JPS62154241A - 光学的記録用媒体 - Google Patents
光学的記録用媒体Info
- Publication number
- JPS62154241A JPS62154241A JP60296520A JP29652085A JPS62154241A JP S62154241 A JPS62154241 A JP S62154241A JP 60296520 A JP60296520 A JP 60296520A JP 29652085 A JP29652085 A JP 29652085A JP S62154241 A JPS62154241 A JP S62154241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- deposited film
- gas
- recording medium
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明社光学的記録用媒体け、関する。詳しくは、レー
ザービームを照射し″′Ｃ局部的に加熱し、その加熱部
に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによって記録
する光学的記録用媒体に関するものである。
ザービームを照射し″′Ｃ局部的に加熱し、その加熱部
に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによって記録
する光学的記録用媒体に関するものである。
（従来の技術及びその問題点）
基板上く形成された薄膜にレーザービームを照射して、
孔（ビット）を形成するようＫした光学的記録媒体とし
て、従来よ５Ｔｅを使用することが知られている。Ｔｏ
は低融点％低熱伝導度を有するために上記方法による記
録において高い感度を示す。しかしＴｅは酸化され易く
酸化されると透明になシ記録できなくなるという問題が
ある。
孔（ビット）を形成するようＫした光学的記録媒体とし
て、従来よ５Ｔｅを使用することが知られている。Ｔｏ
は低融点％低熱伝導度を有するために上記方法による記
録において高い感度を示す。しかしＴｅは酸化され易く
酸化されると透明になシ記録できなくなるという問題が
ある。
上記記録媒体は、Ａ−仝蒸沿法、イオンブレーティング
法によって作製される場合もあるが、一般に、成膜時の
制御性の良さからスパッタリング法によることが多い。
法によって作製される場合もあるが、一般に、成膜時の
制御性の良さからスパッタリング法によることが多い。
本発明者らはＡｒ ｆスパッタリングガスとし、’ｒｅ
を含む合金をターゲット材としｆｃＴｅ糸合金記録
媒体について検討しｆｃ饋果、これらの媒体には基板上
の膜全面において約７０００１オーダーの大きさの結晶
グレインがあることがＸ線及び電子線回折、さらには透
過電子顕微鏡像によって確認され、これゆえにピット形
状、記録感度が悪く、レーザー光ｅこよる信号再生時の
ノイズが関いことを見い出した。また、上記結晶グレイ
ンを有する堆積膜の反射率は、温度７０℃、相対湿度ｇ
Ｓ名の加速試、験において、−ｑ時間以内に初期反射率
のへ３倍近くにまで増加し、経時安定性が極めて６ｖこ
とも明らかになった。
を含む合金をターゲット材としｆｃＴｅ糸合金記録
媒体について検討しｆｃ饋果、これらの媒体には基板上
の膜全面において約７０００１オーダーの大きさの結晶
グレインがあることがＸ線及び電子線回折、さらには透
過電子顕微鏡像によって確認され、これゆえにピット形
状、記録感度が悪く、レーザー光ｅこよる信号再生時の
ノイズが関いことを見い出した。また、上記結晶グレイ
ンを有する堆積膜の反射率は、温度７０℃、相対湿度ｇ
Ｓ名の加速試、験において、−ｑ時間以内に初期反射率
のへ３倍近くにまで増加し、経時安定性が極めて６ｖこ
とも明らかになった。
（問題を解決するための手段）
本発明者らは、この様な結果をふまえて更に櫨々検討し
た結果、スパッタリングガスにフッ化物のガスを混入し
て合金；ｌ−ゲットをスパッタする事によりアクリル、
ポリカーボネート基板上に結晶粒及び結晶粒界：郵なく
、従って感度、ピット形状共に良好で場所（よる記録感
度のむらがなく、しかも経時安定性の優れた光学的記録
媒体が得られる事を見出し本発明に到達した。
た結果、スパッタリングガスにフッ化物のガスを混入し
て合金；ｌ−ゲットをスパッタする事によりアクリル、
ポリカーボネート基板上に結晶粒及び結晶粒界：郵なく
、従って感度、ピット形状共に良好で場所（よる記録感
度のむらがなく、しかも経時安定性の優れた光学的記録
媒体が得られる事を見出し本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、τθを含む金属をターゲッ
ト材として、有機又は無機フッ化物の一種以上からなる
反応性ガスとＡｒガスとの混合ガス中において反応性ス
パッタリングすることによシ、基板上にＴｏを含む堆ｖ
４膜を形成させてなる光学的記録用媒体にある。
ト材として、有機又は無機フッ化物の一種以上からなる
反応性ガスとＡｒガスとの混合ガス中において反応性ス
パッタリングすることによシ、基板上にＴｏを含む堆ｖ
４膜を形成させてなる光学的記録用媒体にある。
（発明の構成）
以下、本発明の詳細な説明する。
まず本発明に係る記録媒体の基板としては、ガラス、ア
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック、
又はアルミニウム等の金属が挙げられ、その厚みは一般
に／〜八へ■程度である。
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック、
又はアルミニウム等の金属が挙げられ、その厚みは一般
に／〜八へ■程度である。
本発明においては、この基板上に、反応性スパッタリン
グ法によシ金属化合物堆積膜を形成させる。
グ法によシ金属化合物堆積膜を形成させる。
本発明においてＴｏ ｔ−含む合金をターゲット材とし
て、アルゴン（Ａｒ）ガス及び鳴磯又ｉｉ無機フッ化物
の一種以上からな、６反応性ガスとの混合ガスを導入し
た真空容器内でグロー放電を行なう事によシ、基板上１
ｃＴａを含む金属化合物堆積膜を形成する。グロー放ｔ
Ｖｃ際しては高周波法又は直流法の常法によにとができ
、ラジカル及びイオン捏が生成さ；ｈる。
て、アルゴン（Ａｒ）ガス及び鳴磯又ｉｉ無機フッ化物
の一種以上からな、６反応性ガスとの混合ガスを導入し
た真空容器内でグロー放電を行なう事によシ、基板上１
ｃＴａを含む金属化合物堆積膜を形成する。グロー放ｔ
Ｖｃ際しては高周波法又は直流法の常法によにとができ
、ラジカル及びイオン捏が生成さ；ｈる。
基板温度は、室温ないし基、改の軟化点未満に保持され
る。スパッタリング堆積膜の厚みは通常ｓｏλ〜／μｍ
程度、好ましくは２００〜１０θＯλ程肚である。
る。スパッタリング堆積膜の厚みは通常ｓｏλ〜／μｍ
程度、好ましくは２００〜１０θＯλ程肚である。
ターゲット材としてはＴ８ またはＴｅを母材として、
ｄｏ、Ｐｂ、Ｂｉ、ｄｂ、Ｓｎ、、Ｇｅ、Ａｓ等を含む
金属合金が挙げられる。
ｄｏ、Ｐｂ、Ｂｉ、ｄｂ、Ｓｎ、、Ｇｅ、Ａｓ等を含む
金属合金が挙げられる。
本発明において、 Ａｒ と混合されるべき反応性ガ
スとは有機又は無機フッ化物の一種以上を含むガスであ
り、例えば四フッ化メタン、四フッ化エチレン、クロル
トリフルオロエチレン、三フッ化エチレン、六フッ化フ
ロピレン：フッ化ビニル、フッ化ビニリデンなどのフッ
化炭ｉガス、フン化炭化水素ガス、フッ化塩化炭素ガス
：六フッ化セレン、六フッ化硫黄などのフッ化カルコゲ
ンガス、三フッ化輩素などのフッ化Ｓｉ素ガス、さらに
、四フッ化シリコン、四フッ化ゲルマニウム等のフッ化
金属ガスなどが用いられる。
スとは有機又は無機フッ化物の一種以上を含むガスであ
り、例えば四フッ化メタン、四フッ化エチレン、クロル
トリフルオロエチレン、三フッ化エチレン、六フッ化フ
ロピレン：フッ化ビニル、フッ化ビニリデンなどのフッ
化炭ｉガス、フン化炭化水素ガス、フッ化塩化炭素ガス
：六フッ化セレン、六フッ化硫黄などのフッ化カルコゲ
ンガス、三フッ化輩素などのフッ化Ｓｉ素ガス、さらに
、四フッ化シリコン、四フッ化ゲルマニウム等のフッ化
金属ガスなどが用いられる。
上記反応性ガスのうちの／徨°または一極以上と、
Ａｒガスとの混合ガス中において、該反応性ガスの比率
は得られるスパッタリング堆積膜が非晶質となシ、かつ
、基板に多大なダメージを与えないように込ぼれる。放
電条件、反応性ガスの種類によってその範囲ｆｉ異なる
が、一般に／〜ＳＯ比（体積比）の…ｊＫ必る。
Ａｒガスとの混合ガス中において、該反応性ガスの比率
は得られるスパッタリング堆積膜が非晶質となシ、かつ
、基板に多大なダメージを与えないように込ぼれる。放
電条件、反応性ガスの種類によってその範囲ｆｉ異なる
が、一般に／〜ＳＯ比（体積比）の…ｊＫ必る。
本発明におけるスパッタリング堆積膜ば、Ｘ線及び電子
線回折法により非晶質であることが確認された。Ａｒの
みからなるガスによるスパッタリングでは得られる堆積
膜は多結晶となるのに対し、本発明におけるスパッタリ
ング堆積膜が非晶質となるＪ１山は、必ずしも明らかで
はないが、本発明における反応性ガス分子がフッ素原子
を含むために、グロー放電プラズマ中において、フッ素
イオン及びフッ素ラジカルが生成し、基板上において膜
の堆積と同時にエツチングが行なわれるため、結晶層の
成長が妨げら粒及び結晶粒界が存在しないため、これを
記録媒体として用いれば、記録感度及びビット形状を均
一化でき、さらＫ、レーザー元による再生ｎｏｉｓｅｒ
ａｕｉリ を達成することができる。
線回折法により非晶質であることが確認された。Ａｒの
みからなるガスによるスパッタリングでは得られる堆積
膜は多結晶となるのに対し、本発明におけるスパッタリ
ング堆積膜が非晶質となるＪ１山は、必ずしも明らかで
はないが、本発明における反応性ガス分子がフッ素原子
を含むために、グロー放電プラズマ中において、フッ素
イオン及びフッ素ラジカルが生成し、基板上において膜
の堆積と同時にエツチングが行なわれるため、結晶層の
成長が妨げら粒及び結晶粒界が存在しないため、これを
記録媒体として用いれば、記録感度及びビット形状を均
一化でき、さらＫ、レーザー元による再生ｎｏｉｓｅｒ
ａｕｉリ を達成することができる。
本発明においては、スパッタリング堆積膜中の各元素の
組成は、ターゲット材となる合金の組成によって制御で
きるが１反応性ガスとして、ＳθＦ６″！ｆｃはＳＦ、
等を用い九Ｓ合には、該反応性ガスのプラズマ中での分
解によシ、気相から、ＳＳ−またはＳ等を堆積膜中に混
入せしめることができる。この場合、放電条件およびＡ
ｒと反応性ガスとの混合の比率を制御することにより該
スパッタリング堆積膜の組成を幅広く、かつ、連続的に
制御することができ、ネ該堆ＪＪＩｍ中の深さ方向での
各元素組成に望みの分布を与えることもできる。
組成は、ターゲット材となる合金の組成によって制御で
きるが１反応性ガスとして、ＳθＦ６″！ｆｃはＳＦ、
等を用い九Ｓ合には、該反応性ガスのプラズマ中での分
解によシ、気相から、ＳＳ−またはＳ等を堆積膜中に混
入せしめることができる。この場合、放電条件およびＡ
ｒと反応性ガスとの混合の比率を制御することにより該
スパッタリング堆積膜の組成を幅広く、かつ、連続的に
制御することができ、ネ該堆ＪＪＩｍ中の深さ方向での
各元素組成に望みの分布を与えることもできる。
さらに上述のフッ素イオン又はフッ素ラジカルによる基
板表面の軽いエツチングには、基板とスパッタリング堆
積膜との間の付着力を均一化する効果もある。
板表面の軽いエツチングには、基板とスパッタリング堆
積膜との間の付着力を均一化する効果もある。
本発明に係る記録媒体は上記のように基板上に金属化合
物のスパッタリング堆ね膜を形成させているが、さらに
基板と該スパッタ膜との間に記録感度の向上、基板表面
の改質ビット形状の向上等のために下引き層？設けるこ
ともできさらＫは、記録媒体保護のために該記録媒体上
に保ｍｇを設けることもできる。
物のスパッタリング堆ね膜を形成させているが、さらに
基板と該スパッタ膜との間に記録感度の向上、基板表面
の改質ビット形状の向上等のために下引き層？設けるこ
ともできさらＫは、記録媒体保護のために該記録媒体上
に保ｍｇを設けることもできる。
以下、図面を参照して１本発明の記録媒体の製造工程の
一例を説明する。
一例を説明する。
第１図は本発明に係る光学的記録媒体の製造のための装
置の一例である。図中（１）は真空容器、（２）は電極
、（３）は合金ターゲット、（４）は基板、（５）はガ
ス導入口、（６）はシャッター、（刀は排気口である。
置の一例である。図中（１）は真空容器、（２）は電極
、（３）は合金ターゲット、（４）は基板、（５）はガ
ス導入口、（６）はシャッター、（刀は排気口である。
上記改良された光学的記録媒体の作製は、真空容器（１
）を／ ０−’ Ｔｏｒｒ台まで排気した後Ａｒ ガス
を導入口（５）より導入し、真召≧容器ｆｉ＋の内圧金
数ｍＴｏｒｒ〜数／ ＯｍＴｏｒｒ となるようにする
。
）を／ ０−’ Ｔｏｒｒ台まで排気した後Ａｒ ガス
を導入口（５）より導入し、真召≧容器ｆｉ＋の内圧金
数ｍＴｏｒｒ〜数／ ＯｍＴｏｒｒ となるようにする
。
−ゲット（３）表面を清浄にする。その後真空容器内を
再び１０−’ＴＯｒｒ台まで排気し、Ａｒ ガスと本発
明における反応性ガスを所定の体積比で混入したカスを
導入口１５＋よシ導入し、電極（２）の間に高周派を印
加しＩｉｌ′Ｒ１，を起こさせる。その後。
再び１０−’ＴＯｒｒ台まで排気し、Ａｒ ガスと本発
明における反応性ガスを所定の体積比で混入したカスを
導入口１５＋よシ導入し、電極（２）の間に高周派を印
加しＩｉｌ′Ｒ１，を起こさせる。その後。
一定時間シャッター（６）を開き５基板（４）上にスパ
ッタリング堆積膜を形成する。膜の堆積速度は主に高周
波電力、ＴＣ空容器（１）内の圧力を変える事により変
化させ得る。
ッタリング堆積膜を形成する。膜の堆積速度は主に高周
波電力、ＴＣ空容器（１）内の圧力を変える事により変
化させ得る。
（実施例／）
Ａ空容器をＪＸｌｏ−’ Ｔｏｒｒまで排気した後Ａｒ
ガスと、体積比で３％のＣＦ、カスｋｍ合して導入し、
全圧を５ｘ ７０−” Ｔｏｒｒとし２．基板１１！ｌ
！電極とターゲットｆＩｌｌ電極間に／Ｊ、ｒ＆ＭＨｚ
、 ｊ？０ＷＩ）高周波電力を印加してグロー放電ヲ
生じせしめ、スパッタリングを行なった。ターゲットに
は、原子比Ｔｅｌ！Ｎ％Ｓθ／ｊ九の合金を用い、基板
上に４ｔｊ ｎｍのスパッタ膜を堆積させた。ついでこ
の光学的記録媒体に波長Ｉ Ｊ ＯｎｍのＧａＡｓ半導
体レーザーで記録と拘止を行なったところ０／Ｎ比（Ｃ
ａｒｒｌｅｒ ｔｏ Ｎｏ１ｓｅ ｆｌａｔｉｏ ）
５ｏｄＢが得られた。
ガスと、体積比で３％のＣＦ、カスｋｍ合して導入し、
全圧を５ｘ ７０−” Ｔｏｒｒとし２．基板１１！ｌ
！電極とターゲットｆＩｌｌ電極間に／Ｊ、ｒ＆ＭＨｚ
、 ｊ？０ＷＩ）高周波電力を印加してグロー放電ヲ
生じせしめ、スパッタリングを行なった。ターゲットに
は、原子比Ｔｅｌ！Ｎ％Ｓθ／ｊ九の合金を用い、基板
上に４ｔｊ ｎｍのスパッタ膜を堆積させた。ついでこ
の光学的記録媒体に波長Ｉ Ｊ ＯｎｍのＧａＡｓ半導
体レーザーで記録と拘止を行なったところ０／Ｎ比（Ｃ
ａｒｒｌｅｒ ｔｏ Ｎｏ１ｓｅ ｆｌａｔｉｏ ）
５ｏｄＢが得られた。
（実施例−）
Ａｒ ガスに体積比３九のＳＦ、ガスヲ混合して真空容
器内に導入し％笑施例／と同、〔Ｓ・の６金ターゲット
及び放電条件によって４１ ！； ｎｍのスパッタリン
グ堆積膜を基板上に堆積させた。得られた光学的記録媒
体を用い実施例／と同様にしてレーザーで記録と再生を
行ったところ、Ｃ７ＩＪ比グ？ｄＢを得た。
器内に導入し％笑施例／と同、〔Ｓ・の６金ターゲット
及び放電条件によって４１ ！； ｎｍのスパッタリン
グ堆積膜を基板上に堆積させた。得られた光学的記録媒
体を用い実施例／と同様にしてレーザーで記録と再生を
行ったところ、Ｃ７ＩＪ比グ？ｄＢを得た。
上記実施例／、及び実施例二のスパツタリン造であった
。特に普通は大変ン（きく変化する加速試験ＤｉＪ始直
後の反射率の増加を防ぐことができた。
。特に普通は大変ン（きく変化する加速試験ＤｉＪ始直
後の反射率の増加を防ぐことができた。
（比較例）
Ａ ２１ ｆ ｊ Ｘ ／ ０−’ Ｔ’ｏｒｒ ２で
排２、ｔ した後、Ａｒ ガス？！×１０′″” ＴＯ
ｒｒ ’！で導入し、／ Ｊ ＊ ５ ＡＬｉＨ２（’
）尚周波′ｔ６４力ｊｏＷで基板とターゲットの間にグ
ロー放嵐含起こす。
排２、ｔ した後、Ａｒ ガス？！×１０′″” ＴＯ
ｒｒ ’！で導入し、／ Ｊ ＊ ５ ＡＬｉＨ２（’
）尚周波′ｔ６４力ｊｏＷで基板とターゲットの間にグ
ロー放嵐含起こす。
ターゲットに京子比Ｔｆ３ｇ！＊、Ｓｅｚ、ｔ％の合金
を用い、基板上に４１ｏｏ＾の’ＩＩ’ ９ ｓ＠堆枝
良を形成はせた。得られた光学的記録媒体に半尋体レー
ザーによる記録絖み出し試験を何なったところＯ／Ｎ比
！ｊｄＢであった。
を用い、基板上に４１ｏｏ＾の’ＩＩ’ ９ ｓ＠堆枝
良を形成はせた。得られた光学的記録媒体に半尋体レー
ザーによる記録絖み出し試験を何なったところＯ／Ｎ比
！ｊｄＢであった。
（発明の効果）
本発明によｊＬは経時安定性、い比（Ｃａｒｒｉｅｒｔ
ｏ Ｎｏ１ｓｅ Ｒａｔｉｏ） 、 ピット形状を更
に向上しえた記録媒体を得ることができ２）。
ｏ Ｎｏ１ｓｅ Ｒａｔｉｏ） 、 ピット形状を更
に向上しえた記録媒体を得ることができ２）。
第１図は、本発明に係る元突と的記録媒体の製造のため
の装置の一例を示す。 図中／は真空容２Ｊ１−は１！惟、３はターゲット％
ダは基板、Ｓはガス導入口、乙はシャッター、りは排気
口をそれぞ冗示す。
の装置の一例を示す。 図中／は真空容２Ｊ１−は１！惟、３はターゲット％
ダは基板、Ｓはガス導入口、乙はシャッター、りは排気
口をそれぞ冗示す。
Claims (2)
- （１）Ｔｅを含む金属をターゲット材として、有機又は
無機フッ化物の一種以上からなる反応性ガスと、Ａｒガ
スとの混合ガス中において反応性スパッタリングするこ
とにより基板上にＴｅを含む堆積膜を形成させてなる光
学的記録用媒体。 - （２）混合ガス中の反応性ガスの割合が１〜５０体積％
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
光学的記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60296520A JPS62154241A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 光学的記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60296520A JPS62154241A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 光学的記録用媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154241A true JPS62154241A (ja) | 1987-07-09 |
Family
ID=17834596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60296520A Pending JPS62154241A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 光学的記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154241A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06262855A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-20 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的情報記録用媒体 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP60296520A patent/JPS62154241A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06262855A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-20 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的情報記録用媒体 |
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