JPS63205992A - 配線板の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は配線板の製造方法に係り、特に高アスペクト比
の配線を高密度に形成するのに好適な薄膜配線板の製造
方法に関する。

〔従来技術〕

従来、薄膜配線板は、絶縁基板上にＣｒ薄膜、Ｃｕ薄膜
を順次蒸着法で形成し、Ｃｕ薄膜上に７オトレジストを
塗布し、このレジストを露光、現像してエツチングマス
クを形成し、上記Ｃｒ薄膜、Ｃｕ薄膜を選択的にエツチ
ング除去して配線パターンを形成して薄膜配線板として
いた。上記の薄膜配線板の製造方法としては、例えばプ
ロシーディング番オブ・イー・シー・シーｅオブ・ザ・
サーチイーフォース−イー・シー・シー（Ｐｒｏｃｅｅ
ｄｉｎｇｓ　ｏｆＥ、Ｃ，Ｃｏｆ　ｔｈｅ　３４ｔｈ　
Ｂ、Ｃ，Ｃ）、　　８２〜８７゜１９８４年に示されて
いる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術においては、厚さ５μｍ程度の配線パター
ンでは高密度配線ができる。しかし、例えば厚さ２０μ
ｍの配線パターンを高密度に形成しようとすると、配線
の壁面がエツチングによってテ−バー状（０状）となり
、特にアスペクト比の高〔問題点を解決するための手段
〕 上記目的は、絶縁層にドライエツチングによりテーパー
のない垂直な壁面を有する配線溝を加工し、該配線溝が
埋まるように導体層を形成した後上記工程によって該配
線溝の中央に凹部が生じた上記導体層にレジスト膜を形
成し、上記レジスト膜の全面をドライエツチングして上
記凹部にレジスト膜を残存させた後、上記配線溝内以外
の該導体層を除去することによって達成される。

〔作用〕

本発明においては、所定の位置にドライエツチングによ
り垂直な配線溝を加工し、該配線溝が埋まる厚さに導体
層を形成して該配線溝内の導体層の中央に凹部を生じさ
せる。

ついで、上記導体層上にレジスト膜を形成すると、該レ
ジスト層の上記凹部が他の部分よりも極端に厚く形成さ
れる。

しかるのち、このレジスト膜を全面ドライエツチングす
ると、上記凹部内のレジスト膜は膜厚が厚いため残存す
る。

この状態で上記配線溝以外の上記導体層を除去すると、
上記凹部下の導体層は、上記残存したレジスト膜がマス
クとなって除去されず、上記配線溝内が上記平坦な導体
層によって充填される。

このようにすれば、テーパーのない垂直な配線溝内に導
体層を充填するので、テーパーのない垂　、直な膜厚の
大きい配線が形成できる。

配線間のピッチは、加工溝間のピンチによって定まる。

この加工溝はテーパーのない垂直な壁面を有する溝であ
るから加工溝間のピッチを狭くすることができ、配線間
ピッチも狭くすることかできる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例である第１図（ａ）乃至（ｇ）に
より説明する。

第１図（ａ）に示すように、セラミック板もしくは厚膜
多層配線板等の基板１上に、例えは日立化成工業株式会
社製のビー・アイ・キー−（ＰＩＱ）（商品名）をスピ
ンナにより均一に回転塗布した後、熱処理して有機絶縁
層のポリイミド膜からなる層間絶縁層２を形成し、さら
に第１図（ｂ）に示すように通常のドライエツチング工
程により層間絶縁層２の所定の位置に壁面が当直な形状
を有する配線溝３を形成する。

ついで、第１図（ｃ）に示すように銅又はクロムおよび
銅から成る導体層４を蒸着法により基板１上に成膜する
。このとき、導体層４の中央の配線溝３部分には凹部５
が発生する。

しかるのち、上記導体層４上に例えば東京応化株式会社
製のオー・エム・アール（ＯＭＲ）−８５（商品名）を
スピンナにより回転塗布して、第１図（ｄ）に示すよう
にレジスト層６を形成する。このとき、ホトレジスト層
６は、第１図（ｄ）から明らかなように導体層４の凹部
５上では他の部分よりも極端に厚く形成される。

ついで、平行平板型のドライエツチング装置により酸素
プラズマを用いてホトレジストＮ６の全面にドライエツ
チングする。このとき、同ｆｉＵ（ｓ）に示すように、
凹部５内のホトレジスト膜６は膜厚が厚いため残存する
。

しかるのち、例えば塩化第２銅系のエツチング液を用い
て、同図（ｆ）に示すように、配線溝３の内部以外の導
体層４を除去する。このエツチング工程において、導体
層４の凹部５に残存したホトレジスト層６がマスクとな
り、この部分の導体層はエツチングされず、配線溝内部
にのみ導体層を充填することができる。

ついて、同図（ｇ）に示すように、ホトレジスト層６を
エツチングにより除去し、配線基板を形成する。

〔発明の効果〕

本発明によれば、ドライエツチングにより形成した垂直
な壁面を有する配線溝内部に平坦な導体層を充填できる
ので、アスペクト比が高く膜厚の厚い配線を狭い配線ピ
ッチで形成することができ、これによって高密度の配線
基板を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至（ｇ）は本発明の一実施例である配線
基板の製造方法を示す工程図である。 １・・・多層配線基板等の基板、２・・・層間絶縁層、
３・・・配線溝、４・・・導体層、５・・・導体層の凹
部、６・・・ホトレジスト層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁層に配線溝を加工した後、該配線溝が埋まるよ
   うに導体層を形成する工程と、上記工程によって該配線
   溝の中央に凹部が生じた上記導体層にレジスト膜を形成
   する工程と、上記レジスト膜の全面をドライエッチング
   して上記凹部にレジスト膜を残存させる工程と、上記配
   線溝内以外の該導体層を除去する工程とを含むことを特
   徴とする配線板の形成方法。 ２、上記配線溝をドライエッチングによって垂直な断面
   形状に加工することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の配線板の形成方法。 ３、上記導体層を指向性を有する成膜法によって形成す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の配線板
   の形成方法。