JPS63205930A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明はICやLSIなどの半導体集積回路装置を製造
する方法に関し、特に耐湿性を向上させた半導体集積回
路装置の製造方法に関するものである。
する方法に関し、特に耐湿性を向上させた半導体集積回
路装置の製造方法に関するものである。
(従来技術)
アルミニウム配線をもつ半導体集積回路装置の故障の要
因の1つにアルミニウム配線の腐蝕がある。アルミニウ
ム配線の腐蝕は空気中の水分によって起こる。
因の1つにアルミニウム配線の腐蝕がある。アルミニウ
ム配線の腐蝕は空気中の水分によって起こる。
そこで半導体集積回路装置の耐湿性を向上させるために
次のような方法がとられている。
次のような方法がとられている。
(1)パッシベーション膜としてプラズマ窒化膜を用い
る。しかし、プラズマ窒化膜は膜厚の均一性が悪く、ま
た、トランジスタに悪影響を与え、MoSトランジスタ
のしきい値電圧が変化したり、バイポーラトランジスタ
の増幅率が変化したりする問題がある。
る。しかし、プラズマ窒化膜は膜厚の均一性が悪く、ま
た、トランジスタに悪影響を与え、MoSトランジスタ
のしきい値電圧が変化したり、バイポーラトランジスタ
の増幅率が変化したりする問題がある。
(2)パッケージとしてDIP (シュアル・イン・ラ
イン・パッケージ)を用いる。しかし、半導体集積回路
装置が大きくなるとDIPを用いることができず、フラ
ットパッケージを用いなければならなくなる。フラット
パッケージはDIPに比べて耐湿性が悪い。
イン・パッケージ)を用いる。しかし、半導体集積回路
装置が大きくなるとDIPを用いることができず、フラ
ットパッケージを用いなければならなくなる。フラット
パッケージはDIPに比べて耐湿性が悪い。
(3)配線のアルミニウムにシリコンを添加する。
しかし、シリコンを添加すると配線抵抗が増大する。
(目的)
本発明はアルミニウム配線自体に耐湿性をもたせるとと
もに、配線抵抗を増加させない方法を提供することを目
的とするものである。
もに、配線抵抗を増加させない方法を提供することを目
的とするものである。
(構成)
本発明ではアルミニウムのボンディング・バットにシリ
コンのイオン注入を施すことによって。
コンのイオン注入を施すことによって。
配線抵抗を上げないで耐湿性を増大させる。
以下、実施例について具体的に説明する。
第1図は一実施例を工程順に示したものである。
(1)同図(A)は半導体集積回路装置の製造プロセス
において、アルミニウム配線工程まで完了した状態であ
る。2はシリコン基板であり、トランジスタその他の素
子が形成されている。シリコン基板2上には層間絶a膜
としてSin:膜4が形成されており、Sin:膜4に
は配線と接続するためのコンタクト孔が設けられている
。SiO2膜4上にはアルミニウム膜が形成され、パタ
ーン化され配線とボンディング・パッド6が形成されて
いる。配線はSiOり膜4のコンタクト孔を経てシリコ
ン基板2のトランジスタなどの素子と接続されている。
において、アルミニウム配線工程まで完了した状態であ
る。2はシリコン基板であり、トランジスタその他の素
子が形成されている。シリコン基板2上には層間絶a膜
としてSin:膜4が形成されており、Sin:膜4に
は配線と接続するためのコンタクト孔が設けられている
。SiO2膜4上にはアルミニウム膜が形成され、パタ
ーン化され配線とボンディング・パッド6が形成されて
いる。配線はSiOり膜4のコンタクト孔を経てシリコ
ン基板2のトランジスタなどの素子と接続されている。
(2)同図(B)に示されるように、配線及びボンディ
ング・パッド6の上方からパッシベーション膜8を形成
する。
ング・パッド6の上方からパッシベーション膜8を形成
する。
(3)同図(C)に示されるように、ボンディング・パ
ッド6上のパッシベーション膜8をエツチングによって
除去し、ボンディング・パッド6を露出させる。
ッド6上のパッシベーション膜8をエツチングによって
除去し、ボンディング・パッド6を露出させる。
(4)同図(D)に示されるように、シリコンのイオン
注入を行なう。イオン注入条件は50KeVで5X10
”/cm3程度である。これにより、アルミニウムのボ
ンディング・パッド6の表面にシリコンが注入され、ア
ルミニウムの配線部分にはシリコンは注入されない。
注入を行なう。イオン注入条件は50KeVで5X10
”/cm3程度である。これにより、アルミニウムのボ
ンディング・パッド6の表面にシリコンが注入され、ア
ルミニウムの配線部分にはシリコンは注入されない。
配線やボンディング・パッド6のアルミニウム膜の厚さ
は通常1μm程度であり、それに対してイオン注入によ
ってシリコンが注入される深さは500人程程度ある。
は通常1μm程度であり、それに対してイオン注入によ
ってシリコンが注入される深さは500人程程度ある。
そのため、ボンディング・パッド6の表面だけがシリコ
ン注入された状態となる。
ン注入された状態となる。
第2図はボンディング・パッド6にワイヤボンディング
を施した状態を表わしている。同図(A)は正面断面図
、同図(B)は平面図である610は金ワイヤであり、
ボンディング・パッド6のうち同図(B)で斜線を施し
た部分が露出する。ボンディング・パッド6にシリコン
を注入していない場合、何らかの原因で半導体集積回路
装置チップ上に水分が浸透した場合、アルミニウムと水
が反応してAl2(OH)3が形成される。このAQ(
OH)3は特に高温処理した場合に形成されやすい。ア
ルミニウムがAQ(OH)3に変化すると抵抗が上昇し
、最終的には半導体集積回路装置が不良となる。
を施した状態を表わしている。同図(A)は正面断面図
、同図(B)は平面図である610は金ワイヤであり、
ボンディング・パッド6のうち同図(B)で斜線を施し
た部分が露出する。ボンディング・パッド6にシリコン
を注入していない場合、何らかの原因で半導体集積回路
装置チップ上に水分が浸透した場合、アルミニウムと水
が反応してAl2(OH)3が形成される。このAQ(
OH)3は特に高温処理した場合に形成されやすい。ア
ルミニウムがAQ(OH)3に変化すると抵抗が上昇し
、最終的には半導体集積回路装置が不良となる。
アルミニウムのボンディング・パッドにシリコンをイオ
ン注入すると、ボンディング・パッドの表面ではアルミ
ニウムの比率が下がるためAQ(OH)3の生成反応が
生じにくくなる。
ン注入すると、ボンディング・パッドの表面ではアルミ
ニウムの比率が下がるためAQ(OH)3の生成反応が
生じにくくなる。
(効果)
本発明ではパッシベーション膜にエツチングを施してア
ルミニウムのボンディング・パッドを露出させた後、ボ
ンディング・パッドにシリコンのイオン注入を施すので
、ボンディング・パッドの表面にだけシリコンが注入さ
れる。これによって。
ルミニウムのボンディング・パッドを露出させた後、ボ
ンディング・パッドにシリコンのイオン注入を施すので
、ボンディング・パッドの表面にだけシリコンが注入さ
れる。これによって。
半導体集積回路装置の耐湿性が向上し、かつ、アルミニ
ウムの配線部にはシリコンが注入されず、ボンディング
・パッドでも内部にはシリコンが注入されないので配線
抵抗が増大することもない。
ウムの配線部にはシリコンが注入されず、ボンディング
・パッドでも内部にはシリコンが注入されないので配線
抵抗が増大することもない。
しかも、製造工程としてはイオン注入工程が1工程追加
されるだけである。
されるだけである。
第1図(A)ないし同図(D)は一実施例を工程順に示
す装置の断面図、第2図(A)はボンディング・パッド
にワイヤボンディングを施した状態を示す正面断面図、
同図(B)は平面図である。 2・・・・・・シリコン基板、 4・・・・・・層間絶縁膜。 6・・・・・・ボンディング・パッド、8・・・・・・
パッシベーション膜。
す装置の断面図、第2図(A)はボンディング・パッド
にワイヤボンディングを施した状態を示す正面断面図、
同図(B)は平面図である。 2・・・・・・シリコン基板、 4・・・・・・層間絶縁膜。 6・・・・・・ボンディング・パッド、8・・・・・・
パッシベーション膜。
Claims (1)
- (1)金属層の上からパッシベーション膜を形成し、前
記パッシベーション膜にエッチングを施してボンディン
グ・パッドを露出させた後、前記ボンディング・パッド
にシリコンのイオン注入を施す半導体集積回路装置の製
造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62038500A JPS63205930A (ja) | 1987-02-21 | 1987-02-21 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US07/158,763 US4857484A (en) | 1987-02-21 | 1988-02-22 | Method of making an ion-implanted bonding connection of a semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62038500A JPS63205930A (ja) | 1987-02-21 | 1987-02-21 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63205930A true JPS63205930A (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=12526982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62038500A Pending JPS63205930A (ja) | 1987-02-21 | 1987-02-21 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4857484A (ja) |
JP (1) | JPS63205930A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5455198A (en) * | 1992-12-31 | 1995-10-03 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating tungsten contact plug |
Families Citing this family (3)
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---|---|---|---|---|
US5541131A (en) * | 1991-02-01 | 1996-07-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Peeling free metal silicide films using ion implantation |
JP3603296B2 (ja) * | 1997-11-11 | 2004-12-22 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE102022108561A1 (de) | 2021-04-13 | 2022-10-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Oxidations- und korrosionsschutz in halbleitervorrichtungen und halbleitervorrichtungsanordnungen |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3328210A (en) * | 1964-10-26 | 1967-06-27 | North American Aviation Inc | Method of treating semiconductor device by ionic bombardment |
US3562022A (en) * | 1967-12-26 | 1971-02-09 | Hughes Aircraft Co | Method of doping semiconductor bodies by indirection implantation |
US3765970A (en) * | 1971-06-24 | 1973-10-16 | Rca Corp | Method of making beam leads for semiconductor devices |
US3912546A (en) * | 1974-12-06 | 1975-10-14 | Hughes Aircraft Co | Enhancement mode, Schottky-barrier gate gallium arsenide field effect transistor |
JPS561533A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Hitachi Ltd | Method of photoetching |
US4534105A (en) * | 1983-08-10 | 1985-08-13 | Rca Corporation | Method for grounding a pellet support pad in an integrated circuit device |
JPS6063926A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-04-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS60183739A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Ricoh Co Ltd | 多層配線形成法 |
US4622576A (en) * | 1984-10-22 | 1986-11-11 | National Semiconductor Corporation | Conductive non-metallic self-passivating non-corrodable IC bonding pads |
JPS61256626A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-14 | Fujitsu Ltd | 絶縁膜表面での薄膜選択成長方法 |
-
1987
- 1987-02-21 JP JP62038500A patent/JPS63205930A/ja active Pending
-
1988
- 1988-02-22 US US07/158,763 patent/US4857484A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5455198A (en) * | 1992-12-31 | 1995-10-03 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating tungsten contact plug |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4857484A (en) | 1989-08-15 |
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