JPS61204994A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS61204994A JPS61204994A JP4464185A JP4464185A JPS61204994A JP S61204994 A JPS61204994 A JP S61204994A JP 4464185 A JP4464185 A JP 4464185A JP 4464185 A JP4464185 A JP 4464185A JP S61204994 A JPS61204994 A JP S61204994A
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- type inp
- type
- emitting device
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、特にＩｎＰ／［ｎＧａＡｓ （Ｐ）系化合物
半導体を材料とする半導体発光装置に於い〜て、ｐ型Ｉ
ｎＰＪ５板を用い、その上に成長されたＩｎＧａＡｓ
（Ｐ）活性層及びｎ型ＩｎＰクラッド層にストライプ
領域を形成するように２条の凹溝を形成し、前記ストラ
イプ領域から外側の領域にｐ＋ ｎ、 ｐ各ＩｎＰ
埋め込み層が順に積層されてなる電流阻止層を形成し、
その後、全面にｎ型ＩｎＰクラッド層を表面が平坦化さ
れるよう形成して所謂二重溝の構造を採ることに依り、
リーク・パスを著しく低減させ、闇値電流を低下させる
ことを可能にしたものである。
半導体を材料とする半導体発光装置に於い〜て、ｐ型Ｉ
ｎＰＪ５板を用い、その上に成長されたＩｎＧａＡｓ
（Ｐ）活性層及びｎ型ＩｎＰクラッド層にストライプ
領域を形成するように２条の凹溝を形成し、前記ストラ
イプ領域から外側の領域にｐ＋ ｎ、 ｐ各ＩｎＰ
埋め込み層が順に積層されてなる電流阻止層を形成し、
その後、全面にｎ型ＩｎＰクラッド層を表面が平坦化さ
れるよう形成して所謂二重溝の構造を採ることに依り、
リーク・パスを著しく低減させ、闇値電流を低下させる
ことを可能にしたものである。
本発明は、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ （Ｐ）系化合物半
導体を用いた半導体発光装置を低閾値電流化及び高効率
化する為の改良に関する。
導体を用いた半導体発光装置を低閾値電流化及び高効率
化する為の改良に関する。
第２図はＩ ｎＰ／［ｎＧａＡｓ （Ｐ）系化合物半導
体を材料とし、低閾値電流化及び高効率化が図られた従
来の半導体発光装置を表す要部切断正面図であり、この
装置は、通常、埋め込み型と呼ばれている。
体を材料とし、低閾値電流化及び高効率化が図られた従
来の半導体発光装置を表す要部切断正面図であり、この
装置は、通常、埋め込み型と呼ばれている。
図に於いて、■はｎ型ＩｎＰ５板、２はＩｎ（；ａＡｓ
（Ｐ）活性層、３ばｐ型１ｒｉＰクラッド層、４はｐ４
型１ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ （Ｐ ）電極コンタク１
へ層、。
（Ｐ）活性層、３ばｐ型１ｒｉＰクラッド層、４はｐ４
型１ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ （Ｐ ）電極コンタク１
へ層、。
５ Ｌｉ ｎ型ＩｎＰ埋め込み層、６はｎ型ＩｎＰ埋め
込み層をそれぞれ示している。尚、ｐ型ｊ ｎ Ｐ埋め
込み層５及びｎ型ＩｎＰ埋め込み層６は電流阻市用ｐｎ
接合を生成している。また、図に於いては電極や保護膜
等を省略しである。
込み層をそれぞれ示している。尚、ｐ型ｊ ｎ Ｐ埋め
込み層５及びｎ型ＩｎＰ埋め込み層６は電流阻市用ｐｎ
接合を生成している。また、図に於いては電極や保護膜
等を省略しである。
ところで、この従来例では、低闇値電流化及び高ｖＪ率
化の目的は達成されたが、その外に種々の欠点が残って
いる。
化の目的は達成されたが、その外に種々の欠点が残って
いる。
その欠点は、主として製造上からくる問題である。即ち
、図示の構造を得る為Ｇこは、エツチングを行って細い
メサ・ストライブ部分を残して他の大部分を除去した後
、そのメサ・ストライブ部分を埋め込む半導体層を新た
に成長させるようにしているが、その場合、 ｆｌ） メサ・ストライブ部分が折れ易い。
、図示の構造を得る為Ｇこは、エツチングを行って細い
メサ・ストライブ部分を残して他の大部分を除去した後
、そのメサ・ストライブ部分を埋め込む半導体層を新た
に成長させるようにしているが、その場合、 ｆｌ） メサ・ストライブ部分が折れ易い。
（２）完成後の表面が平坦にならない。
（３）埋め込み層に未成長領域が多（発生ずる。
等の欠点を生ずる。
これ等の欠点を第２図の部分的拡大図である第３図を参
照しつつ更に説明しよう。尚、第３図は第２図に於いで
用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を
持つものとする。
照しつつ更に説明しよう。尚、第３図は第２図に於いで
用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を
持つものとする。
図に於いて、ＭＳばメサ・ストライブ部分を表しζいる
。
。
図から判るように、メサ・ス］・ライブ部分ＭＳは表面
側はマスク通りの幅を持っているが、その根元の方は幅
が狭（なっている。
側はマスク通りの幅を持っているが、その根元の方は幅
が狭（なっている。
従って、このようなメサ・ストライブ部分Ｍ Ｓを形成
した後、埋め込み層の成長を行う際、矢印ＡＩで指示し
である根元の部分から折損する事故がしばし２ば経験さ
れる。
した後、埋め込み層の成長を行う際、矢印ＡＩで指示し
である根元の部分から折損する事故がしばし２ば経験さ
れる。
また、ｎ型ＩｎＰ埋め込み層５及びｎ型ＩｎＰ埋め込み
層６を形成した後、表面が平坦にならないで、メサ・ス
トライブ部分ＭＳから両側に向かって成る曲線状の傾斜
を持つようになり（第２図参照）、そのようになると、
ｐ側電極の形成や、或いは、ジャンクション・ダウンで
ステムにボンディングすること等が難しくなったりする
。
層６を形成した後、表面が平坦にならないで、メサ・ス
トライブ部分ＭＳから両側に向かって成る曲線状の傾斜
を持つようになり（第２図参照）、そのようになると、
ｐ側電極の形成や、或いは、ジャンクション・ダウンで
ステムにボンディングすること等が難しくなったりする
。
更にまた、メサ・ストライブ部分ＭＳを形成してから、
埋め込み層ＢＬを成長させた場合、矢印Ａ２及びＡ３で
指示しであるように結晶が成長され、矢印Ａ４で指示し
であるように未成長領域が形成され易い。
埋め込み層ＢＬを成長させた場合、矢印Ａ２及びＡ３で
指示しであるように結晶が成長され、矢印Ａ４で指示し
であるように未成長領域が形成され易い。
このような諸々の欠点を解消する為、第４図に見られる
半導体発光装置が開発された。
半導体発光装置が開発された。
第４図は第３図に見られる従来例の欠点を解消すべく提
案された半導体発光装置の要部切断正面図である。
案された半導体発光装置の要部切断正面図である。
図に於いて、１１はｎ型ＩｎＰｌ板、１２は［ｎＧａＡ
ｓ （Ｐ）活性層、１３はｐ型ＩｎＰクラッド層、１
４は凹溝、１５はｎ型ＩｎＰ埋め込み層、１６はｎ型Ｉ
ｎＰ埋め込み層、１７はｐ型Ｉ ｎ、 Ｐクララド層、
１８はｐ＋型１ｎＧａＡｓ （Ｐ）電極コンタクト層
、Ｓはストライブ領域をそれぞれ示している。尚、ｐ型
１ ｎ Ｐ埋め込み層１５及びｎ型ＩｎＰ埋め込み層１
６は電流阻止層を構成している。
ｓ （Ｐ）活性層、１３はｐ型ＩｎＰクラッド層、１
４は凹溝、１５はｎ型ＩｎＰ埋め込み層、１６はｎ型Ｉ
ｎＰ埋め込み層、１７はｐ型Ｉ ｎ、 Ｐクララド層、
１８はｐ＋型１ｎＧａＡｓ （Ｐ）電極コンタクト層
、Ｓはストライブ領域をそれぞれ示している。尚、ｐ型
１ ｎ Ｐ埋め込み層１５及びｎ型ＩｎＰ埋め込み層１
６は電流阻止層を構成している。
この半導体発光装置では、第３図に見られる従来例のよ
うなメサ・エツチングは行っていないので、メサ・スト
ライブ部分の折損、埋め込み層を形成した場合の未成長
領域の発生などの問題は解消され、また、表面は平坦化
される。
うなメサ・エツチングは行っていないので、メサ・スト
ライブ部分の折損、埋め込み層を形成した場合の未成長
領域の発生などの問題は解消され、また、表面は平坦化
される。
第４図に見られる改良された半導体発光装置は第３図に
見られる半導体発光装置の欠点を全て解消してはいるが
、その反面、従来は存在しなかった欠点が新たに発生し
ている。
見られる半導体発光装置の欠点を全て解消してはいるが
、その反面、従来は存在しなかった欠点が新たに発生し
ている。
即ち、第４図に破線の矢印Ａ５で指示しであるようなリ
ーク・バスが存在し、ここを流れる電流の為、闇値電流
が高くなってしまう。
ーク・バスが存在し、ここを流れる電流の為、闇値電流
が高くなってしまう。
これは、電流阻止領域、即ち、凹溝１４の外側の領域に
［ｎＧａＡｓ （Ｐ）活性層１２と同じ四元層が存在
する為であり、そこでの電流の流れ易さの状態は、スト
ライブ領域Ｓに於けるそれと余り変わりないと考えてよ
い。
［ｎＧａＡｓ （Ｐ）活性層１２と同じ四元層が存在
する為であり、そこでの電流の流れ易さの状態は、スト
ライブ領域Ｓに於けるそれと余り変わりないと考えてよ
い。
因に、第３図に見られる半導体発光装置に於いても、ｐ
十型１ｎＧａＡｓ （Ｐ）電極コンタクト層４−ｐ型
ＩｎＰクラッド層３−ｐ型ＩｎＰ埋め込み層５−ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１なるリーク・パスも考えられなくはないが、
ＩｎＧａＡｓ （Ｐ）活性層２とｐ型ＩｎＰ埋め込み
層５と比較すると、ｐ型ＩｎＰ埋め込み層５のほうがエ
ネルギ・バンド・ギャップが高く、Ｉ−Ｖ特性に於ける
ビルト・イン電圧も高いので、電流はｐ型ＩｎＰ埋め込
み層５よりもＩｎＧａＡｓ （Ｐ）活性層２のほうに流
れ易く、従って、第４図の従来例のような問題は起きな
い。
十型１ｎＧａＡｓ （Ｐ）電極コンタクト層４−ｐ型
ＩｎＰクラッド層３−ｐ型ＩｎＰ埋め込み層５−ｎ型Ｉ
ｎＰ基板１なるリーク・パスも考えられなくはないが、
ＩｎＧａＡｓ （Ｐ）活性層２とｐ型ＩｎＰ埋め込み
層５と比較すると、ｐ型ＩｎＰ埋め込み層５のほうがエ
ネルギ・バンド・ギャップが高く、Ｉ−Ｖ特性に於ける
ビルト・イン電圧も高いので、電流はｐ型ＩｎＰ埋め込
み層５よりもＩｎＧａＡｓ （Ｐ）活性層２のほうに流
れ易く、従って、第４図の従来例のような問題は起きな
い。
本発明は、第４図に見られる半導体発光装置と同じ効果
、即ち、 メサ・ストライプ部分が存在しないので、その折損を考
慮する必要がないこと、 メサ・ストライプ部分が不要であるから、表面の平坦化
が可能であること、 埋め込み層の未成長領域が発生するのを回避できること
、 等の効果を享受することができ、しかも、閾値電流を増
大させるようなリーク・パスが存在しない半導体発光装
置を提供する。
、即ち、 メサ・ストライプ部分が存在しないので、その折損を考
慮する必要がないこと、 メサ・ストライプ部分が不要であるから、表面の平坦化
が可能であること、 埋め込み層の未成長領域が発生するのを回避できること
、 等の効果を享受することができ、しかも、閾値電流を増
大させるようなリーク・パスが存在しない半導体発光装
置を提供する。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明一実施例を製造する場合の工程を解説する為の図
である第１図（Ａ）及び（Ｂ）を借りて説明する。
である第１図（Ａ）及び（Ｂ）を借りて説明する。
本発明の半導体発光装置では、ｐ型ＩｎＰ基板２１上の
ＩｎＧａＡｓ （Ｐ）活性層２２及びｎ型ＩｎＰクラ
ッド層２３を貫通し且つ該１ｎＧａＡ、５（Ｐ）活性層
２２及びｎ型ＩｎＰクラッド層２３からなるストライプ
領域Ｓを挟んで対向するように形成されている２条の凹
溝２５と、前記ストライプ領域Ｓを除くその両側の前記
凹溝２５を含む領域に順に形成されたｐ型ＩｎＰ埋め込
み層２６及びｎ型ＩｎＰ埋め込み層２７及びｐ型ＩｎＰ
埋め込み層２８からなる電流阻止層と、該電流阻止層及
び前記ストライプ領域Ｓの全表面に亙り形成され表面が
平坦なｎ型ＩｎＰクラッド層２９とを備えた構成になっ
ている。
ＩｎＧａＡｓ （Ｐ）活性層２２及びｎ型ＩｎＰクラ
ッド層２３を貫通し且つ該１ｎＧａＡ、５（Ｐ）活性層
２２及びｎ型ＩｎＰクラッド層２３からなるストライプ
領域Ｓを挟んで対向するように形成されている２条の凹
溝２５と、前記ストライプ領域Ｓを除くその両側の前記
凹溝２５を含む領域に順に形成されたｐ型ＩｎＰ埋め込
み層２６及びｎ型ＩｎＰ埋め込み層２７及びｐ型ＩｎＰ
埋め込み層２８からなる電流阻止層と、該電流阻止層及
び前記ストライプ領域Ｓの全表面に亙り形成され表面が
平坦なｎ型ＩｎＰクラッド層２９とを備えた構成になっ
ている。
前記のような手段に依るとリーク・パスは第１図（Ｂ）
に破線の矢印で示したようなもののみとなり、従来のよ
うに、大きく拡がることはない。
に破線の矢印で示したようなもののみとなり、従来のよ
うに、大きく拡がることはない。
第１図（Ａ）及び（Ｂ）は本発明一実施例を製造する場
合について解説する為の工程要所に於ける半導体発光装
置の要部切断正面図であり、以下、これ等の図を参照し
つつ説明する。
合について解説する為の工程要所に於ける半導体発光装
置の要部切断正面図であり、以下、これ等の図を参照し
つつ説明する。
第１図（Ａ）参照
（ａ） 液相エピタキシャル成長＜１ｉｑｕｉｄ
ｐｈａｓｅ ｅｐｆｔａｘｙ：ＬＰＥ）法を適用する
ことに依り、面指数（１００）であるｐ型ＩｎＰ基板２
１上にｐ型！ｎＰバッファ層２１′とＩｎＧａＡｓ （
Ｐ）活性層２２とｎ型ＩｎＰクラッド層２３とを形成す
る。
ｐｈａｓｅ ｅｐｆｔａｘｙ：ＬＰＥ）法を適用する
ことに依り、面指数（１００）であるｐ型ＩｎＰ基板２
１上にｐ型！ｎＰバッファ層２１′とＩｎＧａＡｓ （
Ｐ）活性層２２とｎ型ＩｎＰクラッド層２３とを形成す
る。
このときの諸データを挙げると次の通りである。
（１） 成長温度
６００（”Ｃ）
（２） メルトの組成
ｐ型ＩｎＰバッファ層２１’の場合
＋ｎ：ＩｎＰ：Ｚｎ
＝１ （ｇ）： ５．５ （ｍｇ）： ２０ （μｇ
）Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性Ｎ２２の場合 Ｉｎ ： ｒｎＡｓ ：ＧａＡｓ ： ＩｎＰ−１（ｇ
）： ４４．３ ［ｍｇ）： ９．２ ［ｍｇ）： １
．５ （ｍｇ） ｎ型ＩｎＰクラッド層２３の場合 Ｉｎ：ＩｎＰ：５ｎ ＝１ （ｇ）： ５．５ （ｍｇ）： ｔｏ （ｍｇ）
（３）成長時間 ｐ型ＩｎＰバッファ層２１’の場合 ３００〔秒〕 １ｎＧａＡｓＰ活性層２２の場合 ５〔秒〕 ｎ型ＩｎＰクラッド層２３の場合 １０（秒〕 （４）層厚 ｐ型ＩｎＰバッファ層２１′の場合 ；）（、ｉ、ｌ Ｉｌｌ ’： Ｉ ｎ （’； ；ｉ△・、ｐ活性層２２の場合（）
２ １ ノＩｍ’１ ■）型１ ｎ Ｐクラッド層２３の場合０、 ３ Ｃｌ
３ （７１］ （ｈｌ プラズマＣＶＤ （ｐｌａｓｍａ ｃｈ
ｅｍｉ（ＬＩｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｃｐｏｓｉｔ、
１ｏｎ）７Ｌを適用″ｉｌ−ることに依り、例Ａば二酸
化シリ：２７ （ＳＩ ０２ ） ｌり２４を形成する
。
）Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性Ｎ２２の場合 Ｉｎ ： ｒｎＡｓ ：ＧａＡｓ ： ＩｎＰ−１（ｇ
）： ４４．３ ［ｍｇ）： ９．２ ［ｍｇ）： １
．５ （ｍｇ） ｎ型ＩｎＰクラッド層２３の場合 Ｉｎ：ＩｎＰ：５ｎ ＝１ （ｇ）： ５．５ （ｍｇ）： ｔｏ （ｍｇ）
（３）成長時間 ｐ型ＩｎＰバッファ層２１’の場合 ３００〔秒〕 １ｎＧａＡｓＰ活性層２２の場合 ５〔秒〕 ｎ型ＩｎＰクラッド層２３の場合 １０（秒〕 （４）層厚 ｐ型ＩｎＰバッファ層２１′の場合 ；）（、ｉ、ｌ Ｉｌｌ ’： Ｉ ｎ （’； ；ｉ△・、ｐ活性層２２の場合（）
２ １ ノＩｍ’１ ■）型１ ｎ Ｐクラッド層２３の場合０、 ３ Ｃｌ
３ （７１］ （ｈｌ プラズマＣＶＤ （ｐｌａｓｍａ ｃｈ
ｅｍｉ（ＬＩｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｃｐｏｓｉｔ、
１ｏｎ）７Ｌを適用″ｉｌ−ることに依り、例Ａば二酸
化シリ：２７ （ＳＩ ０２ ） ｌり２４を形成する
。
ｉＣｊ Ｉｌｌ１常のフィ１−・１１ツグラフイ技術
を適用する、ニジ−〇、二依り、−酸化シ）ｊ二１ン１
（り２・１のバターニンカ゛を？−ｉい、ストライプ領
域Ｓを形成するのに適“Ｐる間隔だけｇ＋れた２条の凹
溝形成用間にＩ ２５１八を（０１１）方向に形成する
。
を適用する、ニジ−〇、二依り、−酸化シ）ｊ二１ン１
（り２・１のバターニンカ゛を？−ｉい、ストライプ領
域Ｓを形成するのに適“Ｐる間隔だけｇ＋れた２条の凹
溝形成用間にＩ ２５１八を（０１１）方向に形成する
。
ｆｄｌ ｍ二酸化シリコン膜２４をマスクに、そして
１、（臭素士メタノール）液をエツチング液とし、ｒ」
型ｉ ｎ ｐクラッド層２３、ＩｎＧａＡｓ （Ｐ）
活性層２２、ｐ型ＩｎＰバッファ層２１’、ｒ）型Ｉｎ
Ｐ基板２ｊのエツチングをしで凹溝２５を形成づる。
１、（臭素士メタノール）液をエツチング液とし、ｒ」
型ｉ ｎ ｐクラッド層２３、ＩｎＧａＡｓ （Ｐ）
活性層２２、ｐ型ＩｎＰバッファ層２１’、ｒ）型Ｉｎ
Ｐ基板２ｊのエツチングをしで凹溝２５を形成づる。
第 Ｉ Ｉｊ；＝ｌｌ （［う） 参照（＋：ｉ
ｌ、ｐ ＩＥ ７去ヲ通用Ｊる。Ｈ，５；こ依り、ｐ
型１１ ｎ Ｐ埋め込み層２６ ｒ１型ｌ ｒＩＰ埋
め込み層２７、ｎ型ＩｎＰｔ甲め込）Ｉ’＋’！ ′２
８［）皆り１． ｎ Ｐクラット層２９を成長さ］！〜
る。
ｌ、ｐ ＩＥ ７去ヲ通用Ｊる。Ｈ，５；こ依り、ｐ
型１１ ｎ Ｐ埋め込み層２６ ｒ１型ｌ ｒＩＰ埋
め込み層２７、ｎ型ＩｎＰｔ甲め込）Ｉ’＋’！ ′２
８［）皆り１． ｎ Ｐクラット層２９を成長さ］！〜
る。
このときの諸データを挙げると次の通り−ζ′ある。
ｔｏ ｆ戊し′、、１品１肛
６００（’Ｃ１
（２）Ｚル（・のキＪｌ成
ｎ型１ ｎ Ｐ理め込みｊｌづＱ ５の場合ｌｎ：ｌｎ
Ｐ：ン一「１ １、（ｇ’ｌ＋５、ｌ （ｒｎｇ）＋ ２０ Ｃμｇ
〕ｎ型ＩｎＰ埋め込み層２７の場合 ｌｎ：ＩｎＰ：Ｔｅ ＝１ （ｇｌ ：５．］ ＣｍＢ〕 ：６００
Ｃｔｔｇ〕ｐ型１ ｒｉ Ｐ埋め込み層２８の場合＋ｎ
；ｌｎＰ：Ｚｎ ＝］、（ｇ３ ： ５．］、（ｍｇ）： ２０ Ｃμ
ｇ〕ｎ型１ ｎ Ｉ）クラッド層２つの場合Ｉ ｎ
： ｌ ｎ Ｐ ： Ｔ Ｆ！−Ｌ （
ＩＸｉ＋５． ５ （τｌ′１）ζ） ：６００
Ｃμ８３尚、各ＩｎＰ埋め込＋７１層２６乃至２８を
成長させる場合、各メルｉ〜の過冷却度が小さい為、ス
トライプ領域Ｓの表面には成長せず、また、それ等各層
は電流阻止層としての役割を果たすものである。
Ｐ：ン一「１ １、（ｇ’ｌ＋５、ｌ （ｒｎｇ）＋ ２０ Ｃμｇ
〕ｎ型ＩｎＰ埋め込み層２７の場合 ｌｎ：ＩｎＰ：Ｔｅ ＝１ （ｇｌ ：５．］ ＣｍＢ〕 ：６００
Ｃｔｔｇ〕ｐ型１ ｒｉ Ｐ埋め込み層２８の場合＋ｎ
；ｌｎＰ：Ｚｎ ＝］、（ｇ３ ： ５．］、（ｍｇ）： ２０ Ｃμ
ｇ〕ｎ型１ ｎ Ｉ）クラッド層２つの場合Ｉ ｎ
： ｌ ｎ Ｐ ： Ｔ Ｆ！−Ｌ （
ＩＸｉ＋５． ５ （τｌ′１）ζ） ：６００
Ｃμ８３尚、各ＩｎＰ埋め込＋７１層２６乃至２８を
成長させる場合、各メルｉ〜の過冷却度が小さい為、ス
トライプ領域Ｓの表面には成長せず、また、それ等各層
は電流阻止層としての役割を果たすものである。
ｔＯこの後、通常の技法を適用づることに依り、ｐ （
ｌ＋１１１こはＡｕ−Ｚｎ−Ａｕで、ｒｌ側にはＡｕ・
０（！・Ａ ＩＩでオーミック・コンタクト・の電極を
形成し 共振器＠ ３００ （Ｉｊ ｍ） ？″臂開
ると閾（１へ電流１５いｎＡ）、効率０．３ （ｍＷ／
ｌｎ Ａ ）である高性能の半導体発光装置が歩留り良
く得られる。
ｌ＋１１１こはＡｕ−Ｚｎ−Ａｕで、ｒｌ側にはＡｕ・
０（！・Ａ ＩＩでオーミック・コンタクト・の電極を
形成し 共振器＠ ３００ （Ｉｊ ｍ） ？″臂開
ると閾（１へ電流１５いｎＡ）、効率０．３ （ｍＷ／
ｌｎ Ａ ）である高性能の半導体発光装置が歩留り良
く得られる。
本発明の￥導体発光装置では、ｎ型１ ｎ ｉ）基板を
用いｌ↓゛つ二６重溝構ｉ貴を採用することで、リーク
・バスを著しく低減し、また、表１ｍを平坦仁王する、
二とができるので、低閾稙電流で高効率の゛１′４体定
光装置を歩留り良く製造することができる。
用いｌ↓゛つ二６重溝構ｉ貴を採用することで、リーク
・バスを著しく低減し、また、表１ｍを平坦仁王する、
二とができるので、低閾稙電流で高効率の゛１′４体定
光装置を歩留り良く製造することができる。
第Ｘ図（Ａ）及び（１３）は本発明一実施例を製造する
工程を解説する為の工程要所に於ける半導体発光装置の
要部切［すｉ正面図、第２図は従来例の要部切断正面図
、第３図は第２図の要部切断拡大正面図、第４図は従来
例の要部切断正面図をそれぞれ表している。 図に於いて１，２１はｎ型ＩｎＰ、ｌ板、２１’はｐ型
ＩｎＰバッファ層、２２はＩｎＧａＡｓ （Ｐ）活性
層、２３はｒｉ型１ ｎ Ｐクラッド層１，２４は一酸
化ソリコンｊ模、２５は凹溝、２６はｎ型ＩｎＰ埋め込
み層、２７はｒ１型１ ｎ Ｐ ｔ！！！め込み層、２
８乙、１゛ｐ型１ ｎ Ｐ埋め込み層、２９はｎ型１
ｎ Ｐクラッド層をそれぞれ示しでいる。 特許出願人 冨±４株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − （Ａ） 第１図 （Ｂ） 本完明−実施例の要部切断正面図 第１図 従来例の要部切断正面図 第２図 Ｓ 従来例の要部切断拡大正面図 第３図
工程を解説する為の工程要所に於ける半導体発光装置の
要部切［すｉ正面図、第２図は従来例の要部切断正面図
、第３図は第２図の要部切断拡大正面図、第４図は従来
例の要部切断正面図をそれぞれ表している。 図に於いて１，２１はｎ型ＩｎＰ、ｌ板、２１’はｐ型
ＩｎＰバッファ層、２２はＩｎＧａＡｓ （Ｐ）活性
層、２３はｒｉ型１ ｎ Ｐクラッド層１，２４は一酸
化ソリコンｊ模、２５は凹溝、２６はｎ型ＩｎＰ埋め込
み層、２７はｒ１型１ ｎ Ｐ ｔ！！！め込み層、２
８乙、１゛ｐ型１ ｎ Ｐ埋め込み層、２９はｎ型１
ｎ Ｐクラッド層をそれぞれ示しでいる。 特許出願人 冨±４株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − （Ａ） 第１図 （Ｂ） 本完明−実施例の要部切断正面図 第１図 従来例の要部切断正面図 第２図 Ｓ 従来例の要部切断拡大正面図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｐ型ＩｎＰ基板上のＩｎＧａＡｓ（Ｐ）活性層とｎ型Ｉ
ｎＰクラッド層を貫通し且つ該ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）活性
層及びｎ型ＩｎＰクラッド層からなるストライプ領域を
挟んで対向するように形成されている２条の凹溝と、 前記ストライプ領域を除くその両側の前記凹溝を含む領
域に順に形成されたｐ型ＩｎＰ埋め込み層及びｎ型Ｉｎ
Ｐ埋め込み層及びｐ型ＩｎＰ埋め込み層からなる電流阻
止層と、 該電流阻止層及び前記ストライプ領域の全表面に亙り形
成され表面が平坦なｎ型ＩｎＰクラッド層と を備えてなることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4464185A JPS61204994A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4464185A JPS61204994A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204994A true JPS61204994A (ja) | 1986-09-11 |
Family
ID=12697054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4464185A Pending JPS61204994A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61204994A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144589A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| DE3805088A1 (de) * | 1987-02-18 | 1988-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831592A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | 埋め込み構造半導体レ−ザ |
| JPS58200584A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP4464185A patent/JPS61204994A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831592A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | 埋め込み構造半導体レ−ザ |
| JPS58200584A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144589A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| DE3805088A1 (de) * | 1987-02-18 | 1988-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaser und verfahren zu seiner herstellung |
| US4910745A (en) * | 1987-02-18 | 1990-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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