JPS63168859A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS63168859A JPS63168859A JP93287A JP93287A JPS63168859A JP S63168859 A JPS63168859 A JP S63168859A JP 93287 A JP93287 A JP 93287A JP 93287 A JP93287 A JP 93287A JP S63168859 A JPS63168859 A JP S63168859A
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の分野)
本発明はレーザービームを用いて情報を記録するのに用
いられる光ディスク、光カード、光テープ等の光記録媒
体、特に、熱−磁気記録と光−磁気再生を行う光磁気記
録・再生力式で用いられる光磁気記録媒体に関するもの
である。特に、本発明はバランスのとれを特性を有する
光磁気記録材組成の改良に関するものである。
いられる光ディスク、光カード、光テープ等の光記録媒
体、特に、熱−磁気記録と光−磁気再生を行う光磁気記
録・再生力式で用いられる光磁気記録媒体に関するもの
である。特に、本発明はバランスのとれを特性を有する
光磁気記録材組成の改良に関するものである。
(発明の背景)
光磁気記録媒体用の記録層としては希土類金属(RE)
と遷移金属(T M)より成るアモルファス薄膜が実用
化目前にある。この合金系としてHTb。
と遷移金属(T M)より成るアモルファス薄膜が実用
化目前にある。この合金系としてHTb。
Gd 、 D7等のRMとFe 、 Co等のTMとを
垂直磁化膜となる組成比で適宜組合せた種々の系が多数
提案されている。しかし、記録−再生特性および耐久性
に対しては実用上の観点からさら番て嵌1−い要求がな
されており、特に、コンピューターの外部記憶用メディ
アとして使用するシでは耐久性をさらに向上させること
が要求されている。
垂直磁化膜となる組成比で適宜組合せた種々の系が多数
提案されている。しかし、記録−再生特性および耐久性
に対しては実用上の観点からさら番て嵌1−い要求がな
されており、特に、コンピューターの外部記憶用メディ
アとして使用するシでは耐久性をさらに向上させること
が要求されている。
(従来技術)
上記REとTMの組合せは既に種々公知である。
しかし、これら公知のREとTMの各々の組合せの中で
、記録−再生特性および耐久性の観点からREとTMの
組成比をいかに選択するかについて論じた文献は少ない
。
、記録−再生特性および耐久性の観点からREとTMの
組成比をいかに選択するかについて論じた文献は少ない
。
組成と記録媒体としての特性との間の関係について論じ
た文献としては特開昭61−90348号、特開昭61
−90349号、特開昭61−99955号等がある。
た文献としては特開昭61−90348号、特開昭61
−90349号、特開昭61−99955号等がある。
これら3つの文献ではTb −Fe −Co系の記録媒
体の組成を補償組成よりもFe−リッチ側にすべきであ
るということが記載されている。
体の組成を補償組成よりもFe−リッチ側にすべきであ
るということが記載されている。
本発明は上記組成と記録媒体としての諸性能との関係を
多くの実験によって明らかにすべく研究を続けている過
程に於て、上記組成としては補償組成が最適であること
を見出し、本発明を完成した。
多くの実験によって明らかにすべく研究を続けている過
程に於て、上記組成としては補償組成が最適であること
を見出し、本発明を完成した。
(発明の目的)
本発明の目的はノイズレベルが低く、C/’N比および
記録感度が高く、ジッターが小さく、経時劣化の少ない
希土類−遷移金属アモルファスより成る光磁気記録媒体
を提供することにある。
記録感度が高く、ジッターが小さく、経時劣化の少ない
希土類−遷移金属アモルファスより成る光磁気記録媒体
を提供することにある。
(発明の構成)
本発明の提供する光磁気記録媒体は基板と、この基板上
に支持された希土類(RE)と遷移金属(TM)のアモ
ルファス合金の薄膜とを含むレーザービームの照射によ
って情報がキュリー点記録される媒体において、上記希
土類と遷移金属とのアモルファス合金の組成が補償組成
であるか、実質的に補償組成であるか、あるいは補償組
成の近傍である点を特徴としている。
に支持された希土類(RE)と遷移金属(TM)のアモ
ルファス合金の薄膜とを含むレーザービームの照射によ
って情報がキュリー点記録される媒体において、上記希
土類と遷移金属とのアモルファス合金の組成が補償組成
であるか、実質的に補償組成であるか、あるいは補償組
成の近傍である点を特徴としている。
上記RE−TMの組合せとしては光磁気記録材料として
公知の任意の組合せが含まれ、特に、キュリー点記録方
式のTbFe 、 TbFeCo 、 GdTbFe
。
公知の任意の組合せが含まれ、特に、キュリー点記録方
式のTbFe 、 TbFeCo 、 GdTbFe
。
Gd Tb Fe Co 、 Tb Dy Fe等が挙
げられる。これら合金は大面積に均一な記録膜を作ると
いう実用的な観点からアモルファス膜にするのが好まし
い。
げられる。これら合金は大面積に均一な記録膜を作ると
いう実用的な観点からアモルファス膜にするのが好まし
い。
上記基板としてはポリカーゴネート、エポキシ樹脂等の
プラスチック、ガラス、セラミック、金属等の任意の材
料から選択できる。
プラスチック、ガラス、セラミック、金属等の任意の材
料から選択できる。
本発明の特徴は上記RM−TM合金の組成が実質的に補
償組成か、補償組成の近傍にある点にある。
償組成か、補償組成の近傍にある点にある。
先ず、上記補償組成という用語を説明する。一般に上記
RE−TMのアモルファス合金はその結晶性合金と同様
にいわゆるフェリ磁性を示す。これはRE原子(Tb
、 Gd等)とTM原子(Fe 、 Co等)の磁気モ
ーメントが互いに逆方向を向い元系であシ、合金全体の
磁化は単位体積当たシのスピンの磁気モーメントの総和
となる。この磁化は温度が高くなると熱運動のためにス
ピンの方向がバラバラとなシ、終には磁化が消失する(
この温度をキュリー点Tcという)。これはフェリ磁性
体に限らず磁性体全体に共通な現象である。
RE−TMのアモルファス合金はその結晶性合金と同様
にいわゆるフェリ磁性を示す。これはRE原子(Tb
、 Gd等)とTM原子(Fe 、 Co等)の磁気モ
ーメントが互いに逆方向を向い元系であシ、合金全体の
磁化は単位体積当たシのスピンの磁気モーメントの総和
となる。この磁化は温度が高くなると熱運動のためにス
ピンの方向がバラバラとなシ、終には磁化が消失する(
この温度をキュリー点Tcという)。これはフェリ磁性
体に限らず磁性体全体に共通な現象である。
フェリ磁性は上記のように互いに反対な磁気モーメント
を組合せた系と考えられるので、両方の磁気モーメント
が等しくなれば系全体の磁化はみかけ上消失する。これ
を実現するには組成を変えるか温度を変えればよい。す
なわち、REのスピンとTMのスピンは互いに反平行で
あるので、両者の磁気モーメントが完全に打ち消し合う
組成(これを補償組成という)では合金の磁化は消失す
る。この補償組成は組成に関して磁化が消失する場合に
用いられる用語であり、これは温度の関数である。磁化
の消失を温度に関して述べる場合には補償温度(Tco
mp)という。この補償温度(Tcomp)はキュリー
温度(Tc)と同じである場合もあるが、一般には異っ
ている。
を組合せた系と考えられるので、両方の磁気モーメント
が等しくなれば系全体の磁化はみかけ上消失する。これ
を実現するには組成を変えるか温度を変えればよい。す
なわち、REのスピンとTMのスピンは互いに反平行で
あるので、両者の磁気モーメントが完全に打ち消し合う
組成(これを補償組成という)では合金の磁化は消失す
る。この補償組成は組成に関して磁化が消失する場合に
用いられる用語であり、これは温度の関数である。磁化
の消失を温度に関して述べる場合には補償温度(Tco
mp)という。この補償温度(Tcomp)はキュリー
温度(Tc)と同じである場合もあるが、一般には異っ
ている。
光磁気記録ではレーデ−を熱源として上記フェリ磁性体
の磁化を消去し、外部磁界を用いて/あるいは用いずに
磁化を所望の方向に反転させて情報を記録する。この場
合に磁化を消去させる方法によって上記のキュリー点ま
で加熱するキュIJ一点記録法と、補償温度まで加熱す
る補償点記録の2つが一般的に用いられている。後者に
は補償温度が組成によって大きく変るので、工業的に均
一な膜を多量生産するのが難しいため、一般には前者が
用いられ、本発明も前者のキュリー点記録方式を用いて
いる。
の磁化を消去し、外部磁界を用いて/あるいは用いずに
磁化を所望の方向に反転させて情報を記録する。この場
合に磁化を消去させる方法によって上記のキュリー点ま
で加熱するキュIJ一点記録法と、補償温度まで加熱す
る補償点記録の2つが一般的に用いられている。後者に
は補償温度が組成によって大きく変るので、工業的に均
一な膜を多量生産するのが難しいため、一般には前者が
用いられ、本発明も前者のキュリー点記録方式を用いて
いる。
さて、光磁気記録に用いられる記録材料は高密度記録を
実現するために磁化が記録膜に垂直に配向している必要
がある。磁化が垂直に配向する条件は Ku ) 2πM 、2 (ここで、Kuは異方性定数、Msは飽和磁化)であり
、これを満足する材料は多数見出されている。
実現するために磁化が記録膜に垂直に配向している必要
がある。磁化が垂直に配向する条件は Ku ) 2πM 、2 (ここで、Kuは異方性定数、Msは飽和磁化)であり
、これを満足する材料は多数見出されている。
RE−TMのアモルファス膜で垂直磁化膜が得られる組
成は実験的に求められており、−例として、下記の組成
範囲が知られている: TbxFel 、 : 0.1(x(0,4DyXF
e1−1 : 0.2 (x (0,3TbxCo1
−x: 0.2(x(0,35HoXCo1 、 :
0.2(x(0,4実用上は、光磁気記録膜に要求さ
れる他の条件、例えば、Tcが200℃程度であり、C
/N比が高く、ノイズが低く、耐酸化性が良い等の理由
から、3元素あるいはそれ以上の多元系の合金が用いら
れており、特にTbFeCo 、 TbGdFe s等
が一般的である。
成は実験的に求められており、−例として、下記の組成
範囲が知られている: TbxFel 、 : 0.1(x(0,4DyXF
e1−1 : 0.2 (x (0,3TbxCo1
−x: 0.2(x(0,35HoXCo1 、 :
0.2(x(0,4実用上は、光磁気記録膜に要求さ
れる他の条件、例えば、Tcが200℃程度であり、C
/N比が高く、ノイズが低く、耐酸化性が良い等の理由
から、3元素あるいはそれ以上の多元系の合金が用いら
れており、特にTbFeCo 、 TbGdFe s等
が一般的である。
従来、REとTMの組成比を上記の垂直磁化膜の得られ
る組成範囲の中のどこに選ぶかを検討した文献は少なく
、この選択法を理論的に解析した研究も少ない。
る組成範囲の中のどこに選ぶかを検討した文献は少なく
、この選択法を理論的に解析した研究も少ない。
本発明の特徴は上記のアモルファス膜の希土類と遷移金
属の組成を補償組成付近、好ましくは補償組成にした点
にある。
属の組成を補償組成付近、好ましくは補償組成にした点
にある。
上記補償組成付近という用語は、工業的規模で光記録媒
体を製造する場合に避けられない補償組成からの許容誤
差の範囲内に入る組成を言う。
体を製造する場合に避けられない補償組成からの許容誤
差の範囲内に入る組成を言う。
この補償組成は2元系の場合は一義的に決まるが、三元
系以上では一定の領域を構成し、これらの値は実験的に
求めることができる。
系以上では一定の領域を構成し、これらの値は実験的に
求めることができる。
−例として、Tb −Fe −Coの三元系アモルファ
ス合金の場合には、系をTbz (Fe100−y ”
y)100−xで表わすと、下記のXおよびyで補償組
成となる:Fe(100−y) : Coy:
Tb(x)これらの薄膜は通常ス・ぐツタリングによっ
て基板上に形成できるが、他の方法を用いてもよい。
ス合金の場合には、系をTbz (Fe100−y ”
y)100−xで表わすと、下記のXおよびyで補償組
成となる:Fe(100−y) : Coy:
Tb(x)これらの薄膜は通常ス・ぐツタリングによっ
て基板上に形成できるが、他の方法を用いてもよい。
この補償組成のRE−TMアモルファス合金膜は保持力
(Hc)が無限大に発散するため(測定できないため)
、記録膜組成としては用いられなかりた。しかし、本出
願の実験結果によると、この補償組成の膜は下記の点で
光磁気記録媒体として最も優れていることが確認された
。すなわち、(1)C/N比が高い : C/N比
は補償組成で最大となる。
(Hc)が無限大に発散するため(測定できないため)
、記録膜組成としては用いられなかりた。しかし、本出
願の実験結果によると、この補償組成の膜は下記の点で
光磁気記録媒体として最も優れていることが確認された
。すなわち、(1)C/N比が高い : C/N比
は補償組成で最大となる。
(2)ノイズレベルが低b
(3)角形比が1に近い
(4)ジッターが小さい ニジツタ−は補償組成で最低
となる。
となる。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
(実施例)
直径130+m、厚さ1.21のポリカーゴネート(p
c)基板を真空蒸着装置にセットし、FeCoとTbと
を2元とする電子ビーム蒸着法によ、j)FeCoTb
のアモルファス薄膜を厚さ800kに形成した。
c)基板を真空蒸着装置にセットし、FeCoとTbと
を2元とする電子ビーム蒸着法によ、j)FeCoTb
のアモルファス薄膜を厚さ800kに形成した。
とのBES −F@−Co、、 VCW寸X Tbの+
x−+r**複数の光磁気ディスクを作った。He 、
Ms 、 TcはVSMにより、カー回転角はカーヒ
ステリシスルーグにより測定した。また、記録再生特性
は差動光学系を有する評価装置により半径45s!l+
の位置で測定した。なお、Tb含有率は基板に付着した
膜を螢光X線分析により求めた。
x−+r**複数の光磁気ディスクを作った。He 、
Ms 、 TcはVSMにより、カー回転角はカーヒ
ステリシスルーグにより測定した。また、記録再生特性
は差動光学系を有する評価装置により半径45s!l+
の位置で測定した。なお、Tb含有率は基板に付着した
膜を螢光X線分析により求めた。
第1図はTbx (”89 ”11)LOG−x膜のM
s 、 HeおよびTcの組成依存性を示しており、補
償組成はTb = 27原子係付近にある。Tcは実験
範囲内でほぼ200℃を示している。−力、C/N比は
)(cと同様な挙動を組成に対して示している。
s 、 HeおよびTcの組成依存性を示しており、補
償組成はTb = 27原子係付近にある。Tcは実験
範囲内でほぼ200℃を示している。−力、C/N比は
)(cと同様な挙動を組成に対して示している。
第2図はTb −17ツチ側でノイズレベルが高くなる
ことを示している。また、第3図は補償組成(Tb =
27原子%)の膜はFe −IJプツチおよびTbリ
ッチ側の@に比べて最適記録パワーの外部磁界依存性が
小さいことを示している。
ことを示している。また、第3図は補償組成(Tb =
27原子%)の膜はFe −IJプツチおよびTbリ
ッチ側の@に比べて最適記録パワーの外部磁界依存性が
小さいことを示している。
第4図はジッターのTb含有率に対する挙動を示してお
り、補償組成(Tb=27原子%)の所でノック−のσ
が最低になっている。
り、補償組成(Tb=27原子%)の所でノック−のσ
が最低になっている。
第5図にはTbv (”FI9 ”11)100−vの
Tb含有率(、X=原子係)依存性を示しており、補償
組成(X=27原子係)付近でCA比が・最大となるこ
とを示している。
Tb含有率(、X=原子係)依存性を示しており、補償
組成(X=27原子係)付近でCA比が・最大となるこ
とを示している。
第1図はTbx(Fe89”11)100−x膜のTh
含有率(X=原子%)K対するHe 、 Ms 、 T
cの依存性を示す図 第2図は上記膜の外部磁界(Hcx)に対するC/N比
およびノイズレベル(NL)のTb含有率依存性を示す
図。 第3図は外部磁界に対する上記膜の最適記録・臂ワーの
依存性を示す図。 第4図は上記膜のTb含有率に対するジッターの依存性
を示す図。 第5図は上記膜のC/′N比のTb含有率依存性を示す
図。
含有率(X=原子%)K対するHe 、 Ms 、 T
cの依存性を示す図 第2図は上記膜の外部磁界(Hcx)に対するC/N比
およびノイズレベル(NL)のTb含有率依存性を示す
図。 第3図は外部磁界に対する上記膜の最適記録・臂ワーの
依存性を示す図。 第4図は上記膜のTb含有率に対するジッターの依存性
を示す図。 第5図は上記膜のC/′N比のTb含有率依存性を示す
図。
Claims (3)
- (1)基板と、この基板上に支持された希土類−遷移金
属アモルファス合金よりなる光磁気記録材薄膜とを含む
レーザービームの照射によって情報をキュリー点記録す
る光磁気記録媒体において、上記の希土類−遷移金属ア
モルファス合金の組成が補償組成であることを特徴とす
る光磁気記録媒体。 - (2)上記希土類−遷移金属アモルファス合金が鉄、テ
ルビウムおよびコバルトの三元系アモルファス合金であ
り、この合金が補償組成であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の光磁気記録媒体。 - (3)上記光磁気記録材薄膜の保持力(Hc)が20k
Oe以上であることを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP93287A JPS63168859A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP93287A JPS63168859A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63168859A true JPS63168859A (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=11487454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP93287A Pending JPS63168859A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63168859A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61165846A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-26 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-01-06 JP JP93287A patent/JPS63168859A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61165846A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-26 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
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