JPS63142599A - メモリ装置における不良セルの置換方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、使用メモリ領域に存在する不良セルを他の良
好なメモリセルと置換して、そのメモリ装置を良品化す
るメモリ装置の不良セルの置換方法に関する。

Ｂ０発明の概要 本発明は、同一チップで少なくとも二種類の使用メモリ
ｖＪ域を有するメモリ装置のうち、小さい使用メモリ領
域を用いてなるメモリ装置における不良セルの置換方法
において、不良セルが存在する入出力信号線を未使用メ
モリ領域の入出力信号線と切り換えることにより、不良
なメモリ装置を救済して歩留り向上環を実現するもので
ある。

Ｃ２従来の技術 半導体メモリ装置は、微細な不純物領域や配線、或いは
種々の薄膜やコンタクトホール等を形成して構成されて
おり、数十に〜数Ｍビットのメモリセルの中には完全に
動作しない不良セルが存在することがある。

このように不良セルが存在する場合に、従来は所謂冗長
回路を用いてその不良セルの救済が行われており、例え
ばメモリセルアレイのロウ（Ｒｏｉ＋）方向又はカラム
（Ｃｏｌｕｍｎ）方向に予備のメモリセル行又はメモリ
セル列が形成され、この予備のメモリセル行又は列にワ
ード線又はビット線対などを切り換えてやることによっ
て、不良セルの救済を行っている。

Ｄ９発明が解決しようとする問題点 しかしながら、このような予備のメモリセル行又はメモ
リセル列を予め形成しておくことは、それだけ高集積化
が要求されるメモリ装置上の領域を占有することになり
、また、予備のメモリセルに切り換える場合には、通常
ヒユーズ等の切断作業を伴うためその作業上も簡素化が
望まれる。

そごで、本発明は上述の問題点に鑑み、特に不良セルと
他の良好なメモリセルとの切り換えを簡便に行って、不
良なメモリ装置を救済し歩留り向上筒を実現するような
メモリ装置における不良セルの置換方法を提供すること
を目的とする。

Ｅ１問題点を解決するための手段 本発明に用いられるメモリ装置は、同一チップで少なく
とも二種類の使用メモリ領域を有するメモリ装置のうち
、小さい使用メモリ領域を用いてなるメモリ装置である
。その−例を挙げると、６４ｋｂｉｔ　　（８ｋｘ８ｂ
ｉｔ構成）の使用メモリ領域と７２　ｋｂｉｔ　　（８
ｋ　Ｘ　９ｂｉｔ構成）の使用メモリ領域との二種類の
使用メモリ領域を有するメモリ装置（以下、６４　ｋｂ
ｉｔ　／　７２　ｋｂｉｔタイプと称す。）や、２５６
ｋｂｉｔ　　（３２ｋｘ８ｂｉｔ構成）の使用メモリ領
域と２８８ｋｂｉｔ　　（３２ｋＸ９ｂｉｔ構成）の使
用メモリ領域との二種類の使用メモリ領域を有するメモ
リ装置（以下、２５６　ｋｂｉｔ／　２８８　ｋｂｉｔ
タイプと称す。）等であって、例えば６４　ｋｂｉｔ　
／　７２　ｋｂｉｔタイプのものでは６４ｋｂｉｔで用
いられるメモリ装置であり、２５６ｋｂｉｔ　／　２８
８　ｋｂｉｔタイプのものでは２５６ｋｂｉｔで用いら
れるメモリ装置である。

そして、本発明は、このようなメモリ装置を用いて、不
良セルが存在する入出力信号線を未使用メモリ領域の入
出力信号線と切り換えることを特徴とするメモリ装置に
おける不良セルの置換方法により上述の問題点を解決す
る。

Ｆ９作用 二種類の使用メモリ領域を有するメモリ装置をその小さ
い方の使用メモリ領域で使用する場合には、未使用メモ
リ領域がチップ上に存在することになる。そして、この
未使用メモリ領域の入出力信号線を不良セルを有する使
用メモリ領域の入出力信号線と切り換えることにより、
メモリ領域ごと置換されることになる。

Ｇ、実施例 本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。

第１の実施例 本発明の第１の実施例は、入出力信号線のうち組み立て
時に結線されるリードとパッドの間の配線を切り換えて
、未使用メモリ領域を活用するものである。なお、本実
施例においては、そのメモリ装置を６４　ｋｂｉｔ　／
　７２　ｋｂｉｔタイプのものとしているが、これに限
定されるものではない。

まず、本実施例にかかるメモリ装置は、第１図に示すよ
うに、６４ｋｂｉｔの使用メモリ領域Ａと、図中斜線部
分で示す１３ｋｂｉｔの未使用メモリ領域Ｂを有してお
り、７２ｋｂｉｔをメモリ領域としても用いることがで
きる構造になっている。

上記６４　ｋｂｉｔの使用メモリ領域Ａは、ビット構成
に基づいてｆＪ　ｋｂｉｔずつのメモリ領域Ｍ１〜Ｍ８
になっており、仮に、このメモリ装置を７２ｋｂｉｔで
使用する場合には上記未使用メモリ領域Ｂは第９番目の
８ｋｂｉｔのメモリ領域Ｍ９として機能することになる
。

このようなメモリ装置を用いた本実施例の不良セルの置
換方法は、５４　ｋｂｉｔでメモリ装置を使用する場合
であって、不良セルの存在するメモリ領域を未使用メモ
リ領域Ｂと置換することによって行われ、そのために入
出力信号線の一部であって、組み立て時に結線されるリ
ードとパッドの間の配線を切り換えるものである。

即ち、上記使用メモリ領域Ｍｌ−Ｍ８及び未使用メモリ
領域Ｂからはそれぞれ組み立て時に結線されるパッドＰ
１〜Ｐ８及びパッドＰ９が形成されており、これらパッ
ドＰ１〜Ｐ８と対向するようにリードし１〜Ｌ８（８ｂ
ｉｔ構成のため）が臨んでいる。

ここで、本実施例は、上記バンドと上記リードの結線の
際に不良セルが存在する使用メモリ領域を上記未使用メ
モリ領域Ｂと置換するものであって、例えば第１図に示
すように、不良セル（図中Ｘ印で示す。）が使用メモリ
領域Ｍ２に存在しているものとすると、その不良セルが
存在する使用メモリ領域Ｍ２ではパッドＰ２とリードＬ
２の結線を行わない。そして、パッドＰ１とリードＬ１
、パッドＰ３とリードＬ２、パッドＰ４とリードＬ３、
・・・、パッドＰ８とリードＬ７、パッドＰ９とリード
Ｌ　８がそれぞれ結線され、結局、このような入出力信
号の経路の切り換えによって不良セルを有した使用メモ
リ領域Ｍ２は未使用メモリ領域Ｂと置換されて使用され
ることになる。

この場合において、置換される未使用メモリ領域Ｂには
不良セルが存在しないことが条件とされ、また、置換さ
れる未使用メモリ領域Ｂは必ずしも１つのビットに対応
する領域である必要はなく、複数の不良セルを有した使
用メモリ領域をそれぞれ置換するようなものであっても
良い。

リードフレームの配置の設計やチップのパッドの配置の
設計に際しては、本実施例の不良セルの置換方法を行う
上で、１つのリードから複数のパッドに結線できるよう
に例えば第１図に示すように結線の自由度を残して配置
することが有効である。このようなリードやバンドの配
置によって円滑に不良セルの救済を図ることが行われる
。

第２の実施例 本実施例のメモリ装置における不良セルの置換方法は、
メモリセルが配列されたメモリ領域とその入出力回路と
の間の入出力信号線の経路を切り換えて、不良セルの存
在する使用メモリ領域を救済するものである。

まず、本実施例に用いられるメモリ装置は、上述の第１
の実施例で説明したメモリ装置と同様に、同一チップで
少なくとも二種類の使用メモリ領域を有するメモリ装置
のうち、小さい使用メモリ領域を用いてなるメモリ装置
である。従って、例えば６４　ｋｂｉｔ　／　７２　ｋ
ｂｉｔタイプのものや２５６　ｋｂＨ／　２８８　ｋｂ
ｉｔタイプのもの等を用いることができ、そのうち６４
　ｋｂｉｔや２５６　ｋｂｉｔで使用する場合に有効で
ある。なお、本実施例においても、これらのビット数の
メモリ装置に限定されるものではないことは言うまでも
ない。

このようなメモリ装置は、第２図に示すように、メモリ
領域Ｍ２１．メモリ領域Ｍ２２．メモリ領域Ｍ２３．・
・・に対応して、入出力回路Ｎ２１゜入出力回路Ｎ２２
．入出力回路Ｎ２３．・・・が形成されている。これら
メモリ領域Ｍ２１．Ｍ２２゜Ｎ２３．・・・と入出力回
路Ｎ２１．Ｎ２２．Ｎ２３、・・・の間には、それぞれ
入力配線ｌＮ２１．ＩＩＶ２２、Ｔｆｉ２３．・・・及
び出力配線０β２１，０Ａ２２．０７！２３．・・・が
配設されている。一方、これらメモリ領域及び入出力回
路と同一チップ上には、さらに入出力切り換えプログラ
ム部３０が配設されており、これに回路上接続して入出
力切り換えデコーダ３１が配設されている。そして、上
記入力配線ＩＩ！２１及び出力配線０Ｉ１２１を上記入
出力切り換えデコーダ３１からの信号に基づいて他の入
力配線及び出力配線と切り換えるためのスイッチＳＷ２
１　ｉ　、　　ＳＷ２１　ｏが設けられ、さらに不良セ
ルを有した場合に開放されるスイッチＳＷ２２　ｉ、Ｓ
Ｗ２２　ｏやスイッチＳＷ２３　ｉ。

５Ｗ２３ｏ、・・・、が設けられている。なお、入出力
回路Ｎ２１は、当該メモリ装置を未使用メモリ領域がで
ないようにフルに使用する場合に使用されるものであり
、特に本実施例では余分なものとなっている。

ここで当該メモリ装置においては未使用メモリ領域はメ
モリ領域Ｍ２１であって、上記入出力切り換えプログラ
ム部３０及び入出力切り換えデコーダ３１の動作に基づ
き、その未使用メモリ領域の入出力信号線の経路を切り
換えてやることで、本実施例の不良セルの置換方法が実
現されることになる。

例えばメモリ領域Ｍ２２に不良セルが存在するものとす
ると、このメモリ領域Ｍ２２を未使用メモリ領域である
メモリ領域Ｍ２１と置換する必要が生ずる。本実施例は
、−ヒ記入出力切り換えプログラム部３０及び入出力切
り換えデコーダ３１の動作に基づき、スイッチＳＷ２１
　ｉ、　　ＳＷ２１　。

、ＳＷ２２　＋、ＳＷ２２　ｏを切り換えて、入出力回
路Ｎ２２とメモリ領域Ｍ２１が接続するようにその入出
力信号線の経路を切り換える。そして、このように未使
用メモリ領域Ｍ２１を不良セルを有するメモリ領域Ｍ２
２と置換することによって、当該メモリ装置を良品化し
、その歩留り向上を図ることができる。また、例えば不
良セルを有するメモリ領域がメモリ領域Ｍ２３である場
合には、上記スイッチＳＷ２１　ｉ、ＳＷ２１　ｏ、５
Ｗ２３ｉ、５Ｗ２３ｏを切り換え、入出力回路Ｎ２３と
メモリ領域Ｍ２１が接続するようにその入出力信号線の
経路を切り換えれば当該メモリ装置を良晶化できること
になる。他のメモリ領域についても同様である。

ここで、このようなスイッチ５Ｗ２１ｉ、ＳＷ２１　ｏ
、ＳＷ２２　ｉ、ＳＷ２２　ｏの切り換え動作は、上記
入出力切り換えプログラム部３０及び入出力切り換えデ
コーダ３１の動作によって行われるが、上記入出力切り
換えプログラム部３０は、例えば所定の不良セルの情報
をプログラムするための回路であって、例えば複数本の
ヒユーズを並べて切断することによってプログラムする
ような方式としても良い。例えば８ビツト構成では、不
良セルを有した１つの使用メモリ領域を選択する場合に
、４本のヒユーズの断続のパターンでその使用メモリ領
域を選ぶことができる。即ち、不良セルを有したメモリ
領域の有無の信号のためのヒユーズが１本、さらに８−
２３であるから３本のヒユーズで使用メモリ領域の総数
である８　（ビット）を表現でき、結局４本のヒユーズ
の断続パターンによって使用メモリ領域の選択が可能と
なる。これに対して従来のメモリセルの救済方法では、
それぞれ行又は列ごとの置換のたびに７本捏度のヒユー
ズが必要となり、そのプログラム作業の簡素化が図られ
ることになる。

また、上記入出力切り換えデコーダ３１は、上記入出力
切り換えプログラム部３０のプログラム内容を読み取っ
て動作する機能を有し、その読み取ったプログラム内容
から上記スイッチＳＷ２１ｉ、ＳＷ２１　ｏ、ＳＷ２２
　ｉ、ＳＷ２２　ｏ、５Ｗ２３ｉ、５Ｗ２３ｏの切り換
え動作がなされることになる。

このような第２の実施例に示した方法によっても、メモ
リ領域とその入出力回路との間の入出力信号線の経路を
切り換えて不良セルの存在する使用メモリ領域を救済す
ることができ、そのメモリ装置の良品化から歩留り向上
を実現することが可能となる。また、未使用メモリ領域
を活用するものであり、チップ上の面積を大きく占有す
るものではないことは勿論である。

なお、上述の第１及び第２の実施例のメモリ装置におけ
る不良セルの置換方法は、冗長性が必要とされる全ての
メモリ装置に適用することができるものである。

Ｈ０発明の効果 本発明のメモリ装置における不良セルの置換方法は、２
種類の使用メモリ領域を有するメモリ装置であってその
小さい方の使用メモリ領域で用いるメモリ装置を用い、
その未使用メモリ領域を人出力信号線の経路を切り換え
によって不良セルを有した使用メモリ領域と置換し、有
効に活用するものである。このため従来に比較して簡便
な作業で不良セルの救済を図ることができ、またメモリ
装置自体を何ら複雑化するものでもない。また、未使用
メモリ領域を活用するだけであり、その占有面積の増加
をもたらすものではない。更に、不良セルの発生状態と
して局所的に不良セルの発生領域が集中したときに、本
発明はメモリ領域ごと置換できるため効率の良い救済が
可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のメモリ装置における不良セルの置換方
法にかかる第１の実施例を説明するための模式図である
。また、第２図は本発明のメモリ装置における不良セル
の置換方法にかかる第２の実施例を説明するための模式
図である。 Ｂ・・・未使用メモリ領域 Ｍ２１・・・メモリ領域（未使用メモリ領域）Ｍｌ〜Ｍ
８・・・使用メモリ領域 Ｐｉ〜Ｐ９・・・パッド Ｌ１〜Ｌ８・・・リード Ｍ２２．Ｍ２３・・・メモリ領域（使用メモリ領域）Ｎ
２２．Ｎ２３・・・入出力回路 ＳＷ２１　ｉ、ＳＷ２１　ｏ、ＳＷ２２　ｉ、ＳＷ２２
ｏ、ＳＷ２３　ｉ、ＳＷ２３　ｏ−＝スイッチｒ／２１
．ＩＩ！２２．１７！２３−・・入力配線ＯＪ　２１．
Ｏ＃　２２．０７！２３・＝出力配線時　許　出　願　
人　　ソニー株式会社代理人　　　弁理士　　　　　小
泡　晃１　＾

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　同一チップで少なくとも二種類の使用メモリ領域を有
   するメモリ装置のうち、小さい使用メモリ領域を用いて
   なるメモリ装置における不良セルの置換方法において、 不良セルが存在する入出力信号線を未使用メモリ領域の
   入出力信号線と切り換えることを特徴とするメモリ装置
   における不良セルの置換方法。