JPS63164049A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、光磁気記録媒体およびその製造方法に関し、
ざらに詳しくは、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有す
る非晶質合金薄膜からなる光磁気記録媒体およびその製
造方法に関する。

発明の支％的背景ならびにその問題点 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る非晶質薄膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し
、一方向に仝面磁化された膜面にこの全面磁化方向とは
逆向きの小さな反転磁区を形成することができることが
知られている。この反転磁区の有無を「１」、ｒＯＪに
対応させることによって、上記のような非晶質薄膜にデ
ジタル信号を記録させることが可能となる。

このような光磁気記録媒体として用いられる遷移金属と
希土類元素とからなる非晶質薄膜としては、たとえば特
公昭５７−２０６９１＠公報に１５〜３０ａｔｏｍ％の
−ｒ　ｂを含むＴｂ−Ｆｅ系合金非晶質薄膜が開示され
ている。この非晶質薄膜に用いられている希土類元素と
しての−ｒ　ｂは、希土類元素のうらではいわゆる重希
土類元素に分類されている。このような重希土類元素と
、鉄、コバルトなどの遷移金属との合金からなる光磁気
記録媒体は広く研究されている。

ところが同じ希土類元素であってもＥＵ以下のいわゆる
軽希土類元素と遷移金属との合金からなる光磁気記録媒
体はあまり研究されておらず、わずかにＮｄ−Ｆｅ系合
金非晶質薄膜、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金非晶質薄膜が光
磁気記録媒体として用いられうろことが、たとえばＪ、
Ａｐｐｌ。

Ｐ　ｈ　Ｖ　Ｓ　、旦ユ　３９０６　（１９８５）など
に報告されているにすぎない。このＮｄ−Ｆｅ系あるい
はＮｄ−Ｆｅ−Ｇｏ系合金非晶貿薄膜からなる光磁気記
録媒体は、Ｎｄが比較的安価であるとともに、カー回転
角θｋが大きく、優れた読み出し性能（Ｃ／Ｎ比）を有
しており、光磁気記録媒体として期待されている。

ところがこのＮｄ−Ｆｅ系あるいはＮｄ−Ｆｅ−Ｃｏ系
合金非晶貿博膜は、その成膜時に基板温度を高めないと
、基板上に、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する垂
直磁化膜を形成することがでさ゛ないという問題点があ
った。（（例：電気学会マグネティックス研究会資料　
ＭＡＧ−８５−９１Ｐ１７（１９８５））もし基板を加
熱した状態にしなければ、基板上に垂直磁化膜を形成す
ることができないと、たとえばプラスチックスなどの耐
熱性に劣る有機材料からなる基板上には垂直磁化膜を形
成することができない。

またこのＮｄ−Ｆｅ系あるいはＮｄ−Ｆｅ−Ｃ○系合金
非晶貿薄膜は、優れた磁気特性を有しているが、さらに
垂直磁気異方性エネルギーＫｕおよσ保磁力ＨＣの改良
ならびに飽和磁化ＭＳの改良が望まれている。

ところで特開昭６１−１６５８４７号公報には、組成式
［（Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅ）　　　　（Ｔｂ。

−Ｘ Ｇｄ、Ｄｙ＞　　］　　（Ｆｅ、Ｃ０２Ｎ　ｉ　）１−
。

ｙ （式中Ｑ＜Ｘ≦０．５．０．１≦ｙ≦０．４Ｆある）で
表わされる、軽希土類金属３ｍ、　Ｎｄ。

Ｐｒ・、Ｃｅのうら１種類以上、遷移金属Ｆｅ。

Ｎｉ、Ｃｏのうち１種類以上および重希土類全屈Ｔｂ、
Ｇｄ、Ｄｙのうち１種類以上からなる光磁気記録媒体が
開示されている。そしてこの公報では、実施例として（
Ｎｄｘｏ、−ｘ＞　Ｑ、２５ＦＣ０，７５からなる光磁
気記録媒体が開示されている。

ところが上記のような組成範囲の光磁気記録媒体は、カ
ー回転角については満足のいく値を有しでいるが、保持
力が１．０ＫＯｅ未満と小ざく、このため外部磁気の影
響を受けて記録が消滅−りる恐れが必るという大ぎな問
題点があることが本発明者らににつて見出された。

本発明者らは、上記のような問題点を一挙に解決づ−べ
く鋭意研究したところ、Ｎｄ−Ｆｅ系あるいはＮ　ｄ　
−Ｆ　ｅ　−Ｇ　ｏ系合金に、さらに特定の重希土類元
素を特定量で含有させることにＪ、す、上記の問題点が
解決されることを見出して、本発明を完成するに至った
。

発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとするものであって、成膜時に基板温度を高めな
くとも基板上に優れた磁気特性を有する垂直磁化膜を形
成でき、しかも保持力が１．０ＫＯｅ以上であるような
、Ｎｄ−Ｆｅ系あるいはＮｄ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金非晶貿
Ｎ膜からなる光磁気記録媒体ならびにその製造方法を提
供することを目的としている。

発明の概要 本発明に係る第１の光磁気記録媒体は、膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有するＮｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金薄膜（式
中ＭはＨｂ、ｏｙまたは［・１０である）からなり、こ
の合金薄膜組成をＮｄ、Ｍ。

Ｆｅ２として表わした場合に、Ｘ／Ｚ　　（原子比）が
０．５未満であるとともにｙ／ｘ＋ｙ＋ｚ　　（原子比
）が０．１〜０．３であり、かつｘ／ｙ（原子比）が１
未満であることを特徴としている。

また本発明に係る第２の光磁気記録媒体は、膜面に垂直
な方向に磁化容易軸を有するＮｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合
金薄膜（式中ＭはＴｂ、Ｄｙまたは１−１０である）か
らなり、この合金薄膜組成をｘ＋ｙ＋ｚ＋ｍ　　（Ｉｌ
ｊ？を子比）が０．１〜０．３であり、かつｘ／ｙ（原
子比）が１未満で市ることを特徴としている。

さらに本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法は、基板
温度を１５０’Ｃ以下に保ちながら、基板上にＮｄ−Ｍ
−Ｆｅ系合金薄膜またはＮｄ−Ｍ−Ｆ　ｅ　・−Ｃｏ系
合金薄膜（式中ＭはＴｂ、Ｄ’ｙ’または１−１０であ
る）を被着させることを特徴としている。

本発明に係る光磁気記録媒体は、膜面に垂直な方向に磁
化容易’ｔｌ＋を有する特定の組成Ｎｄ−Ｍ−Ｆ　ｅ系
合金薄膜またはＮｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄膜からな
っているので、基板−Ｆに該）Ｗ膜を成膜りるに際して
、基板を加熱する必要がなく、したがって、プラスチッ
クスなどの有機材料からなる基板上にも前記合金薄膜を
形成Ｊることかできる。しか・ｂ、本発明に係る合金薄
膜からなる光磁気記録媒体は、垂直磁気異方性エネルギ
ー、保磁力ならびに飽和磁化などの点、特に保磁力の点
で優れた磁気特性を有している。

発明の詳細な説明 以下本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説明
する。

本発明に係る第１の光磁気記録媒体は、膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有するＮｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金薄膜（式
中、ＭはＴｂ、Ｄｙまたは１１０である）からなってい
る。

Ｎｄ−Ｆｅ系合金薄膜からなる垂直磁化膜に、Ｔｂ、Ｄ
ｙまたはＨｏを添加することによって、この薄膜を基板
上に成膜するに際して、基板温度を上げる必要がなく、
室温程度の温度においても基板上に上記薄膜を成膜する
ことができる。

またＮｄ−Ｆｅ系にＴｂ、ＤＶまタハｔ−ｔ　ｏ　ヲ特
定量で添加すると、得られる垂直磁化膜の垂直磁気異方
性エネルギーＫｕが大きくなるとともに飽和磁化ＭＳは
小さくなり、しかも保磁力ＨＣは大きくなって、微小磁
区が安定に存在できるようになる。このため、この垂直
磁化膜に高密度磁気記録をすることが可能となる。

このＮｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金薄膜をＮｄｘＭ。

Ｆｅ　　として表わした場合に、Ｎｄ／Ｆｅ　（原子比
）であるＸ／Ｚは０．５未満好ましくは０．１〜０．４
であるとともにＭの含有率であるｙ／ｘ＋ｙ＋ｚ（原子
比）は０．１〜０．３である。またＮｄとＭとの原子比
であるｘ／ｙ（原子比）は１未満である。：ししｘ／ｙ
（原子比）が１以上であると、得られる光磁気記録媒体
の保磁力はＩＫＯｅ未満と小さく、外部磁気の影響を受
けて記録が消滅する恐れがあるという大ぎな問題点を生
じてしまう。

さらにＭがＤｙまたは１−１０である場合には、Ｎｄの
含有率であるＸ／ＸＱ＋Ｚ　　（原子比）は０．１〜０
．４であることが好ましく、ＭがＴｂである場合には、
Ｎｄの含有率であるＸ／Ｘ＋Ｖ＋Ｚ　　（原子比）は０
．０５〜０．３であることが好ましい。

上記のような組成範囲でＮｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金薄膜を形
成すると、カー・ヒステリシスが良好な角形ループを示
万とともに、保磁力に優れた垂直磁化膜が得られる。

本発明に係る第２の光磁気記録媒体は、膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有するＮｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄
膜（式中、Ｍは−ｒｂ、ＤＶまたは１−１０である）か
らなっている。

Ｎ　ｄ　−Ｍ−Ｆ　ｅ系合金薄膜に、ＣＯを添加するこ
とによって、得られる薄膜のカー回転角θｋを大きくす
ることができる。　、 このＮｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄膜は、Ｎｄ−Ｍ　−
Ｆ　ｅ系合金薄膜と同様に、この薄膜を基板上に成膜す
るに際して、基板温度を上げる必要がなく、室温程度の
温度においても基板上に上記薄膜を成膜することができ
る。

このＮｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄膜をＮｄｘＭｙＦｅ
２ＣＯｍとして表わした場合に、Ｎｄ／［：Ｃ十ＣＯ（
原子比）であるｘ／ｚ＋ｍは０．５未満であるとともに
Ｍの含有率であるｙ／ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｍ　　（原子比）は
０．１〜０．３である。またＮｄとＭとの原子比である
ｘ／ｙ　（原子比）は１未満である。

もしｘ、”ｙ　（原子比）が１以上であると、得られる
光磁気記録媒体の保磁力はＩＫＯｅ未満と小さく、外部
磁気の影響を受けて記録が消滅する恐れがあるという大
きな問題点を生じてしまう。　　゛ざらにＭがＤｙまた
はＨＯである場合には、Ｎｄの含有率であるｘ／ｘ＋ｙ
＋ｚ＋ｍ　　（原子比）は０．１〜０．４であることが
好ましく、ＭがＴｂである場合には、Ｎｄの含有率であ
るｘ／ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｍ（原子比）は０．０５〜０．３で
あることが好ましい。

上記のような組成範囲でＮｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃ０系合金薄
膜を形成すると、カー・ヒステリシスが良好な角形ルー
プを示す垂直磁化膜が１ｑられる。

またＮｄ−Ｆｅ−Ｃｏ系にＴｂ、ＤＶまタハＨＯを上記
のような特定量で添加すると、得られる垂直磁化膜の垂
直磁気異方性エネルギーＫｕが大きくなるとともに飽和
磁化Ｍ　Ｓは小さくなり、しかも保磁力１−ＩＣは大き
くなって、微小磁区か安定に存在できるようになる。こ
のため、この垂直磁化膜に高密度磁気記録をＪることが
可能となる。

なお、本明細書において、カー・ヒステリシス（Ｒ大外
部ｌａ場１０ＫＯｅ、磁場掃引周波数０．０４Ｈｚ）が
良好な角形ループを示１か否かの判定は、以下のように
して行なう。本発明に係る光磁気記録媒体のカー・ヒス
テリシスを図示した場合に、最大外部磁場におけるカー
回転角である飽和カー回転角（θに１）と外部磁場ピロ
におけるカー回転角である残留カー回転角（θに２）と
の比Ｏｋ　／θに１が０．８以上である場合に良好であ
ると判定し、Ｏｋ２／θに１が０．８未満である場合に
不良であると判定した。

次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について
説明する。

本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法では、基板湿度
を１５０’Ｃ以下、場合によっては２０〜３０’Ｃに保
らながら、基板上にＮｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金簿膜またはＮ
ｄ−Ｍ−Ｆｅ、−Ｃｏ系合金薄膜（式中Ｍは、Ｔｂ、Ｄ
Ｖまたはト１０である）を被着させる。Ｎ　ｄ　−Ｍ−
Ｆ　ｅ系合金薄膜またはＮｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄
膜を基板上に被着させるには、スパッタリング法あるい
は電子ビーム蒸着法など従来公知の成膜条件を採用する
ことができる。

このように本発明では、基板温度を１５０℃以下、場合
によっては２０〜３０℃程度に保っても、基板上にＮ　
ｄ　−Ｍ−Ｆ　ｅ系合金薄膜またはＮｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃ
Ｏ系合金薄ＪＩＳ！からなる垂直磁化膜を形成すること
ができるため、ポリカーボネー１〜、ポリアクリルある
いはエポキシに代表されるプラスチックスなどの有機材
料からなる基板上にも上記の垂直磁化膜を形成すること
もできる。なお本発明では、耐熱性基板を用いる場合に
は、基板温度を上げた状態でも単板−ヒに上記のような
垂直磁化膜を形成づることができる。

スパッタリング法で基板上に垂直磁化膜を被着させるに
際して基板温度を１５０℃以下、場合によっては２０〜
３０’Ｃ程度に保つには、通常水などによって基板を積
極的に冷却することが好ましい。

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつおる垂直磁化膜をもたた
くことになり、漫れた特性を右する垂直磁化膜が得られ
ることがおる。

発明の効果 本発明に係る光磁気記録媒体は、膜面に垂直な方向に磁
化容易軸を有する特定組成のＮ　ｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金簿
膜または特定組成のＮｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄膜か
らなっているので、基板上に該薄膜を成膜するに際して
、基板をＩＩＩ熱する必要がなく、したがってプラスチ
ックスなどの有機材料からなる基板上にも前記合金薄膜
を形成することができる。しかも、本発明に係る合金薄
膜からなる光磁気記録媒体は、垂直磁気異方性エネルギ
ー、保磁力ならびに飽和磁化などの点、特に保磁ツノの
点て母れた磁気特性を有している。

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。

実施例　１ ターゲットとして、Ｆｅターゲット上にＮｄ、Ｔｂ、ｃ
ｏのチップを所定割合で配置した複合ターグツ１〜を用
い、ガラス基板上にＮｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ四元合金膜
からなる垂直磁化膜を被着さけた。成膜条イ′↑として
は、基板を水冷しながら２０〜３０℃に保ら、基板にバ
イアス電位−５０Ｖを印加し、アルゴン圧１０ｍＴｏｒ
ｒの下でスパッタリング法を採用して行なった。

その結果、以下のような極めて良好な磁気光学特性を右
する膜が得られた。

膜組成比”・Ｎｄ１ｇＴｂ２１Ｆ　ｅ４３ｃ０１８（原
子比）保磁カド１ｃ−１，４ＫＯｅ カー回転角θｋ・・・０．２６゜ カー・ヒステリシスループの角形性・・・良好なお、膜
組成比は、ＩＣＰ発光分析により求め、カー回転角はガ
ラス基板側から測定した残留カー回転角の値である。

なお、第１図にカー・ヒスプリシスループを示す。

実施例　２〜３ 実施例１と同様にして、組成の異なるＮｄ−Ｔｂ−Ｆｃ
−Ｃｏ四元合金膜を基板上に被着さした。得られた膜の
膜組成ｄ３よび磁気光学時↑１を表１に示づ。

比較例１〜２ 実施例１と同様にして、Ｘ／Ｖ　（原子比）が１より大
ぎいＮｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ四元合金膜を基板上に被着
させた。得られた膜の膜組成および磁気光学時↑（」を
表１に示す。

比較例　３〜４ 実施例１と同様にして、Ｘ／Ｖ　（原子比）が１より大
きいＮｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ四元合金膜を基板上に成膜
した。なお、バイアス電位に関しては、Ｏｖとした。

得られた膜の膜組成および磁気光学特性を表２に示Ｊ０ 比較例　５〜６ Ｎｄ／Ｆｅ＋Ｃｏ＞１／２となるようにＮｄ−Ｔ　ｂ　
−Ｆ　ｅ　−Ｃｏ四元合金膜を実施例１と同様に基板上
に成膜した。

１７られた膜の膜組成および磁気光学特性を表３に示す
。

この場合には、カー・ヒテリシスが良好な角形ループを
示さなくなってしまう。

比較例　７ Ｔｂ／Ｎｄ＋Ｔｂ＋Ｆｅ＋Ｑｏが０．３より大となるＮ
ｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ四元合金膜を実施例１と同様に基
板上に成膜した。

得られた膜の膜組成および磁気光学特性を表４に示す。

この場合には、カー・ヒステリシスが良好な角形ループ
を示さなくなってしまう。

実施例　４〜５ ターゲットとして、Ｆｅターゲット上にＮｄ１Ｔｂのチ
ップを所定割合で配置した複合ターゲットを用い、ガラ
ス基板上にＮｄ−Ｔｂ−Ｆｅ三元合金膜からなる垂直磁
化膜を被着させた。成膜条件としては、基板を水冷しな
がら２０〜３０℃に保ら、基板にバイアス電位−５０Ｖ
を印加し、アルゴン圧’ｌＱｍＴｏｒｒの下でスパッタ
リング法を採用して行なった。

得られた光磁気記録媒体の膜組成比、保磁力ｔ−１ｃ（
ＫＯｅ）、カー回転角θｋ（°）およびカー・ヒスプリ
シスループの角形性を測定した。

結果を表５に示す。

ル咬囚一旦ニユニ Ｎｄ／Ｆｅ＞１／２となるようにＮｄ−Ｔｂ−Ｆｅ合金
膜を実施例４と同様に基板上に成膜した。

１ｑられた膜の膜組成および磁気光学特性を表６に示す
。

実施例　６ ターゲットとして、Ｆｅターゲット上にＮｄ。

Ｄｙのデツプを所定割合で配置した複合ターゲットを用
い、ガラス基板上にＮｄ−ＤＶ−Ｆｅ三元合金膜からな
る垂直磁化膜を被着させた。成膜条イ′１としては、基
板を水冷しながら２０〜３０℃に保ら、基板にバイアス
電位−５０Ｖを印加し、アルゴン圧１０ｍＴｏｒｒの下
でスパッタリング法を採用して行なった。

１ｑられた光磁気記録媒体の膜組成比、保磁力１−１ｃ
（ＫＯｅ）、カー回転角θｋ（’）＃にヒカー・ヒステ
リシスループの角形性を測定した。

精漿を表７に示す。

実施例　７ ターゲットとして、Ｆｅターゲット上にＮｄ、ＤＶ、Ｃ
ｏのチップを所定割合で配置した複合ターゲットを用い
、ガラス基板上にＮｄ−ＤＶ−「ｅ−Ｃ〇四元合金膜か
らなる垂直磁化膜を被着ざぜた。成膜条件としては、基
板を水冷しながら２０〜３０’Ｃに保ら、基板にバイア
ス電位−３０■を印加し、アルゴン圧’ｌ　Ｑｍｌ’−
Ｏｒ　ｒの下でスパッタリング法を採用して行なった。

得られた光磁気記録媒体の膜組成比、保磁力ｌ−１ｃ（
ＫＯｅ）、カー回転角θｋ（’）およびカー・ヒステリ
シスループの角形性を測定した。

結果を表８に示づ。

実施例　８ ターゲットとして、Ｆｅターゲット上にＮｄ。

１−１０．Ｇｏのチップを所定割合で配置した複合ター
ゲットを用い、ガラス基板上にＮ　ｄ　−ＨＯ−Ｆｅ−
ＧＯ四元合金膜からなる垂直磁□化膜を被着させた。成
膜条件としては、基板を水冷しながら２０〜３０℃に保
ち、基板にバイアス電位−５０Ｖを印加し、アルゴン圧
ｉＱｍ７ｏｒｒの下でスパッタリング法を採用して行な
った。

得られた光磁気記録媒体の膜組成比、保磁力ｔ−１ｃ　
（ＫＯｅ、）　、カー回転角θｋ（’）オヨ（Ｆカー・
ヒステリシスループの角形性を測定した。

結果を表９に示づ。

ル較叢−ユユ ターゲットとして、Ｆｅターゲット上にＮｄのチップを
所定割合で配置した複合ターゲットを用い、基板を水冷
しながら２０〜３０℃に保って、実施例１と同様にして
ガラス基板上にＮｄ−Ｆｅ合金膜を被着させた。

ｊｑられたＮｄ−Ｆｅ合金膜は、容易磁化の方向が膜面
に平行になっていることが振動試料型磁力計（ＶＳＭ）
によって確認された。

止校医−１２ ターゲットとして、Ｆｅターゲット上にＮｄ。

Ｃｏのチップを所定割合で配置した複合ターゲットを用
い、基板を水冷しながら２０〜３０℃に保って、実施例
１と同様にしてガラス基板上にＮｄ−Ｆｅ−Ｃｏ合金膜
を被着させた。

得られたＮｄ−Ｆｃ−Ｃｏ合金膜は、容易磁化の方向が
膜面に平行になっていることが（騒動試料型磁力計（Ｖ
ＳＭ）によって確認された。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る垂直磁化膜のカー・ヒステリシ
スループを示１説明図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有するＮｄ−Ｍ−
   Ｆｅ系合金薄膜（式中ＭはＴｂ、ＤｙまたはＨｏである
   ）からなり、この合金薄膜の組成をＮｄ＿ｘＭ＿ｙＦｅ
   ＿ｚとして表わした場合に、ｘ／ｚ（原子比）が０．５
   未満であるとともにｙ／ｘ＋ｙ＋ｚ（原子比）が０．１
   〜０．３であり、かつｘ／ｙ（原子比）が１未満である
   ことを特徴とする光磁気記録媒体。 ２）Ｎｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金薄膜の組成をＮｄ＿ｘＭ＿ｙ
   Ｆｅ＿ｚとして表わし、ＭがＤ＿ｙまたはＨｏである場
   合に、ｘ／ｘ＋ｙ＋ｚ（原子比）が０．１〜０．４であ
   る特許請求の範囲第１項に記載の光磁気記録媒体。　 ３）Ｎｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金薄膜の組成をＮｄ＿ｘＭ＿ｙ
   Ｆｅ＿ｚとして表わし、ＭがＴｂである場合に、ｘ／ｘ
   ＋ｙ＋ｚ（原子比）が０．０５〜０．３である特許請求
   の範囲第１項に記載の光磁気記録媒体。 ４）膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有するＮｄ−Ｍ−
   Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄膜（式中ＭはＴｂ、ＤｙまたはＨｏ
   である）からなり、この合金薄膜の組成をＮｄ＿ｘＭ＿
   ｙＦｅ＿ｚＣｏ＿ｍとして表わした場合に、ｘ／ｚ＋ｍ
   （原子比）が０．５未満であるとともにｙ／ｘ＋ｙ＋ｚ
   ＋ｍ（原子比）が０．１〜０．３であり、かつｘ／ｙ（
   原子比）が１未満であることを特徴とする光磁気記録媒
   体。 ５）Ｎｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄膜の組成をＮｄ＿ｘ
   Ｍ＿ｙＦｅ＿ｚＣｏ＿ｍとして表わし、ＭがＤｙまたは
   Ｈｏである場合に、ｘ／ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｍ（原子比）が０
   ．１〜０．４である特許請求の範囲第４項に記載の光磁
   気記録媒体。 ６）Ｎｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄膜の組成をＮｄ＿ｘ
   Ｍ＿ｙＦｅ＿ｚＣｏ＿ｍとして表わし、ＭがＴｂである
   場合に、ｘ／ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｍ（原子比）が０．０５〜０
   ．３である特許請求の範囲第４項に記載の光磁気記録媒
   体。 ７）基板温度を１５０℃以下に保ちながら、基板上にＮ
   ｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金またはＮｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金
   薄膜（式中Ｍは、Ｔｂ、ＤｙまたはＨｏである）を被着
   させることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 ８）Ｎｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金薄膜の組成をＮｄ＿ｘＭ＿ｙ
   Ｆｅ＿ｚとして表わした場合に、ｘ／ｚ（原子比）が０
   ．５未満であるとともにｙ／ｘ＋ｙ＋ｚ（原子比）が０
   ．１〜０．３であり、かつｘ／ｙ（原子比）が１未満で
   ある特許請求の範囲第７項に記載の光磁気記録媒体の製
   造方法。 ９）Ｎｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金薄膜の組成をＮｄ＿ｘＭ＿ｙ
   Ｆｅ＿ｚとして表わし、ＭがＤｙまたはＨｏである場合
   に、ｘ／ｘ＋ｙ＋ｚ（原子比）が０．１〜０．４である
   特許請求の範囲第７項に記載の光磁気記録媒体の製造方
   法。 １０）Ｎｄ−Ｍ−Ｆｅ系合金薄膜の組成をＮｄ＿ｘＭ＿
   ｙＦｅ＿ｚとして表わし、ＭがＴｂである場合に、ｘ／
   ｘ＋ｙ＋ｚ（原子比）が０．０５〜０．３である特許請
   求の範囲第７項に記載の光磁気記録媒体の製造方法。 １１）Ｎｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄膜の組成をＮｄ＿
   ｘＭ＿ｙＦｅ＿ｚＣｏ＿ｍとして表わした場合に、ｘ／
   ｚ＋ｍ（原子比）が０．５未満であるとともにｙ／ｘ＋
   ｙ＋ｚ＋ｍ（原子比）が０．１〜０．３であり、かつｘ
   ／ｙ（原子比）が１未満である特許請求の範囲第７項に
   記載の光磁気記録媒体の製造方法。 １２）Ｎｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄膜の組成をＮｄ＿
   ｘＭ＿ｙＦｅ＿ｚＣｏ＿ｍとして表わし、ＭがＤｙまた
   はＨｏである場合に、ｘ／ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｍ（原子比）が
   ０．１〜０．４である特許請求の範囲第７項に記載の光
   磁気記録媒体の製造方法。 １３）Ｎｄ−Ｍ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金薄膜の組成をＮｄ＿
   ｘＭ＿ｙＦｅ＿ｚＣｏ＿ｍとして表わし、ＭがＴｂであ
   る場合に、ｘ／ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｍ（原子比）が０．０５〜
   ０．３である特許請求の範囲第７項に記載の光磁気記録
   媒体の製造方法。