JPS63181438A - 半導体装置の樹脂封止用金型 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止用金型Info
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- JPS63181438A JPS63181438A JP1434587A JP1434587A JPS63181438A JP S63181438 A JPS63181438 A JP S63181438A JP 1434587 A JP1434587 A JP 1434587A JP 1434587 A JP1434587 A JP 1434587A JP S63181438 A JPS63181438 A JP S63181438A
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- Japan
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- block
- cavity
- plate
- mold
- semiconductor device
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 title 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000010137 moulding (plastic) Methods 0.000 description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/2602—Mould construction elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレーム上の半導体チップを樹脂封止
する半導体装置の樹脂封止用金型に関するものである。
する半導体装置の樹脂封止用金型に関するものである。
・ 〔従来の技術〕
従来、この種半導体装置の樹脂封止用金型は、第３図お
よび第４図に示す下型と、第５図および第６図に示す上
型とによって構成されている。これを同図に基づいて説
明すると、同図において、符号１で示すものは可動側の
型板で、下サポートブロック２上に保持されヒータ３を
内蔵する下定盤４と、この下定盤４に固定されリードフ
レーム（図示せず）上の半導体チップ（図示せず）を樹
脂封止するパッケージ（図示せず）の下側を形成するキ
ャビティ５を有するキャビティブロック６と、このキャ
ビティブロック６の側方に設けられかつ前記下定盤４に
固定されその中央部に樹脂供給部としてのカル７および
ランナ８を有するセンタブロック（ベースブロック）９
とを備え、プレスのスライドテーブル１０に取り付けら
れている。
よび第４図に示す下型と、第５図および第６図に示す上
型とによって構成されている。これを同図に基づいて説
明すると、同図において、符号１で示すものは可動側の
型板で、下サポートブロック２上に保持されヒータ３を
内蔵する下定盤４と、この下定盤４に固定されリードフ
レーム（図示せず）上の半導体チップ（図示せず）を樹
脂封止するパッケージ（図示せず）の下側を形成するキ
ャビティ５を有するキャビティブロック６と、このキャ
ビティブロック６の側方に設けられかつ前記下定盤４に
固定されその中央部に樹脂供給部としてのカル７および
ランナ８を有するセンタブロック（ベースブロック）９
とを備え、プレスのスライドテーブル１０に取り付けら
れている。
この型板１のキャビティブロック６には、前記ランナ８
にサブランナ１１を介して連通ずるゲート１２が形成さ
れており、またリードフレーム（図示せず）を位置決め
する位置決めピン１３が設けられている。１４はピン取
付用のエジェクタープレートで、前記下定盤４と前記下
サポートブロッり２との間に進退自在に設けられている
。１６および１７は各々フランジ１６８．１７ａを有す
るエジェクターピンで、押さえ板１８によって前記エジ
ェクタープレート１４のキャビティブロック側に取り付
けられており、各々が前記カル７と前記キャビティ５の
内部に進退するように構成されている。１９は前記エジ
ェクタープレート１４をスライドテーブル側に付勢する
スプリングで、前記下定盤４と前記押さえ板１８との間
に弾装されている。２０は前記エジェクタープレート１
４および前記押さえ板１８を挿通するサポートピラーで
、前記下サポートブロック２と前記下定盤４との間に設
けられており、型締め圧力による前記下定盤４の変形を
軽減するように構成されている。
にサブランナ１１を介して連通ずるゲート１２が形成さ
れており、またリードフレーム（図示せず）を位置決め
する位置決めピン１３が設けられている。１４はピン取
付用のエジェクタープレートで、前記下定盤４と前記下
サポートブロッり２との間に進退自在に設けられている
。１６および１７は各々フランジ１６８．１７ａを有す
るエジェクターピンで、押さえ板１８によって前記エジ
ェクタープレート１４のキャビティブロック側に取り付
けられており、各々が前記カル７と前記キャビティ５の
内部に進退するように構成されている。１９は前記エジ
ェクタープレート１４をスライドテーブル側に付勢する
スプリングで、前記下定盤４と前記押さえ板１８との間
に弾装されている。２０は前記エジェクタープレート１
４および前記押さえ板１８を挿通するサポートピラーで
、前記下サポートブロック２と前記下定盤４との間に設
けられており、型締め圧力による前記下定盤４の変形を
軽減するように構成されている。
２１はテーブル昇降用のシリンダで、プレスのベース２
２に固定されている。２３はピン突き上げ用のノックア
ウトロッドで、前記ベース２２に取り付けられ、かつ前
記下サポートブロック２および前記スライドテーブル１
０に挿通されている。
２に固定されている。２３はピン突き上げ用のノックア
ウトロッドで、前記ベース２２に取り付けられ、かつ前
記下サポートブロック２および前記スライドテーブル１
０に挿通されている。
また、２４は前記スライドテーブル１０に対し前記下サ
ポートブロック２を取り付けるためのボルト、２５は前
記下定盤４に取り付けられた位置決め用のガイドピンで
ある。なお、前記下定盤４には、前記下サポートブロッ
ク２がボルト（図示せず）によって取り付けられ、また
前記キャビティブロック６および前記センタブロック９
がボルト（図示せず）とノックピン（図示せず）によっ
て各々取り付けられている。２６は固定側の型板で、上
サポートブロック２７上に保持されヒータ２８を内蔵す
る上定盤２９と、この上定盤２９に固定されパッケージ
の上側を形成するキャビティ３０を有するキャビティブ
ロック３１と、このキャビティブロック３１の側方に設
けられかつ前記上定盤２９に固定され前記カル７に対応
する樹脂供給部としてのボット３２がその中央部に位置
するセンタブロック３３とを備え、上プラテン３４に取
り付けられている。この型板２６のキャビティブロック
３１には、前記位置決めピン１３の逃げ孔３５が設けら
れており、また上定盤２９には前記ガイドピン２５を案
内するブツシュ３６が取り付けられている。３７はピン
取付用のエジェクタープレートで、前記上サポートブロ
ック２７と前記上定盤２９との間に進退自在に設けられ
ている。
ポートブロック２を取り付けるためのボルト、２５は前
記下定盤４に取り付けられた位置決め用のガイドピンで
ある。なお、前記下定盤４には、前記下サポートブロッ
ク２がボルト（図示せず）によって取り付けられ、また
前記キャビティブロック６および前記センタブロック９
がボルト（図示せず）とノックピン（図示せず）によっ
て各々取り付けられている。２６は固定側の型板で、上
サポートブロック２７上に保持されヒータ２８を内蔵す
る上定盤２９と、この上定盤２９に固定されパッケージ
の上側を形成するキャビティ３０を有するキャビティブ
ロック３１と、このキャビティブロック３１の側方に設
けられかつ前記上定盤２９に固定され前記カル７に対応
する樹脂供給部としてのボット３２がその中央部に位置
するセンタブロック３３とを備え、上プラテン３４に取
り付けられている。この型板２６のキャビティブロック
３１には、前記位置決めピン１３の逃げ孔３５が設けら
れており、また上定盤２９には前記ガイドピン２５を案
内するブツシュ３６が取り付けられている。３７はピン
取付用のエジェクタープレートで、前記上サポートブロ
ック２７と前記上定盤２９との間に進退自在に設けられ
ている。
３日および３９はフランジ３８ａ、３９ａ （一方の
み図示）を有するエジェクタービンで、押さえ板４０に
よって前記エジェクタープレート３７のキャビティブロ
ック側に取り付けられており、各々が前記サブランナ１
１と前記キャビティ３０の内部に進退するように構成さ
れている。４１は前記上定盤２９および前記キャビティ
ブロック３１を挿通ずるリターンピンで、前記エジェク
タープレート３７に前記両エジェクタービン３８．３９
と同様に取り付けられている。４２は前記エジェクター
プレート３７をキャビティブロック側に付勢するスプリ
ングで、前記エジェクタープレート３７と前記上サポー
トブロック２７との間に弾装されている。また、４３お
よび４４はサポートピラーとボルトである。
み図示）を有するエジェクタービンで、押さえ板４０に
よって前記エジェクタープレート３７のキャビティブロ
ック側に取り付けられており、各々が前記サブランナ１
１と前記キャビティ３０の内部に進退するように構成さ
れている。４１は前記上定盤２９および前記キャビティ
ブロック３１を挿通ずるリターンピンで、前記エジェク
タープレート３７に前記両エジェクタービン３８．３９
と同様に取り付けられている。４２は前記エジェクター
プレート３７をキャビティブロック側に付勢するスプリ
ングで、前記エジェクタープレート３７と前記上サポー
トブロック２７との間に弾装されている。また、４３お
よび４４はサポートピラーとボルトである。
次に、このように構成された半導体装置の樹脂封止用金
型を用いる樹脂封止方法について説明する。
型を用いる樹脂封止方法について説明する。
先ず、定盤４，２９内のヒータ３，２８によってキャビ
ティブロック６．３１を加熱する。次に、下キャビティ
ブロック６にリードフレーム（図示せず）を位置決めし
た後、シリンダ２１によってスライドテーブル１０を上
昇させることにより両型板１，２６を型締めする。この
とき、リターンピン４１が型板１に当接してエジェクタ
ープレート３７を押し上げ、エジェクタービン３８．３
９が所定の位置に後退する。そして、ポット３２内に予
め加熱した樹脂（図示せず）を供給してトランスファプ
ランジャ（図示せず）によってキャビティ５．３０内に
圧送する。
ティブロック６．３１を加熱する。次に、下キャビティ
ブロック６にリードフレーム（図示せず）を位置決めし
た後、シリンダ２１によってスライドテーブル１０を上
昇させることにより両型板１，２６を型締めする。この
とき、リターンピン４１が型板１に当接してエジェクタ
ープレート３７を押し上げ、エジェクタービン３８．３
９が所定の位置に後退する。そして、ポット３２内に予
め加熱した樹脂（図示せず）を供給してトランスファプ
ランジャ（図示せず）によってキャビティ５．３０内に
圧送する。
このようにして、リードフレーム（図示せず）上の半導
体チップ（図示せず）を樹脂封止することができる。
体チップ（図示せず）を樹脂封止することができる。
なお、樹脂封止後の成形品を金型から取り出すには、両
型板１．２６を型開きすることにより行われる。すなわ
ち、キャビティ５．３０内の樹脂（図示せず）が熱硬化
すると、型板２６から型板１を離間させる。このとき、
ノックアウトロッド２３によってエジェクタープレート
１４が上方に移動するため、エジェクタービン１６．１
７が成形品（図示せず）を突き上げる。
型板１．２６を型開きすることにより行われる。すなわ
ち、キャビティ５．３０内の樹脂（図示せず）が熱硬化
すると、型板２６から型板１を離間させる。このとき、
ノックアウトロッド２３によってエジェクタープレート
１４が上方に移動するため、エジェクタービン１６．１
７が成形品（図示せず）を突き上げる。
ところで、従来の半導体装置の樹脂封止用金型において
は、上下センタブロック９．３３と上下キャビティブロ
ック６．３１とが別個に各定盤４゜２９に固定されてい
るため、ヒータ３，２８の熱によって定盤４．２９から
キャビティブロック６゜３１およびセンタブロック９．
３３にかけて温度勾配を生じると共に、両部材の熱膨張
係数の差も加わり、定盤４．２９がブロック側に反るよ
うに熱変形すると、センタブロック９．３３とキャビテ
ィブロック６．３１との間に間隙を生じ、上下キャビテ
ィ５．３０の位置がパーティング面方向に互いにずれて
成形上の信鯨性が低下するという問題があった。
は、上下センタブロック９．３３と上下キャビティブロ
ック６．３１とが別個に各定盤４゜２９に固定されてい
るため、ヒータ３，２８の熱によって定盤４．２９から
キャビティブロック６゜３１およびセンタブロック９．
３３にかけて温度勾配を生じると共に、両部材の熱膨張
係数の差も加わり、定盤４．２９がブロック側に反るよ
うに熱変形すると、センタブロック９．３３とキャビテ
ィブロック６．３１との間に間隙を生じ、上下キャビテ
ィ５．３０の位置がパーティング面方向に互いにずれて
成形上の信鯨性が低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、上下キ
ャビティのパーティング面方向における位置ずれの発生
を防止することができ、もってプラスチック成形上の信
頬性を向上させることができる半導体装置の樹脂封止用
金型を提供するものである。
ャビティのパーティング面方向における位置ずれの発生
を防止することができ、もってプラスチック成形上の信
頬性を向上させることができる半導体装置の樹脂封止用
金型を提供するものである。
本発明に係る半導体装置の樹脂封止用金型は、ベースブ
ロックとキャビティブロック間に位置決め用のプレート
を介装し、このプレートによって両ブロックを一体化し
たものである。
ロックとキャビティブロック間に位置決め用のプレート
を介装し、このプレートによって両ブロックを一体化し
たものである。
本発明においては、ヒータの熱によって定盤がブロック
側に反るように熱変形しても、ベースブロックとキャビ
ティブロックとの間に間隙を生じることがない。
側に反るように熱変形しても、ベースブロックとキャビ
ティブロックとの間に間隙を生じることがない。
第１図は本発明に係る半導体装置の樹脂封止用金型のう
ち下側の型板を示す平面図１．第２図は同じく半導体装
置の樹脂封止用金型を示す縦断面図、第３図（ａ）およ
び（′ｂ）は位置決め用のプレートを示す平面図と正面
図で、同図において第４図〜第７図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図に
おいて、符号５１および５２（５２のみ図示）で示すも
のは切欠きで、前記上下センタブロック９，３３の角部
に形成されており、その切欠き面５２ａにはボルト５３
が螺合するねじ孔５４が開口されている。５５および５
６は位置決め用のプレートで、前記上下センタブロック
９，３３と前記キャビティブロック６゜３１との間に各
々介装されており、これにより前記上下キャビティブロ
ック６．３１と前記上下センタブロック９，３３とが一
体化されている。これら両プレー）５５．５６は略同−
に形成されているため、その一方についてのみ説明する
と、プレート５５は両側部に前記センタブロック９およ
び前記キャビティブロック６の角部にインロー嵌合する
凹部５７，５８が設けられている。そして、このプレー
ト５５には、前記両凹部５７，５８内に開口し前記キャ
ビティブロック６にボルト５９によって固定するための
座ぐり孔６０と、前記両凹部５７．５８の外側に開口し
前記センタブロック９に前記ボルト５３によって固定す
るための座ぐり孔６１とが設けられている。また、この
プレート５５には前記ランナ８およびサブランナ１１に
連通するランナ溝６２が形成されている。なお、６３お
よび６４はノックピンとボルトである。
ち下側の型板を示す平面図１．第２図は同じく半導体装
置の樹脂封止用金型を示す縦断面図、第３図（ａ）およ
び（′ｂ）は位置決め用のプレートを示す平面図と正面
図で、同図において第４図〜第７図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図に
おいて、符号５１および５２（５２のみ図示）で示すも
のは切欠きで、前記上下センタブロック９，３３の角部
に形成されており、その切欠き面５２ａにはボルト５３
が螺合するねじ孔５４が開口されている。５５および５
６は位置決め用のプレートで、前記上下センタブロック
９，３３と前記キャビティブロック６゜３１との間に各
々介装されており、これにより前記上下キャビティブロ
ック６．３１と前記上下センタブロック９，３３とが一
体化されている。これら両プレー）５５．５６は略同−
に形成されているため、その一方についてのみ説明する
と、プレート５５は両側部に前記センタブロック９およ
び前記キャビティブロック６の角部にインロー嵌合する
凹部５７，５８が設けられている。そして、このプレー
ト５５には、前記両凹部５７，５８内に開口し前記キャ
ビティブロック６にボルト５９によって固定するための
座ぐり孔６０と、前記両凹部５７．５８の外側に開口し
前記センタブロック９に前記ボルト５３によって固定す
るための座ぐり孔６１とが設けられている。また、この
プレート５５には前記ランナ８およびサブランナ１１に
連通するランナ溝６２が形成されている。なお、６３お
よび６４はノックピンとボルトである。
このように構成された半導体装置の樹脂封止用金型にお
いては、各プレート５５．５６によって上下キャビティ
ブロック６．３１と上下センタブロック９．３３とを一
体化したから、ヒータ３゜２８の熱によって上下定盤４
，２９がブロック側に反るように熱変形しても、キャビ
ティブロック６．３１とセンタブロック９．３３との間
に間隙が生じることがない。
いては、各プレート５５．５６によって上下キャビティ
ブロック６．３１と上下センタブロック９．３３とを一
体化したから、ヒータ３゜２８の熱によって上下定盤４
，２９がブロック側に反るように熱変形しても、キャビ
ティブロック６．３１とセンタブロック９．３３との間
に間隙が生じることがない。
したがって、両キャビティ５，３０のパーティング面方
向における位置ずれの発生を防止することができる。
向における位置ずれの発生を防止することができる。
なお、本発明による半導体装置の樹脂封止用金型を用い
てリードフレーム（図示せず）上の半導体チップを樹脂
封止するには、従来と同様にして行えることは勿論であ
る。
てリードフレーム（図示せず）上の半導体チップを樹脂
封止するには、従来と同様にして行えることは勿論であ
る。
以上説明したように本発明によれば、ベースブロックと
キャビティブロックとの間に位置決め用のプレートを介
装し、このプレートによって両ブロックを一体化したの
で、ヒータの熱によって定盤がブロック側に反るように
熱変形しても、ベースブロックとキャビティブロックと
の間に間隙を生じることがない、したがって、上下キャ
ビティのパーティング面方向における位置ずれの発生を
防止することができるから、プラスチック成形上の信顧
性を向上させることができる。
キャビティブロックとの間に位置決め用のプレートを介
装し、このプレートによって両ブロックを一体化したの
で、ヒータの熱によって定盤がブロック側に反るように
熱変形しても、ベースブロックとキャビティブロックと
の間に間隙を生じることがない、したがって、上下キャ
ビティのパーティング面方向における位置ずれの発生を
防止することができるから、プラスチック成形上の信顧
性を向上させることができる。
第１図は本発明に係る半導体装置の樹脂封止用金型のう
ち下側の型板を示す平面図、第２図は同じく半導体装置
の樹脂封止用金型を示す縦断面図、第３図（ａ）および
φ）は位置決め用のプレートを示す平面図と正面図、第
４図は従来の半導体装置の樹脂封止用金型における下型
を示す平面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ断面図、第６図
は従来の半導体装置の樹脂封止用金型における上型を示
す平面図、第７図は第６図の■−■断面図である。 １・・・可動側の型板、３・・・ヒータ、４・・・下定
盤、５・・・キャビティ、６・・・キャビティブロック
、７・・・カル、８・・・ランナ、９・・・センタブロ
ック、２６・・・固定側の型板、２８・・・ヒータ、２
９・・・上定盤、３０・・・キャビティ、３１・・・キ
ャビティブロック、３２・・・ポット、３３・・・セン
タブロック、５５．５６・・・プレート。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 ’：）’：）５５； フ０レート 第４図 ム 第５図 第６図 第７図 手続補正書（ｈ金） 昭和 ６１９月２１日 ２、発明の名称 ｌ＾祿’＞ｔ＞６様セゼ繭−二 ３、補正をする者 三菱電機株式会社内 、−１１、氏名 （７３７
５）弁理士大岩増雄、 ・１（連絡先０３（２１３）３
４２１特許部）″゛５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書２頁１〜２行の「第３図および第４図に示す下型
と、第５図および第６図に示す上型」を「第４図および
第５図に示す下型と、第６図および第７図に示す上型」
と補正する。
ち下側の型板を示す平面図、第２図は同じく半導体装置
の樹脂封止用金型を示す縦断面図、第３図（ａ）および
φ）は位置決め用のプレートを示す平面図と正面図、第
４図は従来の半導体装置の樹脂封止用金型における下型
を示す平面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ断面図、第６図
は従来の半導体装置の樹脂封止用金型における上型を示
す平面図、第７図は第６図の■−■断面図である。 １・・・可動側の型板、３・・・ヒータ、４・・・下定
盤、５・・・キャビティ、６・・・キャビティブロック
、７・・・カル、８・・・ランナ、９・・・センタブロ
ック、２６・・・固定側の型板、２８・・・ヒータ、２
９・・・上定盤、３０・・・キャビティ、３１・・・キ
ャビティブロック、３２・・・ポット、３３・・・セン
タブロック、５５．５６・・・プレート。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 ’：）’：）５５； フ０レート 第４図 ム 第５図 第６図 第７図 手続補正書（ｈ金） 昭和 ６１９月２１日 ２、発明の名称 ｌ＾祿’＞ｔ＞６様セゼ繭−二 ３、補正をする者 三菱電機株式会社内 、−１１、氏名 （７３７
５）弁理士大岩増雄、 ・１（連絡先０３（２１３）３
４２１特許部）″゛５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書２頁１〜２行の「第３図および第４図に示す下型
と、第５図および第６図に示す上型」を「第４図および
第５図に示す下型と、第６図および第７図に示す上型」
と補正する。
Claims (1)
- ヒータを内蔵する定盤に固定されキャビティを有する
キャビティブロックと、このキャビティブロックの側方
に設けられかつ前記定盤に固定されその中央部に樹脂供
給部を有するベースブロックとを備えた半導体装置の樹
脂封止用金型において、前記ベースブロックと前記キャ
ビティブロックとの間に位置決め用のプレートを介装し
、このプレートによって前記両ブロックを一体化したこ
とを特徴とする半導体装置の樹脂封止用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1434587A JPS63181438A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1434587A JPS63181438A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63181438A true JPS63181438A (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=11858480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1434587A Pending JPS63181438A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 半導体装置の樹脂封止用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63181438A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2723336A1 (fr) * | 1994-08-06 | 1996-02-09 | Klockner Desma Elastomertechni | Procede de compensation du bombage des moules de machines a mouler par injection au cours de chaque cycle de moulage par injection, et dispositif pour la mise en oeuvre du procede |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP1434587A patent/JPS63181438A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2723336A1 (fr) * | 1994-08-06 | 1996-02-09 | Klockner Desma Elastomertechni | Procede de compensation du bombage des moules de machines a mouler par injection au cours de chaque cycle de moulage par injection, et dispositif pour la mise en oeuvre du procede |
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