JPS6034088A - 光半導体素子 - Google Patents
光半導体素子Info
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- JPS6034088A JPS6034088A JP58142921A JP14292183A JPS6034088A JP S6034088 A JPS6034088 A JP S6034088A JP 58142921 A JP58142921 A JP 58142921A JP 14292183 A JP14292183 A JP 14292183A JP S6034088 A JPS6034088 A JP S6034088A
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- Japan
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- semiconductor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光入力に対し、非線形な光出力特性をもつ光半
導体素子に関する。光信号により情報を伝達するシステ
ムにおいて、光変調、光演算といった機能を果すために
、光入力に応じて、非線形に光出力を制御する素子が、
今後増々重要となる。
導体素子に関する。光信号により情報を伝達するシステ
ムにおいて、光変調、光演算といった機能を果すために
、光入力に応じて、非線形に光出力を制御する素子が、
今後増々重要となる。
従来、光入力に応じて、光出力を制御するために、光検
出素子、電気回路及び、発光素子といった個別の素子を
組合せ、光信号を電気信号に変換した後、再び、光信号
に変えるという手段が一般に用いられていた。しかし、
個別の素子を組合せる場つの光半導体素子で実現するこ
とを可能にするものである。即ち、化合物半導体から々
る光半導体素子ｌ（おいて、少なくとも、バンドギャッ
プエネルギー（ｙ下Ｅｇと呼ぶ）がＥｇ−Ｅｇｌの半導
体発光層と、この半導体発光層の積層面に平行な方向に
第１の導電型でＥｇ−９ｇ２（Ｂｌｈ ＞Ｅｇ＋ ）か
つ低キャリヤ濃度の半導体層と第１の導電型でＢ ｇ−
Ｅ ｇ３（Ｂｇｓ ＞１！３ｇ＋）かつ低キャリヤ濃度
の半導体層と、第１の導電型で、Ｅｇ””Ｂｇ４（Ｂｇ
４＞ＥＩ２＋ ）かつ低キャリヤ濃度の半導体層が順に
形成され上記Ｉうｇ−Ｅｇｓの半導体層を主光吸収層と
した構造を備えていることを特徴さする光半導体素子で
ある。
出素子、電気回路及び、発光素子といった個別の素子を
組合せ、光信号を電気信号に変換した後、再び、光信号
に変えるという手段が一般に用いられていた。しかし、
個別の素子を組合せる場つの光半導体素子で実現するこ
とを可能にするものである。即ち、化合物半導体から々
る光半導体素子ｌ（おいて、少なくとも、バンドギャッ
プエネルギー（ｙ下Ｅｇと呼ぶ）がＥｇ−Ｅｇｌの半導
体発光層と、この半導体発光層の積層面に平行な方向に
第１の導電型でＥｇ−９ｇ２（Ｂｌｈ ＞Ｅｇ＋ ）か
つ低キャリヤ濃度の半導体層と第１の導電型でＢ ｇ−
Ｅ ｇ３（Ｂｇｓ ＞１！３ｇ＋）かつ低キャリヤ濃度
の半導体層と、第１の導電型で、Ｅｇ””Ｂｇ４（Ｂｇ
４＞ＥＩ２＋ ）かつ低キャリヤ濃度の半導体層が順に
形成され上記Ｉうｇ−Ｅｇｓの半導体層を主光吸収層と
した構造を備えていることを特徴さする光半導体素子で
ある。
以下に図面を用いて、本発明について詳細に説明する。
、第１図は、本発明の光半導体素子の動作原理を説明す
るための図で発光層に水平な方向のエネルギーバンドダ
イヤグラムを示している。バンドギャップエネルギーＥ
ｇ−Ｅｇ１のｐ型半導体発光層１１の横に、Ｅｇ＝Ｅｇ
２（ｇｇ２．＞Ｅｇ＋）の低＠度ｐ型半導体層１２ 、
Ｅｇ＝＝Ｅｇｓ （Ｅｇ３＞Ｅｇ＋ ）の低濃度ｐ型半
導体層】３、Ｅｇ＝Ｅ ｕａ （Ｈｇ＜ ＞Ｅｇ□）の
低濃度ｐ型半導体層１４が順に形成されている。
るための図で発光層に水平な方向のエネルギーバンドダ
イヤグラムを示している。バンドギャップエネルギーＥ
ｇ−Ｅｇ１のｐ型半導体発光層１１の横に、Ｅｇ＝Ｅｇ
２（ｇｇ２．＞Ｅｇ＋）の低＠度ｐ型半導体層１２ 、
Ｅｇ＝＝Ｅｇｓ （Ｅｇ３＞Ｅｇ＋ ）の低濃度ｐ型半
導体層】３、Ｅｇ＝Ｅ ｕａ （Ｈｇ＜ ＞Ｅｇ□）の
低濃度ｐ型半導体層１４が順に形成されている。
ここで半導体層１１ のバンドギャップエネルギーＥｇ
＋は出力すべき光の波長λｏｕｔに合わせておくゎ又、
半導体Ｎ１３のバンドギャップエネルギーＥｇｓは、大
刀される光のエネルギーより小さくしておく。第１図（
ａ）及び＋ｂ＋は、共に紫芋に順方同市流を流した状態
で、＋ａ）け光入力のな−場合、（ｂ）は光入力のある
場合をそれぞれ示している。
＋は出力すべき光の波長λｏｕｔに合わせておくゎ又、
半導体Ｎ１３のバンドギャップエネルギーＥｇｓは、大
刀される光のエネルギーより小さくしておく。第１図（
ａ）及び＋ｂ＋は、共に紫芋に順方同市流を流した状態
で、＋ａ）け光入力のな−場合、（ｂ）は光入力のある
場合をそれぞれ示している。
まず、光入力のない場合について述べる。Ｘ子に順方向
に電流を流すと、風子と正孔は半導体層１ｊ で再結合
し、波長λｏｕｔの光を発する。電流をさらに増すと、
半導体層１１の電子フェルミレベルが上昇し、次第に半
導体層１２とのへテロバリヤーを越えて横方向へ流れ出
る電子リーク電流が増大する。このように発光層の横方
向のキャリヤ閉じ込めが不充分なため、第２図の破線で
示した様に、素子に流す電流を増しても、波長λｏｕｔ
の光出力の増加は小さい。
に電流を流すと、風子と正孔は半導体層１ｊ で再結合
し、波長λｏｕｔの光を発する。電流をさらに増すと、
半導体層１１の電子フェルミレベルが上昇し、次第に半
導体層１２とのへテロバリヤーを越えて横方向へ流れ出
る電子リーク電流が増大する。このように発光層の横方
向のキャリヤ閉じ込めが不充分なため、第２図の破線で
示した様に、素子に流す電流を増しても、波長λｏｕｔ
の光出力の増加は小さい。
次に光入力のある場合について述べる。波長λｉｎ の
光を半導体層Ｊ３で吸収させ、正孔−電子対を生成する
。半導体ｊｉ１３のｐ濃度は低くしであるので、光入力
Ｇ）ない場合、半導体層１３の正孔フェルミレベルは、
価電子帯から、２００〜３００ｍｅＶ禁制帯内ｔｖ入っ
たところにある。ところが、光を入射することによシ半
導体層１３の正孔濃度が増すと、正孔フェルミレベルが
価電子帯に近づき、その結果第１図ｔｂｌに示した様に
、半導体層１３の伝導帯が上昇する。そのために、半導
体層１１の電子に対するバリヤが高くなる。入射する光
の強度によ）、バリヤの高さは１００〜２００ｍｅＶ変
化する。バリヤの高さが１００〜２００ｍｅＶ高くなる
と、リーク電流は１／】ｏ〜１／１００に減る。従って
、入射光強度が大きい場合、素子に流す電流を増しても
、発光層から横方向へ流れ出るリーク電流は著しく抑え
られるため、電流に対し、光出力は第２図の実線に示し
た様に増加してゆく。このように、光入力の有無で、素
子の電流−光出力特性は大きく異なる。従って電流値を
一定にして、光入力レベルを変えると、光出力は、第３
図に示した様に変化し、低大刀では低光出力、高光大刀
では高光出力となる。以上が、本発明の動作原理の概略
である。
光を半導体層Ｊ３で吸収させ、正孔−電子対を生成する
。半導体ｊｉ１３のｐ濃度は低くしであるので、光入力
Ｇ）ない場合、半導体層１３の正孔フェルミレベルは、
価電子帯から、２００〜３００ｍｅＶ禁制帯内ｔｖ入っ
たところにある。ところが、光を入射することによシ半
導体層１３の正孔濃度が増すと、正孔フェルミレベルが
価電子帯に近づき、その結果第１図ｔｂｌに示した様に
、半導体層１３の伝導帯が上昇する。そのために、半導
体層１１の電子に対するバリヤが高くなる。入射する光
の強度によ）、バリヤの高さは１００〜２００ｍｅＶ変
化する。バリヤの高さが１００〜２００ｍｅＶ高くなる
と、リーク電流は１／】ｏ〜１／１００に減る。従って
、入射光強度が大きい場合、素子に流す電流を増しても
、発光層から横方向へ流れ出るリーク電流は著しく抑え
られるため、電流に対し、光出力は第２図の実線に示し
た様に増加してゆく。このように、光入力の有無で、素
子の電流−光出力特性は大きく異なる。従って電流値を
一定にして、光入力レベルを変えると、光出力は、第３
図に示した様に変化し、低大刀では低光出力、高光大刀
では高光出力となる。以上が、本発明の動作原理の概略
である。
酢、低キャリヤ濃度が１０１０ｌ８’ 以上だと、上述
の作用、効果は期待できな込。１０’♂ 台で効果が現
われ、１０”ｃｍ”以下になると、それは、顕著になる
。
の作用、効果は期待できな込。１０’♂ 台で効果が現
われ、１０”ｃｍ”以下になると、それは、顕著になる
。
次に、実施例に沿って、本発明をさらに詳しく述べる。
第４図（ａｌは、本発明の一実施例の光半導体素子の断
面構造を第４図（ｂｌけ、発光層の積層面に平行な方向
のエネルギーバンドダイヤグうＪ−１示して−る。ｎ型
１ｎＰ 基板２１の上にｎ型Ｉｎｋ’層２２ （ｎ−２
Ｘ１０Ｉ＆ｃ＋ｘ”、厚さ約２ ｉｔ ｍ ）、ｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ発光ｍ ２３ 、（Ｐｇ＝０．９５ｅＶ、
ｐ〜５Ｘ］０”儂 、厚さｏｙｚμｍ）、ｐ型ＩｎＰｍ
２４（ｐ−８ｘｌＯ’Ｌ３、厚さ〜１μｍ）を、液相
又は気相成長法で連続して形成する。半導体／１ｊ２２
．２３及び２４ を、重数μｍのメチストライプ状に残
し、両側をエツチングにより除去する。次に液相又は気
相成長法によりｐ型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ １層２５
（Ｅｇ＝１．、＋５ｅＶ、ｐ 〜６ｘｌｏ’Ｌ ”）、
ｐ型ＩｎＧａＡｓｐ層２６（Ｅｇ＝１．］ＯｅＶ、ｐ〜
ｌＸ１０’Ｌ”、）ｐ型ＩｎＧａＡｓ ｌ？ Ｒ２７（
Ｅｇ＝１．１５ｅＶ、ｐ−６ＸＩＱ’３＋ｎ’ ）を順
に形成する。
面構造を第４図（ｂｌけ、発光層の積層面に平行な方向
のエネルギーバンドダイヤグうＪ−１示して−る。ｎ型
１ｎＰ 基板２１の上にｎ型Ｉｎｋ’層２２ （ｎ−２
Ｘ１０Ｉ＆ｃ＋ｘ”、厚さ約２ ｉｔ ｍ ）、ｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ発光ｍ ２３ 、（Ｐｇ＝０．９５ｅＶ、
ｐ〜５Ｘ］０”儂 、厚さｏｙｚμｍ）、ｐ型ＩｎＰｍ
２４（ｐ−８ｘｌＯ’Ｌ３、厚さ〜１μｍ）を、液相
又は気相成長法で連続して形成する。半導体／１ｊ２２
．２３及び２４ を、重数μｍのメチストライプ状に残
し、両側をエツチングにより除去する。次に液相又は気
相成長法によりｐ型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ １層２５
（Ｅｇ＝１．、＋５ｅＶ、ｐ 〜６ｘｌｏ’Ｌ ”）、
ｐ型ＩｎＧａＡｓｐ層２６（Ｅｇ＝１．］ＯｅＶ、ｐ〜
ｌＸ１０’Ｌ”、）ｐ型ＩｎＧａＡｓ ｌ？ Ｒ２７（
Ｅｇ＝１．１５ｅＶ、ｐ−６ＸＩＱ’３＋ｎ’ ）を順
に形成する。
次にエツチングによ！１ｐ−４ｎＦ層２４表面を露出さ
せた後、液相又は気相成長法により、ｐ型■ｒ＋Ｐ層２
８を形成する。ｐ型Ｉｎｐ層２８表面に、一部ばヱ に光入射口を設けたｐ型オーミック電極３０を形成し、
ｎ型ＩｎＲ基板２１表面にｎ匹すオーミック電極３１を
形成する。
せた後、液相又は気相成長法により、ｐ型■ｒ＋Ｐ層２
８を形成する。ｐ型Ｉｎｐ層２８表面に、一部ばヱ に光入射口を設けたｐ型オーミック電極３０を形成し、
ｎ型ＩｎＲ基板２１表面にｎ匹すオーミック電極３１を
形成する。
この光半導体素子に順方向に電流を流すと、ｐ型１ｎＯ
ａＡｓＰ−発光層２３で電子−正孔再結合が起こり波長
約１３μｍの光を発する。ｐ型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
？層２５．２６．２７のｐ濃度が１０ｃｍ オーダー
と低いため、ｐ型Ｉ ｎ Ｇ ａＡ ｓ Ｐ 発光層２
３の電子の横方向のリークに対するバリヤ＆ｉ、１００
ｒｎｅＶ で低く、そのため電流を増すと横方向のリー
ク電流が増大する。その結果、レーザ発振のしきい値電
流は高い。一方、波長］、、０６μｍの光を入射口２９
よシ入射すると、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層２６で吸収さ
れ正孔−電子対を生成する。入射光強度を増すとともに
、ｐ型ＩｎＧａＡｓｐ層２６の正孔謎度が増し正孔フェ
ルミレベルが価ｍ子帯に近づきｐ型ｆ ｎ Ｇ ａＡ、
ａＲ発光ｗＩ２３の電子の横方向リークに対するバリヤ
が高くなル、リーク電流が減少し、発振しきい値電流が
低くなる。従っ゛〔、電流を一定にして、入力光強度を
変えると、第５図に示した様に出力光強度が大きく変化
する。本実施例により、光入力レベルに対し、非線形に
レーザ発振出力を直接制御することができた◇ 以上の実施例では、発光波長が１３μｍ１人力波長が１
０６μｍの場合について示したが、他の波長の場合でも
、各層のＥｇやキャリヤ濃度、厚さを変えること釦より
、本発明を適用することができる。又％ ＧａＡｓ／Ａ
／ＧａＡｓをはじめ他の化合物半導体を用いた素子にも
適用できる。さら（Ｃ各層の電気導電型が逆の場合でも
適用できる。
ａＡｓＰ−発光層２３で電子−正孔再結合が起こり波長
約１３μｍの光を発する。ｐ型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
？層２５．２６．２７のｐ濃度が１０ｃｍ オーダー
と低いため、ｐ型Ｉ ｎ Ｇ ａＡ ｓ Ｐ 発光層２
３の電子の横方向のリークに対するバリヤ＆ｉ、１００
ｒｎｅＶ で低く、そのため電流を増すと横方向のリー
ク電流が増大する。その結果、レーザ発振のしきい値電
流は高い。一方、波長］、、０６μｍの光を入射口２９
よシ入射すると、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層２６で吸収さ
れ正孔−電子対を生成する。入射光強度を増すとともに
、ｐ型ＩｎＧａＡｓｐ層２６の正孔謎度が増し正孔フェ
ルミレベルが価ｍ子帯に近づきｐ型ｆ ｎ Ｇ ａＡ、
ａＲ発光ｗＩ２３の電子の横方向リークに対するバリヤ
が高くなル、リーク電流が減少し、発振しきい値電流が
低くなる。従っ゛〔、電流を一定にして、入力光強度を
変えると、第５図に示した様に出力光強度が大きく変化
する。本実施例により、光入力レベルに対し、非線形に
レーザ発振出力を直接制御することができた◇ 以上の実施例では、発光波長が１３μｍ１人力波長が１
０６μｍの場合について示したが、他の波長の場合でも
、各層のＥｇやキャリヤ濃度、厚さを変えること釦より
、本発明を適用することができる。又％ ＧａＡｓ／Ａ
／ＧａＡｓをはじめ他の化合物半導体を用いた素子にも
適用できる。さら（Ｃ各層の電気導電型が逆の場合でも
適用できる。
以上詳しく述べてきた様に、本発明にょシ単一の素子で
光入力に応じて、光出力を非線形に制御するこ七のでき
る光半導体素子を得ることができだ。
光入力に応じて、光出力を非線形に制御するこ七のでき
る光半導体素子を得ることができだ。
図、第４図（ａ）Ｉ）ｌ及び第５図は本発明の実施例を
示す図である。
示す図である。
図中１】、２３はＥｇ＝Ｅｇｒ の半導体発光層、１２
．２５はＥｇ＝Ｅｇｚ の第１導電型半導体層、１３．
２６は、Ｅｇ−Ｅｇ、の第１導電型半導体層、１４．２
７はＥｇ；８ｇ４ の第１導電型半導体層をそれぞれ示
オ １ 図 （０） 一す−ク電流→ （ｂ） ７２ 図 電流 （ｏ 、ｕ、） ７３ 図 光入力 （ａ、ｕ、） ７ｔ’４図 （０） １ （ｂ）
．２５はＥｇ＝Ｅｇｚ の第１導電型半導体層、１３．
２６は、Ｅｇ−Ｅｇ、の第１導電型半導体層、１４．２
７はＥｇ；８ｇ４ の第１導電型半導体層をそれぞれ示
オ １ 図 （０） 一す−ク電流→ （ｂ） ７２ 図 電流 （ｏ 、ｕ、） ７３ 図 光入力 （ａ、ｕ、） ７ｔ’４図 （０） １ （ｂ）
Claims (1)
- 化合物半導体からなる光半導体素子において、少なくと
もバンドギャップエネルギー（以下Ｅｇと呼ぶ）がＢ
ｇ ’＝Ｅ ｇ＋の半導体発光層と、この半導体発光層
の積層面に平行な方向に、第１の導電型で、Ｂｇ−９ｇ
２（１３ｇ２＞Ｂｇ、 ）かつ低キャリヤ濃度電型てＥ
ｇ−１うｇ＜ （Ｂｇａ ＞Ｅｇ＋ ’）かつ低キャリ
ヤ濃度の半導体層が順に形成され上記Ｅ ｇ＝Ｂ ｇ
３の半導体層を主光吸収層とした構造を備えていること
を特徴とする光半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58142921A JPS6034088A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 光半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58142921A JPS6034088A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 光半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6034088A true JPS6034088A (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=15326722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58142921A Pending JPS6034088A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 光半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6034088A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4692206A (en) * | 1985-02-19 | 1987-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor laser device having a buried heterostructure |
| US4870650A (en) * | 1986-11-27 | 1989-09-26 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor laser having a boundary-region absorption layer |
| US4910745A (en) * | 1987-02-18 | 1990-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4987576A (en) * | 1988-11-30 | 1991-01-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Electrically tunable semiconductor laser with ridge waveguide |
| US5198686A (en) * | 1990-11-13 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Double hetero-type semiconductor laser device |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP58142921A patent/JPS6034088A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4692206A (en) * | 1985-02-19 | 1987-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor laser device having a buried heterostructure |
| US4799227A (en) * | 1985-02-19 | 1989-01-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a buried heterostructure |
| US4870650A (en) * | 1986-11-27 | 1989-09-26 | U.S. Philips Corp. | Semiconductor laser having a boundary-region absorption layer |
| US4910745A (en) * | 1987-02-18 | 1990-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4987576A (en) * | 1988-11-30 | 1991-01-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Electrically tunable semiconductor laser with ridge waveguide |
| US5198686A (en) * | 1990-11-13 | 1993-03-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Double hetero-type semiconductor laser device |
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