JP2702210B2 - 磁気ヘッド - Google Patents

磁気ヘッド

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JP2702210B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置や磁気テープ装置やフロッ
ピィデイスク装置等に用いる磁気抵抗効果素子を用いた
磁気ヘッドに関する。
〔従来の技術〕
磁気ディスク装置や磁気テープ装置やフロッピィディ
スク装置に用いる磁気抵抗効果素子を用いた従来の磁気
抵抗効果ヘッド(以下MRヘッドと云う)は、強磁性体の
異常磁気抵抗効果、すなわち磁化の向きと電流の方向と
のなす角度によって抵抗値が変化する性質を利用した磁
気ヘッドである。MRヘッドは、再生専用の磁気ヘッドで
あるが、再生出力が磁気ヘッドと磁気記録媒体との間の
相対速度に依存せず、また極めて高感度であることか
ら、磁気記録装置の小型化や高密度化に対して有効な手
段である。
上述したようなMRヘッドにおいては、磁気抵抗効果を
有するNiFeやCoNi等の強磁性膜を矩形状に形成した磁気
抵抗効果素子(以下MR素子と云う)の両端にCuやAlなど
の良導電体膜からなる電極を接続している。電極として
用いる良導電体膜は、磁気ヘッドを構成する他の材料と
比較して極めて軟かい。従って、電極が記憶媒体(媒
体)との対抗面に露出していると、電極の損傷や変形が
生じやすいため、短絡や断線の原因となる。
第2図は、このような従来のMRヘッドの例の媒体対向
面の近傍の形状を示す斜視図である。第2図において、
MR素子11および21および31の両端に接続された電極12お
よび22および32は、媒体対向面13および23および33に対
して露出する面積を極力少くするため、MR素子11および
21および31から離れるほど媒体対向面から後退するよう
に配設されている。
第2図(a)は媒体対向面13の加工(加工方向は矢印
A)が理想的に行なわれた例であり、電極12は、MR素子
11との接続点においてのみ、その一端が媒体対向面13に
接している。このような形状においては、電極12が媒体
対向面13に対して殆ど露出していないため、信頼性の高
いMRヘッドを得ることができる。
第2図(b)は媒体対向面の加工が深く行なわれた例
であり、MR素子21の両端で電極22が媒体対向面に大きく
露出している。このような形状においては、上述のよう
に、電極22の損傷や変形が生じやすいために信頼性が低
下する。
第2図(c)は媒体対向面33の加工が浅く行なわれた
例であり、MR素子31が媒体対向面33に対して全く露出し
ていない。この場合は、電極32は、媒体対向面33に対し
て露出しないが、MR素子31と磁気記録媒体との間隔(ス
ペーシング)が大きくなり、MRヘッドの再生出力が減少
し、また分解能も低下する。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述のように、従来のMRヘッドにおいては、信頼性が
高くしかも再生出力の減少が少ない形状を得るための媒
体対向面の加工マージンが極めて狭く、このため量産性
に劣っている。また、量産性を上げるためには、電極が
媒体対向面に対して露出するような構成を採用せざるを
得ないため、信頼性が大幅に低くなっている。
本発明の目的は、このような従来のMRヘッドの欠点を
除去し、信頼性が高く、しかも量産性にも優れたMRヘッ
ドを提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明の磁気ヘッドは、 基板と、 この基板上に形成された絶縁膜と、 引出部と四角形の中央部とを有しこの絶縁膜上に形成
された磁気抵抗効果膜であり、前記中央部はその一辺が
媒体対向面に露出し、前記引出部は前記中央部の媒体対
向面から所定の位置だけ後退した位置の中央部側面を前
端として前記媒体対向面から後退する形状を有する磁気
抵抗効果膜と、 この磁気抵抗効果膜上に形成された前記磁気抵抗効果
膜と同一形状の電流シャント膜と、 この電流シャント膜上に形成され、前記磁気抵抗効果
膜と同一形状の、軟磁性薄膜(あるいはリフトフィル
ム)と、 この軟磁性薄膜上の、前記磁気抵抗効果膜の引出部の
上方に相当する位置に形成された電極膜 とから構成される。
[実施例] 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明の一実施例を示す斜視図である。第1
図において、4はセラミック基板8の上に絶縁層9を介
して積層した磁気抵抗効果膜(MR膜)であり、四角形の
中央部と、その前端面から所定の寸法Dだけ後の位置を
前端とし、四角形の中央部の両側面から斜後方に(航空
機の翼のように)延長している取付部とを有している。
5はMR膜4の上に積層した電流シャント膜であり、MR膜
4と同じ形状を有している。6は電流シャント膜5の上
に積層したソフトフィルムであり、MR膜4と同じ形状を
有している。7は加工限界線であり、MR膜4および電流
シャント膜5およびソフトフィルム6の四角形の中央部
(これをMR素子1と称する)から距離Dだけ後の位置に
おけるMR素子1の前端面の媒体対向面3と平行な線であ
る。電極膜2aは、MR膜4および電流シャント膜5および
ソフトフィルム6の取付部(これらを総称して電極取付
部1bと称する)の上に積層されており、電極取付部1bと
共に電極2を形成している。このように、電極2は、MR
素子1の媒体対向面3から距離Dだけ後退した位置に配
設されているため、媒体対向面3の加工のとき、MR素子
1が露出してから加工限界線7までの間は、電極2は露
出していない。従って、MR素子1のみを媒体に対して露
出させ、電極2を露出させないための加工上のマージン
を大きくとることができ、信頼性が高く量産性の優れた
MRヘッドを得ることができる。
本実施例においては、電極2からMR素子1に供給する
センス電流は、MR素子1全体に広がって流れる。また、
MR素子1のみが媒体に対して露出しているため、磁気記
録媒体との間隔が増加することがなく、従って再生出力
や分解能の低下は生じない。このため再生能力の高いMR
ヘッドを得ることがきる。
次に第1図の実施例の製造方法について説明する。
まず、セラミック基板8上に絶縁層9を介してNiFe
らなるMR膜4を形成し、次にTiからなる電流シャント膜
5を形成し、次にCoZrMoをアモルファス膜からなるソフ
トフィルム6およびAlCu合金からなる電極膜2aを順次成
膜する。成膜方法として、スパッタリング法および真空
蒸着法およびイオンビーム成膜法などを用いることがで
きる。次に、イオンミリング法を用いて、MR膜4と電流
シャント膜5とソフトフィルム6および電極膜2aとを一
括して加工し、図1の如き四角形の中央部とその両側の
取付部との形状を形成する。次に、化学エッチング法を
用いてMR素子1となる部分の電極膜2aを除去する。
以上のように形成したMR素子1は、電極2から供給さ
れて、MR素子1の中を流れるセンス電流によってソフト
フィルム6が磁化され、ソフトフィルム6の発生する磁
界がMR膜4のバイアス磁界となり、MR膜4にバイアスが
与えられる。このバイアスにより、MR素子1からなる直
線性の良い応答が得られる。
なお、第1図の実施例においては、MR膜4としてNiFe
を、電流シャフト膜5としてTiを、ソフトフィルム6と
してCoZrMoアモルファス膜を用いたが、MR膜としてNiCo
を、電流シャフト膜5としてTaまたはWまたはCを、ソ
フトフィルムとしてCoZrNb等のCo系アモルファス膜を用
いることができる。またバイアス法として、バーバーポ
ールバイアス法や永久磁石バイアス法等の他の手段を用
いることもできる。さらに、MR素子1の上下に絶縁膜を
介して磁気シールドを配設したシールド系MRヘッドとす
ることもできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明の磁気ヘッドは、電極を
媒体対向面から後退させ、MR素子のみを媒体対向面に露
出させることにより、信頼性が高くしかも再生能力に優
れかつ量産性のよいMRヘッドを得ることができるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示す斜視図、第2図は従
来のMRヘッドの一例を示す斜視図である。 1・11・21・31……MR素子、2・12・22・32……電極、
3・13・23・33……媒体対向面、4……MR膜、5……電
流シャント膜、6……ソフトフィルム、7……加工限界
線、8……セラミック基板。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板と、 この基板上に形成された絶縁膜と、 引出部と四角形の中央部とを有しこの絶縁膜上に形成さ
    れた磁気抵抗効果膜であり、前記中央部はその一辺が媒
    体対向面に露出し、前記引出部は前記中央部の媒体対向
    面から所定の位置だけ後退した位置の中央部側面を前端
    として前記媒体対向面から後退する形状を有する磁気抵
    抗効果膜と、 この磁気抵抗効果膜上に形成された前記磁気抵抗効果膜
    と同一形状の電流シャント膜と、 この電流シャント膜上に形成され、前記磁気抵抗効果膜
    と同一形状の、軟磁性薄膜と、 この軟磁性薄膜上の、前記磁気抵抗効果膜の引出部の上
    方に相当する位置に形成された電極膜 とから構成される磁気ヘッド。
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