JPH0516642Y2 - - Google Patents
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- JPH0516642Y2 JPH0516642Y2 JP1988117491U JP11749188U JPH0516642Y2 JP H0516642 Y2 JPH0516642 Y2 JP H0516642Y2 JP 1988117491 U JP1988117491 U JP 1988117491U JP 11749188 U JP11749188 U JP 11749188U JP H0516642 Y2 JPH0516642 Y2 JP H0516642Y2
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- yoke
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- Expired - Lifetime
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
この考案は、再生専用として好適とされるヨー
ク型MRヘツドに関し、特にヨークと、磁気変化
検出素子であるMR素子との磁気的結合構造の改
善に関する。
ク型MRヘツドに関し、特にヨークと、磁気変化
検出素子であるMR素子との磁気的結合構造の改
善に関する。
従来の技術
外部から加えられる磁界の変化で磁気抵抗値が
変化する磁気抵抗素子(以下MR素子と称す)
は、磁気テープに記録された情報を読み取ること
に優れ、またMR素子は薄膜化が容易であり、さ
らに一般のバルク型磁気ヘツドのような巻線を要
しないといつた構造上の優位性から、再生専用の
磁気ヘツドに賞用されている。このMR素子を使
つた磁気ヘツドは大別して2タイプがあり、1タ
イプはMR素子を磁気テープに直接に接触(又は
近接)させて、磁気テープの情報を読み取るよう
にしたものであり、他の1タイプは磁気テープの
磁界変化を磁性体のヨークを通してMR素子に導
くものである。
変化する磁気抵抗素子(以下MR素子と称す)
は、磁気テープに記録された情報を読み取ること
に優れ、またMR素子は薄膜化が容易であり、さ
らに一般のバルク型磁気ヘツドのような巻線を要
しないといつた構造上の優位性から、再生専用の
磁気ヘツドに賞用されている。このMR素子を使
つた磁気ヘツドは大別して2タイプがあり、1タ
イプはMR素子を磁気テープに直接に接触(又は
近接)させて、磁気テープの情報を読み取るよう
にしたものであり、他の1タイプは磁気テープの
磁界変化を磁性体のヨークを通してMR素子に導
くものである。
上記前者タイプの磁気ヘツドは構造が簡単であ
るが、大気中の水分で酸化してMR素子の特性が
劣化し易く、信頼性が劣る問題があつて、現在は
上記後者タイプのヨーク型薄膜磁気ヘツドが主流
になつている。このヨーク型薄膜磁気ヘツドは、
MR素子を絶縁層で気密にシールして保護し、信
頼性を上げた構造のもので、その従来構造例とし
て、電子通信学会技術研究報告MR−84・44に示
されたものがあり、第8図及び第9図を参照して
説明する。
るが、大気中の水分で酸化してMR素子の特性が
劣化し易く、信頼性が劣る問題があつて、現在は
上記後者タイプのヨーク型薄膜磁気ヘツドが主流
になつている。このヨーク型薄膜磁気ヘツドは、
MR素子を絶縁層で気密にシールして保護し、信
頼性を上げた構造のもので、その従来構造例とし
て、電子通信学会技術研究報告MR−84・44に示
されたものがあり、第8図及び第9図を参照して
説明する。
第8図及び第9図に示す磁気ヘツドはNi−Zn
合金やMn−Znなどの磁性体の基板1上にSiO2や
Al2O3の絶縁層2、Cu等のバイアス導体3,Ni
−Fe合金などのMR素子4,Ni−Fe合金などの
磁性体のフロントヨーク5及び磁性体基板1と直
接接続しているバツクヨーク6の各薄膜を積層し
たものである。バイアス導体3は基板1の近くを
横切る(紙面表面−裏面方向に)帯状のものであ
り、MR素子4はバイアス導体3の一部に平行に
対向する300Å〜500Åの厚さの矩形薄膜で、その
両端からリード7,7′が導出される。フロント
ヨーク5の一端と基板1の一端との間で例えば、
2500Å〜3000Åの磁気ギヤツプgが形成される。
フロントヨーク5は磁気ギヤツプgからMR素子
4の一端部上まで延び、バツクヨーク6はMR素
子4の他の一端部から延びて基板1上に達する。
フロントヨーク5の後方端部とMR素子4の間、
及びバツクヨーク6の前方端部とMR素子4の間
に絶縁層2の一部が介在して、両ヨーク5,6と
MR素子4は電気的絶縁された状態で磁気的結合
され、これにより磁気ギヤツプgに加えられた外
部磁束は、図番で示すと、5−4−6−1の閉ル
ープの磁気回路を流れる。
合金やMn−Znなどの磁性体の基板1上にSiO2や
Al2O3の絶縁層2、Cu等のバイアス導体3,Ni
−Fe合金などのMR素子4,Ni−Fe合金などの
磁性体のフロントヨーク5及び磁性体基板1と直
接接続しているバツクヨーク6の各薄膜を積層し
たものである。バイアス導体3は基板1の近くを
横切る(紙面表面−裏面方向に)帯状のものであ
り、MR素子4はバイアス導体3の一部に平行に
対向する300Å〜500Åの厚さの矩形薄膜で、その
両端からリード7,7′が導出される。フロント
ヨーク5の一端と基板1の一端との間で例えば、
2500Å〜3000Åの磁気ギヤツプgが形成される。
フロントヨーク5は磁気ギヤツプgからMR素子
4の一端部上まで延び、バツクヨーク6はMR素
子4の他の一端部から延びて基板1上に達する。
フロントヨーク5の後方端部とMR素子4の間、
及びバツクヨーク6の前方端部とMR素子4の間
に絶縁層2の一部が介在して、両ヨーク5,6と
MR素子4は電気的絶縁された状態で磁気的結合
され、これにより磁気ギヤツプgに加えられた外
部磁束は、図番で示すと、5−4−6−1の閉ル
ープの磁気回路を流れる。
MR素子4にリード7,7′を介して、MR素
子4の磁気抵抗変化を検出するための電流11を
流し、バイアス導体3にMR素子4に垂直なバイ
アス磁界を印加するためにバイアス電流12を流
して、磁気ギヤツプgに極接近させて磁気テープ
8を走行させる。すると磁気テープ8の情報であ
る信号磁束が、フロントヨーク5からMR素子
4、バツクヨーク6、基板1へと前述の閉ループ
を通り、MR素子4の電流抵抗値が変化して、
MR素子4を流れる電流11から磁気テープ8の
情報を読み取られ、再生が行われる。
子4の磁気抵抗変化を検出するための電流11を
流し、バイアス導体3にMR素子4に垂直なバイ
アス磁界を印加するためにバイアス電流12を流
して、磁気ギヤツプgに極接近させて磁気テープ
8を走行させる。すると磁気テープ8の情報であ
る信号磁束が、フロントヨーク5からMR素子
4、バツクヨーク6、基板1へと前述の閉ループ
を通り、MR素子4の電流抵抗値が変化して、
MR素子4を流れる電流11から磁気テープ8の
情報を読み取られ、再生が行われる。
考案が解決しようとする課題
上述したヨーク型薄膜磁気ヘツドにおいては、
MR素子4とフロントヨーク5及びバツクヨーク
6を直接に接続すると、MR素子4に流れる電流
が両ヨーク5,6に流れて、感度が悪くなるの
で、MR素子4の両端部上に両ヨーク5,6の端
部を絶縁層2で電気的絶縁かつ磁気的結合させて
いる。このような結合構造の場合、フラツトな
MR素子4の両端部で両ヨーク5,6の端面が接
近して対向することになり、そのためフロントヨ
ーク5からMR素子4に流れる磁束の一部は、フ
ロントヨーク5から直接にバツクヨーク6にMR
素子4を飛び越して流れることがあり、これがヨ
ーク型薄膜磁気ヘツドの効率を悪くする一要因と
なつている。
MR素子4とフロントヨーク5及びバツクヨーク
6を直接に接続すると、MR素子4に流れる電流
が両ヨーク5,6に流れて、感度が悪くなるの
で、MR素子4の両端部上に両ヨーク5,6の端
部を絶縁層2で電気的絶縁かつ磁気的結合させて
いる。このような結合構造の場合、フラツトな
MR素子4の両端部で両ヨーク5,6の端面が接
近して対向することになり、そのためフロントヨ
ーク5からMR素子4に流れる磁束の一部は、フ
ロントヨーク5から直接にバツクヨーク6にMR
素子4を飛び越して流れることがあり、これがヨ
ーク型薄膜磁気ヘツドの効率を悪くする一要因と
なつている。
このような問題を解決するためには、第10図
に示すように、下部ヨークとなる磁性体10とガ
ラス等の絶縁物かつ非磁性体11からなる下部基
板12上に絶縁層2及びMR素子4を形成してお
き、バルク磁性体基板13を溝加工して、ギヤツ
プgや破線14で示す閉磁路が形成されるように
接合したヨーク型MRヘツドを作ればよい。つま
り、上部ヨークとなる基板13の空洞部15の高
さや長さを大きくすると、磁束の飛び越しは解消
する。
に示すように、下部ヨークとなる磁性体10とガ
ラス等の絶縁物かつ非磁性体11からなる下部基
板12上に絶縁層2及びMR素子4を形成してお
き、バルク磁性体基板13を溝加工して、ギヤツ
プgや破線14で示す閉磁路が形成されるように
接合したヨーク型MRヘツドを作ればよい。つま
り、上部ヨークとなる基板13の空洞部15の高
さや長さを大きくすると、磁束の飛び越しは解消
する。
しかし、この場合には、MR素子4は、空洞部
15の端に寄せ、上部ヨーク13の縁部16と
MR素子4の一端、及び下部ヨーク10の縁部1
7とMR素子4の他端とを電気的には絶縁しなが
ら、磁気的には短絡させる必要があり、閉磁路の
磁気抵抗が大となり、ヨークとMR素子との磁束
伝達効率に限界が生じる欠点が残存している。さ
らにヨークとMR素子の位置ずれが生じる場合に
はなおさらである。
15の端に寄せ、上部ヨーク13の縁部16と
MR素子4の一端、及び下部ヨーク10の縁部1
7とMR素子4の他端とを電気的には絶縁しなが
ら、磁気的には短絡させる必要があり、閉磁路の
磁気抵抗が大となり、ヨークとMR素子との磁束
伝達効率に限界が生じる欠点が残存している。さ
らにヨークとMR素子の位置ずれが生じる場合に
はなおさらである。
課題を解決するための手段
この考案は、上述の課題を解決する目的で提唱
するものであり、磁気的ヨークとMR素子とで閉
磁路を形成するMRヘツドを製作するにあたり、
MR素子とヨークとに近接配置して、上述の閉磁
路の一部を担う薄膜補助ヨークを形成させる手段
を用いる点に特徴がある。
するものであり、磁気的ヨークとMR素子とで閉
磁路を形成するMRヘツドを製作するにあたり、
MR素子とヨークとに近接配置して、上述の閉磁
路の一部を担う薄膜補助ヨークを形成させる手段
を用いる点に特徴がある。
作 用
この考案によれば、薄膜補助ヨークが、MR素
子の一端と上部ヨークとの磁気レラクタンスを大
幅に低下させることになる。つまり、薄膜補助ヨ
ークは、補助磁極の役目も果たし、後述の実施例
にて明白な通り、薄膜の厚さ、占有面積を設定す
ることにより、閉磁路の全レラクタンスを調整し
得る。その上に薄膜補助ヨークを設けたことによ
り、バイアス磁界の設定範囲を広げることもでき
る。しかも、薄膜の補助ヨークであるから、MR
素子と同じ工程で同様な作り方も可能で、製造技
術上有利である。
子の一端と上部ヨークとの磁気レラクタンスを大
幅に低下させることになる。つまり、薄膜補助ヨ
ークは、補助磁極の役目も果たし、後述の実施例
にて明白な通り、薄膜の厚さ、占有面積を設定す
ることにより、閉磁路の全レラクタンスを調整し
得る。その上に薄膜補助ヨークを設けたことによ
り、バイアス磁界の設定範囲を広げることもでき
る。しかも、薄膜の補助ヨークであるから、MR
素子と同じ工程で同様な作り方も可能で、製造技
術上有利である。
実施例
第1図は、この考案の一実施例を示すヨーク型
MRヘツドの断面図で、従来のヘツドを示した第
10図と同一図番は同一名称である。まず10
は、Ni−ZnフエライトやMn−Znフエライトな
どの強磁性体基板で、結晶化ガラス板11と同一
平面を形成するように接合一体化され、下部ヨー
クとなつている。つぎに13は、基板10と同様
な材質の磁性体基板であり、下部基板12と接合
させる面に、バイアス導体3を絶縁層2で包み埋
設する空洞部15が設けられている。そしてMR
素子4、磁性体基板13と下部基板12との間に
絶縁層2で包まれて挾付けされており、位置とし
ては、磁気ギヤツプgと反対側の空洞部端部に対
応させ、一方端部を上部ヨークとなる磁性体基板
13の端部16と、他方端部を下部ヨークとなる
磁性体基板10の端部17と近接するように設定
される。なおこのMR素子4は、後述のとおり、
スパツタリングにより薄膜形成するものである。
さて、18は、この考案の主旨となる薄膜補助ヨ
ークであり、図示のとおり、磁性体基板13の端
部16とガラス板11の間隙に、かつ、MR素子
4の一方端部と極近接させて設けられている。こ
こでこの薄膜補助ヨーク18は、上記配置とし、
しかも製作上の都合で、MR素子4と同一平面に
形成するのが望ましい。以上のような構成とした
この実施例のヨーク型MRヘツドは、MR素子4
を通る磁束の大部分は、薄膜補助ヨーク18を経
て縁部16へと伝播する。つまり、閉磁路14に
おけるMR素子4と縁部16との間の磁気レラク
タンスは、第10図に示した従来の場合と比較す
ると、磁束通過断面積が、薄膜補助ヨーク18を
設けた分だけ増加し、著しく小さく設定できる。
したがつて、このヨーク型MRヘツドでは、閉磁
路14の全レラクタンスを十分小さくし、バイア
ス導体3によるバイアス磁界を大きくして、しか
もMR素子4を通る信号磁界も十分大きく採れる
ことになる。
MRヘツドの断面図で、従来のヘツドを示した第
10図と同一図番は同一名称である。まず10
は、Ni−ZnフエライトやMn−Znフエライトな
どの強磁性体基板で、結晶化ガラス板11と同一
平面を形成するように接合一体化され、下部ヨー
クとなつている。つぎに13は、基板10と同様
な材質の磁性体基板であり、下部基板12と接合
させる面に、バイアス導体3を絶縁層2で包み埋
設する空洞部15が設けられている。そしてMR
素子4、磁性体基板13と下部基板12との間に
絶縁層2で包まれて挾付けされており、位置とし
ては、磁気ギヤツプgと反対側の空洞部端部に対
応させ、一方端部を上部ヨークとなる磁性体基板
13の端部16と、他方端部を下部ヨークとなる
磁性体基板10の端部17と近接するように設定
される。なおこのMR素子4は、後述のとおり、
スパツタリングにより薄膜形成するものである。
さて、18は、この考案の主旨となる薄膜補助ヨ
ークであり、図示のとおり、磁性体基板13の端
部16とガラス板11の間隙に、かつ、MR素子
4の一方端部と極近接させて設けられている。こ
こでこの薄膜補助ヨーク18は、上記配置とし、
しかも製作上の都合で、MR素子4と同一平面に
形成するのが望ましい。以上のような構成とした
この実施例のヨーク型MRヘツドは、MR素子4
を通る磁束の大部分は、薄膜補助ヨーク18を経
て縁部16へと伝播する。つまり、閉磁路14に
おけるMR素子4と縁部16との間の磁気レラク
タンスは、第10図に示した従来の場合と比較す
ると、磁束通過断面積が、薄膜補助ヨーク18を
設けた分だけ増加し、著しく小さく設定できる。
したがつて、このヨーク型MRヘツドでは、閉磁
路14の全レラクタンスを十分小さくし、バイア
ス導体3によるバイアス磁界を大きくして、しか
もMR素子4を通る信号磁界も十分大きく採れる
ことになる。
次に、この実施例のヨーク型MRヘツドの製作
手順を以下に簡単に説明する。はじめに、第2図
に示すように、磁性体基板10とけ結晶化ガラス
板11とを溶着一体化して、MR素子、薄膜補助
ヨーク、上部ヨークを設ける接合表面19を、平
面研磨する。次に第3図のように表面19上に、
非磁性体であり絶縁体でもあるSiO2あるいはAl2
O3の絶縁層2′をスパツタリング付着形成する。
それから第4図のとおり、絶縁層2′上にNi81−
Fe19合金を、スパツタリングにより成膜させて、
MR素子4及び薄膜補助ヨーク18を形成する。
この場合、MR素子4は、膜厚が300Å〜600Å程
度であり、通電用の導体路も形成するのに対し
て、薄膜補助ヨーク18は、膜厚がより厚く単体
である。そして両者は、磁気的には完全に短絡、
電気的には絶縁可能な距離、例えば1μmだけ離隔
かつ近接させる。その後第5図のとおりに、再度
絶縁層2′を形成して、磁気ギヤツプgのギヤツ
プ長寸法にほぼ等しくなるように、両者を被覆す
る。一方上部ヨークを形成するため、第6図のよ
うに磁性体基板13を用意して、その接合面に、
空洞部15を切削形成し、さらに、その空洞部1
5内に第7図に示すように、絶縁層2を介して、
バイアス導体3を埋設させておく。以上のように
して製作した下部基板と上部基板を接合一体化さ
せることによつて、第1図に示したヨーク型MR
ヘツドを得る。
手順を以下に簡単に説明する。はじめに、第2図
に示すように、磁性体基板10とけ結晶化ガラス
板11とを溶着一体化して、MR素子、薄膜補助
ヨーク、上部ヨークを設ける接合表面19を、平
面研磨する。次に第3図のように表面19上に、
非磁性体であり絶縁体でもあるSiO2あるいはAl2
O3の絶縁層2′をスパツタリング付着形成する。
それから第4図のとおり、絶縁層2′上にNi81−
Fe19合金を、スパツタリングにより成膜させて、
MR素子4及び薄膜補助ヨーク18を形成する。
この場合、MR素子4は、膜厚が300Å〜600Å程
度であり、通電用の導体路も形成するのに対し
て、薄膜補助ヨーク18は、膜厚がより厚く単体
である。そして両者は、磁気的には完全に短絡、
電気的には絶縁可能な距離、例えば1μmだけ離隔
かつ近接させる。その後第5図のとおりに、再度
絶縁層2′を形成して、磁気ギヤツプgのギヤツ
プ長寸法にほぼ等しくなるように、両者を被覆す
る。一方上部ヨークを形成するため、第6図のよ
うに磁性体基板13を用意して、その接合面に、
空洞部15を切削形成し、さらに、その空洞部1
5内に第7図に示すように、絶縁層2を介して、
バイアス導体3を埋設させておく。以上のように
して製作した下部基板と上部基板を接合一体化さ
せることによつて、第1図に示したヨーク型MR
ヘツドを得る。
なお上述した実施例では、上部及び下部の磁気
的ヨークをバルク基板にて形成したが、この考案
は、この例に限定する必要はなく、薄膜にて形成
してもよく、同様な作用効果が期待できる。
的ヨークをバルク基板にて形成したが、この考案
は、この例に限定する必要はなく、薄膜にて形成
してもよく、同様な作用効果が期待できる。
考案の効果
この考案を実施すれば、閉磁路のレラクタンス
が改善されるので、十分大きな再生力が可能とな
り、しかもバイアス磁界の設定範囲も広くなり、
再生出力波形の歪み調整も良好となり、高忠実度
の再生が行える。さらに、この考案のヨーク型
MRヘツドは、MR素子と薄膜補助ヨークを同じ
工程で同一平面上に形成することにより、レラク
タンス設定はもとより、製作作業も容易となり、
量産性向上に貢献できる。
が改善されるので、十分大きな再生力が可能とな
り、しかもバイアス磁界の設定範囲も広くなり、
再生出力波形の歪み調整も良好となり、高忠実度
の再生が行える。さらに、この考案のヨーク型
MRヘツドは、MR素子と薄膜補助ヨークを同じ
工程で同一平面上に形成することにより、レラク
タンス設定はもとより、製作作業も容易となり、
量産性向上に貢献できる。
第1図は、この考案の一実施例を示すヨーク型
MRヘツドの断面図、第2図〜第7図は、その各
基板の製作工程における断面図、第8図及び第9
図は、従来のヨーク型薄膜MRヘツドを示す断面
図及び平面図、第10図は、従来のヨーク型バル
クMRヘツドを示す断面図である。 4……MR素子、10,13……ヨーク(磁性
体基板)、14……閉磁路、18……薄膜補助ヨ
ーク。
MRヘツドの断面図、第2図〜第7図は、その各
基板の製作工程における断面図、第8図及び第9
図は、従来のヨーク型薄膜MRヘツドを示す断面
図及び平面図、第10図は、従来のヨーク型バル
クMRヘツドを示す断面図である。 4……MR素子、10,13……ヨーク(磁性
体基板)、14……閉磁路、18……薄膜補助ヨ
ーク。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) フエライト部材によつてヨークを形成するヨ
ーク型MRヘツドであつて その再生用磁気ギヤツプを含む閉磁路を、 非磁性部材よりなる基板の媒体摺動部近傍のみ
をフエライト部材からなる下磁気ヨークで構成
した下基板と、 下基板のフエライト部材上に形成された非磁
性部材より成る磁気ギヤツプ部材と 下基板の非磁性部材上にフエライト部材とそ
の一端である第1のMR素子端部とを磁気的に
結合して形成されるMR素子と 下基板の非磁性部材上にMR素子の他端であ
る第2のMR素子端部と磁気的に結合して形成
される強磁性部材からなる薄膜補助ヨークと 下基板の磁気ギヤツプ部材上であつて媒体摺
動端から磁気ギヤツプ深さ相当長隔離した位置
の第1の段差とMR素子の第2のMR素子端部
と磁気的に結合する位置の第2の段差とによつ
て構成される溝を有するフエライト部材からな
る上磁気ヨークを構成した上基板と によつて構成することを特徴とするヨーク型
MRヘツド。 (2) MR素子素子と薄膜補助ヨークとを同一平面
上に形成させたことを特徴とする実用新案登録
請求の範囲(1)に記載のヨーク型MRヘツド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988117491U JPH0516642Y2 (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988117491U JPH0516642Y2 (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0239308U JPH0239308U (ja) | 1990-03-16 |
JPH0516642Y2 true JPH0516642Y2 (ja) | 1993-05-06 |
Family
ID=31360996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1988117491U Expired - Lifetime JPH0516642Y2 (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0516642Y2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5977618A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-04 | Sony Corp | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド |
JPS6157027A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-22 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果ヘツドとその製造法 |
-
1988
- 1988-09-07 JP JP1988117491U patent/JPH0516642Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5977618A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-04 | Sony Corp | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド |
JPS6157027A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-22 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果ヘツドとその製造法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0239308U (ja) | 1990-03-16 |
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