JPS63177823U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はこの考案の一実施例を示
す電極基板の縦断面図および平面図、第３図はこ
の考案の他の実施例を示す電極基板の縦断面図、
第４図は薄膜トランジスタの電気的特性を示す図
である。 １……ガラス基板、２……表示用電極、３……
薄膜トランジスタ、４……ライン状ゲート電極、
４ａ……端子部、５……ゲート絶縁膜、６……非
結晶半導体、７……ソース電極、７ａ……ソース
配線、８……ドレイン電極、９……被覆絶縁膜、
１０……不透明導電膜、１０ａ……導電膜端部、
１１……配向処理膜、１２……絶縁層。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体膜と、この半導体膜の一方の膜面側に絶
   縁膜を介して配置されたゲート電極と、この半導
   体膜に電気的に接続されたソース電極およびドレ
   イン電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、
   前記半導体膜をはさんで、前記ゲート電極と電気
   的に接続された不透明導電膜を絶縁膜を介して前
   記ゲート電極と対向配置して設けたことを特徴と
   する薄膜トランジスタ。