JPS62256496A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子計算機などに使用されるＬＳＩを搭載し
た多層配線基板の製造方法に係り、特にスルーホール部
の段差を解消するのに好適な多層配線基板の製造方法に
関する。

〔従来の技術〕

配線層と絶縁層とを交互に積層して成る多層配線基板に
おいては、絶縁層に形成された配線層どうしの接続を行
なうスルーホール部において段差が発生する。配線基板
の高精度化および高機能化に伴い、絶縁層の厚さおよび
配線層数が増大する。

この結果、上記段差は大きくなり、この段差をまたいで
スルーホール接続を行なうことが困難となる。

例えば特開昭５９−２２７１４０号公報には、絶縁層の
段差を解消する方法が提案されている。この発明では、
■下層配線層上に形成された段差を有する層間絶縁層上
にホトレジスト層を塗布し、■上記段差上のホトレジス
ト層に開口を形成し、該開口部における上記層間絶縁層
の段差部分をウェットエツチングによって除去し、■上
記ホトレジスト層を除去した後、上記層間絶縁層上に新
たな層間絶縁層を形成する。

この公報の発明は、下層配線層によって生じる段差の解
消方法として記載しであるが、この方法は、スルーホー
ル部の形成によって生じる段差の解消に対しても適用で
きる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来、スルーホール部の段差を解消するためには、スル
ーホール側壁の傾斜を緩やかにすることにより行なって
いたが、この方法では、高密度化に支障をきたす問題が
ある。

−そのため、上述のようにホトレジスト層によるマスク
を用いて段差を解消する方法をとる。しかし、この方法
では、上記下層配線層のパターニングに使用したのと同
一のマスクを用いて、上記段差上のホトレジスト層に開
口を形成する。したがって、２つのホトマスク間での位
置合わせが必要となり、従来よりもこの位置合わせ工程
が増加し、しかも高精度の位置合わせを必要とする問題
がある。

本発明の目的は、このような問題点を解決し、工程数を
増やさないで、容易に絶縁層のスルーホール部における
段差を解消できる多層配線基板の製造方法を提供するこ
とにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明の多層配線基板の製造
方法は、絶縁層に形成されたスルーホールが埋まるよう
に導電層を形成する工程と、上記工程によって上記スル
ーホールの中央に凹部が生じた上記導電層上にレジスト
膜を形成する工程と、上記レジスト膜の全面をドライエ
ツチングして上記凹部にレジスト膜を残存させる工程と
、上記スルーホール内以外の上記導電層を除去する工程
とを含むことを特徴とする。

〔作用〕

所定の位置にスルーホールを有する絶縁層上に上記スル
ーホールが埋まる厚さに導電層を形成すると、上記スル
ーホール部の導電層の中央に凹部が生じる１次に、この
導電層上にレジスト膜を形成すると、該レジスト層が該
導電層の上記凹部において他の部分より極端に厚く形成
される０次に。

このレジスト膜を全面ドライエツチングすると、上記凹
部内のレジスト膜は膜厚が厚いために残存する。次に、
このレジスト膜を残存させたまま、上記スルーホール内
以外の上記導電層を除去すると、上記凹部下の導電層は
、上記残存したレジスト膜がマスクとなって除去されず
、上記スルーホール内が、上面が平坦な導電層によって
充填される。

この後、この導電層を含む領域上に上層配線層を形成す
る１以上の工程を繰り返して、必要層数の多層配線基板
を形成する。

このように本発明では、ホトマスクを用いないで、スル
ーホール内部にのみ導電層を平坦に形成でき、したがっ
て、工程数を増加させることなく、絶縁層のスルーホー
ル部の段差が解消できる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。

第１図（ａ）〜（ｇ）は、本発明の一実施例の多層配線
基板の製造方法を示す工程断面図である。

まず、第１図（ａ）に示すように、アルミナセラミック
板もしくは厚膜多層配線板等の基体１上に、パターニン
グした薄膜下層配線層２を形成する。

次に、同図（ｂ）に示すように、上記基体上に。

例えば日立化成工業株式会社製のピー・アイ・キュー（
ＰＩＱ）（商品名）をスピンナにより均一に回転塗布し
た後、熱処理して有機絶縁層のポリイミド膜から成る層
間絶縁層４を形成し、さらに、通常のホトエツチング工
程により層間絶縁層４の所定の位置にスルーホール３を
形成する。

次に、同図（Ｃ）に示すように、スルーホール３を介し
て下層配線層２と接続する銅、又は、クロムおよび銅か
ら成る導電層５をスパッタ法により基体上に成膜する。

（または、クロム、銅をスパッタ法で成膜した後、電気
めっきを行なう、）このときに、スルーホール３の部分
の導電層５の中央に凹部６が生じる。

次に、この上に、例えば東京応化株式会社製のオー・エ
ム・アール（ＯＭＲ）−８３（商品名）をスピンナによ
り回転塗布し、同図（ｄ）に示すように、ホトレジスト
層７を形成する。このとき。

図示の如く、ホトレジスト層７は、導電層５の凹部６上
において他の部分より極端に厚く形成される。

次に、平行平板型のドライエツチング装置により酸素プ
ラズマを用いて、ホトレジスト層７の全面をドライエツ
チングする。このとき、同図（ｅ）に示すように、凹部
６内のホトレジスト膜７は膜厚が厚いために残存する。

次に１例えば塩化第２銅系のエツチング液を用いて、同
図（ｆ）に示すように、スルーホール３の内部以外の導
電層５を除去する。このエツチング工程において、導電
層５の凹部６に残存したホトレジスト層７がマスクとな
り、この部分の導電層はエツチングされず、スルーホー
ル内部における導電層５を平坦に充填することができ、
スルーホール部の段差をホトマスクを用いないで解消す
ることができる。

次に、同図（ｇ）に示すように、ホトレジスト層７をエ
ツチングにより除去した後、上層導電層５１を形成し、
通常のホトエツチング工程によりパターニングする。以
降必要層数まで上記工程を繰り返し、多層配線基板を形
成する。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、スルーホール部
に導′に１層を形成する際に、ホトマスクを使用しない
で平坦に充填できるため、高精度の位置合わせを必要と
せず、工程数を増大させないで、容易にスルーホール部
の段差を解消でき、信頼性の高い高機能の多層配線基板
を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明の一実施例の多層配線基
板の製造方法を示す工程断面図である。 １・・・厚膜多層配線板等の基体 ２・・・下層配線層 ３　・・・スルーホール ４・・・層間絶縁層 ５・・・導ｆＩｉ層 ６・・・導電層の凹部 ７・・・ホトレジスト層 ５１・・・上層導電層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁層に形成されたスルーホールが埋まるように導
   電層を形成する工程と、上記工程によって上記スルーホ
   ールの中央に凹部が生じた上記導電層上にレジスト膜を
   形成する工程と、上記レジスト膜の全面をドライエッチ
   ングして上記凹部にレジスト膜を残存させる工程と、上
   記スルーホール内以外の上記導電層を除去する工程とを
   含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 ２、上記導電層を２種の金属からなる２層構成に形成す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層配
   線基板の製造方法。