JPS63202985A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents

半導体レ−ザ装置の製造方法

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JPS63202985A
JPS63202985A JP62036253A JP3625387A JPS63202985A JP S63202985 A JPS63202985 A JP S63202985A JP 62036253 A JP62036253 A JP 62036253A JP 3625387 A JP3625387 A JP 3625387A JP S63202985 A JPS63202985 A JP S63202985A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高効率、高出力の半導体し・−ザ装置を効
率よく得られる半導体レーザ装置の製造方法に関するも
のである。
〔従来の技術〕
第３図は、例えばＩＥＥＥ　　ＪＯＵＲＮＡＬ　　ＯＦ
　　ＱＵＡＮＴＵＭＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ５，Ｖｏｌ、
　ＱＥ−２１，Ｎｏ、６（１９８５）ｐｐ６１９−６２
２に示された従来の半導体し・−ザ装置の構造を示す断
面図である。
この図において、１はｐ型の基板、２はアンドープの活
性層、３はｎ型のクラッド層、４はｎ型の第１電流阻止
層、５はｐ型の第２電流阻止層である。
次にその動作について説明する。
ｐ型の基板１およびｎ型のクラッド層３の両端に電圧を
かけろと、それぞれのキャリアであるホールと電子は、
活性層２に注入され、注入があるレベルに達するとレー
ザ発振を生ずる１、この際、キャリアはｎ型の第１電流
阻止層４およびｐ型の第２電流阻止層５の間に形成され
る逆バイアス層のた゛めに電流狭窄されて活性層２に集
中して流れ込む。このため、この半導体レーザ装置は無
効電流が少なく高効率で動作する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来の半導体レーザ装置では、ｎ型の第１
電流阻止層４の上端が活性層２よりも上側まで成長され
た場合、ｎ型の第１電流阻止Ｈ４とｎ型のクラッド層３
がつながってしまい、ｎ型の第１電流阻止層４の抵抗値
が活性層２より小さいために、ｎ型の第１電流阻止層４
とｎ型のクラッド層３を流れる無効電流が増加する。こ
のため、活性層２はｎ型の第１電流阻止層４より上側に
あることが必要である。また、ｎ型の第１電流阻止層４
が電流阻止能力を有するためには１−程度の厚さが必要
であり、その厚さのばらつき等を考慮すると活性層２ば
ｐ型の基板１の平坦部より２〜３−高い位置になければ
ならない。
これらの条件を満たすように構成するとメサ部（ｐ型の
基板１の突出部、活性層２およびｎ型の　　□クラッド
層３）が細長くなる。一般にこのメサ部は逆三角に近い
形となるため、メサ部の根元が細くなり、メサ部を形成
する際、折れてしまうという問題点があった。
また、この問題を避けるためにメサ部の根元を太くする
と、活性層２の幅が広くなり、高次モードのレーザ発振
が生ずるという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、メサ部の高さを低く抑え、活性層の幅を小さく保
ったまま確実に電流阻止層を形成できる半導体レーザ装
置の製造方法を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するだめの手段〕
この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、第１導
電型の半導体基板上に活性層、第２導電型の第１クラッ
ド層を順次成長させる工程と、この第１クラッド層から
半導体基板までのエツチングを行ってメサ部を形成する
工程と、このメサ部の両側の半導体基板上に第１導電型
の埋込み層、第２導電型の第１電流阻止層、第１導電型
の第２電流阻止層を順次成長させる工程と、この第２電
流阻止層および第１クラッド層上に第２導電型の第２ク
ラッド層を成長させる工程と、埋込み層および第２電流
阻止層中の不純物を第１電流阻止層中に拡散させる工程
とを含み、埋込み層および第２電流阻止層の少なくとも
一方を高不純物濃度とするものである。
〔作用〕
この発明においては、半導体基板上に活性層。
第２導電型の第１クラッド層が順次形成されたのち、第
１導電型の第１クラッド層から第１導電型の半導体基板
までのエツチングを行って形成されにメサ部の両側の半
導体基板上に第１導電型の埋込み層、第２導電型の第１
電流阻止層、第１導電型の第２電流阻止層が順次形成さ
れる。次いで、第２電流阻止層および第１クラッド層上
に第２クラッド層が形成される。また、拡散が行われる
乙とによって、メサ部の近傍の第２導電型の第１電流阻
止層の一部領域が第１導電型に反転される。
〔実施例〕
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法によっ
て得られた半導体レーザ装置の一実施例の構造を示す断
面図、第２図（ａ）〜（ｃ）はこの発明の半導体レーザ
装置の製造方法の一実施例を説明するための図である。
これらの図において、第３図と同一符号は同一部分を示
し、３ａは１回目の結晶成長で形成される□型の第１ク
ラッド層、３ｂは２回目の結晶成長で形成されるｎ型の
第２クラッド層、６はｐ型の埋込み層、７は前記ｎ型の
第１電流阻止層４のｐ型に反転したメサ部の近傍の一部
領域である。
次にその製造工程について説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、１回目の結晶成長で
ｐ型の基板１の上にアンドープの活性層２およびｎ型の
第１クラッド層３ａを順次成長させる。次に、第２図（
ｂ）に示すように、写真製版技術を用いてメサ部を形成
する。次に、第２図（ｅ）に示すように、２回目の結晶
成長で、メサ部の両端のｐ型の基板１上にｐ型の埋込み
層６．ｎ型の第１電流阻止層Ａｐ　ｐ型の第２電流阻止
層５を順次成長させた後、ｐ型の第２電流阻止層５およ
びｎ型の第１クラッド層３ａ上にｎ型の第２クラッド層
３ｂを成長させる。
しかし、このように成長させると、ｎ型の第１電流阻止
層４とｎ型の第１および第２クラツド層３ａ、３ｂがつ
ながってしまう。したがって、これらの部分を分離する
ため、ｐ型の第２電流阻止層５ＰＰ型の埋込み層６の一
方、あるいは両方を高不純物濃度にして結晶成長を行っ
ておき、結晶成長後、ｐ型の第２電流阻止層５およびｐ
型の埋込み層６中の高濃度の不純物をｎ型の第１電流阻
止層４に拡散させることによって、ｎ型の第１電流阻止
層４のメサ部近傍の一部領域７をｐ型に反転させる。す
なわち、最終的には第１図に示したような埋込み型・＼
テロ構造（Ｂ）（）の半導体レーザ装置になる。
そして、上記のような工程で形成されたＢＨ槽構造半導
体レーザ装置は、活性層２の幅を十分狭くしたままメサ
部の高さを低く製造することが可能であり、安定した横
モード発振を実現できるうえ、高効率で動作する。
なお、上記実施例では拡散を結晶成長後に行う場合を説
明したが、拡散マスク等がいらないので、２回目の結晶
成長工程中に拡散を行ってもよく、同様の効果を得られ
る。
また、上記実施例ではｐ型の基板を用いた場合を示した
が、ｎ型の基板を用いることもでき、この場合もｐ型半
導体がつながるために無効電流が流れるような構造にな
ることを防ぐために、同様に拡散を行うことによって、
第１電流阻止層と第１および第２クラッド層とを分離す
ることが可能である。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、第１導電型の半導体基
板上に活性層、第２導電型の第１クラッド層を順次成長
させる工程と、この第１クラッド層から半導体基板まで
のエツチングを行ってメサ部を形成する工程と、このメ
サ部の両側の半導体基板上に第１導電型の埋込み層、第
２導電型の第１電流阻止層、第１導電型の第２電流阻止
層を順次成長させる工程と、この第２電流阻止層および
第１クラッド層上に第２導電型の第２クラッド層を成長
させる工程と、埋込み層および第２電流阻止層中の不純
物を第１電流阻止層中に拡散させる工程とを含み、埋込
み層および第２電流阻止層の少なくとも一方を高不純物
濃度とするので、メサ部の高さを低く抑えられ、容易に
歩留りよく、安定した横モードで発振する高効率、高出
力の半導体レーザ装置を得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法によっ
て得られた半導体レーザ装置の一実施例の構造を示す断
面図、第２図はこの発明の半導体レーザ装置の製造方法
の一実施例を説明するための図、第３図は従来の半導体
レーザ装置の構造を示す断面図である。 図において、１はｐ型の基板、２はアンドープの活性層
、３ａはｎ型の第１クラッド層、３ｂはｎ型の第２クラ
ッド層、４はｎ型の第１電流阻止層、５はｐ型の第２電
流阻止層、６はｐ型の埋込み層、７はメサ部の近傍の一
部領域である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）’ｆ？Ｉ開ｎ
、ｉｅ：３−２ｏ２９ａ５（４）手続補正書（自発）

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）第１導電型の半導体基板上に活性層、第２導電型
    の第１クラッド層を順次成長させる工程と、この第１ク
    ラッド層から前記半導体基板までのエッチングを行って
    メサ部を形成する工程と、このメサ部の両側の前記半導
    体基板上に第１導電型の埋込み層、第２導電型の第１電
    流阻止層、第１導電型の第２電流阻止層を順次成長させ
    る工程と、この第２電流阻止層および前記第１クラッド
    層上に第２導電型の第２クラッド層を成長させる工程と
    、前記埋込み層および前記第２電流阻止層中の不純物を
    前記第１電流阻止層中に拡散させる工程とを含み、前記
    埋込み層および前記第２電流阻止層の少なくとも一方を
    高不純物濃度とすることを特徴とする半導体レーザ装置
    の製造方法。
  2. （２）拡散が結晶成長工程中に行われるものであること
    を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導体レ
    ーザ装置の製造方法。
JP62036253A 1987-02-18 1987-02-18 半導体レ−ザ装置の製造方法 Expired - Lifetime JPH0648743B2 (ja)

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