JPS63198876A - 電流検出器 - Google Patents
電流検出器Info
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- JPS63198876A JPS63198876A JP62029876A JP2987687A JPS63198876A JP S63198876 A JPS63198876 A JP S63198876A JP 62029876 A JP62029876 A JP 62029876A JP 2987687 A JP2987687 A JP 2987687A JP S63198876 A JPS63198876 A JP S63198876A
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Landscapes
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、インバータ駆動回路、プリンタ印字ヘッド駆
動回路、ファクシミ+7の電話線ライン入力回路等にお
ける9回路に流れる電流の大きさ及びその極性を判別す
る電流検出器に関する。
動回路、ファクシミ+7の電話線ライン入力回路等にお
ける9回路に流れる電流の大きさ及びその極性を判別す
る電流検出器に関する。
〈従来の技術〉
第10図及び第11図は従来の電流検出器の構成の1例
及びそのE E’断面を示す。強磁性体磁気抵抗素子1
10の上に一部分に空隙をもうけた薄板状の強磁性体ヨ
ーク22がその平面を合わせる形にて置かれている。強
磁性体磁気抵抗素子−りを−手段てより形成され、保護
膜71 (SiO□膜あるいはポリイミド膜)がその上
にかぶせられ、一方基板51の裏面にバイアス磁界印加
用の永久磁石61がはりつけられている。磁気抵抗素子
パターン井は、互にブリッジ回路接続された4個の磁気
抵抗素子エレメント111,112,113,114゜
によシ構成される。
及びそのE E’断面を示す。強磁性体磁気抵抗素子1
10の上に一部分に空隙をもうけた薄板状の強磁性体ヨ
ーク22がその平面を合わせる形にて置かれている。強
磁性体磁気抵抗素子−りを−手段てより形成され、保護
膜71 (SiO□膜あるいはポリイミド膜)がその上
にかぶせられ、一方基板51の裏面にバイアス磁界印加
用の永久磁石61がはりつけられている。磁気抵抗素子
パターン井は、互にブリッジ回路接続された4個の磁気
抵抗素子エレメント111,112,113,114゜
によシ構成される。
第12図はその等価回路を示す図であり、プリツノ辺で
の対抗した素子ニレメン)/111と112が接近され
て配置され(約50μ程度の間隔)、一方他の対抗素子
エレメント113と114は先の111と112から離
れ、はぼ直角方向にて位置されている。
の対抗した素子ニレメン)/111と112が接近され
て配置され(約50μ程度の間隔)、一方他の対抗素子
エレメント113と114は先の111と112から離
れ、はぼ直角方向にて位置されている。
薄板状の強磁性体ヨーク22はコの字型形状であり、磁
気回路の一区間にてコイル巻線41がほどこされ、一方
磁気回路一部に空隙がもうけられている。この空隙長t
g1は磁気抵抗素子エレメント111と112の合計の
長さよりも約1.5〜2倍程度大きく設定されている(
100μ〜200μ程度)。前記強磁性体ヨーク22は
、その空隙内側に磁気抵抗素子ニレメン)111,11
2がおさまる位置に仮固定後、さらに磁気抵抗素子11
0の出力電圧V。utが最大となるように位置を微調整
された後、第11図で分るように、接着剤等によ)磁気
抵抗素子110の表面に固定されている。
気回路の一区間にてコイル巻線41がほどこされ、一方
磁気回路一部に空隙がもうけられている。この空隙長t
g1は磁気抵抗素子エレメント111と112の合計の
長さよりも約1.5〜2倍程度大きく設定されている(
100μ〜200μ程度)。前記強磁性体ヨーク22は
、その空隙内側に磁気抵抗素子ニレメン)111,11
2がおさまる位置に仮固定後、さらに磁気抵抗素子11
0の出力電圧V。utが最大となるように位置を微調整
された後、第11図で分るように、接着剤等によ)磁気
抵抗素子110の表面に固定されている。
第11図において、空隙からのもれ磁束φ1′が保護膜
71を通して磁気抵抗素子ニレメン) 111゜112
に加わっている。ここでもれ磁束φ1′は。
71を通して磁気抵抗素子ニレメン) 111゜112
に加わっている。ここでもれ磁束φ1′は。
空隙内の磁束φ1の数係程度にとど1ってお92通常数
10がウス程度を必要とするので磁気回路上起磁力(コ
イルアンペアターン)からのエレメント111,112
に及ぼす磁界強度の効率が悪いという欠点をもつ。
10がウス程度を必要とするので磁気回路上起磁力(コ
イルアンペアターン)からのエレメント111,112
に及ぼす磁界強度の効率が悪いという欠点をもつ。
第13図は、磁気抵抗素子・ぐターフ110の出力電圧
V。utと印加外部磁界との関係を示す図であシ1図中
バイアス磁界HIl′をニレメン)111゜112の長
さ方向と直角に印加し、かつ外部磁界はエレメント11
1,112のみに加わるとじた場合であ(p 、 D/
A/ Bl c/のような特性となる。ここでA/
、 Bl 、 c/の特性を利用して正、負の電流を検
出する。
V。utと印加外部磁界との関係を示す図であシ1図中
バイアス磁界HIl′をニレメン)111゜112の長
さ方向と直角に印加し、かつ外部磁界はエレメント11
1,112のみに加わるとじた場合であ(p 、 D/
A/ Bl c/のような特性となる。ここでA/
、 Bl 、 c/の特性を利用して正、負の電流を検
出する。
第14図はコイル41のアンペアターンに対するもれ磁
界強度を示す図であり、第13図のA/ B/C′の特
性を利用するためには特性1のごとくその飽和磁界がH
B/以下の特性のヨークを用いる。
界強度を示す図であり、第13図のA/ B/C′の特
性を利用するためには特性1のごとくその飽和磁界がH
B/以下の特性のヨークを用いる。
第15図は、特性1のヨークを用いた場合の磁気抵抗素
子・ξターン11の出力電圧対コイルアンペアターン特
性を示す図である。正、負アンペアターンに対して直線
的な特性A/lB″C“を、コイル41に流れる電流の
正、負両極性の判定及び電流絶対値の検出に利用する。
子・ξターン11の出力電圧対コイルアンペアターン特
性を示す図である。正、負アンペアターンに対して直線
的な特性A/lB″C“を、コイル41に流れる電流の
正、負両極性の判定及び電流絶対値の検出に利用する。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ここで第10図において、ヨーク22のX方向。
Y方向のずれに対しては通常数10μ程度の位置調整及
び10 It程度の固定精度が理想的には要求される。
び10 It程度の固定精度が理想的には要求される。
すなわち、X方向については、ヨーク22の空隙位置を
丁度その空隙両端内部分に磁気抵抗素子エレン/)11
1,112のエレメントIIIH部分をおさめるよう位
置調整が必要であり、又Y方向については、空隙内部分
にニレメン)111゜112の長さ部分をおさめるよう
位置調整が必要方向)ヨーク22の側面からのもれ磁束
がエレメント113,114に加わシ、エレメント11
3゜114が抵抗変化を引き起こし、出力電圧(■。
丁度その空隙両端内部分に磁気抵抗素子エレン/)11
1,112のエレメントIIIH部分をおさめるよう位
置調整が必要であり、又Y方向については、空隙内部分
にニレメン)111゜112の長さ部分をおさめるよう
位置調整が必要方向)ヨーク22の側面からのもれ磁束
がエレメント113,114に加わシ、エレメント11
3゜114が抵抗変化を引き起こし、出力電圧(■。
■端子間)が本来の値よシも低下してしまう。現状の量
産上の組立精度は数100μ程度がコスト的に見合う限
界であシ、従って従来の電流検出器は量産性がとぼしく
、又特性のバラツキが大きく。
産上の組立精度は数100μ程度がコスト的に見合う限
界であシ、従って従来の電流検出器は量産性がとぼしく
、又特性のバラツキが大きく。
又出力電圧も最適値に調整困難という欠点を有し。
又磁気回路上もヨーク22とエレメント111゜112
が段差をもっているため、磁界の加わり方の効率が悪い
という欠点を有していた。
が段差をもっているため、磁界の加わり方の効率が悪い
という欠点を有していた。
したがって本発明の目的は、従来に比べ2組立。
調整工数が簡単で量産性に富み、又従来よりも磁気回路
の効率が良く、出力電圧が高く、感度の高い、コストの
安い電流検出器を提供することてある。
の効率が良く、出力電圧が高く、感度の高い、コストの
安い電流検出器を提供することてある。
〈発明が解決すべき問題点〉
本発明によれば、基板の一方の面上に1間隙を空けて相
対するように配置した対の強磁性体薄膜片と、可変抵抗
として動作する対の磁気抵抗素子′エレメントを前記間
隙に配置した強磁性体の磁気抵抗素子・ぐターンとを設
け、該基板の他方の面上ルを巻いたヨークを、その両端
が前記対の強磁性体薄膜片の前記間隙からはなれた位置
に接着するように設けて成り、而して該対の強磁性体薄
膜片がヨークの一部として動作するようになっている電
流検出器が得られる。
対するように配置した対の強磁性体薄膜片と、可変抵抗
として動作する対の磁気抵抗素子′エレメントを前記間
隙に配置した強磁性体の磁気抵抗素子・ぐターンとを設
け、該基板の他方の面上ルを巻いたヨークを、その両端
が前記対の強磁性体薄膜片の前記間隙からはなれた位置
に接着するように設けて成り、而して該対の強磁性体薄
膜片がヨークの一部として動作するようになっている電
流検出器が得られる。
〈実施例〉
第1図は1本発明の1実施例を示す図である。
基板5の上に強磁性体磁気抵抗素子・臂ターンy及び角
状の薄膜ヨーク2及び2′が蒸着等の手段により形成さ
れ、保護膜7が表面をおおっている。薄膜ヨーク2.2
′の磁気抵抗素子ニレメン)11゜12とは反対側の開
放部分201,201’には。
状の薄膜ヨーク2及び2′が蒸着等の手段により形成さ
れ、保護膜7が表面をおおっている。薄膜ヨーク2.2
′の磁気抵抗素子ニレメン)11゜12とは反対側の開
放部分201,201’には。
巻線4をほどこした薄板状の外部ヨーク3の開放端部分
31及び32の平面の一部分が保護膜7を介して重ね合
わせられている。一方基叛5の裏面にはバイアス磁界印
加用の永久磁石6が磁気抵抗素子エレメントに相対して
はシつけられている。
31及び32の平面の一部分が保護膜7を介して重ね合
わせられている。一方基叛5の裏面にはバイアス磁界印
加用の永久磁石6が磁気抵抗素子エレメントに相対して
はシつけられている。
磁気抵抗素子パターン1は互にブリッジ接続された磁気
抵抗素子ニレメン)11.12,13゜14によシ構成
され、その等価回路は第3図に示すごとくであり、ブリ
ッジ辺にて互に対抗した2本のエレメント11.12は
互だ接近して配置されて、その長さ直角方向からの磁場
を受けるように作用され、一方他の2本のニレメン)1
3.14は、11.12に対して直角に配置されて分離
されており、磁場を感知しない位置に配置される。
抵抗素子ニレメン)11.12,13゜14によシ構成
され、その等価回路は第3図に示すごとくであり、ブリ
ッジ辺にて互に対抗した2本のエレメント11.12は
互だ接近して配置されて、その長さ直角方向からの磁場
を受けるように作用され、一方他の2本のニレメン)1
3.14は、11.12に対して直角に配置されて分離
されており、磁場を感知しない位置に配置される。
従って■、■端子に電源電圧を加えた状態で、■。
■端子に出力電圧が発生する。ここで各ニレメン)11
,12,13.14は、単純な細長い形状であり1図中
配線部分での彎曲表示部分は、配線のクロスホバ一部分
を示している。ここで各エレメントの材質はFe−Ni
あるいはNi−Coであり1幅約10〜15μ、長さ1
000〜2000μ、厚みは500〜100OX程度に
設定される。
,12,13.14は、単純な細長い形状であり1図中
配線部分での彎曲表示部分は、配線のクロスホバ一部分
を示している。ここで各エレメントの材質はFe−Ni
あるいはNi−Coであり1幅約10〜15μ、長さ1
000〜2000μ、厚みは500〜100OX程度に
設定される。
磁気抵抗素子ニレメン)11.12の両側には。
所定の空隙(約10〜20μ)をへだてて長方形状の薄
膜ヨーク2,2′が配置され、エレメント11゜12に
対抗する部分の薄膜ヨークのエツジ部分は図から分るよ
うに傾斜がつけられ、空隙内磁界が磁気抵抗素子ニレメ
ン)11.12に効率良く加わるようにしている。薄膜
ヨークの厚みは、磁気抵抗素子ニレメン)11.12の
厚みの約1.5〜2倍に選択され、’1ooo〜200
0Xとする。材質は通常の・e−ブロイFe−Ni系で
ある。
膜ヨーク2,2′が配置され、エレメント11゜12に
対抗する部分の薄膜ヨークのエツジ部分は図から分るよ
うに傾斜がつけられ、空隙内磁界が磁気抵抗素子ニレメ
ン)11.12に効率良く加わるようにしている。薄膜
ヨークの厚みは、磁気抵抗素子ニレメン)11.12の
厚みの約1.5〜2倍に選択され、’1ooo〜200
0Xとする。材質は通常の・e−ブロイFe−Ni系で
ある。
外部ヨーク3はコの字型形状の薄板(たとえば0、1
wm )であシ、その底部分にはコイル巻線4が巻かれ
、一方その開放端部分31.32の平面部分は、前記薄
膜ヨーク2,2′の磁気抵抗素子ニレメン)11.’1
2と対抗とする側の部分201゜201′に、保護膜7
を介在させて密着しておシ。
wm )であシ、その底部分にはコイル巻線4が巻かれ
、一方その開放端部分31.32の平面部分は、前記薄
膜ヨーク2,2′の磁気抵抗素子ニレメン)11.’1
2と対抗とする側の部分201゜201′に、保護膜7
を介在させて密着しておシ。
図だ示すように磁束φ、が通る磁気回路が形成される。
第2図に第1図でのAA’断面図を示す。薄膜ヨーク2
,2I及び磁気抵抗素子エレメントが同一平面上に形成
されているため、薄膜ヨーク2,2′の空隙内磁界が直
接磁気抵抗素子エレメント11゜12に印加され、従っ
て従来の第12図のように外部ヨーク22からのもれ磁
界がエレメント111゜112に印加される状態よシは
明らかに磁気回路の効率が改善されている。 − 第4図に磁気抵抗素子・ぐターン尤の出力電圧v23対
薄膜ヨーク2,2′の空隙内の磁界強度の特性を示す。
,2I及び磁気抵抗素子エレメントが同一平面上に形成
されているため、薄膜ヨーク2,2′の空隙内磁界が直
接磁気抵抗素子エレメント11゜12に印加され、従っ
て従来の第12図のように外部ヨーク22からのもれ磁
界がエレメント111゜112に印加される状態よシは
明らかに磁気回路の効率が改善されている。 − 第4図に磁気抵抗素子・ぐターン尤の出力電圧v23対
薄膜ヨーク2,2′の空隙内の磁界強度の特性を示す。
バイアス磁石6からの磁界HBにより特性を磁界H0の
分だけシフトさせており1図中E。
分だけシフトさせており1図中E。
F、Gの特性範囲を、電流検出に利用する。
第5図は薄膜ヨーク2,2′の空隙内の磁界強度対外部
ヨーク3のコイル4のアンー′!アターンとの関係を示
す。図中点線は従来例第1O図の場合であり、もれ磁束
を利用しているために磁気回路の効率が悪いため、アン
ペアター/当シの磁界の傾きが低下している。実線で示
す本発明の場合は。
ヨーク3のコイル4のアンー′!アターンとの関係を示
す。図中点線は従来例第1O図の場合であり、もれ磁束
を利用しているために磁気回路の効率が悪いため、アン
ペアター/当シの磁界の傾きが低下している。実線で示
す本発明の場合は。
薄膜ヨーク2,2′の空隙内の磁界が直接ニレメン)1
1.12に加わるため磁気回路の効率が良く。
1.12に加わるため磁気回路の効率が良く。
磁界対アンペアターンの傾きが改善されている。
又飽和する磁界強度−H2は・ぐイアス磁界HBよシ少
に設定される。
に設定される。
第6図は出力電圧V23対コイル4のアンにアターンと
の関係を示す図であり、直線部分に、L。
の関係を示す図であり、直線部分に、L。
M範囲をコイル4に流れる直流電流の極性判別及び絶対
値の検出に利用する。
値の検出に利用する。
ここで本発明では薄膜ヨーク2,2′と磁気抵抗素子エ
レメント11,12,13.14が同一マクスにて作成
できるため、その相対的位置精度はマクス合わせの精度
に依存し1通常±10μ以下の位置精度が実現される。
レメント11,12,13.14が同一マクスにて作成
できるため、その相対的位置精度はマクス合わせの精度
に依存し1通常±10μ以下の位置精度が実現される。
従って従来の例の第1O図のヨーク22と磁気抵抗素子
エレメント−の相対位置(調廠)精度±100μ前後よ
りは格段に位置精度が確保される。
エレメント−の相対位置(調廠)精度±100μ前後よ
りは格段に位置精度が確保される。
一方外部ヨーク3の開放端部分31.32と薄膜ヨーク
2,2′の開放端部分201.201’との重ね合わせ
精度については2両端面の重なり合う面積が、大なるた
め通常の組立精度±100μ程度でもほとんど磁気回路
上の影響は受けず安定した出力電圧が得られる。なお保
護膜の厚みは10μ以下であシ合わせ部分の磁気抵抗は
ほとんど少とみなされる。
2,2′の開放端部分201.201’との重ね合わせ
精度については2両端面の重なり合う面積が、大なるた
め通常の組立精度±100μ程度でもほとんど磁気回路
上の影響は受けず安定した出力電圧が得られる。なお保
護膜の厚みは10μ以下であシ合わせ部分の磁気抵抗は
ほとんど少とみなされる。
第7図は外部ヨークの位置ずれに対する出力電圧の変化
を示したものであシ1本発明の場合はその出力電圧が怪
となる距離変化量Δt、は、数100μ前後であシ、一
方従来例ではΔt2は数10μ程度であシ、外部ヨーク
の位置ずれに関して1本発明は従来例より1ケタ以上改
善されている。
を示したものであシ1本発明の場合はその出力電圧が怪
となる距離変化量Δt、は、数100μ前後であシ、一
方従来例ではΔt2は数10μ程度であシ、外部ヨーク
の位置ずれに関して1本発明は従来例より1ケタ以上改
善されている。
第8図は本発明の他の実施例であり、磁気抵抗素子パタ
ーン1′の磁気抵抗素子エレメント15゜16.17,
18は2回折り返しであシ、配線部分はクロスオーバー
のないよう工夫されている。
ーン1′の磁気抵抗素子エレメント15゜16.17,
18は2回折り返しであシ、配線部分はクロスオーバー
のないよう工夫されている。
第9図に等価回路を示す。
薄膜ヨーク21.21’はL字型形状をなしており、磁
気抵抗素子エレメント16.17をはさみ込んだ形にて
コの字型形状をなしている。外部ヨーク3′は、コの字
型形状で、その開放端部分31′。
気抵抗素子エレメント16.17をはさみ込んだ形にて
コの字型形状をなしている。外部ヨーク3′は、コの字
型形状で、その開放端部分31′。
32′の平面が薄膜ヨーク21.21’の開放端部分と
保護膜7′を介して重ねられておシ、十分合わせ部分の
面積を大としておシ(約5WIRX5問角以上)。
保護膜7′を介して重ねられておシ、十分合わせ部分の
面積を大としておシ(約5WIRX5問角以上)。
又保護膜7′の厚みはlOμ以下であシ、その部分の磁
気抵抗は小さいものとみなされる。この実施例の場合は
、薄膜ヨークをL字型として外部ヨーク3との合わせ位
置を磁気抵抗素子エレメント16゜17より離す事によ
り後工程での外部ヨーク接着等において、ニレメン)1
6.17へ与えるひずみ量を第1図の実施例より軽減で
きる特徴を有する。
気抵抗は小さいものとみなされる。この実施例の場合は
、薄膜ヨークをL字型として外部ヨーク3との合わせ位
置を磁気抵抗素子エレメント16゜17より離す事によ
り後工程での外部ヨーク接着等において、ニレメン)1
6.17へ与えるひずみ量を第1図の実施例より軽減で
きる特徴を有する。
〈発明の効果〉
以上本発明によれば、ヨークを2つに分けることにより
、従来に比べ組立、調整工数が簡単でしかも磁気回路の
効率が良く、出力電圧が高くとれる。量産性のあるコス
ト安い電流検出器を提供できる。
、従来に比べ組立、調整工数が簡単でしかも磁気回路の
効率が良く、出力電圧が高くとれる。量産性のあるコス
ト安い電流検出器を提供できる。
第1図は本発明の1実施例、第2図は第1図の断面図、
第3図は磁気抵抗素子パタンの等価回路を示す図、第4
図〜第7図は一連の特性の説明図。 第8図は本発明の他の実施例であシ、第9図は磁気抵抗
素子パタンの等価回路を示す図、第10図は従来例を示
す図、第11図は第10図の断面図。 第12図は等価回路図、第13図〜第15図は一連の特
性の説明図である。 記号の説明: 1 、1’は磁気抵抗素子・ぐターン。 11.12.13,14,15.16,17.18は磁
気抵抗素子エレメント、 2 、2’ 、 21 、2
1’は薄膜ヨーク、 3 、3’は外部ヨーク+ 41
4’はコイル巻線、 6 、6’はバイアス用永久磁石
7 、77は保護膜、 5 、5’は基板、110は
磁気抵抗素子ノぐタン、111,112,113.11
4は磁気抵抗素子エレメント、22はヨーク、41はコ
イル巻線、51は基板、61は・ぐイアス用永久磁石。 71は保護膜をそれぞれあられしている。 イx−一 代理人(7783)弁理士池田憑保 (。 帛1図 @j (、rlVLj −ヨークのX方向n疋イ■愚
第3図は磁気抵抗素子パタンの等価回路を示す図、第4
図〜第7図は一連の特性の説明図。 第8図は本発明の他の実施例であシ、第9図は磁気抵抗
素子パタンの等価回路を示す図、第10図は従来例を示
す図、第11図は第10図の断面図。 第12図は等価回路図、第13図〜第15図は一連の特
性の説明図である。 記号の説明: 1 、1’は磁気抵抗素子・ぐターン。 11.12.13,14,15.16,17.18は磁
気抵抗素子エレメント、 2 、2’ 、 21 、2
1’は薄膜ヨーク、 3 、3’は外部ヨーク+ 41
4’はコイル巻線、 6 、6’はバイアス用永久磁石
7 、77は保護膜、 5 、5’は基板、110は
磁気抵抗素子ノぐタン、111,112,113.11
4は磁気抵抗素子エレメント、22はヨーク、41はコ
イル巻線、51は基板、61は・ぐイアス用永久磁石。 71は保護膜をそれぞれあられしている。 イx−一 代理人(7783)弁理士池田憑保 (。 帛1図 @j (、rlVLj −ヨークのX方向n疋イ■愚
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板の一方の面上に、間隙を空けて相対するように
配置した対の強磁性体薄膜片と、可変抵抗として動作す
る対の磁気抵抗素子エレメントを前記間隙に配置した強
磁性体の磁気抵抗素子パターンとを設け、該基板の他方
の面上の前記対の磁気抵抗素子エレメントに相対する位
置にバイアス用永久磁石を設け、更に、主部にコイルを
巻いたヨークを、その両端が前記対の強磁性体薄膜片の
前記間隙からはなれた位置に接着するように設けて成り
、而して該対の強磁性体薄膜片がヨークの一部として動
作するようになっている電流検出器。 2、前記主部にコイルを巻いたヨークが強磁性体のコの
字状の薄板より成り、両端の主面が前記対の強磁性体薄
膜片の両端に個々に接着されていることを特徴とする、
特許請求の範囲第1項の電流検出器。 3、前記主部にコイルを巻いたヨークが強磁性体のコ字
状の角材より成り、両端の端面が前記対の強磁性体薄膜
片の両端に個々に接着されていることを特徴とする、特
許請求の範囲第1項の検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62029876A JPH087242B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 電流検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62029876A JPH087242B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 電流検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63198876A true JPS63198876A (ja) | 1988-08-17 |
JPH087242B2 JPH087242B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=12288177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62029876A Expired - Lifetime JPH087242B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 電流検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH087242B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04148869A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-21 | Murata Mfg Co Ltd | 電流センサ |
WO1997011475A1 (fr) * | 1995-09-20 | 1997-03-27 | Hitachi, Ltd. | Coupe-circuit |
US6853179B2 (en) * | 2001-02-01 | 2005-02-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Angle sensor for measuring magnetic field strength |
US7839605B2 (en) | 2005-11-13 | 2010-11-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Electrical signal-processing device integrating a flux sensor with a flux generator in a magnetic circuit |
JP2015038464A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-26 | 横河電機株式会社 | 電流センサ |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP62029876A patent/JPH087242B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04148869A (ja) * | 1990-10-12 | 1992-05-21 | Murata Mfg Co Ltd | 電流センサ |
WO1997011475A1 (fr) * | 1995-09-20 | 1997-03-27 | Hitachi, Ltd. | Coupe-circuit |
US6853179B2 (en) * | 2001-02-01 | 2005-02-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Angle sensor for measuring magnetic field strength |
US7839605B2 (en) | 2005-11-13 | 2010-11-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Electrical signal-processing device integrating a flux sensor with a flux generator in a magnetic circuit |
JP2015038464A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-26 | 横河電機株式会社 | 電流センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH087242B2 (ja) | 1996-01-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |