JPS62137748A - 光学情報記録再生デイスクの製造方法 - Google Patents
光学情報記録再生デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS62137748A JPS62137748A JP27633185A JP27633185A JPS62137748A JP S62137748 A JPS62137748 A JP S62137748A JP 27633185 A JP27633185 A JP 27633185A JP 27633185 A JP27633185 A JP 27633185A JP S62137748 A JPS62137748 A JP S62137748A
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- JP
- Japan
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- target
- information recording
- optical information
- thin film
- sputtering
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は大容量のデータの記録、ファイルに適用する光
学情報記録再生ディスクの製造方法に関するものである
。
学情報記録再生ディスクの製造方法に関するものである
。
従来の技術
光学的に情報を記録再生するディスクの薄膜材料として
は、特公昭64−7457号公報に示されるようにT
e Ox(0(x (2、0)薄膜材料が知られている
。
は、特公昭64−7457号公報に示されるようにT
e Ox(0(x (2、0)薄膜材料が知られている
。
この膜に、添加材料として、P b O、S e 、
V 205等を含ませて、その記録再生あるいは、消去
特性を向上する方法も知られている。
V 205等を含ませて、その記録再生あるいは、消去
特性を向上する方法も知られている。
薄膜形成の方法としては、真空蒸着法、特にT e 0
2材料を還元させながら薄膜を形成し、Teo工薄膜薄
膜る方法がある。
2材料を還元させながら薄膜を形成し、Teo工薄膜薄
膜る方法がある。
発明が解決しようとする問題点
光学情報記録薄膜であるTeOx (0(x<2.0)
材料において、その記録速度の向上に際し、パラジウム
Pd添加材料が有効であり、TeOxおよび、これにパ
ラジウムを含ませる方法として、真空蒸着の方法がある
。しかし、この方法では蒸着時の突沸等の影響で、膜中
にTe又はパラジウムの欠陥が生じやすいという問題点
があった。
材料において、その記録速度の向上に際し、パラジウム
Pd添加材料が有効であり、TeOxおよび、これにパ
ラジウムを含ませる方法として、真空蒸着の方法がある
。しかし、この方法では蒸着時の突沸等の影響で、膜中
にTe又はパラジウムの欠陥が生じやすいという問題点
があった。
問題点を解決するだめの手段
Teoz(○<X<2.0)を主成分とする薄膜形成に
おいて、蒸着法を、スパッタ法にし、スパッタターゲッ
トとして、TeとPd の合金および、これらの混合
体を用い、Q2ガス雰囲気中で、反応性スパッタを行わ
せることである。
おいて、蒸着法を、スパッタ法にし、スパッタターゲッ
トとして、TeとPd の合金および、これらの混合
体を用い、Q2ガス雰囲気中で、反応性スパッタを行わ
せることである。
作 用
TeとPdの合金を含むターゲットを用いて、酸素を含
む雰囲気において、リアクティブスパッタにより、Pd
を含むT e Ox (0(” < 2−0 )薄膜を
形成することにより、ターゲットの溶融、異常放電の発
生が押さえられ、突沸等に伴う欠陥発生のないディスク
を得ることができる。
む雰囲気において、リアクティブスパッタにより、Pd
を含むT e Ox (0(” < 2−0 )薄膜を
形成することにより、ターゲットの溶融、異常放電の発
生が押さえられ、突沸等に伴う欠陥発生のないディスク
を得ることができる。
実施例
ターゲットとして、TeとTe−Pd合金からなる材料
を用いる。第1図の1はTe粒子であり、2はTeとP
dの合金粒子である。合金としては、T e a。Pd
5oを用いる。融点は720℃であり、Teの融点44
9℃よりも高い。
を用いる。第1図の1はTe粒子であり、2はTeとP
dの合金粒子である。合金としては、T e a。Pd
5oを用いる。融点は720℃であり、Teの融点44
9℃よりも高い。
TeとT e 5゜Pd6o材料を所望の比になるよう
に混合することにより、T o−r□Pd23のターゲ
ット混合体を得る。上記混合体をプレス成型し、熱処理
を施すことにより、ターゲットを得る。
に混合することにより、T o−r□Pd23のターゲ
ット混合体を得る。上記混合体をプレス成型し、熱処理
を施すことにより、ターゲットを得る。
合金としては、T e e□Pd33融点740℃を用
いることもできる。これとTeを混合することにより、
T o−r□Pd23ターゲットを得ることができる。
いることもできる。これとTeを混合することにより、
T o−r□Pd23ターゲットを得ることができる。
この場合、Te粒子の混合比を少くすることが可能にな
り、スパッタリングの安定化により有効である。
り、スパッタリングの安定化により有効である。
本ターゲットを用い、Arガス、酸素ガスの混合ガス中
で、スパッタを行う。
で、スパッタを行う。
基板としては、第2図の4で示す、凹凸溝6を有するポ
リカーボネート板を用いる。
リカーボネート板を用いる。
5X10 Terrの全圧中で、高周波パワー200
Wで、Pdを含むTeOx(0(x(2,0)薄膜6を
形成する。この膜の上に保護層7を密着し、ディスク8
を得る。
Wで、Pdを含むTeOx(0(x(2,0)薄膜6を
形成する。この膜の上に保護層7を密着し、ディスク8
を得る。
ターゲットの混合組成T e 1++ !P d工にお
いて、Xが小なる領域では、(X<10)薄膜の成分は
高いが、耐熱性がやや低い。
いて、Xが小なる領域では、(X<10)薄膜の成分は
高いが、耐熱性がやや低い。
X二20の領域では、耐熱性が高く、高速記録可能な薄
膜を得る。
膜を得る。
一方Te単体粒子からなるターゲットでは、160W以
上のスパッタパワー条件では、ターゲット上での異常放
電が観測される。
上のスパッタパワー条件では、ターゲット上での異常放
電が観測される。
膜の欠陥数の比較を行うと、電子ビーム法で形成した膜
における単位面積当りの欠陥数を1として、上記スパッ
タ法で形成した膜の欠陥は、約%に低減できる。
における単位面積当りの欠陥数を1として、上記スパッ
タ法で形成した膜の欠陥は、約%に低減できる。
3C>30のPdの多い領域では、レーザ光による記録
感度が低下する。
感度が低下する。
発明の効果
本発明によれば、Teを含む融点の高いスパッタターゲ
ットを用いることにより、酸素ガス雰囲気中で、リアク
ティブスパッタ法を適用し、異常放電を伴わない、欠陥
の少い光デイスク膜を形成することが可能になる。
ットを用いることにより、酸素ガス雰囲気中で、リアク
ティブスパッタ法を適用し、異常放電を伴わない、欠陥
の少い光デイスク膜を形成することが可能になる。
第1図は本発明の光学情報記録再生ディスクの製造に用
いるターゲット材料の断面図、第2図は同ディスク説明
のための記録媒体の断面図である。 1・・・・・・Te粒子、2・・・・・・Te−Pd合
金粒子、3・・・・・・ターゲット。
いるターゲット材料の断面図、第2図は同ディスク説明
のための記録媒体の断面図である。 1・・・・・・Te粒子、2・・・・・・Te−Pd合
金粒子、3・・・・・・ターゲット。
Claims (4)
- (1)TeとPdの合金およびそれらの混合体をターゲ
ットに用い、スパッタ形成して薄膜を得ることを特徴と
する光学情報記録再生ディスクの製造方法。 - (2)酸素O_2ガスを含む雰囲気において、反応性ス
パッタを行わしめ、TeO_x+Pdの薄膜を基板上に
形成することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
光学情報記録再生ディスクの製造方法。 - (3)TeとPdの合金および、それらの混合体ターゲ
ットとして、Te_1_−_xPd_xの組成を、10
<x<30に選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の光学情報記録再生ディスクの製造方法。 - (4)酸素O_2ガスを含む雰囲気において、反応性ス
パッタにより、基板上に、TeとPdとOからなる薄膜
を形成し、Oを30at%以上、Pdを5at%以上含
む組成を得ることを特徴とする特許請求の範囲第2項記
載の光学情報記録再生ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27633185A JPH0799595B2 (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27633185A JPH0799595B2 (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62137748A true JPS62137748A (ja) | 1987-06-20 |
JPH0799595B2 JPH0799595B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=17567955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27633185A Expired - Fee Related JPH0799595B2 (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0799595B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63140440A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材の製造方法 |
EP0592174A2 (en) * | 1992-10-05 | 1994-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium, sputtering method and sputtering target |
-
1985
- 1985-12-09 JP JP27633185A patent/JPH0799595B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63140440A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材の製造方法 |
EP0592174A2 (en) * | 1992-10-05 | 1994-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium, sputtering method and sputtering target |
EP0592174A3 (en) * | 1992-10-05 | 1994-09-21 | Canon Kk | Process for producing optical recording medium, sputtering method and sputtering target |
US5589040A (en) * | 1992-10-05 | 1996-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium sputtering method and sputtering target |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0799595B2 (ja) | 1995-10-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |