JPS61141193A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS61141193A JPS61141193A JP26337684A JP26337684A JPS61141193A JP S61141193 A JPS61141193 A JP S61141193A JP 26337684 A JP26337684 A JP 26337684A JP 26337684 A JP26337684 A JP 26337684A JP S61141193 A JPS61141193 A JP S61141193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ingaasp
- type
- inp
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体発光装置、特にＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系Ｂｌ（レーザの埋め込み半導体領域が基板面に平行
に成長して、量子効率等の特性が向上される半導体発光
装置に関する。
Ｐ系Ｂｌ（レーザの埋め込み半導体領域が基板面に平行
に成長して、量子効率等の特性が向上される半導体発光
装置に関する。
光を情報信号の媒体とする光通信などのシステムにおい
て、光信号を発生する光源として半導体発光装置が極め
て重要な役割を果たしている。
て、光信号を発生する光源として半導体発光装置が極め
て重要な役割を果たしている。
従って光通信システムの高度化と多様化のために、半導
体発光装置特にレーザの発振モード、量子効率などの緒
特性の一層の向上が要望されている。
体発光装置特にレーザの発振モード、量子効率などの緒
特性の一層の向上が要望されている。
光通信の石英系ファイバによる伝送に適する波長１．１
〜１．７ ｎ程度の帯域の半導体レーザとして、ＩｎＰ
／ ＩｎＧａＡｓＰ系化合物半導体を用いた第２図に模
式側断面図を示すＢＨ（Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅ）レーザが知られている。
〜１．７ ｎ程度の帯域の半導体レーザとして、ＩｎＰ
／ ＩｎＧａＡｓＰ系化合物半導体を用いた第２図に模
式側断面図を示すＢＨ（Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅ）レーザが知られている。
このＢＨレーザを製造するには、例えばｎ型ＩｎＰ基板
２１の（１００）面上に、まずｎ型１ｎＰ閉じ込め層２
２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３、ｐ型ＩｎＰ閉じ込め層
２４及びｐ＋梨型１ｎＧａＡｓＰンタクト層２５からな
るヘテロ接合積層構造を、例えば液相エピタキシャル成
長方法（以下ＬＰＥ法と略称する）によって成長する。
２１の（１００）面上に、まずｎ型１ｎＰ閉じ込め層２
２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３、ｐ型ＩｎＰ閉じ込め層
２４及びｐ＋梨型１ｎＧａＡｓＰンタクト層２５からな
るヘテロ接合積層構造を、例えば液相エピタキシャル成
長方法（以下ＬＰＥ法と略称する）によって成長する。
この半導体基体上に、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ□
）よりなるストライプマスクを＜０１１＞方向に設け、
臭素（Ｂｒ）のメタノール溶液を用いてメサエソチング
を施し、このエツチングした領域にｐ型ＩｎＰ ［２６
及びｎ型ｒｎＰ層２７を埋め込み成長する。なおｐ側電
極２８が前記ｐ＋型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２５上
に、ｎ側電極２９が基板２１の裏面に設けられる。
）よりなるストライプマスクを＜０１１＞方向に設け、
臭素（Ｂｒ）のメタノール溶液を用いてメサエソチング
を施し、このエツチングした領域にｐ型ＩｎＰ ［２６
及びｎ型ｒｎＰ層２７を埋め込み成長する。なおｐ側電
極２８が前記ｐ＋型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２５上
に、ｎ側電極２９が基板２１の裏面に設けられる。
しかしながら前記製造方法のメサエッチング工程におい
て、第３図に模式的に示す如く、ストライプマスク３０
に近いｐ＋型［ｎＧａＡｓＰコンタクト層２５及び上２
５傍のｐ型１ｎＰ閉じ込め層２４でサイドエツチングが
大きく進行して、閉じ込め層２４にくびれを生じ、かつ
エツチング領域の底面は大きく傾斜する。
て、第３図に模式的に示す如く、ストライプマスク３０
に近いｐ＋型［ｎＧａＡｓＰコンタクト層２５及び上２
５傍のｐ型１ｎＰ閉じ込め層２４でサイドエツチングが
大きく進行して、閉じ込め層２４にくびれを生じ、かつ
エツチング領域の底面は大きく傾斜する。
このために、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３を基本零次横モ
ードに最適の幅に制御することが容易ではなく、また埋
め込み成長層のエピタキシャル成長の際に、漏れ電流を
逆接合によって阻止するためのｐ型ＩｎＰ層２６とｎ型
ＩｎＰ層２７とが例えば同図の如く成長し易く、両層間
のｎｐ接合界面を第２図の如くｐ型ＩｎＰ閉じ込め層２
４の活性層２３とのへテロ接合界面近傍に当接させる制
御が極めて困難となる。
ードに最適の幅に制御することが容易ではなく、また埋
め込み成長層のエピタキシャル成長の際に、漏れ電流を
逆接合によって阻止するためのｐ型ＩｎＰ層２６とｎ型
ＩｎＰ層２７とが例えば同図の如く成長し易く、両層間
のｎｐ接合界面を第２図の如くｐ型ＩｎＰ閉じ込め層２
４の活性層２３とのへテロ接合界面近傍に当接させる制
御が極めて困難となる。
〔発明が解決しようとする問題点１
以上説明した如く、ＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓＰ系ＢＨレ
ーザの従来構造では、ストライプ領域のメサエッチング
形状に問題があり、期待されるレーザ特性の実現が甚だ
困難である。
ーザの従来構造では、ストライプ領域のメサエッチング
形状に問題があり、期待されるレーザ特性の実現が甚だ
困難である。
前記問題点は、インジウム燐化合物半導体基板上にイン
ジウムガリウム砒素燐化合物よりなる第１の半導体層を
備えて、該第１の半導体層上に、ストライプ状のダブル
ヘテロ接合を形感する活性領域と、該活性領域を埋め込
み、かつインジウムガリウム砒素燐化合物よりなり該第
１の半導体層とｐｎ接合を形成する第２の半導体層を含
む半導体領域とが設けられてなる本発明による半導体発
光装置により解決される。
ジウムガリウム砒素燐化合物よりなる第１の半導体層を
備えて、該第１の半導体層上に、ストライプ状のダブル
ヘテロ接合を形感する活性領域と、該活性領域を埋め込
み、かつインジウムガリウム砒素燐化合物よりなり該第
１の半導体層とｐｎ接合を形成する第２の半導体層を含
む半導体領域とが設けられてなる本発明による半導体発
光装置により解決される。
本発明による半導体発光装置では、ＩｎＰ基板上にＩｎ
ＧａＡｓＰ層を設けて、このＩｎＧａＡｓＰ層上に、例
えばＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓＰ層 ＩｎＰからなる活性
領域を含むダブルヘテロ接合構造がエピタキシャル成長
され ゛ている。このダブルヘテロ接合構造をスト
ライプ状とするメサエッチングでは、前記ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層がエツチング停止層としてエツチング領域の底面と
なるために、埋め込み成長層は平坦となってその制御を
精確に行うことが可能となる。
ＧａＡｓＰ層を設けて、このＩｎＧａＡｓＰ層上に、例
えばＩｎＰ／ ＩｎＧａＡｓＰ層 ＩｎＰからなる活性
領域を含むダブルヘテロ接合構造がエピタキシャル成長
され ゛ている。このダブルヘテロ接合構造をスト
ライプ状とするメサエッチングでは、前記ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層がエツチング停止層としてエツチング領域の底面と
なるために、埋め込み成長層は平坦となってその制御を
精確に行うことが可能となる。
この埋め込み成長層と前記ＩｎＧａＡｓＰ層とのｐｎ接
合は第２のＩｎＧａＡｓＰ層で形成して、動作状態にお
ける漏れ電流を減少させ量子効率を向上する。
合は第２のＩｎＧａＡｓＰ層で形成して、動作状態にお
ける漏れ電流を減少させ量子効率を向上する。
以下本発明を第１図に模式側断面図を示す実施例により
具体的に説明する。
具体的に説明する。
同図において、ｌはｎ型ＩｎＰ基板でありその（１００
）面上に、本発明による例えばルミネセンス波長λｇ＝
１．１μｍのｎ型１ｎＧａＡｓＰ層２が設けられている
。
）面上に、本発明による例えばルミネセンス波長λｇ＝
１．１μｍのｎ型１ｎＧａＡｓＰ層２が設けられている
。
３は厚さ０．３μｍ程度のｎ型１ｎＰ閉じ込め層、４は
λｇ＝１．３μｍ、厚さ０．１１Ｉｍ程度の１ｎＧａＡ
ｓＰ活性層、５は厚さ０．６μｍ程度のｐ型１ｎＰ閉じ
込め層、６はλｇ＝１．３賜、厚さ０．２μｍ程度のｐ
＋型ＴｎＧａＡｓＰコンタクト層であり、以上の半導体
層３乃至６はストライプ状にメサエッチングされている
。
λｇ＝１．３μｍ、厚さ０．１１Ｉｍ程度の１ｎＧａＡ
ｓＰ活性層、５は厚さ０．６μｍ程度のｐ型１ｎＰ閉じ
込め層、６はλｇ＝１．３賜、厚さ０．２μｍ程度のｐ
＋型ＴｎＧａＡｓＰコンタクト層であり、以上の半導体
層３乃至６はストライプ状にメサエッチングされている
。
−このストライプ領域を埋め込む半導体層積層構造にお
いて、７はλｇ＝１．１μｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層、
８はｐ型１ｎＰ層、９はｎ型ＩｎＰ層でこの層９と層８
とで漏れ電流を阻止するｎｐ逆接合が形成されて、おり
、この接合はｐ型１ｎＰ閉じ込め層５のＩｎＧａＡｓＰ
活性層４とのへテロ接合界面近傍に当接している。
いて、７はλｇ＝１．１μｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層、
８はｐ型１ｎＰ層、９はｎ型ＩｎＰ層でこの層９と層８
とで漏れ電流を阻止するｎｐ逆接合が形成されて、おり
、この接合はｐ型１ｎＰ閉じ込め層５のＩｎＧａＡｓＰ
活性層４とのへテロ接合界面近傍に当接している。
また１０はｐ側電極でｐ＋梨型１ｎＧａＡｓＰンタクト
層６に、１１はｎ側電極でｎ型１ｎＰ基板１の裏面にそ
れぞれオーミック接触する。
層６に、１１はｎ側電極でｎ型１ｎＰ基板１の裏面にそ
れぞれオーミック接触する。
本実施例の前記半導体層３乃至６のメサエッチングは、
例えばＳｉＯ□でマスクをストライプ状に形成して、Ｉ
ｎＰ層は塩酸（ＨＣＩ）系、ＩｎＧａＡｓＰ ＩｉＪは
硫酸（ＨｚＳＯａ）系エッチャントによって順次行われ
、これによりｎ型１ｎＧａＡｓＰ層２の（１００）面が
現れて、ｐ型１ｎＧａＡｓＰ層７乃至ｎ型ｒｎＰ層９の
埋め込み成長がこの（１００）面上に液相エピタキシャ
ル成長方法等によって容易に行われ、平坦で平行な埋め
込み層が形成される。
例えばＳｉＯ□でマスクをストライプ状に形成して、Ｉ
ｎＰ層は塩酸（ＨＣＩ）系、ＩｎＧａＡｓＰ ＩｉＪは
硫酸（ＨｚＳＯａ）系エッチャントによって順次行われ
、これによりｎ型１ｎＧａＡｓＰ層２の（１００）面が
現れて、ｐ型１ｎＧａＡｓＰ層７乃至ｎ型ｒｎＰ層９の
埋め込み成長がこの（１００）面上に液相エピタキシャ
ル成長方法等によって容易に行われ、平坦で平行な埋め
込み層が形成される。
以上説明した如く本発明によれば、ＩｎＰ／ＩｎＧａ＾
ｓＰ系ＢＨレーザのストライプ領域を形成するメサエッ
チングにおいて半専体基板面に平行な（１００）が表出
して、埋め込み成長が主としてこの（１００）面上で進
行するために、埋め込み層の制御が容易に行われ、かつ
この埋め込み層の基板側のｐｎ接合がＩｎＧａＡｓＰ層
相互間に形成されて、動作状態における漏れ電流が特に
減少し、量子効率が改善される。
ｓＰ系ＢＨレーザのストライプ領域を形成するメサエッ
チングにおいて半専体基板面に平行な（１００）が表出
して、埋め込み成長が主としてこの（１００）面上で進
行するために、埋め込み層の制御が容易に行われ、かつ
この埋め込み層の基板側のｐｎ接合がＩｎＧａＡｓＰ層
相互間に形成されて、動作状態における漏れ電流が特に
減少し、量子効率が改善される。
第１図は本発明の実施例を示す模式側断面図、第２図は
Ｂｌｌレーザの目標とする側断面図、第３図は従来例を
示す模式側断面図である。 図において、 １はｎ型ＩｎＰ基板、 ２はｎ型１ｎＧａＡｓＰ層、 ３はｎ型１ｎＰ閉じ込め層、 ４はＩｎＧａＡｓＰ活性層、 ５はｐ型１ｎＰ閉じ込め層、 ６はｐ＋梨型１ｎＧａＡｓＰンタクト層、７はｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層、 ８はｐ型ＩｎＰ層、 ９はｎ型ＩｎＰ層、 １０はｐ側電極、 １１はｎ側電極を示す。 ｊＰｌ昭 ｌｅ 千３ＥＪ
Ｂｌｌレーザの目標とする側断面図、第３図は従来例を
示す模式側断面図である。 図において、 １はｎ型ＩｎＰ基板、 ２はｎ型１ｎＧａＡｓＰ層、 ３はｎ型１ｎＰ閉じ込め層、 ４はＩｎＧａＡｓＰ活性層、 ５はｐ型１ｎＰ閉じ込め層、 ６はｐ＋梨型１ｎＧａＡｓＰンタクト層、７はｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層、 ８はｐ型ＩｎＰ層、 ９はｎ型ＩｎＰ層、 １０はｐ側電極、 １１はｎ側電極を示す。 ｊＰｌ昭 ｌｅ 千３ＥＪ
Claims (1)
- インジウム燐化合物半導体基板上にインジウムガリウム
砒素燐化合物よりなる第１の半導体層を備えて、該第１
の半導体層上に、ストライプ状のダブルヘテロ接合を形
成する活性領域と、該活性領域を埋め込み、かつインジ
ウムガリウム砒素燐化合物よりなり該第１の半導体層と
ｐｎ接合を形成する第２の半導体層を含む半導体領域と
が設けられてなることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26337684A JPS61141193A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26337684A JPS61141193A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141193A true JPS61141193A (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=17388625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26337684A Pending JPS61141193A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61141193A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849372A (en) * | 1987-02-18 | 1989-07-18 | Mitsubishi Kenki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method of producing same |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP26337684A patent/JPS61141193A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849372A (en) * | 1987-02-18 | 1989-07-18 | Mitsubishi Kenki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method of producing same |
| US4910745A (en) * | 1987-02-18 | 1990-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2016092155A (ja) | 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 | |
| WO2019208697A1 (ja) | 光半導体素子およびその製造方法ならびに光集積半導体素子およびその製造方法 | |
| US10992110B2 (en) | VCSELS having mode control and device coupling | |
| JP5169534B2 (ja) | 集積型光半導体装置の製造方法及び集積型光半導体装置 | |
| JP2002057409A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS61141193A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3108183B2 (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| JPS61288481A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP3684519B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2542570B2 (ja) | 光集積素子の製造方法 | |
| JPS61176181A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0677588A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2554192B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2002252406A (ja) | 埋め込みリボン半導体レーザと製造方法 | |
| JP5257296B2 (ja) | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 | |
| TW202316760A (zh) | 脊狀/掩埋混合式dfb半導體雷射之磊晶製造方法及利用其所製成之dfb半導體雷射結構 | |
| JPH0710019B2 (ja) | 埋込み構造半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP2814124B2 (ja) | 埋込み形半導体発光素子 | |
| JPS62216389A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP2716717B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH1140897A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP2841599B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH08316584A (ja) | 半導体光素子およびその製造方法 | |
| JPH0746744B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP2000174390A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 |