JPS63168859A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS63168859A JPS63168859A JP93287A JP93287A JPS63168859A JP S63168859 A JPS63168859 A JP S63168859A JP 93287 A JP93287 A JP 93287A JP 93287 A JP93287 A JP 93287A JP S63168859 A JPS63168859 A JP S63168859A
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明はレーザービームを用いて情報を記録するのに用
いられる光ディスク、光カード、光テープ等の光記録媒
体、特に、熱−磁気記録と光−磁気再生を行う光磁気記
録・再生力式で用いられる光磁気記録媒体に関するもの
である。特に、本発明はバランスのとれを特性を有する
光磁気記録材組成の改良に関するものである。
いられる光ディスク、光カード、光テープ等の光記録媒
体、特に、熱−磁気記録と光−磁気再生を行う光磁気記
録・再生力式で用いられる光磁気記録媒体に関するもの
である。特に、本発明はバランスのとれを特性を有する
光磁気記録材組成の改良に関するものである。
（発明の背景）
光磁気記録媒体用の記録層としては希土類金属（ＲＥ）
と遷移金属（Ｔ Ｍ）より成るアモルファス薄膜が実用
化目前にある。この合金系としてＨＴｂ。
と遷移金属（Ｔ Ｍ）より成るアモルファス薄膜が実用
化目前にある。この合金系としてＨＴｂ。
Ｇｄ 、 Ｄ７等のＲＭとＦｅ 、 Ｃｏ等のＴＭとを
垂直磁化膜となる組成比で適宜組合せた種々の系が多数
提案されている。しかし、記録−再生特性および耐久性
に対しては実用上の観点からさら番て嵌１−い要求がな
されており、特に、コンピューターの外部記憶用メディ
アとして使用するシでは耐久性をさらに向上させること
が要求されている。
垂直磁化膜となる組成比で適宜組合せた種々の系が多数
提案されている。しかし、記録−再生特性および耐久性
に対しては実用上の観点からさら番て嵌１−い要求がな
されており、特に、コンピューターの外部記憶用メディ
アとして使用するシでは耐久性をさらに向上させること
が要求されている。
（従来技術）
上記ＲＥとＴＭの組合せは既に種々公知である。
しかし、これら公知のＲＥとＴＭの各々の組合せの中で
、記録−再生特性および耐久性の観点からＲＥとＴＭの
組成比をいかに選択するかについて論じた文献は少ない
。
、記録−再生特性および耐久性の観点からＲＥとＴＭの
組成比をいかに選択するかについて論じた文献は少ない
。
組成と記録媒体としての特性との間の関係について論じ
た文献としては特開昭６１−９０３４８号、特開昭６１
−９０３４９号、特開昭６１−９９９５５号等がある。
た文献としては特開昭６１−９０３４８号、特開昭６１
−９０３４９号、特開昭６１−９９９５５号等がある。
これら３つの文献ではＴｂ −Ｆｅ −Ｃｏ系の記録媒
体の組成を補償組成よりもＦｅ−リッチ側にすべきであ
るということが記載されている。
体の組成を補償組成よりもＦｅ−リッチ側にすべきであ
るということが記載されている。
本発明は上記組成と記録媒体としての諸性能との関係を
多くの実験によって明らかにすべく研究を続けている過
程に於て、上記組成としては補償組成が最適であること
を見出し、本発明を完成した。
多くの実験によって明らかにすべく研究を続けている過
程に於て、上記組成としては補償組成が最適であること
を見出し、本発明を完成した。
（発明の目的）
本発明の目的はノイズレベルが低く、Ｃ／’Ｎ比および
記録感度が高く、ジッターが小さく、経時劣化の少ない
希土類−遷移金属アモルファスより成る光磁気記録媒体
を提供することにある。
記録感度が高く、ジッターが小さく、経時劣化の少ない
希土類−遷移金属アモルファスより成る光磁気記録媒体
を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の提供する光磁気記録媒体は基板と、この基板上
に支持された希土類（ＲＥ）と遷移金属（ＴＭ）のアモ
ルファス合金の薄膜とを含むレーザービームの照射によ
って情報がキュリー点記録される媒体において、上記希
土類と遷移金属とのアモルファス合金の組成が補償組成
であるか、実質的に補償組成であるか、あるいは補償組
成の近傍である点を特徴としている。
に支持された希土類（ＲＥ）と遷移金属（ＴＭ）のアモ
ルファス合金の薄膜とを含むレーザービームの照射によ
って情報がキュリー点記録される媒体において、上記希
土類と遷移金属とのアモルファス合金の組成が補償組成
であるか、実質的に補償組成であるか、あるいは補償組
成の近傍である点を特徴としている。
上記ＲＥ−ＴＭの組合せとしては光磁気記録材料として
公知の任意の組合せが含まれ、特に、キュリー点記録方
式のＴｂＦｅ 、 ＴｂＦｅＣｏ 、 ＧｄＴｂＦｅ
。
公知の任意の組合せが含まれ、特に、キュリー点記録方
式のＴｂＦｅ 、 ＴｂＦｅＣｏ 、 ＧｄＴｂＦｅ
。
Ｇｄ Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ 、 Ｔｂ Ｄｙ Ｆｅ等が挙
げられる。これら合金は大面積に均一な記録膜を作ると
いう実用的な観点からアモルファス膜にするのが好まし
い。
げられる。これら合金は大面積に均一な記録膜を作ると
いう実用的な観点からアモルファス膜にするのが好まし
い。
上記基板としてはポリカーゴネート、エポキシ樹脂等の
プラスチック、ガラス、セラミック、金属等の任意の材
料から選択できる。
プラスチック、ガラス、セラミック、金属等の任意の材
料から選択できる。
本発明の特徴は上記ＲＭ−ＴＭ合金の組成が実質的に補
償組成か、補償組成の近傍にある点にある。
償組成か、補償組成の近傍にある点にある。
先ず、上記補償組成という用語を説明する。一般に上記
ＲＥ−ＴＭのアモルファス合金はその結晶性合金と同様
にいわゆるフェリ磁性を示す。これはＲＥ原子（Ｔｂ
、 Ｇｄ等）とＴＭ原子（Ｆｅ 、 Ｃｏ等）の磁気モ
ーメントが互いに逆方向を向い元系であシ、合金全体の
磁化は単位体積当たシのスピンの磁気モーメントの総和
となる。この磁化は温度が高くなると熱運動のためにス
ピンの方向がバラバラとなシ、終には磁化が消失する（
この温度をキュリー点Ｔｃという）。これはフェリ磁性
体に限らず磁性体全体に共通な現象である。
ＲＥ−ＴＭのアモルファス合金はその結晶性合金と同様
にいわゆるフェリ磁性を示す。これはＲＥ原子（Ｔｂ
、 Ｇｄ等）とＴＭ原子（Ｆｅ 、 Ｃｏ等）の磁気モ
ーメントが互いに逆方向を向い元系であシ、合金全体の
磁化は単位体積当たシのスピンの磁気モーメントの総和
となる。この磁化は温度が高くなると熱運動のためにス
ピンの方向がバラバラとなシ、終には磁化が消失する（
この温度をキュリー点Ｔｃという）。これはフェリ磁性
体に限らず磁性体全体に共通な現象である。
フェリ磁性は上記のように互いに反対な磁気モーメント
を組合せた系と考えられるので、両方の磁気モーメント
が等しくなれば系全体の磁化はみかけ上消失する。これ
を実現するには組成を変えるか温度を変えればよい。す
なわち、ＲＥのスピンとＴＭのスピンは互いに反平行で
あるので、両者の磁気モーメントが完全に打ち消し合う
組成（これを補償組成という）では合金の磁化は消失す
る。この補償組成は組成に関して磁化が消失する場合に
用いられる用語であり、これは温度の関数である。磁化
の消失を温度に関して述べる場合には補償温度（Ｔｃｏ
ｍｐ）という。この補償温度（Ｔｃｏｍｐ）はキュリー
温度（Ｔｃ）と同じである場合もあるが、一般には異っ
ている。
を組合せた系と考えられるので、両方の磁気モーメント
が等しくなれば系全体の磁化はみかけ上消失する。これ
を実現するには組成を変えるか温度を変えればよい。す
なわち、ＲＥのスピンとＴＭのスピンは互いに反平行で
あるので、両者の磁気モーメントが完全に打ち消し合う
組成（これを補償組成という）では合金の磁化は消失す
る。この補償組成は組成に関して磁化が消失する場合に
用いられる用語であり、これは温度の関数である。磁化
の消失を温度に関して述べる場合には補償温度（Ｔｃｏ
ｍｐ）という。この補償温度（Ｔｃｏｍｐ）はキュリー
温度（Ｔｃ）と同じである場合もあるが、一般には異っ
ている。
光磁気記録ではレーデ−を熱源として上記フェリ磁性体
の磁化を消去し、外部磁界を用いて／あるいは用いずに
磁化を所望の方向に反転させて情報を記録する。この場
合に磁化を消去させる方法によって上記のキュリー点ま
で加熱するキュＩＪ一点記録法と、補償温度まで加熱す
る補償点記録の２つが一般的に用いられている。後者に
は補償温度が組成によって大きく変るので、工業的に均
一な膜を多量生産するのが難しいため、一般には前者が
用いられ、本発明も前者のキュリー点記録方式を用いて
いる。
の磁化を消去し、外部磁界を用いて／あるいは用いずに
磁化を所望の方向に反転させて情報を記録する。この場
合に磁化を消去させる方法によって上記のキュリー点ま
で加熱するキュＩＪ一点記録法と、補償温度まで加熱す
る補償点記録の２つが一般的に用いられている。後者に
は補償温度が組成によって大きく変るので、工業的に均
一な膜を多量生産するのが難しいため、一般には前者が
用いられ、本発明も前者のキュリー点記録方式を用いて
いる。
さて、光磁気記録に用いられる記録材料は高密度記録を
実現するために磁化が記録膜に垂直に配向している必要
がある。磁化が垂直に配向する条件は Ｋｕ ） ２πＭ 、２ （ここで、Ｋｕは異方性定数、Ｍｓは飽和磁化）であり
、これを満足する材料は多数見出されている。
実現するために磁化が記録膜に垂直に配向している必要
がある。磁化が垂直に配向する条件は Ｋｕ ） ２πＭ 、２ （ここで、Ｋｕは異方性定数、Ｍｓは飽和磁化）であり
、これを満足する材料は多数見出されている。
ＲＥ−ＴＭのアモルファス膜で垂直磁化膜が得られる組
成は実験的に求められており、−例として、下記の組成
範囲が知られている： ＴｂｘＦｅｌ 、 ： ０．１（ｘ（０，４ＤｙＸＦ
ｅ１−１ ： ０．２ （ｘ （０，３ＴｂｘＣｏ１
−ｘ： ０．２（ｘ（０，３５ＨｏＸＣｏ１ 、 ：
０．２（ｘ（０，４実用上は、光磁気記録膜に要求さ
れる他の条件、例えば、Ｔｃが２００℃程度であり、Ｃ
／Ｎ比が高く、ノイズが低く、耐酸化性が良い等の理由
から、３元素あるいはそれ以上の多元系の合金が用いら
れており、特にＴｂＦｅＣｏ 、 ＴｂＧｄＦｅ ｓ等
が一般的である。
成は実験的に求められており、−例として、下記の組成
範囲が知られている： ＴｂｘＦｅｌ 、 ： ０．１（ｘ（０，４ＤｙＸＦ
ｅ１−１ ： ０．２ （ｘ （０，３ＴｂｘＣｏ１
−ｘ： ０．２（ｘ（０，３５ＨｏＸＣｏ１ 、 ：
０．２（ｘ（０，４実用上は、光磁気記録膜に要求さ
れる他の条件、例えば、Ｔｃが２００℃程度であり、Ｃ
／Ｎ比が高く、ノイズが低く、耐酸化性が良い等の理由
から、３元素あるいはそれ以上の多元系の合金が用いら
れており、特にＴｂＦｅＣｏ 、 ＴｂＧｄＦｅ ｓ等
が一般的である。
従来、ＲＥとＴＭの組成比を上記の垂直磁化膜の得られ
る組成範囲の中のどこに選ぶかを検討した文献は少なく
、この選択法を理論的に解析した研究も少ない。
る組成範囲の中のどこに選ぶかを検討した文献は少なく
、この選択法を理論的に解析した研究も少ない。
本発明の特徴は上記のアモルファス膜の希土類と遷移金
属の組成を補償組成付近、好ましくは補償組成にした点
にある。
属の組成を補償組成付近、好ましくは補償組成にした点
にある。
上記補償組成付近という用語は、工業的規模で光記録媒
体を製造する場合に避けられない補償組成からの許容誤
差の範囲内に入る組成を言う。
体を製造する場合に避けられない補償組成からの許容誤
差の範囲内に入る組成を言う。
この補償組成は２元系の場合は一義的に決まるが、三元
系以上では一定の領域を構成し、これらの値は実験的に
求めることができる。
系以上では一定の領域を構成し、これらの値は実験的に
求めることができる。
−例として、Ｔｂ −Ｆｅ −Ｃｏの三元系アモルファ
ス合金の場合には、系をＴｂｚ （Ｆｅ１００−ｙ ”
ｙ）１００−ｘで表わすと、下記のＸおよびｙで補償組
成となる：Ｆｅ（１００−ｙ） ： Ｃｏｙ：
Ｔｂ（ｘ）これらの薄膜は通常ス・ぐツタリングによっ
て基板上に形成できるが、他の方法を用いてもよい。
ス合金の場合には、系をＴｂｚ （Ｆｅ１００−ｙ ”
ｙ）１００−ｘで表わすと、下記のＸおよびｙで補償組
成となる：Ｆｅ（１００−ｙ） ： Ｃｏｙ：
Ｔｂ（ｘ）これらの薄膜は通常ス・ぐツタリングによっ
て基板上に形成できるが、他の方法を用いてもよい。
この補償組成のＲＥ−ＴＭアモルファス合金膜は保持力
（Ｈｃ）が無限大に発散するため（測定できないため）
、記録膜組成としては用いられなかりた。しかし、本出
願の実験結果によると、この補償組成の膜は下記の点で
光磁気記録媒体として最も優れていることが確認された
。すなわち、（１）Ｃ／Ｎ比が高い ： Ｃ／Ｎ比
は補償組成で最大となる。
（Ｈｃ）が無限大に発散するため（測定できないため）
、記録膜組成としては用いられなかりた。しかし、本出
願の実験結果によると、この補償組成の膜は下記の点で
光磁気記録媒体として最も優れていることが確認された
。すなわち、（１）Ｃ／Ｎ比が高い ： Ｃ／Ｎ比
は補償組成で最大となる。
（２）ノイズレベルが低ｂ
（３）角形比が１に近い
（４）ジッターが小さい ニジツタ−は補償組成で最低
となる。
となる。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
（実施例）
直径１３０＋ｍ、厚さ１．２１のポリカーゴネート（ｐ
ｃ）基板を真空蒸着装置にセットし、ＦｅＣｏとＴｂと
を２元とする電子ビーム蒸着法によ、ｊ）ＦｅＣｏＴｂ
のアモルファス薄膜を厚さ８００ｋに形成した。
ｃ）基板を真空蒸着装置にセットし、ＦｅＣｏとＴｂと
を２元とする電子ビーム蒸着法によ、ｊ）ＦｅＣｏＴｂ
のアモルファス薄膜を厚さ８００ｋに形成した。
とのＢＥＳ −Ｆ＠−Ｃｏ、、 ＶＣＷ寸Ｘ Ｔｂの＋
ｘ−＋ｒ＊＊複数の光磁気ディスクを作った。Ｈｅ 、
Ｍｓ 、 ＴｃはＶＳＭにより、カー回転角はカーヒ
ステリシスルーグにより測定した。また、記録再生特性
は差動光学系を有する評価装置により半径４５ｓ！ｌ＋
の位置で測定した。なお、Ｔｂ含有率は基板に付着した
膜を螢光Ｘ線分析により求めた。
ｘ−＋ｒ＊＊複数の光磁気ディスクを作った。Ｈｅ 、
Ｍｓ 、 ＴｃはＶＳＭにより、カー回転角はカーヒ
ステリシスルーグにより測定した。また、記録再生特性
は差動光学系を有する評価装置により半径４５ｓ！ｌ＋
の位置で測定した。なお、Ｔｂ含有率は基板に付着した
膜を螢光Ｘ線分析により求めた。
第１図はＴｂｘ （”８９ ”１１）ＬＯＧ−ｘ膜のＭ
ｓ 、 ＨｅおよびＴｃの組成依存性を示しており、補
償組成はＴｂ ＝ ２７原子係付近にある。Ｔｃは実験
範囲内でほぼ２００℃を示している。−力、Ｃ／Ｎ比は
）（ｃと同様な挙動を組成に対して示している。
ｓ 、 ＨｅおよびＴｃの組成依存性を示しており、補
償組成はＴｂ ＝ ２７原子係付近にある。Ｔｃは実験
範囲内でほぼ２００℃を示している。−力、Ｃ／Ｎ比は
）（ｃと同様な挙動を組成に対して示している。
第２図はＴｂ −１７ツチ側でノイズレベルが高くなる
ことを示している。また、第３図は補償組成（Ｔｂ ＝
２７原子％）の膜はＦｅ −ＩＪプツチおよびＴｂリ
ッチ側の＠に比べて最適記録パワーの外部磁界依存性が
小さいことを示している。
ことを示している。また、第３図は補償組成（Ｔｂ ＝
２７原子％）の膜はＦｅ −ＩＪプツチおよびＴｂリ
ッチ側の＠に比べて最適記録パワーの外部磁界依存性が
小さいことを示している。
第４図はジッターのＴｂ含有率に対する挙動を示してお
り、補償組成（Ｔｂ＝２７原子％）の所でノック−のσ
が最低になっている。
り、補償組成（Ｔｂ＝２７原子％）の所でノック−のσ
が最低になっている。
第５図にはＴｂｖ （”ＦＩ９ ”１１）１００−ｖの
Ｔｂ含有率（、Ｘ＝原子係）依存性を示しており、補償
組成（Ｘ＝２７原子係）付近でＣＡ比が・最大となるこ
とを示している。
Ｔｂ含有率（、Ｘ＝原子係）依存性を示しており、補償
組成（Ｘ＝２７原子係）付近でＣＡ比が・最大となるこ
とを示している。
第１図はＴｂｘ（Ｆｅ８９”１１）１００−ｘ膜のＴｈ
含有率（Ｘ＝原子％）Ｋ対するＨｅ 、 Ｍｓ 、 Ｔ
ｃの依存性を示す図 第２図は上記膜の外部磁界（Ｈｃｘ）に対するＣ／Ｎ比
およびノイズレベル（ＮＬ）のＴｂ含有率依存性を示す
図。 第３図は外部磁界に対する上記膜の最適記録・臂ワーの
依存性を示す図。 第４図は上記膜のＴｂ含有率に対するジッターの依存性
を示す図。 第５図は上記膜のＣ／′Ｎ比のＴｂ含有率依存性を示す
図。
含有率（Ｘ＝原子％）Ｋ対するＨｅ 、 Ｍｓ 、 Ｔ
ｃの依存性を示す図 第２図は上記膜の外部磁界（Ｈｃｘ）に対するＣ／Ｎ比
およびノイズレベル（ＮＬ）のＴｂ含有率依存性を示す
図。 第３図は外部磁界に対する上記膜の最適記録・臂ワーの
依存性を示す図。 第４図は上記膜のＴｂ含有率に対するジッターの依存性
を示す図。 第５図は上記膜のＣ／′Ｎ比のＴｂ含有率依存性を示す
図。
Claims (3)
- （１）基板と、この基板上に支持された希土類−遷移金
属アモルファス合金よりなる光磁気記録材薄膜とを含む
レーザービームの照射によって情報をキュリー点記録す
る光磁気記録媒体において、上記の希土類−遷移金属ア
モルファス合金の組成が補償組成であることを特徴とす
る光磁気記録媒体。 - （２）上記希土類−遷移金属アモルファス合金が鉄、テ
ルビウムおよびコバルトの三元系アモルファス合金であ
り、この合金が補償組成であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。 - （３）上記光磁気記録材薄膜の保持力（Ｈｃ）が２０ｋ
Ｏｅ以上であることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP93287A JPS63168859A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP93287A JPS63168859A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63168859A true JPS63168859A (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=11487454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP93287A Pending JPS63168859A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63168859A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61165846A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-26 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-01-06 JP JP93287A patent/JPS63168859A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61165846A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-26 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
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