JPS63187655A - 電子部品用リ−ドフレ−ム - Google Patents
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- JPS63187655A JPS63187655A JP1979487A JP1979487A JPS63187655A JP S63187655 A JPS63187655 A JP S63187655A JP 1979487 A JP1979487 A JP 1979487A JP 1979487 A JP1979487 A JP 1979487A JP S63187655 A JPS63187655 A JP S63187655A
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- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 3
- 229910018082 Cu3Sn Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910018471 Cu6Sn5 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 CuaSns and Cu3Sn Chemical class 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910017392 Au—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017827 Cu—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005887 NiSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021069 Pd—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 229910004337 Ti-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910011209 Ti—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 238000011284 combination treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000754 repressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004544 spot-on Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体などの電子部品の実装に用いるリードフ
レームの改良に関する。
レームの改良に関する。
一般にトランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ、ＣＣＤ、ＬＥＤな
どの電子部品の実装にはリードフレームが用いられてい
る。
どの電子部品の実装にはリードフレームが用いられてい
る。
リードフレームは第１図に平面図の一例を、第２図に断
面図の他の一例を示すように、Ｓｉチップ９を搭載する
タブ１０の周囲にインナーリート′１１を設け、その外
側にアウターリード１２が設けられたもので、タブ１０
に接着剤またはろう材からなる接合剤１３を介してＳｉ
チンブ９をグイポンドし、Ｓｔチ・ンプ９上に形成した
電極パッド１４とインナーリード１１をＡｕなどの細線
１５によりワイヤーボンドしたのち、レジンによりモー
ルド１６封止しており、タイバー１７カツト、ハリとり
のあと露出するアウターリード１２に半田付けのための
Ｓｎまたは５ｎ−Ｐｂ合金の被覆を行っている。この被
覆厚さはＳＥＭＩ規格（１； ２０−８４に５μ以上と
規定されている。またワイヤーボンドするタブ１０およ
びインナーリード１１先端には酸化防止のためＡｇなど
の貴金属が３〜５μの厚さにスポットメンキされている
。
面図の他の一例を示すように、Ｓｉチップ９を搭載する
タブ１０の周囲にインナーリート′１１を設け、その外
側にアウターリード１２が設けられたもので、タブ１０
に接着剤またはろう材からなる接合剤１３を介してＳｉ
チンブ９をグイポンドし、Ｓｔチ・ンプ９上に形成した
電極パッド１４とインナーリード１１をＡｕなどの細線
１５によりワイヤーボンドしたのち、レジンによりモー
ルド１６封止しており、タイバー１７カツト、ハリとり
のあと露出するアウターリード１２に半田付けのための
Ｓｎまたは５ｎ−Ｐｂ合金の被覆を行っている。この被
覆厚さはＳＥＭＩ規格（１； ２０−８４に５μ以上と
規定されている。またワイヤーボンドするタブ１０およ
びインナーリード１１先端には酸化防止のためＡｇなど
の貴金属が３〜５μの厚さにスポットメンキされている
。
このようなリードフレームは通常金属板条材よリプレス
加工やエツチングによって成型されるもので、金属基材
にはＣｕ−Ｆｅ、Ｃｕ−３ｎ、Ｃｕ−３ｎ−Ｃｒ、、Ｃ
ｕ−Ｔｉ−Ｎｉ、Ｃｕ−ＮｉＳｎなどのＣｕ合金やＦｅ
−Ｎｉ合金（４２Ａｌｌｏｙ ）が用いられている。
加工やエツチングによって成型されるもので、金属基材
にはＣｕ−Ｆｅ、Ｃｕ−３ｎ、Ｃｕ−３ｎ−Ｃｒ、、Ｃ
ｕ−Ｔｉ−Ｎｉ、Ｃｕ−ＮｉＳｎなどのＣｕ合金やＦｅ
−Ｎｉ合金（４２Ａｌｌｏｙ ）が用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点］
半導体などの電子部品の組立て工程は、素子搭載・ワイ
ヤーボンディング・モールド封止・アウターリード被覆
の順で行われている。
ヤーボンディング・モールド封止・アウターリード被覆
の順で行われている。
上記においてアウターリードの被覆はホットディップも
しくは電気メッキによって行われるが、前者の場合は２
４０〜３００°Ｃに加熱されるのでヒートションクを受
けてモールドとリードフレーム基体（以下基体と略記）
との間に細隙が生じ、また後者の場合は、アルカリや酸
性薬液に長時間浸漬されるのでモールド内へイオンが侵
入して、いずれの場合も部品の信頼性が低下する。
しくは電気メッキによって行われるが、前者の場合は２
４０〜３００°Ｃに加熱されるのでヒートションクを受
けてモールドとリードフレーム基体（以下基体と略記）
との間に細隙が生じ、また後者の場合は、アルカリや酸
性薬液に長時間浸漬されるのでモールド内へイオンが侵
入して、いずれの場合も部品の信頼性が低下する。
このようなことから工程の最初にアウターリード被覆を
行う方法がとられているが、この場合は、あとに行われ
る実装工程での加熱によってアウターリードの被覆層が
、融解流出したり、基体のＣＵと反応して劣化し酸化す
るなどの問題が生している。
行う方法がとられているが、この場合は、あとに行われ
る実装工程での加熱によってアウターリードの被覆層が
、融解流出したり、基体のＣＵと反応して劣化し酸化す
るなどの問題が生している。
上記問題のうち前者はペーストダイボンディング、超音
波併用熱圧着ワイヤーボンディング、低温成型性レジン
モールドなどの採用により実装温度を１８０〜３１０’
Ｃ以下に低温化して解決されているが、後者は、基体成
分のＣｕなどとＳｎが拡；１ヶ反応してＣｕａＳｎｓや
Ｃｕ３ＳｎなどのＣｕ・Ｓｎ化合物層を生成し、その一
部が表層に速しＣｕの酸化を招きデウェッティングによ
る半田濡れ不良を惹きおこすもので、被覆層の厚さを１
０８以上に厚くして対処しているがコスト的に不利な状
況にある。
波併用熱圧着ワイヤーボンディング、低温成型性レジン
モールドなどの採用により実装温度を１８０〜３１０’
Ｃ以下に低温化して解決されているが、後者は、基体成
分のＣｕなどとＳｎが拡；１ヶ反応してＣｕａＳｎｓや
Ｃｕ３ＳｎなどのＣｕ・Ｓｎ化合物層を生成し、その一
部が表層に速しＣｕの酸化を招きデウェッティングによ
る半田濡れ不良を惹きおこすもので、被覆層の厚さを１
０８以上に厚くして対処しているがコスト的に不利な状
況にある。
（問題点を解決するための手段］
本発明はかかる状況に浩みなされたものでその目的とす
るところは、半田付は性に優れ、信・顕性の高い電子部
品用リードフレームを廉価に提供することにある。即ち
第１発明はアウターリードの少なくとも実質必要部に、
Ｐｂを６０ｗ ｔ％（以下％と略記）以上含有するＰｂ
またはＰｂ合金が１．５μ以上の厚さに被覆され（以下
Ａ層と略記）、その上にＳｎを４０％以上含有するＳｎ
またはＳｎ合金が１μ以上の厚さに被覆されｃ以下Ｂ層
と略記）でいることを特徴とする電子部品用リードフレ
ームであり、第２発明は上記第１発明の電子部品用リー
ドフレームのアウターリードの被覆層の上に更にＩｎ、
Ａｇ、、Ｐｄ、、Ａｕまたはこれらの合金の少なくとも
１種が０．０３μ以上の厚さに被覆され（以下Ｃ層と略
記）でいることを特１枚とするものである。
るところは、半田付は性に優れ、信・顕性の高い電子部
品用リードフレームを廉価に提供することにある。即ち
第１発明はアウターリードの少なくとも実質必要部に、
Ｐｂを６０ｗ ｔ％（以下％と略記）以上含有するＰｂ
またはＰｂ合金が１．５μ以上の厚さに被覆され（以下
Ａ層と略記）、その上にＳｎを４０％以上含有するＳｎ
またはＳｎ合金が１μ以上の厚さに被覆されｃ以下Ｂ層
と略記）でいることを特徴とする電子部品用リードフレ
ームであり、第２発明は上記第１発明の電子部品用リー
ドフレームのアウターリードの被覆層の上に更にＩｎ、
Ａｇ、、Ｐｄ、、Ａｕまたはこれらの合金の少なくとも
１種が０．０３μ以上の厚さに被覆され（以下Ｃ層と略
記）でいることを特１枚とするものである。
上記において被覆範囲は必ずしもアウターリード全体で
ある必要はなく、少なくとも外部回路との半田接続に供
される実質必要部になされていればよい。
ある必要はなく、少なくとも外部回路との半田接続に供
される実質必要部になされていればよい。
Ａ層およびＢ層の被覆金属は、Ｓｎ、Ｐｂ、５ｎ−Ｐｂ
合金以外に５ｎ−Ｚｒｒ、 ５ｎ−Ｐｂ −ＣｕＸ Ｓ
ｎ−Ｐｂ−Ａｇ、５ｎ−Ｎｉ、、Ｐｂ −Ｃｕ、Ｐｂ−
Ａｇ、Ｐｂ−Ｃａ、５ｎ−Ｐｂ−３ｂなどの合金も有用
である。上記の被覆方法は電気メッキがもっとも実用的
であるか、蒸着、ホットディップ、ペースト溶射なども
有用である。
合金以外に５ｎ−Ｚｒｒ、 ５ｎ−Ｐｂ −ＣｕＸ Ｓ
ｎ−Ｐｂ−Ａｇ、５ｎ−Ｎｉ、、Ｐｂ −Ｃｕ、Ｐｂ−
Ａｇ、Ｐｂ−Ｃａ、５ｎ−Ｐｂ−３ｂなどの合金も有用
である。上記の被覆方法は電気メッキがもっとも実用的
であるか、蒸着、ホットディップ、ペースト溶射なども
有用である。
第２発明で被覆する０層の金属はＩｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａ
ｕの外にＡｇ−Ｐｄ、Ａｇ−３ｎ、Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−
Ｉｎ、Ａｇ−３ｂ、Ａｇ−３ｅ。
ｕの外にＡｇ−Ｐｄ、Ａｇ−３ｎ、Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−
Ｉｎ、Ａｇ−３ｂ、Ａｇ−３ｅ。
Ａｇ−Ｎｉ−Ｃｏ、Ａｕ−Ｃｏ、Ｐｄ−Ｎｉ。
Ｐｄ−Ｃｏ、Ｐｄ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｉｎ−Ｚｎ、Ｉｎ−Ｐ
ｂなとの合金が有用である。
ｂなとの合金が有用である。
以上のように本第１、第２発明のリードフレームはアウ
ターリードの少なくとも実質必要部にＡ層、Ｂ層、更に
０層を順に被覆したものであるが、基体に下地メンキと
してＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕなどをメッキすることもでき、ま
たＡ層とＢ層の中間にＡｇ、Ｉ’ｎ、Ｃｏ、Ｎｉなどを
介在させることも有用である。
ターリードの少なくとも実質必要部にＡ層、Ｂ層、更に
０層を順に被覆したものであるが、基体に下地メンキと
してＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕなどをメッキすることもでき、ま
たＡ層とＢ層の中間にＡｇ、Ｉ’ｎ、Ｃｏ、Ｎｉなどを
介在させることも有用である。
第１発明では基体上にＡ層その上にＢ層が被覆され、第
２発明ではＡ層、Ｂ層の上に更に０層が被覆されるが、
これらの被覆層の作用効果を図を参照して説明する。第
１図は第１発明の一例を示ずアウターリードの部分断面
図でａは実装前、ｂＣは実装後である。
２発明ではＡ層、Ｂ層の上に更に０層が被覆されるが、
これらの被覆層の作用効果を図を参照して説明する。第
１図は第１発明の一例を示ずアウターリードの部分断面
図でａは実装前、ｂＣは実装後である。
第１図ａに示すように実装前は基体１の上にＡ層２その
上に８層３が被覆されており、実装時の加熱により同図
すに示すようにＡ層２のＳｎ分が基体１のＣｕと反応し
てＣｕａＳｎ５ 、ＣｕｒＳｎどのＣｕ−３ｎ化合物層
４を形成し、残りのＰｂ分はＰｂリノ千石層５して上記
のＣｕ−３ｎ化合物層４の上を覆う。このＰｂリッチ層
５はＰｂまたは微量のＳｎを含有するα相からなりＣｕ
の拡１１′１．を抑えるバリヤーの作用をする。
上に８層３が被覆されており、実装時の加熱により同図
すに示すようにＡ層２のＳｎ分が基体１のＣｕと反応し
てＣｕａＳｎ５ 、ＣｕｒＳｎどのＣｕ−３ｎ化合物層
４を形成し、残りのＰｂ分はＰｂリノ千石層５して上記
のＣｕ−３ｎ化合物層４の上を覆う。このＰｂリッチ層
５はＰｂまたは微量のＳｎを含有するα相からなりＣｕ
の拡１１′１．を抑えるバリヤーの作用をする。
８層３は上記のＰｂリッチＮ５との境界に、Ａ層とＢ層
の反応層６を形成し、更に一部のＳｎがＣｕと化合物を
形成するが、前記のＰｂリッチ層５のバリヤー効果によ
りその反応は緩慢でＣｕ・Ｓｎ化合物の影響が表面に及
ぶことはない。実装条件が高温、長時間の場合は、第１
図Ｃに示すようにＡ層とＢ層の反応層６が表面にまで形
成されるが、Ｃｕ・Ｓｎ化合物層４が表面にでることは
なく、良好な半田濡れ性が保持される。
の反応層６を形成し、更に一部のＳｎがＣｕと化合物を
形成するが、前記のＰｂリッチ層５のバリヤー効果によ
りその反応は緩慢でＣｕ・Ｓｎ化合物の影響が表面に及
ぶことはない。実装条件が高温、長時間の場合は、第１
図Ｃに示すようにＡ層とＢ層の反応層６が表面にまで形
成されるが、Ｃｕ・Ｓｎ化合物層４が表面にでることは
なく、良好な半田濡れ性が保持される。
上記の効果は、Ａ層のＰｂ量が６０％以上、その厚さが
１．５μ以上、Ｂ層のＳｎｌが４０％以上、その厚さが
１μ以上の場合に十分に発現されるもので、特にＡ層は
Ｐｂｉが７０〜１００％、厚さが２〜６μ、Ｂ層はＳｎ
ｌが６０〜１００％、厚さが１〜５μの範囲が実用上望
ましい。
１．５μ以上、Ｂ層のＳｎｌが４０％以上、その厚さが
１μ以上の場合に十分に発現されるもので、特にＡ層は
Ｐｂｉが７０〜１００％、厚さが２〜６μ、Ｂ層はＳｎ
ｌが６０〜１００％、厚さが１〜５μの範囲が実用上望
ましい。
第２発明の一例を示すアウターリードの部分断面図を第
２図ａ１ｂに示した。同図ａは実装前のもので基体１′
にＡ層２′および３層３′更にＣ肩７が順に被覆されて
いる。同図すは実装後のもので、実装時の加熱により前
記の第１発明の場合と同様に基体上にＣｕ−３ｎ化合物
層４′、その上にＰｂリッチ層５′、その上にＡ層とＢ
層の反応層６′、その上の最外層にＢ層と０層の反応層
８が形成される。０層７の金属はＳｎと同等以上に耐酸
化性に優れているので、Ａ層とＢ層の反応層６′にＰｂ
が濃化して酸化黒化するような実装条件においても最外
層は非酸化性の状態に保たれ良好な半田濡れ性が得られ
る。
２図ａ１ｂに示した。同図ａは実装前のもので基体１′
にＡ層２′および３層３′更にＣ肩７が順に被覆されて
いる。同図すは実装後のもので、実装時の加熱により前
記の第１発明の場合と同様に基体上にＣｕ−３ｎ化合物
層４′、その上にＰｂリッチ層５′、その上にＡ層とＢ
層の反応層６′、その上の最外層にＢ層と０層の反応層
８が形成される。０層７の金属はＳｎと同等以上に耐酸
化性に優れているので、Ａ層とＢ層の反応層６′にＰｂ
が濃化して酸化黒化するような実装条件においても最外
層は非酸化性の状態に保たれ良好な半田濡れ性が得られ
る。
上記においてｃｌの厚さは０．０３μ未満ではその効果
が十分に発現されず、実用上は０．０５〜１μの厚さが
特に望ましい。
が十分に発現されず、実用上は０．０５〜１μの厚さが
特に望ましい。
０層をアウターリードのほかにインナーリードまたはリ
ードフレーム全体に被覆しておくとリードフレームの酸
化が防止され、レジンモールドとリードフレーム間の密
着性が向上するので、部品の信頼性が高まり、更にはワ
イヤーボンディングにおけるＡｕなどのスポットメンキ
が省略できる。
ードフレーム全体に被覆しておくとリードフレームの酸
化が防止され、レジンモールドとリードフレーム間の密
着性が向上するので、部品の信頼性が高まり、更にはワ
イヤーボンディングにおけるＡｕなどのスポットメンキ
が省略できる。
上記のように本発明によれば、半田付は性や信頬性が向
上するほかに、被覆厚さを薄くでき、更にＡｕなどのス
ポットメンキの省略が可能なので、工程の短縮・筒易化
がはかれ且つ経済的である。
上するほかに、被覆厚さを薄くでき、更にＡｕなどのス
ポットメンキの省略が可能なので、工程の短縮・筒易化
がはかれ且つ経済的である。
（実施例］
以下に本第１発明を実施例により詳細に説明する。
Ｃｕ−１％Ｆ ｅ −０，５％Ｓｎ合金条（０，２５１
ｕｍＬ）から第１図に示す形状のＤＩＰ型リードフレー
ムをプレス成形した。このリードフレームのタブ１０お
よびインナーリード１１先端には常法により厚さ２．５
μのＡｇをスポット状に被覆した。次いでタイバー１７
より０．５ｏｕｎ内側のインナーリード１１部分とタブ
１０を軟質ゴムを圧接してマスキングしておいて、アウ
ターリード１２にのみ５ｎ−Ｐｂ合金をホウフッ化物浴
を用いて電気メンキした。析出メッキ組成はＥＰＭＡに
より定量し調整した。
ｕｍＬ）から第１図に示す形状のＤＩＰ型リードフレー
ムをプレス成形した。このリードフレームのタブ１０お
よびインナーリード１１先端には常法により厚さ２．５
μのＡｇをスポット状に被覆した。次いでタイバー１７
より０．５ｏｕｎ内側のインナーリード１１部分とタブ
１０を軟質ゴムを圧接してマスキングしておいて、アウ
ターリード１２にのみ５ｎ−Ｐｂ合金をホウフッ化物浴
を用いて電気メンキした。析出メッキ組成はＥＰＭＡに
より定量し調整した。
上記サンプルのタブ１０にＳｉチンブ９をＡｇｔｆｌ入
りエポキシ接着剤１３でグイボンドし１８０℃１０分間
加熱してキュアーした。次に２０５°Ｃで約１分間を要
して２５μφのＡｕの細線１５で超音波併用熱圧着式ボ
ンダーを用いてボンディングした。次に１７５°Ｃで約
５分間を要してエポキシトランスファーモールドしてか
ら１５０°Ｃでポストキュアーを続けた。このあとタイ
゛バーカット、パリとりし、リードに成型した。
りエポキシ接着剤１３でグイボンドし１８０℃１０分間
加熱してキュアーした。次に２０５°Ｃで約１分間を要
して２５μφのＡｕの細線１５で超音波併用熱圧着式ボ
ンダーを用いてボンディングした。次に１７５°Ｃで約
５分間を要してエポキシトランスファーモールドしてか
ら１５０°Ｃでポストキュアーを続けた。このあとタイ
゛バーカット、パリとりし、リードに成型した。
上記サンプルについて、バーンインおよび保管時の劣化
条件を加速的にシュミレートするために、１２５°Ｃ×
２４時間の大気加熱と１００°ｃｘｉ時間のスチーム加
熱の組み合わせ処理を施してから、半田濡れ性と故障率
を測定した。
条件を加速的にシュミレートするために、１２５°Ｃ×
２４時間の大気加熱と１００°ｃｘｉ時間のスチーム加
熱の組み合わせ処理を施してから、半田濡れ性と故障率
を測定した。
半田濡れ性はＲＡＭ型フラックス（ムラタ製作所製ソル
ダーライ） Ｌ−３５）を用い、２３５’Ｃの共晶半田
浴に３秒間ディップして半田付着面積を求め測定した。
ダーライ） Ｌ−３５）を用い、２３５’Ｃの共晶半田
浴に３秒間ディップして半田付着面積を求め測定した。
故障率はプレッシャークツカーを用い１３１°Ｃで７５
０時間保持してからＩｃテスターによりチェックした。
０時間保持してからＩｃテスターによりチェックした。
結果は第１表に従来品と併記して示した。
従来品はモールド後電気メッキしたちの００）とリード
成型後半口ホントディップしたもの（１０の２通りにつ
いて示した。
成型後半口ホントディップしたもの（１０の２通りにつ
いて示した。
第１表より明らかなように、第１発明品（１〜５）は半
田濡れ性がエージングの有無にかかわらず９０％以上で
、故障０の（）れたものである。
田濡れ性がエージングの有無にかかわらず９０％以上で
、故障０の（）れたものである。
比較品（６〜９）は、合金組成または厚さの、いずれか
の条件を欠くもので、いずれも半田濡れ性が劣っている
。
の条件を欠くもので、いずれも半田濡れ性が劣っている
。
従来品（１０〜１１）は故障率が高く、第１発明品にく
らべて著しく劣る。
らべて著しく劣る。
次に第２発明の実施例について説明する。第２発明品は
第１発明品のアウターリード上に更にＩｎ、Ａｇ、、Ｐ
ｄ、、Ａｕまたはこれらの合金の少なくとも１種を電気
メッキしたもので、上記電気メッキ以外はサンプル３１
８１整条件が第１発明品と同しで、また同し条件で特性
調査を行った。結果は第１表に併記した。
第１発明品のアウターリード上に更にＩｎ、Ａｇ、、Ｐ
ｄ、、Ａｕまたはこれらの合金の少なくとも１種を電気
メッキしたもので、上記電気メッキ以外はサンプル３１
８１整条件が第１発明品と同しで、また同し条件で特性
調査を行った。結果は第１表に併記した。
第２発明品（１２〜１７）は、半田濡れ性がエージング
処理後も高い値を示しており、故障もＯである。比較品
（１８，１９）は厚さが０．０３μ未満のものであるが
半田濡れ性が劣っている。
処理後も高い値を示しており、故障もＯである。比較品
（１８，１９）は厚さが０．０３μ未満のものであるが
半田濡れ性が劣っている。
尚本実施例では用いたメンキ条件は次の通りである。
５ｎ−Ｐｂメッキ：浴１ｆｆｌ Ｓ ｎ （Ｂ Ｆ−
）ｔ Ｏ〜４００ｇ＃！ Ｐｂ（ＢＦｇ）ｚ
Ｏ〜４０ｈ／ １）（ＢＦ、 ５〜１００ｇ／ １
． Ｈｓ Ｂ Ｏ−３０ｇ／ ｌ ニカワ２．５ｇ
／β β−ナフトール１．０ｇ＃！、浴温 １５°Ｃ，
電流密度（以下Ｄｋと略記） ４．５Ａ／ｄｍ”。
）ｔ Ｏ〜４００ｇ＃！ Ｐｂ（ＢＦｇ）ｚ
Ｏ〜４０ｈ／ １）（ＢＦ、 ５〜１００ｇ／ １
． Ｈｓ Ｂ Ｏ−３０ｇ／ ｌ ニカワ２．５ｇ
／β β−ナフトール１．０ｇ＃！、浴温 １５°Ｃ，
電流密度（以下Ｄｋと略記） ４．５Ａ／ｄｍ”。
Ａｇメッキ：浴組成 ＡｇＣＮ ４．４ｇ／ＩＫＣＮ
４０ａｌｌ Ｋ２ＣＯ，Ｊｏｇハ＼浴温 ｔｓ’
ｃ 、 Ｄｋ ３．５Ａ／ｄｍ”。
４０ａｌｌ Ｋ２ＣＯ，Ｊｏｇハ＼浴温 ｔｓ’
ｃ 、 Ｄｋ ３．５Ａ／ｄｍ”。
Ａｕメッキ：浴組成 日本エンゲルハード社＋３２Ｎ−
２００浴 ＰＨ５，５、浴温 ２５°Ｃ１摺電圧５．５
■。
２００浴 ＰＨ５，５、浴温 ２５°Ｃ１摺電圧５．５
■。
Ｉｎメッキ：浴組成 Ｉｎ（ＢＦＪｚ ２５０ｇ／乏
ＨｓＢＯ＊ ３０ａｌｌ （ＮＨ４）ＢＦａ ４
０ｇ／ｌＰＨ１，０、浴温２５°Ｃ、Ｄｋ ５ Ａ、
／ｄｍ”ゆＰ ｄ −２ＯＮ ｉメッキ：浴組成 日進
化成製ＰＮＰ−８０浴 ＰＨ９，０、浴温３０°Ｃ１Ｄ
ｋ １．ＯＡ／ｄｍξ 〔発明の効果］ 以上述べたように、本発明の電子部品リードフレームに
よれば、電子部品の製造工程が短縮・簗易化され、また
電子部品の半田付は性ならびに信頼性が向上するので、
半導体装置をはしめ抵抗アレー、コンデンサ、センサー
などのリードフレームを用いる電子部品に広く使用でき
、工業上顕著な効果を奏する。
ＨｓＢＯ＊ ３０ａｌｌ （ＮＨ４）ＢＦａ ４
０ｇ／ｌＰＨ１，０、浴温２５°Ｃ、Ｄｋ ５ Ａ、
／ｄｍ”ゆＰ ｄ −２ＯＮ ｉメッキ：浴組成 日進
化成製ＰＮＰ−８０浴 ＰＨ９，０、浴温３０°Ｃ１Ｄ
ｋ １．ＯＡ／ｄｍξ 〔発明の効果］ 以上述べたように、本発明の電子部品リードフレームに
よれば、電子部品の製造工程が短縮・簗易化され、また
電子部品の半田付は性ならびに信頼性が向上するので、
半導体装置をはしめ抵抗アレー、コンデンサ、センサー
などのリードフレームを用いる電子部品に広く使用でき
、工業上顕著な効果を奏する。
内本発明は、被覆組成や被１厚さによって品質や特性が
変わるので、目的に応して経済性、生産性を考慮して構
成を適宜選定する必要があり、例えばメッキを過剰に厚
くするなどは、本発明の効果を著しく減するものである
。
変わるので、目的に応して経済性、生産性を考慮して構
成を適宜選定する必要があり、例えばメッキを過剰に厚
くするなどは、本発明の効果を著しく減するものである
。
第１図は第１発明の一例を示すアウターリードの部分断
面図でａは実装前、ｂ、ｃは実装後のもの、第２図は第
２発明の一例を示すアウターリードの部分断面図でａは
実装前すは実装後のもの、第３図はリードフレームの一
例を示す平面図、第４図はリードフレームの他の一例を
示す断面図である。
面図でａは実装前、ｂ、ｃは実装後のもの、第２図は第
２発明の一例を示すアウターリードの部分断面図でａは
実装前すは実装後のもの、第３図はリードフレームの一
例を示す平面図、第４図はリードフレームの他の一例を
示す断面図である。
Claims (2)
- （１）アウターリードの少なくとも実質必要部に、Ｐｂ
を６０ｗｔ％以上含有するＰｂまたはＰｂ合金が１．５
μ以上の厚さに被覆され、その上にＳｎを４０ｗｔ％以
上含有するＳｎまたはＳｎ合金が１μ以上の厚さに被覆
されていることを特徴とする電子部品用リードフレーム
。 - （２）アウターリードの少なくとも実質必要部に、Ｐｂ
を６０ｗｔ％以上含有するＰｂまたはＰｂ合金が１．５
μ以上の厚さに被覆され、その上にＳｎを４０ｗｔ％以
上含有するＳｎまたはＳｎ合金が１μ以上の厚さに被覆
され、更にその上にＩｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕまたはこれ
らの合金の少なくとも１種が０．０３μ以上の厚さに被
覆されていることを特徴とする電子部品用リードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979487A JPS63187655A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979487A JPS63187655A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63187655A true JPS63187655A (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=12009251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979487A Pending JPS63187655A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電子部品用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63187655A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6441252A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-13 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPH07240488A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010084228A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Kyowa Densen Kk | リードフレーム材、それを用いた半導体装置 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP1979487A patent/JPS63187655A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6441252A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-13 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPH07240488A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010084228A (ja) * | 2008-10-02 | 2010-04-15 | Kyowa Densen Kk | リードフレーム材、それを用いた半導体装置 |
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