JPS6374139A - 光学的記録用媒体 - Google Patents
光学的記録用媒体Info
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- JPS6374139A JPS6374139A JP61220833A JP22083386A JPS6374139A JP S6374139 A JPS6374139 A JP S6374139A JP 61220833 A JP61220833 A JP 61220833A JP 22083386 A JP22083386 A JP 22083386A JP S6374139 A JPS6374139 A JP S6374139A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、高密度・高速記録が可能な光学的記録用媒体
に関する。詳しくは、基板上に形成した記録用薄膜にレ
ーザービームを照射して発生した熱により、該薄膜が蒸
発あるいは溶融除去されることを利用した光学的記録用
媒体に関するものである。
に関する。詳しくは、基板上に形成した記録用薄膜にレ
ーザービームを照射して発生した熱により、該薄膜が蒸
発あるいは溶融除去されることを利用した光学的記録用
媒体に関するものである。
(従来の技術)
基板上に形成された薄膜にレーザービームを照射して穴
(ビット)を形成するようにした光学的記録用媒体とし
て、従来より、To、Biなどの金属薄膜が利用されて
いる。さらに、経時安定性を増すためにTe及びSeな
どからなるTe系合金薄膜や、これらの金属を含有する
プラズマ重合膜が利用されている。これらの材料は低融
点であるため記録に要するレーザー光のパワーが小さく
て済み、記録感度の点で有利である。
(ビット)を形成するようにした光学的記録用媒体とし
て、従来より、To、Biなどの金属薄膜が利用されて
いる。さらに、経時安定性を増すためにTe及びSeな
どからなるTe系合金薄膜や、これらの金属を含有する
プラズマ重合膜が利用されている。これらの材料は低融
点であるため記録に要するレーザー光のパワーが小さく
て済み、記録感度の点で有利である。
゛ 一方、これらの記録媒体に用〜・る基板としては
、プラスチック、ガラス、金属ある〜・は、これらの基
板上に光硬化性樹脂膜等を形成したものが挙げられる。
、プラスチック、ガラス、金属ある〜・は、これらの基
板上に光硬化性樹脂膜等を形成したものが挙げられる。
上記基板と薄膜記録媒体とからなる系にお(・てレーザ
ー光による薄膜の穿孔には、レーザー加熱によって浴融
した膜物質が基板との付着力にうちかつて分離すること
が必要である。このような目的のために記録層と基板と
の間にフルオロカーボン薄膜からなる下引き層を設ける
ことが検討されて(・る(特開昭!;9−902’ll
、号公報)。基板と膜物質との間の付着力を決める要因
は、記録層と接する基板表面及び記録層を形成する物質
の溶融時における表面張力や、基板表面層の分子量、架
橋度等である。記録層と基板との関係は、この両者の付
着力が小さければ。
ー光による薄膜の穿孔には、レーザー加熱によって浴融
した膜物質が基板との付着力にうちかつて分離すること
が必要である。このような目的のために記録層と基板と
の間にフルオロカーボン薄膜からなる下引き層を設ける
ことが検討されて(・る(特開昭!;9−902’ll
、号公報)。基板と膜物質との間の付着力を決める要因
は、記録層と接する基板表面及び記録層を形成する物質
の溶融時における表面張力や、基板表面層の分子量、架
橋度等である。記録層と基板との関係は、この両者の付
着力が小さければ。
より小さなレーザー元パワーで短時間にビットを形成す
ることができる。これは記録感度の向上を意味し、高速
処理のファイル記録及び安価な低出力半導体レーザーの
使用が可能となる。
ることができる。これは記録感度の向上を意味し、高速
処理のファイル記録及び安価な低出力半導体レーザーの
使用が可能となる。
しかしながら、さらに高品質の記録を行うためには感度
の向上だけではなく、形成されたビット形状が明確な輪
郭を有し、かつ、−mであることが要求される。
の向上だけではなく、形成されたビット形状が明確な輪
郭を有し、かつ、−mであることが要求される。
上記要求を満たすものとして、本発明者らは既に基板と
記録層との間にフルオロカーボンの下引き層を設け、か
つ、該下引き層の記録層に接する側の表面から10nm
以内の層の炭素とフッ素の原子数比をFXscA(軟X
線励起光電子分光法)法による測定値として炭素/に対
してフッ素/、9以上とする光学的記録用媒体を提案し
た。(特願乙0−29g/97) (発明が解決しようとする問題点) 一方、記録用媒体には、以上のような特性に肌えて、記
憶容量が大きいこと、すなわち、高密度記録が可能なこ
とが要求される。穴あけタイプの光学的記録用媒体の記
憶容量を向上させろためには、ビットの大きさをできる
だけ小さくすることが要求される。記録媒体の熱伝導率
が大きいために、レーザー光照射によって浴融除去され
る領域が太き(なってしまう場合や、記録層と下引き届
の間の付着力か弱過ぎて除去される物質の童が多くなっ
てしまう場合には。
記録層との間にフルオロカーボンの下引き層を設け、か
つ、該下引き層の記録層に接する側の表面から10nm
以内の層の炭素とフッ素の原子数比をFXscA(軟X
線励起光電子分光法)法による測定値として炭素/に対
してフッ素/、9以上とする光学的記録用媒体を提案し
た。(特願乙0−29g/97) (発明が解決しようとする問題点) 一方、記録用媒体には、以上のような特性に肌えて、記
憶容量が大きいこと、すなわち、高密度記録が可能なこ
とが要求される。穴あけタイプの光学的記録用媒体の記
憶容量を向上させろためには、ビットの大きさをできる
だけ小さくすることが要求される。記録媒体の熱伝導率
が大きいために、レーザー光照射によって浴融除去され
る領域が太き(なってしまう場合や、記録層と下引き届
の間の付着力か弱過ぎて除去される物質の童が多くなっ
てしまう場合には。
ビットサイズが大きくなりやすく高密度記録は不可能と
なる。また、上記のような媒体では、レーザー元ハワー
のわずかな変動によってもビットサイズが敏感に変動し
やすい傾向があり。
なる。また、上記のような媒体では、レーザー元ハワー
のわずかな変動によってもビットサイズが敏感に変動し
やすい傾向があり。
安定で正確なディジタル信号の記録が困難となる。
さらに、上記ビット形状に関する問題点に加えて、短パ
ルス長のレーザー光で記録したり、ディスクを高速で回
転させる場合、特にディスクの外周にお〜・ては媒体面
上の単位面積当りに単位時間に照射されるレーザー光の
エネルギー密度が小さくなるために、穴あけに要するレ
ーザー光出力はより大きくなり、媒体に対する高感度化
の要求は一層厳しいものとなる。
ルス長のレーザー光で記録したり、ディスクを高速で回
転させる場合、特にディスクの外周にお〜・ては媒体面
上の単位面積当りに単位時間に照射されるレーザー光の
エネルギー密度が小さくなるために、穴あけに要するレ
ーザー光出力はより大きくなり、媒体に対する高感度化
の要求は一層厳しいものとなる。
以上のような要求を満たすためには、記録層とその下地
(基板または下引層)との組合せが極めて重要な要素と
なる。すなわち、最短ピット長を短か(するためには、
付着力が大きいことが望ましく、一方で高感度化のため
には付着力は小さいことが望ましいと(・う−見、相矛
盾する要求を満たさねばならない。
(基板または下引層)との組合せが極めて重要な要素と
なる。すなわち、最短ピット長を短か(するためには、
付着力が大きいことが望ましく、一方で高感度化のため
には付着力は小さいことが望ましいと(・う−見、相矛
盾する要求を満たさねばならない。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、フルオロカーボン薄膜の炭素とフッ素の
組成比及び構造を制御することによリ、フルオロカーボ
ン薄膜からなる下引き層と各種記録層との間の付着力を
制御し、これにより、最小ビットサイズを小さくする一
方で、高感度及びピット形状の改善をもたらす光学的記
録用媒体を得1本発明に到達した。
組成比及び構造を制御することによリ、フルオロカーボ
ン薄膜からなる下引き層と各種記録層との間の付着力を
制御し、これにより、最小ビットサイズを小さくする一
方で、高感度及びピット形状の改善をもたらす光学的記
録用媒体を得1本発明に到達した。
すなわち1本発明の要旨は、基板上にフルオロカーボン
膜からなる下引き層を設は該下引き層上にTeを含む穴
あけタイプの記録層を配置した光学的記録用媒体におい
て、上記下引き層の記録層に接する側の表面から10n
m以内の層の炭素とフッ素の原子数比をESOA法によ
る測定値として、炭素lに対して、フッ素o、g以上へ
グ未満としたことを特徴とする光学的記録用媒体に存す
る。
膜からなる下引き層を設は該下引き層上にTeを含む穴
あけタイプの記録層を配置した光学的記録用媒体におい
て、上記下引き層の記録層に接する側の表面から10n
m以内の層の炭素とフッ素の原子数比をESOA法によ
る測定値として、炭素lに対して、フッ素o、g以上へ
グ未満としたことを特徴とする光学的記録用媒体に存す
る。
本発明に言5 ESOA法とは、軟X線励起元電子分元
法の略称であって、軟X線の照射によって試料化合物中
の原子からたたき出された光電子のエネルギースペクト
ルから試料の表面近傍の元素の種類及び化学結合状態を
分析する方法である。この方法では、上記光電子の透過
能が小さいため該薄膜の分析は、その表面から、10T
1m以内の極表層部の情報が相対的に強くスペクトロメ
ータ″XSAM−g00”型を用い導電性基板上に作成
したフルオロカーボン薄膜表面のフッ素IB軌道(F+
s)スペクトルと炭素l5(C!、B)軌道スペクトル
を測定した。 Fl[3スペクトルは、結合エネルギー
がA g t eV付近に中心を有する単一ピークから
なり、CI8スペクトルは、結合エネルギーが1.2ざ
5からコックev付近に中心を有する複数のピークから
構成される。炭素原子とフッ素原子の原子数比は上記F
1sピークの積分強度と、C1Sスペクトルの積分強度
との比から導出される。
法の略称であって、軟X線の照射によって試料化合物中
の原子からたたき出された光電子のエネルギースペクト
ルから試料の表面近傍の元素の種類及び化学結合状態を
分析する方法である。この方法では、上記光電子の透過
能が小さいため該薄膜の分析は、その表面から、10T
1m以内の極表層部の情報が相対的に強くスペクトロメ
ータ″XSAM−g00”型を用い導電性基板上に作成
したフルオロカーボン薄膜表面のフッ素IB軌道(F+
s)スペクトルと炭素l5(C!、B)軌道スペクトル
を測定した。 Fl[3スペクトルは、結合エネルギー
がA g t eV付近に中心を有する単一ピークから
なり、CI8スペクトルは、結合エネルギーが1.2ざ
5からコックev付近に中心を有する複数のピークから
構成される。炭素原子とフッ素原子の原子数比は上記F
1sピークの積分強度と、C1Sスペクトルの積分強度
との比から導出される。
以下図面を参照して1本発明の詳細な説明する。第1図
は1本発明元学的記録用媒体の具体的構造の7例を示す
模式図であって、(1)は基板。
は1本発明元学的記録用媒体の具体的構造の7例を示す
模式図であって、(1)は基板。
(2)は基板(1)上に配置したフルオロカーボンの下
引き膜、(3)は膜(2)上に形成した記録層、(4)
はトラックサーボ用の溝である。
引き膜、(3)は膜(2)上に形成した記録層、(4)
はトラックサーボ用の溝である。
本発明に係る記録媒体の基板(1)としては、アクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック、ガラス
又はアルミニウム等に紫外線硬化樹脂を塗布したもの等
が挙げられる。
樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック、ガラス
又はアルミニウム等に紫外線硬化樹脂を塗布したもの等
が挙げられる。
本発明においては、この基板上にフルオロカーボンから
なる膜を設ける。具体的には、例えば、プラズマ重合法
によってポリフルオロカーボン薄膜を二〇〜10OOA
、好適には50〜300^堆積させて下引き層(2)を
形成し1種々の記録層(3)に対して下地との付着力を
最適化する。
なる膜を設ける。具体的には、例えば、プラズマ重合法
によってポリフルオロカーボン薄膜を二〇〜10OOA
、好適には50〜300^堆積させて下引き層(2)を
形成し1種々の記録層(3)に対して下地との付着力を
最適化する。
プラズマ重合に用(・ろフルオロカーボンの七ツマ−と
しては、四フッ化エチレン、六フッ化プロピレンナトの
バー70ロアルケン、又ハハーフロロンクロヘキサン、
バー70口ベンゼン等、常温で気体ある〜・は液体であ
っても蒸気圧が十分筒<、真空容器に該フルオロカーボ
ンの蒸気を/ 0−3TOrr以上;1々たし、グロー
放電が可能となるものであって、フッ素の置換度が高い
ものであれば良−・。特に、四フッ化エチレント六フッ
化プロピレンは蒸気圧が高い1重合速度が速(・、安価
で取扱い易いなどの点で有利なモ/ −y −カ、Xで
ある。これらフルオロカーボン薄膜表面として容量式あ
るいは誘導式放電を用℃・ることによりプラズマ重合膜
を形成することができる。フルオロカーボン膜の他の形
成方法としては、ポi/テトラフルオロエチレン等のポ
リフルオロカーボンをスパッタリング等により形成する
方法がある。
しては、四フッ化エチレン、六フッ化プロピレンナトの
バー70ロアルケン、又ハハーフロロンクロヘキサン、
バー70口ベンゼン等、常温で気体ある〜・は液体であ
っても蒸気圧が十分筒<、真空容器に該フルオロカーボ
ンの蒸気を/ 0−3TOrr以上;1々たし、グロー
放電が可能となるものであって、フッ素の置換度が高い
ものであれば良−・。特に、四フッ化エチレント六フッ
化プロピレンは蒸気圧が高い1重合速度が速(・、安価
で取扱い易いなどの点で有利なモ/ −y −カ、Xで
ある。これらフルオロカーボン薄膜表面として容量式あ
るいは誘導式放電を用℃・ることによりプラズマ重合膜
を形成することができる。フルオロカーボン膜の他の形
成方法としては、ポi/テトラフルオロエチレン等のポ
リフルオロカーボンをスパッタリング等により形成する
方法がある。
第2図は、フルオロカーボンのプラズマ重合膜を作製し
た後、スパッタ法によって記録層を成膜する場合の装置
の一例を示す。
た後、スパッタ法によって記録層を成膜する場合の装置
の一例を示す。
図中(5)は真空容器であり、その内部はΩ室に区切ら
れている。第1室でプラズマ重合を行し・、その後第■
室において記録層を成膜する。第2図中、 (6)、
(7)は高周波を印加する電極であり。
れている。第1室でプラズマ重合を行し・、その後第■
室において記録層を成膜する。第2図中、 (6)、
(7)は高周波を印加する電極であり。
基本的には同一構造であるが、(7)がスパッタされる
べき材質からなるターゲットであるのに対し、(6)は
スパッタされにくい材5(ステンレス。
べき材質からなるターゲットであるのに対し、(6)は
スパッタされにくい材5(ステンレス。
Taなど)が用いられる。(8)は基板(9)がセット
されたホルダーであり、■、■室の順に搬送することが
できる。C1、α◇は放電を生ぜしぬるためのガス導入
口であり、αOからはフルオロカーボンのモノマーガス
、αυからは、ArまたはArとフッ化セレンガス等の
反応性ガスとの混合ガスを導入する。ここで、1.■室
の間には、各室のガスの種類及び圧力を独立に制御する
ための差動排気室αつを設けている。また、C11は排
気口、α→はRF電源である。
されたホルダーであり、■、■室の順に搬送することが
できる。C1、α◇は放電を生ぜしぬるためのガス導入
口であり、αOからはフルオロカーボンのモノマーガス
、αυからは、ArまたはArとフッ化セレンガス等の
反応性ガスとの混合ガスを導入する。ここで、1.■室
の間には、各室のガスの種類及び圧力を独立に制御する
ための差動排気室αつを設けている。また、C11は排
気口、α→はRF電源である。
上記のような容量結合式のプラズマ重合装置にお(・て
得られるフルオロカーボン膜表面のフッ素原子と炭素原
子の組成比(原子数比)、Floは、原料となるモノマ
ーガス、装置形状。
得られるフルオロカーボン膜表面のフッ素原子と炭素原
子の組成比(原子数比)、Floは、原料となるモノマ
ーガス、装置形状。
放゛亀条件、特に放電パワー及びモノマーガス圧力に依
存するが、その値として、0.2から/、S程度の範囲
のものが容易に得られる。一方、ポリフルオロカーボン
のスパッタ膜では、ターゲットとして利用しうるポリフ
ルオロカーボン樹脂の耐熱性に関する制限のためFlo
としてi、iから1.7程度のものしか得られない。F
loが小さ〜・方がフッ素原子が少な(、炭素原子どう
しの架橋度が高℃・膜構造となっており、従って。
存するが、その値として、0.2から/、S程度の範囲
のものが容易に得られる。一方、ポリフルオロカーボン
のスパッタ膜では、ターゲットとして利用しうるポリフ
ルオロカーボン樹脂の耐熱性に関する制限のためFlo
としてi、iから1.7程度のものしか得られない。F
loが小さ〜・方がフッ素原子が少な(、炭素原子どう
しの架橋度が高℃・膜構造となっており、従って。
記録層との間の付着力が増加する傾向がある。
付着力の制御という点からは、プラズマ重合膜の方が幅
広し・制御が行える。本発明者らは、種々のTeを含む
金属薄膜からなる穴あけタイプの記録層に対し、上記フ
ルオロカーボンのプラズマ重合膜からなる下引き層を適
用し、感度、ビット形状及び最小ビットサイズのバラン
スのとれた改善を達成しうるよう、記録層と下引き層の
間の付着力の最適化を行った。この結果。
広し・制御が行える。本発明者らは、種々のTeを含む
金属薄膜からなる穴あけタイプの記録層に対し、上記フ
ルオロカーボンのプラズマ重合膜からなる下引き層を適
用し、感度、ビット形状及び最小ビットサイズのバラン
スのとれた改善を達成しうるよう、記録層と下引き層の
間の付着力の最適化を行った。この結果。
該下引き層の記録層に接する側の表面からlOnm以内
の層の炭素とフッ素の原子数比を炭素lに対してフッ素
o、g以上/、9未満、好ましくは0.9以上/、3以
下とした場合に最も良好な特性を有する記録媒体が得ら
れた。Floがo、gより小さい場合には、ポリカーボ
ネート樹脂等に直接記録層を成膜した場合に比して、感
度の改善効果が少な(、Floが/、!Iより大きい場
合にはビットサイズが太き(なりやすい傾向がある。
の層の炭素とフッ素の原子数比を炭素lに対してフッ素
o、g以上/、9未満、好ましくは0.9以上/、3以
下とした場合に最も良好な特性を有する記録媒体が得ら
れた。Floがo、gより小さい場合には、ポリカーボ
ネート樹脂等に直接記録層を成膜した場合に比して、感
度の改善効果が少な(、Floが/、!Iより大きい場
合にはビットサイズが太き(なりやすい傾向がある。
(実施例)
(実施例/)
真空容器中に六フッ化プロピレンのモノマーガスを導入
し、圧力を/ X / 0−2TOrrとした。直径3
インチのステンレス製の円形陰極と、はぼ同程度の大き
さを有し1円板状のポリカーボネート樹脂基板を装着し
た陽極との間に、 / 、?、j AMH2の高周波
電圧を印加し。
し、圧力を/ X / 0−2TOrrとした。直径3
インチのステンレス製の円形陰極と、はぼ同程度の大き
さを有し1円板状のポリカーボネート樹脂基板を装着し
た陽極との間に、 / 、?、j AMH2の高周波
電圧を印加し。
グロー放電を生ぜしめた。放電電力はSOWで、上記平
行平板電極間の間隔は100mNとした。上記条件のも
とで膜厚約2001のプラズマ重合膜を得、下引き層と
した。該六フッ化プロピレン・プラズマ重合膜のフッ素
と炭素の原子数比F/Cは炭素/に対してフッ素7.2
であった。
行平板電極間の間隔は100mNとした。上記条件のも
とで膜厚約2001のプラズマ重合膜を得、下引き層と
した。該六フッ化プロピレン・プラズマ重合膜のフッ素
と炭素の原子数比F/Cは炭素/に対してフッ素7.2
であった。
上記下引き層上に、記録層として、TeをArとSeF
6混合ガス中でスパッタして得られる膜厚約1Ioo^
のTe−3eF6系媒体(特願1.0−291s!;2
0に開示したと同様の膜)を形成した。また、比較のた
め、 Floが/、5であるポリテトラフルオロエチレ
ンのスパッタ膜(膜厚約λθθ^)を下引き層とした場
合。
6混合ガス中でスパッタして得られる膜厚約1Ioo^
のTe−3eF6系媒体(特願1.0−291s!;2
0に開示したと同様の膜)を形成した。また、比較のた
め、 Floが/、5であるポリテトラフルオロエチレ
ンのスパッタ膜(膜厚約λθθ^)を下引き層とした場
合。
及び下引き層の無い場合について、同様にTe−8eF
、系記録層を成膜した。
、系記録層を成膜した。
上記3種類の光学的記録用媒体に対し、以下のような条
件で記録再生特性の評価を行った。円板状基板は/ g
00 rpmで回転させ、回転軸からの半径約JOm
、のトラックに対し、波長g 30 nmのGaAs半
導体v !−テ記録−再生を行った。記録はJ、 A
、? MHz、デユーティ−30%のパルス元にて行
った。
件で記録再生特性の評価を行った。円板状基板は/ g
00 rpmで回転させ、回転軸からの半径約JOm
、のトラックに対し、波長g 30 nmのGaAs半
導体v !−テ記録−再生を行った。記録はJ、 A
、? MHz、デユーティ−30%のパルス元にて行
った。
第3図にC/N比(Carrier to noiee
ratio )の記録パワー依存性を示す。図中(a
)はFlo =/、Sであるポリテトラフルオロエチレ
ンスパッタ膜を下引き層とした場合、(ロ)はFlo
== /、 2である六フッ化プロピレンプラズマ重合
膜を下引き層とした場合、(C)は下引き層無しの場合
である。(ロ)は(C)よりも感度が改善される一方で
、(a)よりもO/Nが2〜3dB増加し。
ratio )の記録パワー依存性を示す。図中(a
)はFlo =/、Sであるポリテトラフルオロエチレ
ンスパッタ膜を下引き層とした場合、(ロ)はFlo
== /、 2である六フッ化プロピレンプラズマ重合
膜を下引き層とした場合、(C)は下引き層無しの場合
である。(ロ)は(C)よりも感度が改善される一方で
、(a)よりもO/Nが2〜3dB増加し。
Cハ比の記録パワー依存性が少ない。これは。
SEM観察の結果、(a)においては記録パワーを大き
くするにつれ、ビットサイズが急激に大きくなるのに対
し、■にお(・てはビットサイズの変動が少ないためで
あることがわかった。さらに、■においては(C)に比
べてビット内残留物が少なく、均一なリムが形成された
。
くするにつれ、ビットサイズが急激に大きくなるのに対
し、■にお(・てはビットサイズの変動が少ないためで
あることがわかった。さらに、■においては(C)に比
べてビット内残留物が少なく、均一なリムが形成された
。
(実施例2)
実施例/において、モノマーガスを四7ツ化エチレンに
変えただけで他は全く同様にして、膜厚的200^のプ
ラズマ重合膜(F/C=/、/)を形成し、下引き層と
した。上記四フッ化エチレンプラズマ重合膜の他に、や
はり実施例1と同様に、ポリテトラフルオロエチレンの
スパッタ膜(F/C= /、 、lr )と、下引き無
しの場合の3種類の基板及び下引き層上に、窒素及びA
rとの混合ガス中で、70gg%、Sθ/、2%(原子
比)の合金ターゲットの反応性スパッタリングを行い、
Te及びSθを含む膜厚的qoθ^の薄膜(特願AO−
/!;/jtO!;に開示したと同様の膜)を形成し、
記録層とした。上記3種類の光学的記録用媒体に対し実
施例/と同様にして記録。
変えただけで他は全く同様にして、膜厚的200^のプ
ラズマ重合膜(F/C=/、/)を形成し、下引き層と
した。上記四フッ化エチレンプラズマ重合膜の他に、や
はり実施例1と同様に、ポリテトラフルオロエチレンの
スパッタ膜(F/C= /、 、lr )と、下引き無
しの場合の3種類の基板及び下引き層上に、窒素及びA
rとの混合ガス中で、70gg%、Sθ/、2%(原子
比)の合金ターゲットの反応性スパッタリングを行い、
Te及びSθを含む膜厚的qoθ^の薄膜(特願AO−
/!;/jtO!;に開示したと同様の膜)を形成し、
記録層とした。上記3種類の光学的記録用媒体に対し実
施例/と同様にして記録。
再生特性の評価を行った。
ポリテトラフルオロエチレンのスパッタ膜を下引き層と
した場合、感度は極めて良いものの、付着力か弱過ぎる
ために、ビット形状が不ぞろ〜・で、大きな穴しか開か
ない。このため、C/Nの場所むら、記録パワー依存性
が大きく、正確なデジタル信号の記録・再生は不可能で
あった。
した場合、感度は極めて良いものの、付着力か弱過ぎる
ために、ビット形状が不ぞろ〜・で、大きな穴しか開か
ない。このため、C/Nの場所むら、記録パワー依存性
が大きく、正確なデジタル信号の記録・再生は不可能で
あった。
四フッ化エチレンのプラズマ重合膜を下引き層として用
(・た場合、及び下引き層無しの場合には、それぞれ、
第3図に)及び(C)と同様な特性を示し、該プラズマ
重合膜下引き層の場合に最も良好な特性が得られた。
(・た場合、及び下引き層無しの場合には、それぞれ、
第3図に)及び(C)と同様な特性を示し、該プラズマ
重合膜下引き層の場合に最も良好な特性が得られた。
(発明の効果)
本発明におけるフルオロカーボン膜の下引キ層は、単に
記録媒体の感度を向上させるだけでな(、記録・再生特
性のバランスのとれた改善を達成でき、特に、高密度な
光学的記録用媒体を実現できる。
記録媒体の感度を向上させるだけでな(、記録・再生特
性のバランスのとれた改善を達成でき、特に、高密度な
光学的記録用媒体を実現できる。
第1図は1本発明に係る記録用媒体の構造の一例を示し
、第2図は、記録層を成膜するだめのスパッター装置の
一例を示し、第3図は、実施例で得られた媒体のC7N
比の記録依存性を示す。 図中、(1)二基板、 (2) :下引き膜、 (3)
:記録層晃3図 才8対記註八〇ワ−
、第2図は、記録層を成膜するだめのスパッター装置の
一例を示し、第3図は、実施例で得られた媒体のC7N
比の記録依存性を示す。 図中、(1)二基板、 (2) :下引き膜、 (3)
:記録層晃3図 才8対記註八〇ワ−
Claims (5)
- (1)基板上にフルオロカーボン膜からなる下引き層を
設け、該下引き層上にTeを含む薄膜からなる穴あけタ
イプの記録層を配置した光学的記録用媒体において、上
記下引き層の記録層に接する側の表面から10nm以内
の層の炭素とフッ素の原子数比をESCA法による測定
値として、炭素1に対してフッ素0.8以上1.4未満
としたことを特徴とする光学的記録用媒体。 - (2)フルオロカーボン膜がフルオロカーボンのプラズ
マ重合膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載の光学的記録用媒体。 - (3)上記フルオロカーボンのモノマーガスが四フッ化
エチレンまたは六フッ化プロピレンであることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の光学的記録用媒体。 - (4)上記穴あけタイプの記録層が、Teを含む金属を
ターゲット材として、フッ化セレンガスとArガスとの
混合ガス中において反応性スパッタリングすることによ
り形成した、Te及びSeを含む堆積膜であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的記録用媒体
。 - (5)上記穴あけタイプの記録層が、Te及びSeを含
む合金をターゲット材として窒素ガスとArガスとの混
合ガス中において反応性スパッタリングをすることによ
り形成した、Te及びSeを含む堆積膜であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学的記録用媒体
。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61220833A JPS6374139A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 光学的記録用媒体 |
EP87301046A EP0242942B1 (en) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optical recording medium and process for producing the same |
DE8787301046T DE3776386D1 (de) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung. |
CA000529093A CA1258974A (en) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | Optical recording medium and process for producing the same |
KR1019870000966A KR910009072B1 (ko) | 1986-04-24 | 1987-02-05 | 광학기록매체와 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61220833A JPS6374139A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 光学的記録用媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6374139A true JPS6374139A (ja) | 1988-04-04 |
JPH0474784B2 JPH0474784B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=16757258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61220833A Granted JPS6374139A (ja) | 1986-04-24 | 1986-09-18 | 光学的記録用媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6374139A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63177328A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Nec Corp | 光記録媒体およびその製造方法 |
JPS647348A (en) * | 1986-10-30 | 1989-01-11 | Hitachi Maxell | Optical information recording medium and its production |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61142167A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-06-30 | 杉山 幹雄 | 混合機能をもつ調味料振出し容器 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP61220833A patent/JPS6374139A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61142167A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-06-30 | 杉山 幹雄 | 混合機能をもつ調味料振出し容器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS647348A (en) * | 1986-10-30 | 1989-01-11 | Hitachi Maxell | Optical information recording medium and its production |
JPS63177328A (ja) * | 1987-01-19 | 1988-07-21 | Nec Corp | 光記録媒体およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0474784B2 (ja) | 1992-11-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |