光の検出が
不可能であるという欠点があった。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、
異物検査装置において、過大散乱光による悪影響なく異
物からの微弱光を検出できるようにすることにある。
異物検査装置において、過大散乱光による悪影響なく異
物からの微弱光を検出できるようにすることにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため本発明の異物検査装置は、被検
査物を直線送りするための駆動手段と、被検査物を検査
用光ビームで走査する光照射光学手段と、この検査用光
ビームに基づく被検査物からの光を光電変換手段を介し
て光電変換して異物検査情報を得る光学検出手段と、被
検査物の駆動方向における検査位置を検出する第１の位
置検出手段と、光ビームの走査方向における被検査物の
検査位置を検出する第２の位置検出手段と、上記第１お
よび第２の位置検出手段の出力に基づき所定の領域にお
いて光電変換手段の感度を変化させる感度制御手段と、
この所定の領域を予め記憶する記憶手段と、被検査物を
検査する前に予めその所定領域を被検査物を低感度で検
査することにより算出する手段とを備えている。
査物を直線送りするための駆動手段と、被検査物を検査
用光ビームで走査する光照射光学手段と、この検査用光
ビームに基づく被検査物からの光を光電変換手段を介し
て光電変換して異物検査情報を得る光学検出手段と、被
検査物の駆動方向における検査位置を検出する第１の位
置検出手段と、光ビームの走査方向における被検査物の
検査位置を検出する第２の位置検出手段と、上記第１お
よび第２の位置検出手段の出力に基づき所定の領域にお
いて光電変換手段の感度を変化させる感度制御手段と、
この所定の領域を予め記憶する記憶手段と、被検査物を
検査する前に予めその所定領域を被検査物を低感度で検
査することにより算出する手段とを備えている。
被検査物としては、ペリクルを装着したレチクル等が該
当し、光電変換手段の感度を変える領域は、この場合、
レチクルに装着されたペリクルの枠及びその近傍であり
、感度制御手段はこの領域において光電変換手段の感度
を下げるように制御される。あるいは、ペリクルの枠の
内側で光電変換手段の感度を上げるように制御される。
当し、光電変換手段の感度を変える領域は、この場合、
レチクルに装着されたペリクルの枠及びその近傍であり
、感度制御手段はこの領域において光電変換手段の感度
を下げるように制御される。あるいは、ペリクルの枠の
内側で光電変換手段の感度を上げるように制御される。
［作用コ
この構成において、被検査物を検査するにあたっては、
被検査物上の検査位置が第１および第２の位置検出手段
によってモニタされており、検査位置が検査用光ビーム
による過大な散乱光を発するような領域もしくはその近
傍にある場合は、他の領域にある場合よりも低い感度で
光電変換されるように光電変換装置、例えば光電子増倍
管の感度が制御されるため、すなわちその分、他の領域
における感度を高くすることができるため、過大散乱光
による悪影響なく異物からの微弱光が検出される。
被検査物上の検査位置が第１および第２の位置検出手段
によってモニタされており、検査位置が検査用光ビーム
による過大な散乱光を発するような領域もしくはその近
傍にある場合は、他の領域にある場合よりも低い感度で
光電変換されるように光電変換装置、例えば光電子増倍
管の感度が制御されるため、すなわちその分、他の領域
における感度を高くすることができるため、過大散乱光
による悪影響なく異物からの微弱光が検出される。
光電子増倍管（ＰＭＴ）は光電変換素子の一種であり、
その感度を一時的に変化させるには、ゲーティングと呼
ばれる方法が使用され、そのタイミングは、感度制御手
段に設けられた制御回路により行なわれる。
その感度を一時的に変化させるには、ゲーティングと呼
ばれる方法が使用され、そのタイミングは、感度制御手
段に設けられた制御回路により行なわれる。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る異物検査装置の構成
を示す。
を示す。
同図において、レチクルの異物検査は以下のように行な
われる。
われる。
まず、レチクル９は図示しないハントによりステージ１
４上に載せられる。そして、レーザ光源１から射出され
たレーザビーム１１はポリゴンミラー２により一方向に
振られ、ｆ−θレンズ３、斜め入射の影響を補正する収
差補正板４を通り、ペリクル面を透過して、レチクル９
面上に集光する。レチクル９面における散乱光１２およ
びペリクル１０面における散乱光１３は各々集光レンズ
５．６で集光され、ＰＭＴ７，８に入射して電気信号に
変換される。この電気信号は判別回路３６を介して計算
機３０に入力し処理される。ごみの有無判別する為の構
成としては一例として、特開昭６２−１８８９４５号公
報に開示されているようなものを適用することかできる
。判別回路３６はこの場合受光した信号が一定のスライ
スレベルを超えるか否かでごみの有無を判別する。
４上に載せられる。そして、レーザ光源１から射出され
たレーザビーム１１はポリゴンミラー２により一方向に
振られ、ｆ−θレンズ３、斜め入射の影響を補正する収
差補正板４を通り、ペリクル面を透過して、レチクル９
面上に集光する。レチクル９面における散乱光１２およ
びペリクル１０面における散乱光１３は各々集光レンズ
５．６で集光され、ＰＭＴ７，８に入射して電気信号に
変換される。この電気信号は判別回路３６を介して計算
機３０に入力し処理される。ごみの有無判別する為の構
成としては一例として、特開昭６２−１８８９４５号公
報に開示されているようなものを適用することかできる
。判別回路３６はこの場合受光した信号が一定のスライ
スレベルを超えるか否かでごみの有無を判別する。
同図において、１５は検査用光ビームであるレーザビー
ムのスキャン開始点を検出するための光電変換素子、１
６はレーザビームのスキャン終了点を検出するための光
電変換素子、１８はステージ１４の移動開始点を検出す
るためのフォトスイッチ、１９はステージ１４の移動終
了点を検出するためのフォトスイッチ、１７はこれらの
フォトスイッチ１８．１９の光を遮断するためステージ
１４と一体に移動する遮光板である。また、２０はホー
ルネジおよびナツトを介してステージ１４を駆動するた
めのパルスモータ、２１はステージ位置検出用のロータ
リーエンコーダである。ロータリーエンコーダ２１はメ
モリのＹアドレス指定も兼用している。
ムのスキャン開始点を検出するための光電変換素子、１
６はレーザビームのスキャン終了点を検出するための光
電変換素子、１８はステージ１４の移動開始点を検出す
るためのフォトスイッチ、１９はステージ１４の移動終
了点を検出するためのフォトスイッチ、１７はこれらの
フォトスイッチ１８．１９の光を遮断するためステージ
１４と一体に移動する遮光板である。また、２０はホー
ルネジおよびナツトを介してステージ１４を駆動するた
めのパルスモータ、２１はステージ位置検出用のロータ
リーエンコーダである。ロータリーエンコーダ２１はメ
モリのＹアドレス指定も兼用している。
３０は異物検査の動作全体を制御する計算機、３１は計
算機３０にデータを人力するためのコンソールである。
算機３０にデータを人力するためのコンソールである。
３２は計測時用周波数変換回路、３３は非計測時用周波
数変換回路、３４はこれらの出力を選択するセレクタ、
３５はパルスモータ２０を駆動するモータドライバであ
る。３７と４１は二値化回路、３８は光電変換素子１５
かレーザビームを検出してから所定時間の後にラッチ回
路３９の出力をｒＩＪとする遅延回路、３９はラッチ回
路、４０はラッチ回路３９の出力がｒｉＪの間クロック
パルスＣＰをカウントするカウンタである。カウンタ４
０はメモリのＸアドレス用でもあり、二値化回路４１の
出力がｒ１４でリセットされる。
数変換回路、３４はこれらの出力を選択するセレクタ、
３５はパルスモータ２０を駆動するモータドライバであ
る。３７と４１は二値化回路、３８は光電変換素子１５
かレーザビームを検出してから所定時間の後にラッチ回
路３９の出力をｒＩＪとする遅延回路、３９はラッチ回
路、４０はラッチ回路３９の出力がｒｉＪの間クロック
パルスＣＰをカウントするカウンタである。カウンタ４
０はメモリのＸアドレス用でもあり、二値化回路４１の
出力がｒ１４でリセットされる。
第２図は、ペリクル付レチクル９の平面図でありその座
標を示す。同図において、ＬＳはレーザビームの走査方
向を示しＸ軸に平行である。ステージ１４は第１図の矢
印Ｓの方向すなわち−Ｙ方向に進行する。従って、ポリ
ゴンミラー２の回転により順次レチクル９に照射される
レーザビームは、このステージ１４を基準とすればＹ軸
方向に進行することとなる。
標を示す。同図において、ＬＳはレーザビームの走査方
向を示しＸ軸に平行である。ステージ１４は第１図の矢
印Ｓの方向すなわち−Ｙ方向に進行する。従って、ポリ
ゴンミラー２の回転により順次レチクル９に照射される
レーザビームは、このステージ１４を基準とすればＹ軸
方向に進行することとなる。
以下、第１，２図を参照して本実施例の装置による異物
検査の動作を説明する。
検査の動作を説明する。
本実施例においては、レチクル９を載せたステラ１４を
矢印Ｓの方向に移動することにより、レチクル及びペリ
クル全面の検査が行なわれる。
矢印Ｓの方向に移動することにより、レチクル及びペリ
クル全面の検査が行なわれる。
第２図において、斜線部はべりクル枠を表わしており、
この部分において過大な散乱光が発する。したがって、
レーザビームがＹアドレスＹＡＢにて走査された場合、
ＸアドレスＸＡ、ＸＢの範囲において、ＰＭＴ７，８を
ゲーティングし、感度を一時的に低化させる。また逆に
、ｘｃの範囲においてＰＭＴ７，８をゲーティングし、
感度を上げることも計算機３０の指令にて可能である。
この部分において過大な散乱光が発する。したがって、
レーザビームがＹアドレスＹＡＢにて走査された場合、
ＸアドレスＸＡ、ＸＢの範囲において、ＰＭＴ７，８を
ゲーティングし、感度を一時的に低化させる。また逆に
、ｘｃの範囲においてＰＭＴ７，８をゲーティングし、
感度を上げることも計算機３０の指令にて可能である。
すなわち、カウンタ４０よりＸアドレス、ロータリエン
コーダ２１よりＹアドレスがゲーティング制御回路４５
に人力されることにより現在のビームスポットの位置に
対応したＸ、Ｙのアドレスが認識され、そのアドレスに
応じてゲーティングするか否かのデータがゲーティング
回路４３．４４に出力される。ケーティング回路４３．
４４は、その制御信号により、ＰＭＴ７，８の感度のア
ップダウンを行う。
コーダ２１よりＹアドレスがゲーティング制御回路４５
に人力されることにより現在のビームスポットの位置に
対応したＸ、Ｙのアドレスが認識され、そのアドレスに
応じてゲーティングするか否かのデータがゲーティング
回路４３．４４に出力される。ケーティング回路４３．
４４は、その制御信号により、ＰＭＴ７，８の感度のア
ップダウンを行う。
ゲーティング制御回路４５がＸ、Ｙアドレスに基づいて
出力するゲーティングするか否かのデータは、レチクル
９に装着するペリクル１０の位置および形状により決定
される。
出力するゲーティングするか否かのデータは、レチクル
９に装着するペリクル１０の位置および形状により決定
される。
この装着位置は±０．５ｍｍの精度があり、この位置ず
れまで含め、ペリクル１０の実際の枠形状より広くゲー
ティングすることにより事前に過大光から光電変換素子
を守ることができる。
れまで含め、ペリクル１０の実際の枠形状より広くゲー
ティングすることにより事前に過大光から光電変換素子
を守ることができる。
ペリクル形状に関するデータは、後述する方法で言１算
機３０によりゲーティング制御回路４５に設定し、レチ
クル９に装着したペリクル１０に応じてペリクル形状を
選択する。
機３０によりゲーティング制御回路４５に設定し、レチ
クル９に装着したペリクル１０に応じてペリクル形状を
選択する。
なお、上述においてはレチクル上のペリクル枠のみ注目
しているが、レチクルのエッヂ（端面）での散乱光も犬
きく、このエツジについて同様に適用しても有効である
。また、レチクル以外にウェハのエッチに適用すること
も可能であり、ウェハ用の異物検査装置としても有効で
ある。
しているが、レチクルのエッヂ（端面）での散乱光も犬
きく、このエツジについて同様に適用しても有効である
。また、レチクル以外にウェハのエッチに適用すること
も可能であり、ウェハ用の異物検査装置としても有効で
ある。
ＰＭＴの感度を変える領域を予め設定する為に、検査前
に予め被検査物を全面走査し、その検査結果よりＰＭＴ
の感度を変える領域を算出する。
に予め被検査物を全面走査し、その検査結果よりＰＭＴ
の感度を変える領域を算出する。
第３図はこの方法による検査手順を示すフローチャー１
・である。
・である。
これによれば、まず、ペリクル枠からの散乱光を抑える
ためにレーザ出力部にフィルタ４６を挿入する（ステッ
プ１０１）。これにより、ペリクル枠からの散乱光はｉ
／１００以下に抑えられ、ＰＭＴのダメージが防止され
る。
ためにレーザ出力部にフィルタ４６を挿入する（ステッ
プ１０１）。これにより、ペリクル枠からの散乱光はｉ
／１００以下に抑えられ、ＰＭＴのダメージが防止され
る。
なお、フィルタを挿入するかわりに、フォ）・ダイオー
ドを用いて検出することも可能である。
ドを用いて検出することも可能である。
次に、レチクルをステージ１４上に搬入しくステップ１
０２）、レチクル全面をゲーティングをかけないて走査
しくステップ１０３）、そして定電圧以上のデータのみ
てペリクル枠形状を算出して第４図に示すようなデータ
を求め、ペリクル枠形状が連続であることからこれらを
第２図に示すようなデータに補正し、これをゲーティン
グ制御回路４５に設定する（ステップ１０４）。
０２）、レチクル全面をゲーティングをかけないて走査
しくステップ１０３）、そして定電圧以上のデータのみ
てペリクル枠形状を算出して第４図に示すようなデータ
を求め、ペリクル枠形状が連続であることからこれらを
第２図に示すようなデータに補正し、これをゲーティン
グ制御回路４５に設定する（ステップ１０４）。
次に、フィルタ４６をはずしくステップ１０５）、設定
されたデータに基づいてゲーティングをかけて検査を行
う（ステップ１０６）。
されたデータに基づいてゲーティングをかけて検査を行
う（ステップ１０６）。
検査が終了したらレチクルを搬出して（ステップ１０７
）検査手順を終了する。
）検査手順を終了する。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、被検査物の駆動方
向および検査用光ビームの走査方向における検査位置を
それぞれ検出する第１および第２の位置検出手段を備え
、その出力に基づぎ光ヒム走査線上の任意の領域におい
て光電子変換手段の感度を変えるようにしたため、過大
散乱光による光電変換部のダメージや過大信号による誤
動作を回避しつつ、異物からの微弱光を検出することか
できる。
向および検査用光ビームの走査方向における検査位置を
それぞれ検出する第１および第２の位置検出手段を備え
、その出力に基づぎ光ヒム走査線上の任意の領域におい
て光電子変換手段の感度を変えるようにしたため、過大
散乱光による光電変換部のダメージや過大信号による誤
動作を回避しつつ、異物からの微弱光を検出することか
できる。
第１図は、本発明の一実施例に係る異物検査走置の構成
図 第２図は、レーザ走査の領域を示す平面図、第３図は、
異物検査装置の動作を示すフローチャート、そして 第４図は、第１図の装置における走査により算出された
領域を示す平面図である。 レーザ光源、２：ポリゴンミラー ｆ−θレンズ、４・収差補正板、 ６：集光レンズ、 ８．１５．１６：光電変換素子、 レチクル、１０：ペリクル、 ８．１９ フォトスイッチ、 ０、パルスモータ、 １、ロータリ・エンコーダ、３０ 計算機、１：コンソ
ール、３６１判別図路、 ０・カウンタ、 ３．４．４ニゲ−ティング１路、 ゲーティング制御凹路。
図 第２図は、レーザ走査の領域を示す平面図、第３図は、
異物検査装置の動作を示すフローチャート、そして 第４図は、第１図の装置における走査により算出された
領域を示す平面図である。 レーザ光源、２：ポリゴンミラー ｆ−θレンズ、４・収差補正板、 ６：集光レンズ、 ８．１５．１６：光電変換素子、 レチクル、１０：ペリクル、 ８．１９ フォトスイッチ、 ０、パルスモータ、 １、ロータリ・エンコーダ、３０ 計算機、１：コンソ
ール、３６１判別図路、 ０・カウンタ、 ３．４．４ニゲ−ティング１路、 ゲーティング制御凹路。
Claims (6)
- （１）被検査物を直線送りするための駆動手段と、被検
査物を検査用光ビームで走査する光照射光学手段と、こ
の検査用光ビームに基づく被検査物からの光を光電変換
手段を介して光電変換して異物検査情報を得る光学検出
手段と、被検査物の駆動方向における検査位置を検出す
る第１の位置検出手段と、光ビームの走査方向における
被検査物の検査位置を検出する第２の位置検出手段と、
上記第１および第２の位置検出手段の出力に基づき所定
の領域において光電変換手段の感度を変化させる感度制
御手段と、この所定の領域を予め記憶する記憶手段と、
被検査物を検査する前に予めその所定領域を被検査物を
低感度で検査することにより算出する手段とを具備する
ことを特徴とする異物検査装置。 - （２）光電変換手段が光電子増倍管である請求項１記載
の異物検査装置。 - （３）光電変換手段の感度を変える領域は、装置固有の
領域であることを特徴とする請求項１記載の異物検査装
置。 - （４）光電変換手段の感度を変える領域は、被検査物に
応じて選択可能であることを特徴とする請求項１記載の
異物検査装置。 - （５）被検査物はペリクルを装着したレチクルであり、
光電変換手段の感度を変える領域は、レチクルに装着さ
れたペリクルの枠及びその近傍であり、感度制御手段は
この領域において光電変換手段の感度を下げることを特
徴とする請求項１記載の異物検査装置。 - （６）被検査物はペリクルを装着したレチクルであり、
感度制御手段はレチクルに装着されたペリクルの枠の内
側で光電変換手段の感度を上げることを特徴とする請求
項１記載の異物検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134796A JP2538338B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 異物検査装置 |
| US07/718,909 US5105092A (en) | 1989-05-30 | 1991-06-24 | Inspecting apparatus having a detection sensitivity controller means |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1134796A JP2538338B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032546A true JPH032546A (ja) | 1991-01-08 |
| JP2538338B2 JP2538338B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=15136737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1134796A Expired - Fee Related JP2538338B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 異物検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5105092A (ja) |
| JP (1) | JP2538338B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547878A (ja) * | 1991-08-07 | 1993-02-26 | Nec Yamagata Ltd | 半導体ウエーハ表面検査装置 |
| US5249896A (en) * | 1991-04-23 | 1993-10-05 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for manufacturing lost foam pattern for use in full-mold casting |
| US6126099A (en) * | 1996-09-27 | 2000-10-03 | Cae Beyss Gmbh | Pumping station for a cooling and lubricating fluid containing particulate matter |
| JP2008014848A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査方法及び表面検査装置 |
| CN113507847A (zh) * | 2019-03-05 | 2021-10-15 | 菲利普莫里斯生产公司 | 检查台和用于检查片材材料的方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2933736B2 (ja) * | 1991-02-28 | 1999-08-16 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置 |
| JPH0580497A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Canon Inc | 面状態検査装置 |
| JP3259331B2 (ja) * | 1992-05-29 | 2002-02-25 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置 |
| JP3099535B2 (ja) * | 1992-07-08 | 2000-10-16 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置 |
| JP3253177B2 (ja) * | 1993-06-15 | 2002-02-04 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置 |
| US5581348A (en) * | 1993-07-29 | 1996-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface inspecting device using bisected multi-mode laser beam and system having the same |
| JP3211538B2 (ja) * | 1994-01-13 | 2001-09-25 | キヤノン株式会社 | 検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| JPH07209202A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Canon Inc | 表面状態検査装置、該表面状態検査装置を備える露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法 |
| JPH07270336A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Nippon Seiko Kk | 欠陥検査装置 |
| JP3647100B2 (ja) * | 1995-01-12 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 検査装置およびこれを用いた露光装置やデバイス生産方法 |
| US5929435A (en) * | 1996-07-03 | 1999-07-27 | Microtek International, Inc. | Apparatus and method for automatically detecting and optically scanning graphic matter |
| US5912732A (en) * | 1996-07-05 | 1999-06-15 | Kabushiki Kaisha Topcon | Surface detecting apparatus |
| US6122046A (en) * | 1998-10-02 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Dual resolution combined laser spot scanning and area imaging inspection |
| JP2003315284A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Mitsubishi Electric Corp | パターン検査装置の感度調整方法 |
| KR100542747B1 (ko) * | 2003-08-01 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 결함 검사 방법 및 결함 검사 장치 |
| US7069155B1 (en) * | 2003-10-01 | 2006-06-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Real time analytical monitor for soft defects on reticle during reticle inspection |
| JP5712079B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2015-05-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
| JP6836522B2 (ja) * | 2018-01-26 | 2021-03-03 | 株式会社日立ハイテク | 自動分析装置、及び自動分析装置の制御方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5982726A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Hitachi Ltd | ペリクル付基板の異物検査装置 |
| JPS63208746A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
| JPH02141646A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-05-31 | Nikon Corp | 異物検査装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2947212A (en) * | 1956-04-30 | 1960-08-02 | American Brass Co | Method of detecting surface conditions of sheet metal |
| US3667846A (en) * | 1969-07-28 | 1972-06-06 | Charles Nater | Optical surface inspection apparatus |
| SE345905B (ja) * | 1970-10-21 | 1972-06-12 | Nordstjernan Rederi Ab | |
| US4342515A (en) * | 1978-01-27 | 1982-08-03 | Hitachi, Ltd. | Method of inspecting the surface of an object and apparatus therefor |
| US4468120A (en) * | 1981-02-04 | 1984-08-28 | Nippon Kogaku K.K. | Foreign substance inspecting apparatus |
| US4669875A (en) * | 1982-11-04 | 1987-06-02 | Hitachi, Ltd. | Foreign particle detecting method and apparatus |
| US4886975A (en) * | 1986-02-14 | 1989-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on two or more surfaces |
| JPH0621877B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1994-03-23 | キヤノン株式会社 | 表面状態測定装置 |
| US4795911A (en) * | 1986-02-14 | 1989-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on the surface |
| JPS6333834A (ja) * | 1986-07-28 | 1988-02-13 | Canon Inc | 表面状態検査装置 |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP1134796A patent/JP2538338B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-06-24 US US07/718,909 patent/US5105092A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5982726A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Hitachi Ltd | ペリクル付基板の異物検査装置 |
| JPS63208746A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
| JPH02141646A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-05-31 | Nikon Corp | 異物検査装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5249896A (en) * | 1991-04-23 | 1993-10-05 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for manufacturing lost foam pattern for use in full-mold casting |
| JPH0547878A (ja) * | 1991-08-07 | 1993-02-26 | Nec Yamagata Ltd | 半導体ウエーハ表面検査装置 |
| US6126099A (en) * | 1996-09-27 | 2000-10-03 | Cae Beyss Gmbh | Pumping station for a cooling and lubricating fluid containing particulate matter |
| JP2008014848A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査方法及び表面検査装置 |
| CN113507847A (zh) * | 2019-03-05 | 2021-10-15 | 菲利普莫里斯生产公司 | 检查台和用于检查片材材料的方法 |
| CN113507847B (zh) * | 2019-03-05 | 2023-01-20 | 菲利普莫里斯生产公司 | 检查台和用于检查片材材料的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5105092A (en) | 1992-04-14 |
| JP2538338B2 (ja) | 1996-09-25 |
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