JP3603296B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、アルミニウム・銅合金から成る配線のボンディングパッド部にワイヤをボンディングする半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の微細化及び高集積化に伴って配線の微細化及び積層化も進められているが、配線を微細化及び積層化すると配線のエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性が低下する。このため、配線の材料としても、従来から用いられてきた純アルミニウムやアルミニウム・シリコン合金の代わりに、アルミニウム・銅合金が用いられる様になってきている。
【0003】
以下、アルミニウム・銅合金から成る配線のボンディングパッド部に金ワイヤをボンディングする半導体装置の製造方法の一従来例を、図1、2を参照しながら説明する。この一従来例では、図1(a)に示す様に、半導体基体(図示せず)上の層間絶縁膜11上に、アルミニウム・銅合金から成りボンディングパッド部12aを有する配線12を形成し、CVD法で絶縁膜13を堆積させて配線12を覆う。
【0004】
次に、図1(b)に示す様に、絶縁膜13上にフォトレジスト膜14を塗布し、このフォトレジスト膜14にフォトリソグラフィ法でボンディングパッド部12a上の開口14aを形成する。そして、図1(c)に示す様に、フォトレジスト膜14をマスクにして、CFx 系の反応ガスによるエッチングを行って、絶縁膜13に開口13aを形成する。
【0005】
開口13aの形成に際して絶縁膜13を垂直にエッチングするために、エッチング進行中の開口13aの内側面に有機系重合体膜15及び金属系重合体膜16を形成し、これらの有機系重合体膜15及び金属系重合体膜16をマスクにしてエッチングを進行させる異方性エッチングが採用されている。
【0006】
有機系重合体膜15は、反応ガスとフォトレジスト膜14の材料と絶縁膜13の材料との間で生じる反応で生成された反応物から成っていて有機系成分を多く含んでおり、配線12が露出するまでの段階で形成される。また、金属系重合体膜16は、反応ガスとアルミニウム・銅合金とフォトレジスト膜14の材料と絶縁膜13の材料との間で生じる反応で生成された反応物から成っていて金属系成分を多く含んでおり、配線12が露出した後の段階で形成される。
【0007】
ところで、有機系重合体膜15や金属系重合体膜16が形成されたままの状態から有機溶剤による洗浄でフォトレジスト膜14を除去しても、有機系重合体膜15や金属系重合体膜16は除去されず、これらの有機系重合体膜15や金属系重合体膜16が開口13aの内側面に残ったりボンディングパッド部12a上に散布されたりする。
【0008】
そして、この状態からボンディングパッド部12aに金ワイヤをボンディングすると、開口13aの内側面に残っている有機系重合体膜15や金属系重合体膜16でボンディング面積が狭められたり、ボンディングパッド部12a上に散布されている有機系重合体膜15や金属系重合体膜16でボンディングが阻害されたりして、ボンディングされた金ワイヤが剥がれ易い。
【0009】
そこで、この一従来例では、図1(c)の状態からフォトレジスト膜14の所定の厚さを酸素プラズマで除去し、その後、図1(d)に示す様に、アミン系有機溶剤による洗浄でフォトレジスト膜14の残りの厚さと金属系重合体膜16とを除去する。そして、図2(a)に示す様に、有機系重合体膜15を酸素プラズマで除去し、図2(b)に示す様に、ボンディングパッド部12aに金ワイヤボンド17を介して金ワイヤ18をボンディングする。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述の一従来例では、フォトレジスト膜14の所定の厚さを酸素プラズマで除去してからアミン系有機溶剤による洗浄でフォトレジスト膜14の残りの厚さと金属系重合体膜16とを除去しているので、アミン系有機溶剤による除去の際にボンディングパッド部12aの表面に酸化アルミニウム膜が既に形成されている。
【0011】
酸化アルミニウム膜はアミン系有機溶剤に対するマスクになるので、アミン系有機溶剤による洗浄を行っても、ボンディングパッド部12aの表面に酸化アルミニウム膜が残り、ボンディングパッド部12aの表面も平滑なままである。しかも、半導体装置の微細化及び高集積化に伴って、ボンディングパッド部12aの面積及び金ワイヤボンド17の直径が縮小されている。
【0012】
このため、上述の一従来例では、ボンディングパッド部12aにボンディングされた金ワイヤ18が剥がれ易くて、半導体装置を高い歩留りで製造することが困難であり、また、ボンディングパッド部12aの面積及び金ワイヤボンド17の直径を縮小することが困難で微細化及び高集積化された半導体装置を製造することが困難であった。
【0013】
従って、本願の発明は、配線のボンディングパッド部にボンディングされたワイヤが剥がれにくいので、半導体装置を高い歩留りで製造することができ、また、ボンディングパッド部の面積及びワイヤボンドの直径を縮小することができて微細化及び高集積化された半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る半導体装置の製造方法では、アミン系有機溶剤による洗浄で、絶縁膜の異方性エッチングによって絶縁膜の開口の内側面に形成された金属系重合体膜をアミン系有機溶剤中のアミノ基(NH2 −)成分で除去すると共にフォトレジスト膜をアミン系有機溶剤中の有機溶剤成分で除去するが、このアミン系有機溶剤による洗浄は絶縁膜の異方性エッチングに引き続いて行う。
【0015】
この結果、配線のボンディングパッド部は絶縁膜の異方性エッチングで絶縁膜の開口内に露出してからアミン系有機溶剤による洗浄までの間に酸素プラズマによる処理を受けず、アミン系有機溶剤による洗浄の際に配線のボンディングパッド部の表面に酸化アルミニウム膜が形成されていない。
【0016】
このため、アミン系有機溶剤による洗浄に伴って、ボンディングパッド部におけるアルミニウム・銅合金のアルミニウムと銅との界面にアミン系有機溶剤中のアミノ基(NH2 −)が侵入して、イオン化傾向の高いアルミニウムが溶出する。そして、溶出の進行と共に銅の結晶粒がアルミニウム・銅合金から抜け出て、洗浄後にはボンディングパッド部の表面に微細孔が形成されている。
【0017】
また、絶縁膜の異方性エッチングで絶縁膜の開口の内側面に形成された有機系重合体膜も酸素プラズマで除去し、その後にボンディングパッド部にワイヤをボンディングするので、ボンディングの際にはボンディングパッド部に金属系重合体膜も有機系重合体膜も存在していない。
【0018】
つまり、ボンディングの際にはボンディングパッド部に金属系重合体膜も有機系重合体膜も存在していないので、金属系重合体膜や有機系重合体膜でボンディング面積が狭められたりボンディングが阻害されたりすることがない。しかも、ボンディングの際にはボンディングパッド部の表面に微細孔が形成されているので、この微細孔内にワイヤボンドの材料が入り込む。従って、配線のボンディングパッド部にボンディングされたワイヤが剥がれにくい。
【0019】
請求項2に係る半導体装置の製造方法では、絶縁膜の異方性エッチングで絶縁膜の開口の内側面に形成された有機系重合体膜を酸素プラズマで除去する時間が20〜30分であるので、有機系重合体膜を十分に除去することができるにも拘らずこの除去を行ってもボンディングパッド部の表面における酸化アルミニウム膜の形成を確実に防止することができる。
【0020】
このため、ボンディングパッド部の表面の酸化アルミニウム膜によるボンディングの阻害がなくて、配線のボンディングパッド部にボンディングされたワイヤが更に剥がれにくい
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、アルミニウム・銅合金から成る配線のボンディングパッド部に金ワイヤをボンディングする半導体装置の製造方法に適用した本願の発明の一実施形態を、図1、2を参照しながら説明する。本実施形態では、図1(a)に示す様に、TEOSを原料とするCVD法で堆積させた厚さ300nmのSiO2 膜とその上の厚さ700nmのBPSG膜とから成る層間絶縁膜11を半導体基体(図示せず)上に形成する。
【0022】
その後、Al:Cu=99.5%:0.5%のアルミニウム・銅合金から成り厚さ500nmでボンディングパッド部12aを有する配線12を形成する。そして、TEOSを原料とするCVD法で堆積させた厚さ300nmのSiO2 膜とその上の厚さ700nmのBPSG膜と更にその上の厚さ700nmのSiN膜とから成る絶縁膜13で配線12を覆う。
【0023】
次に、図1(b)に示す様に、厚さ3.0μmのフォトレジスト膜14を絶縁膜13上に塗布し、このフォトレジスト膜14にフォトリソグラフィ法でボンディングパッド部12a上の開口14aを形成する。そして、図1(c)に示す様に、フォトレジスト膜14をマスクにして、CFx 系の反応ガスによる下記の条件の異方性エッチングを行って、絶縁膜13に開口13aを形成する。
【0024】
絶縁膜のエッチング条件
エッチング装置:TE5000(東京エレクトロン社の商品名)
ガス:CF4 /Ar=100sccm/450sccm
圧力:307Pa
高周波出力:600W
処理時間:129秒
【0025】
このエッチングに伴って、開口13aの内側面に有機系重合体膜15及び金属系重合体膜16が形成される。その後、図1(d)に示す様に、アミン系有機溶剤による下記の条件の洗浄を行って、フォトレジスト膜14と金属系重合体膜16とを除去する。
【0026】
フォトレジスト膜及び金属系重合体膜の洗浄条件
洗浄装置:WSST(セミツール社の商品名)
洗浄液:EKC−265(EKC社の商品名)
温度:60℃
処理時間:15分
【0027】
EKC−265の組成
2−(2−アミノエトキシ)エタノール:55%
ヒドロキシアミン :20%
カテコール :5%
水 :20%
【0028】
ところで、このアミン系有機溶剤による洗浄は絶縁膜13の異方性エッチングに引き続いて行っているので、ボンディングパッド部12aは絶縁膜13の異方性エッチングで開口13a内に露出してからアミン系有機溶剤による洗浄までの間に酸素プラズマによる処理を受けず、アミン系有機溶剤による洗浄の際にボンディングパッド部12aの表面に酸化アルミニウム膜が形成されていない。
【0029】
このため、ボンディングパッド部12aにおけるアルミニウム・銅合金のアルミニウムと銅との界面にアミン系有機溶剤中のアミノ基(NH2 −)が侵入して、イオン化傾向の高いアルミニウムが溶出する。そして、溶出の進行と共に銅の結晶粒がアルミニウム・銅合金から抜け出て、洗浄後にはボンディングパッド部12aの表面に微細孔が形成されている。その後、図2(a)に示す様に、酸素プラズマによる下記の条件のアッシングで有機系重合体膜15を除去する。
【0030】
有機系重合体膜のアッシング条件
アッシング装置:RAM250(RAMCO社の商品名)
ガス:O2 =800sccm
圧力:106.4kPa
高周波出力:1000W
処理時間:25分
【0031】
ところで、有機系重合体膜15の除去に必要なアッシング時間は10分以上である。一方、40分以上の時間に亘ってアッシングを行うと、開口13a内に露出しているボンディングパッド部12aの表面に酸化アルミニウム膜が形成され、この酸化アルミニウム膜が存在していると、金ワイヤボンド17の接着力が低下してボンディングが阻害される。
【0032】
つまり、アッシング時間が20〜30分であれば、有機系重合体膜15を十分に除去することができるにも拘らずこの除去を行ってもボンディングパッド部12aの表面における酸化アルミニウム膜の形成を確実に防止することができる。従って、本実施形態ではアッシング時間として25分を選択している。
【0033】
次に、図2(b)に示す様に、ボンディングパッド部12aに金ワイヤボンド17を介して金ワイヤ18をボンディングする。この時、上述の様にボンディングパッド部12aの表面に微細孔が形成されているので、この微細孔内に金ワイヤボンド17の材料である金が入り込む。従って、本実施形態で製造した半導体装置では金ワイヤ18が剥がれにくい。
【0034】
なお、以上の実施形態はアルミニウム・銅合金から成る配線12のボンディングパッド部12aに金ワイヤ18をボンディングする半導体装置の製造方法に本願の発明を適用したものであるが、Alワイヤ等をボンディングする半導体装置の製造方法にも本願の発明を適用することができる。
【0035】
【発明の効果】
請求項1に係る半導体装置の製造方法では、配線のボンディングパッド部にボンディングされたワイヤが剥がれにくいので、半導体装置を高い歩留りで製造することができ、また、ボンディングパッド部の面積及びワイヤボンドの直径を縮小することができて微細化及び高集積化された半導体装置を製造することができる。
【0036】
請求項2に係る半導体装置の製造方法では、配線のボンディングパッド部にボンディングされたワイヤが更に剥がれにくいので、半導体装置を更に高い歩留りで製造することができ、また、ボンディングパッド部の面積及びワイヤボンドの直径を更に縮小することができて更に微細化及び高集積化された半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】アルミニウム・銅合金から成る配線のボンディングパッド部にワイヤをボンディングする半導体装置の製造方法の前半を工程順に示す側断面図である。
【図2】上記の製造方法の後半を工程順に示す側断面図である。
【符号の説明】
12…配線、12a…ボンディングパッド部、13…絶縁膜、13a…開口(第2の開口)、14…フォトレジスト膜、14a…開口(第1の開口)、15…有機系重合体膜、16…金属系重合体膜、18…金ワイヤ(ワイヤ)
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、アルミニウム・銅合金から成る配線のボンディングパッド部にワイヤをボンディングする半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の微細化及び高集積化に伴って配線の微細化及び積層化も進められているが、配線を微細化及び積層化すると配線のエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性が低下する。このため、配線の材料としても、従来から用いられてきた純アルミニウムやアルミニウム・シリコン合金の代わりに、アルミニウム・銅合金が用いられる様になってきている。
【0003】
以下、アルミニウム・銅合金から成る配線のボンディングパッド部に金ワイヤをボンディングする半導体装置の製造方法の一従来例を、図1、2を参照しながら説明する。この一従来例では、図1(a)に示す様に、半導体基体(図示せず)上の層間絶縁膜11上に、アルミニウム・銅合金から成りボンディングパッド部12aを有する配線12を形成し、CVD法で絶縁膜13を堆積させて配線12を覆う。
【0004】
次に、図1(b)に示す様に、絶縁膜13上にフォトレジスト膜14を塗布し、このフォトレジスト膜14にフォトリソグラフィ法でボンディングパッド部12a上の開口14aを形成する。そして、図1(c)に示す様に、フォトレジスト膜14をマスクにして、CFx 系の反応ガスによるエッチングを行って、絶縁膜13に開口13aを形成する。
【0005】
開口13aの形成に際して絶縁膜13を垂直にエッチングするために、エッチング進行中の開口13aの内側面に有機系重合体膜15及び金属系重合体膜16を形成し、これらの有機系重合体膜15及び金属系重合体膜16をマスクにしてエッチングを進行させる異方性エッチングが採用されている。
【0006】
有機系重合体膜15は、反応ガスとフォトレジスト膜14の材料と絶縁膜13の材料との間で生じる反応で生成された反応物から成っていて有機系成分を多く含んでおり、配線12が露出するまでの段階で形成される。また、金属系重合体膜16は、反応ガスとアルミニウム・銅合金とフォトレジスト膜14の材料と絶縁膜13の材料との間で生じる反応で生成された反応物から成っていて金属系成分を多く含んでおり、配線12が露出した後の段階で形成される。
【0007】
ところで、有機系重合体膜15や金属系重合体膜16が形成されたままの状態から有機溶剤による洗浄でフォトレジスト膜14を除去しても、有機系重合体膜15や金属系重合体膜16は除去されず、これらの有機系重合体膜15や金属系重合体膜16が開口13aの内側面に残ったりボンディングパッド部12a上に散布されたりする。
【0008】
そして、この状態からボンディングパッド部12aに金ワイヤをボンディングすると、開口13aの内側面に残っている有機系重合体膜15や金属系重合体膜16でボンディング面積が狭められたり、ボンディングパッド部12a上に散布されている有機系重合体膜15や金属系重合体膜16でボンディングが阻害されたりして、ボンディングされた金ワイヤが剥がれ易い。
【0009】
そこで、この一従来例では、図1(c)の状態からフォトレジスト膜14の所定の厚さを酸素プラズマで除去し、その後、図1(d)に示す様に、アミン系有機溶剤による洗浄でフォトレジスト膜14の残りの厚さと金属系重合体膜16とを除去する。そして、図2(a)に示す様に、有機系重合体膜15を酸素プラズマで除去し、図2(b)に示す様に、ボンディングパッド部12aに金ワイヤボンド17を介して金ワイヤ18をボンディングする。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述の一従来例では、フォトレジスト膜14の所定の厚さを酸素プラズマで除去してからアミン系有機溶剤による洗浄でフォトレジスト膜14の残りの厚さと金属系重合体膜16とを除去しているので、アミン系有機溶剤による除去の際にボンディングパッド部12aの表面に酸化アルミニウム膜が既に形成されている。
【0011】
酸化アルミニウム膜はアミン系有機溶剤に対するマスクになるので、アミン系有機溶剤による洗浄を行っても、ボンディングパッド部12aの表面に酸化アルミニウム膜が残り、ボンディングパッド部12aの表面も平滑なままである。しかも、半導体装置の微細化及び高集積化に伴って、ボンディングパッド部12aの面積及び金ワイヤボンド17の直径が縮小されている。
【0012】
このため、上述の一従来例では、ボンディングパッド部12aにボンディングされた金ワイヤ18が剥がれ易くて、半導体装置を高い歩留りで製造することが困難であり、また、ボンディングパッド部12aの面積及び金ワイヤボンド17の直径を縮小することが困難で微細化及び高集積化された半導体装置を製造することが困難であった。
【0013】
従って、本願の発明は、配線のボンディングパッド部にボンディングされたワイヤが剥がれにくいので、半導体装置を高い歩留りで製造することができ、また、ボンディングパッド部の面積及びワイヤボンドの直径を縮小することができて微細化及び高集積化された半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る半導体装置の製造方法では、アミン系有機溶剤による洗浄で、絶縁膜の異方性エッチングによって絶縁膜の開口の内側面に形成された金属系重合体膜をアミン系有機溶剤中のアミノ基(NH2 −)成分で除去すると共にフォトレジスト膜をアミン系有機溶剤中の有機溶剤成分で除去するが、このアミン系有機溶剤による洗浄は絶縁膜の異方性エッチングに引き続いて行う。
【0015】
この結果、配線のボンディングパッド部は絶縁膜の異方性エッチングで絶縁膜の開口内に露出してからアミン系有機溶剤による洗浄までの間に酸素プラズマによる処理を受けず、アミン系有機溶剤による洗浄の際に配線のボンディングパッド部の表面に酸化アルミニウム膜が形成されていない。
【0016】
このため、アミン系有機溶剤による洗浄に伴って、ボンディングパッド部におけるアルミニウム・銅合金のアルミニウムと銅との界面にアミン系有機溶剤中のアミノ基(NH2 −)が侵入して、イオン化傾向の高いアルミニウムが溶出する。そして、溶出の進行と共に銅の結晶粒がアルミニウム・銅合金から抜け出て、洗浄後にはボンディングパッド部の表面に微細孔が形成されている。
【0017】
また、絶縁膜の異方性エッチングで絶縁膜の開口の内側面に形成された有機系重合体膜も酸素プラズマで除去し、その後にボンディングパッド部にワイヤをボンディングするので、ボンディングの際にはボンディングパッド部に金属系重合体膜も有機系重合体膜も存在していない。
【0018】
つまり、ボンディングの際にはボンディングパッド部に金属系重合体膜も有機系重合体膜も存在していないので、金属系重合体膜や有機系重合体膜でボンディング面積が狭められたりボンディングが阻害されたりすることがない。しかも、ボンディングの際にはボンディングパッド部の表面に微細孔が形成されているので、この微細孔内にワイヤボンドの材料が入り込む。従って、配線のボンディングパッド部にボンディングされたワイヤが剥がれにくい。
【0019】
請求項2に係る半導体装置の製造方法では、絶縁膜の異方性エッチングで絶縁膜の開口の内側面に形成された有機系重合体膜を酸素プラズマで除去する時間が20〜30分であるので、有機系重合体膜を十分に除去することができるにも拘らずこの除去を行ってもボンディングパッド部の表面における酸化アルミニウム膜の形成を確実に防止することができる。
【0020】
このため、ボンディングパッド部の表面の酸化アルミニウム膜によるボンディングの阻害がなくて、配線のボンディングパッド部にボンディングされたワイヤが更に剥がれにくい
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、アルミニウム・銅合金から成る配線のボンディングパッド部に金ワイヤをボンディングする半導体装置の製造方法に適用した本願の発明の一実施形態を、図1、2を参照しながら説明する。本実施形態では、図1(a)に示す様に、TEOSを原料とするCVD法で堆積させた厚さ300nmのSiO2 膜とその上の厚さ700nmのBPSG膜とから成る層間絶縁膜11を半導体基体(図示せず)上に形成する。
【0022】
その後、Al:Cu=99.5%:0.5%のアルミニウム・銅合金から成り厚さ500nmでボンディングパッド部12aを有する配線12を形成する。そして、TEOSを原料とするCVD法で堆積させた厚さ300nmのSiO2 膜とその上の厚さ700nmのBPSG膜と更にその上の厚さ700nmのSiN膜とから成る絶縁膜13で配線12を覆う。
【0023】
次に、図1(b)に示す様に、厚さ3.0μmのフォトレジスト膜14を絶縁膜13上に塗布し、このフォトレジスト膜14にフォトリソグラフィ法でボンディングパッド部12a上の開口14aを形成する。そして、図1(c)に示す様に、フォトレジスト膜14をマスクにして、CFx 系の反応ガスによる下記の条件の異方性エッチングを行って、絶縁膜13に開口13aを形成する。
【0024】
絶縁膜のエッチング条件
エッチング装置:TE5000(東京エレクトロン社の商品名)
ガス:CF4 /Ar=100sccm/450sccm
圧力:307Pa
高周波出力:600W
処理時間:129秒
【0025】
このエッチングに伴って、開口13aの内側面に有機系重合体膜15及び金属系重合体膜16が形成される。その後、図1(d)に示す様に、アミン系有機溶剤による下記の条件の洗浄を行って、フォトレジスト膜14と金属系重合体膜16とを除去する。
【0026】
フォトレジスト膜及び金属系重合体膜の洗浄条件
洗浄装置:WSST(セミツール社の商品名)
洗浄液:EKC−265(EKC社の商品名)
温度:60℃
処理時間:15分
【0027】
EKC−265の組成
2−(2−アミノエトキシ)エタノール:55%
ヒドロキシアミン :20%
カテコール :5%
水 :20%
【0028】
ところで、このアミン系有機溶剤による洗浄は絶縁膜13の異方性エッチングに引き続いて行っているので、ボンディングパッド部12aは絶縁膜13の異方性エッチングで開口13a内に露出してからアミン系有機溶剤による洗浄までの間に酸素プラズマによる処理を受けず、アミン系有機溶剤による洗浄の際にボンディングパッド部12aの表面に酸化アルミニウム膜が形成されていない。
【0029】
このため、ボンディングパッド部12aにおけるアルミニウム・銅合金のアルミニウムと銅との界面にアミン系有機溶剤中のアミノ基(NH2 −)が侵入して、イオン化傾向の高いアルミニウムが溶出する。そして、溶出の進行と共に銅の結晶粒がアルミニウム・銅合金から抜け出て、洗浄後にはボンディングパッド部12aの表面に微細孔が形成されている。その後、図2(a)に示す様に、酸素プラズマによる下記の条件のアッシングで有機系重合体膜15を除去する。
【0030】
有機系重合体膜のアッシング条件
アッシング装置:RAM250(RAMCO社の商品名)
ガス:O2 =800sccm
圧力:106.4kPa
高周波出力:1000W
処理時間:25分
【0031】
ところで、有機系重合体膜15の除去に必要なアッシング時間は10分以上である。一方、40分以上の時間に亘ってアッシングを行うと、開口13a内に露出しているボンディングパッド部12aの表面に酸化アルミニウム膜が形成され、この酸化アルミニウム膜が存在していると、金ワイヤボンド17の接着力が低下してボンディングが阻害される。
【0032】
つまり、アッシング時間が20〜30分であれば、有機系重合体膜15を十分に除去することができるにも拘らずこの除去を行ってもボンディングパッド部12aの表面における酸化アルミニウム膜の形成を確実に防止することができる。従って、本実施形態ではアッシング時間として25分を選択している。
【0033】
次に、図2(b)に示す様に、ボンディングパッド部12aに金ワイヤボンド17を介して金ワイヤ18をボンディングする。この時、上述の様にボンディングパッド部12aの表面に微細孔が形成されているので、この微細孔内に金ワイヤボンド17の材料である金が入り込む。従って、本実施形態で製造した半導体装置では金ワイヤ18が剥がれにくい。
【0034】
なお、以上の実施形態はアルミニウム・銅合金から成る配線12のボンディングパッド部12aに金ワイヤ18をボンディングする半導体装置の製造方法に本願の発明を適用したものであるが、Alワイヤ等をボンディングする半導体装置の製造方法にも本願の発明を適用することができる。
【0035】
【発明の効果】
請求項1に係る半導体装置の製造方法では、配線のボンディングパッド部にボンディングされたワイヤが剥がれにくいので、半導体装置を高い歩留りで製造することができ、また、ボンディングパッド部の面積及びワイヤボンドの直径を縮小することができて微細化及び高集積化された半導体装置を製造することができる。
【0036】
請求項2に係る半導体装置の製造方法では、配線のボンディングパッド部にボンディングされたワイヤが更に剥がれにくいので、半導体装置を更に高い歩留りで製造することができ、また、ボンディングパッド部の面積及びワイヤボンドの直径を更に縮小することができて更に微細化及び高集積化された半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】アルミニウム・銅合金から成る配線のボンディングパッド部にワイヤをボンディングする半導体装置の製造方法の前半を工程順に示す側断面図である。
【図2】上記の製造方法の後半を工程順に示す側断面図である。
【符号の説明】
12…配線、12a…ボンディングパッド部、13…絶縁膜、13a…開口(第2の開口)、14…フォトレジスト膜、14a…開口(第1の開口)、15…有機系重合体膜、16…金属系重合体膜、18…金ワイヤ(ワイヤ)
Claims (2)
- アルミニウム・銅合金から成りボンディングパッド部を有する配線を絶縁膜で覆う工程と、
前記ボンディングパッド部上に第1の開口を有するフォトレジスト膜を前記絶縁膜上に形成する工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクにした異方性エッチングで前記第1の開口下の前記絶縁膜に第2の開口を形成する工程と、
前記異方性エッチングに引き続き、アミン系有機溶剤による洗浄で、前記異方性エッチングで前記第2の開口の内側面に形成された金属系重合体膜と前記フォトレジスト膜とを除去する工程と、
前記アミン系有機溶剤による前記洗浄の後に、前記異方性エッチングで前記第2の開口の内側面に形成された有機系重合体膜を酸素プラズマで除去する工程と、
前記酸素プラズマによる前記除去の後に、前記ボンディングパッド部にワイヤをボンディングする工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸素プラズマによる前記除去の時間が20〜30分であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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