JPS62137748A - 光学情報記録再生デイスクの製造方法 - Google Patents
光学情報記録再生デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS62137748A JPS62137748A JP27633185A JP27633185A JPS62137748A JP S62137748 A JPS62137748 A JP S62137748A JP 27633185 A JP27633185 A JP 27633185A JP 27633185 A JP27633185 A JP 27633185A JP S62137748 A JPS62137748 A JP S62137748A
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- Japan
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- target
- information recording
- optical information
- thin film
- sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は大容量のデータの記録、ファイルに適用する光
学情報記録再生ディスクの製造方法に関するものである
。
学情報記録再生ディスクの製造方法に関するものである
。
従来の技術
光学的に情報を記録再生するディスクの薄膜材料として
は、特公昭６４−７４５７号公報に示されるようにＴ
ｅ Ｏｘ（０（ｘ （２、０）薄膜材料が知られている
。
は、特公昭６４−７４５７号公報に示されるようにＴ
ｅ Ｏｘ（０（ｘ （２、０）薄膜材料が知られている
。
この膜に、添加材料として、Ｐ ｂ Ｏ、Ｓ ｅ 、
Ｖ ２０５等を含ませて、その記録再生あるいは、消去
特性を向上する方法も知られている。
Ｖ ２０５等を含ませて、その記録再生あるいは、消去
特性を向上する方法も知られている。
薄膜形成の方法としては、真空蒸着法、特にＴ ｅ ０
２材料を還元させながら薄膜を形成し、Ｔｅｏ工薄膜薄
膜る方法がある。
２材料を還元させながら薄膜を形成し、Ｔｅｏ工薄膜薄
膜る方法がある。
発明が解決しようとする問題点
光学情報記録薄膜であるＴｅＯｘ （０（ｘ＜２．０）
材料において、その記録速度の向上に際し、パラジウム
Ｐｄ添加材料が有効であり、ＴｅＯｘおよび、これにパ
ラジウムを含ませる方法として、真空蒸着の方法がある
。しかし、この方法では蒸着時の突沸等の影響で、膜中
にＴｅ又はパラジウムの欠陥が生じやすいという問題点
があった。
材料において、その記録速度の向上に際し、パラジウム
Ｐｄ添加材料が有効であり、ＴｅＯｘおよび、これにパ
ラジウムを含ませる方法として、真空蒸着の方法がある
。しかし、この方法では蒸着時の突沸等の影響で、膜中
にＴｅ又はパラジウムの欠陥が生じやすいという問題点
があった。
問題点を解決するだめの手段
Ｔｅｏｚ（○＜Ｘ＜２．０）を主成分とする薄膜形成に
おいて、蒸着法を、スパッタ法にし、スパッタターゲッ
トとして、ＴｅとＰｄ の合金および、これらの混合
体を用い、Ｑ２ガス雰囲気中で、反応性スパッタを行わ
せることである。
おいて、蒸着法を、スパッタ法にし、スパッタターゲッ
トとして、ＴｅとＰｄ の合金および、これらの混合
体を用い、Ｑ２ガス雰囲気中で、反応性スパッタを行わ
せることである。
作 用
ＴｅとＰｄの合金を含むターゲットを用いて、酸素を含
む雰囲気において、リアクティブスパッタにより、Ｐｄ
を含むＴ ｅ Ｏｘ （０（” ＜ ２−０ ）薄膜を
形成することにより、ターゲットの溶融、異常放電の発
生が押さえられ、突沸等に伴う欠陥発生のないディスク
を得ることができる。
む雰囲気において、リアクティブスパッタにより、Ｐｄ
を含むＴ ｅ Ｏｘ （０（” ＜ ２−０ ）薄膜を
形成することにより、ターゲットの溶融、異常放電の発
生が押さえられ、突沸等に伴う欠陥発生のないディスク
を得ることができる。
実施例
ターゲットとして、ＴｅとＴｅ−Ｐｄ合金からなる材料
を用いる。第１図の１はＴｅ粒子であり、２はＴｅとＰ
ｄの合金粒子である。合金としては、Ｔ ｅ ａ。Ｐｄ
５ｏを用いる。融点は７２０℃であり、Ｔｅの融点４４
９℃よりも高い。
を用いる。第１図の１はＴｅ粒子であり、２はＴｅとＰ
ｄの合金粒子である。合金としては、Ｔ ｅ ａ。Ｐｄ
５ｏを用いる。融点は７２０℃であり、Ｔｅの融点４４
９℃よりも高い。
ＴｅとＴ ｅ ５゜Ｐｄ６ｏ材料を所望の比になるよう
に混合することにより、Ｔ ｏ−ｒ□Ｐｄ２３のターゲ
ット混合体を得る。上記混合体をプレス成型し、熱処理
を施すことにより、ターゲットを得る。
に混合することにより、Ｔ ｏ−ｒ□Ｐｄ２３のターゲ
ット混合体を得る。上記混合体をプレス成型し、熱処理
を施すことにより、ターゲットを得る。
合金としては、Ｔ ｅ ｅ□Ｐｄ３３融点７４０℃を用
いることもできる。これとＴｅを混合することにより、
Ｔ ｏ−ｒ□Ｐｄ２３ターゲットを得ることができる。
いることもできる。これとＴｅを混合することにより、
Ｔ ｏ−ｒ□Ｐｄ２３ターゲットを得ることができる。
この場合、Ｔｅ粒子の混合比を少くすることが可能にな
り、スパッタリングの安定化により有効である。
り、スパッタリングの安定化により有効である。
本ターゲットを用い、Ａｒガス、酸素ガスの混合ガス中
で、スパッタを行う。
で、スパッタを行う。
基板としては、第２図の４で示す、凹凸溝６を有するポ
リカーボネート板を用いる。
リカーボネート板を用いる。
５Ｘ１０ Ｔｅｒｒの全圧中で、高周波パワー２００
Ｗで、Ｐｄを含むＴｅＯｘ（０（ｘ（２，０）薄膜６を
形成する。この膜の上に保護層７を密着し、ディスク８
を得る。
Ｗで、Ｐｄを含むＴｅＯｘ（０（ｘ（２，０）薄膜６を
形成する。この膜の上に保護層７を密着し、ディスク８
を得る。
ターゲットの混合組成Ｔ ｅ １＋＋ ！Ｐ ｄ工にお
いて、Ｘが小なる領域では、（Ｘ＜１０）薄膜の成分は
高いが、耐熱性がやや低い。
いて、Ｘが小なる領域では、（Ｘ＜１０）薄膜の成分は
高いが、耐熱性がやや低い。
Ｘ二２０の領域では、耐熱性が高く、高速記録可能な薄
膜を得る。
膜を得る。
一方Ｔｅ単体粒子からなるターゲットでは、１６０Ｗ以
上のスパッタパワー条件では、ターゲット上での異常放
電が観測される。
上のスパッタパワー条件では、ターゲット上での異常放
電が観測される。
膜の欠陥数の比較を行うと、電子ビーム法で形成した膜
における単位面積当りの欠陥数を１として、上記スパッ
タ法で形成した膜の欠陥は、約％に低減できる。
における単位面積当りの欠陥数を１として、上記スパッ
タ法で形成した膜の欠陥は、約％に低減できる。
３Ｃ＞３０のＰｄの多い領域では、レーザ光による記録
感度が低下する。
感度が低下する。
発明の効果
本発明によれば、Ｔｅを含む融点の高いスパッタターゲ
ットを用いることにより、酸素ガス雰囲気中で、リアク
ティブスパッタ法を適用し、異常放電を伴わない、欠陥
の少い光デイスク膜を形成することが可能になる。
ットを用いることにより、酸素ガス雰囲気中で、リアク
ティブスパッタ法を適用し、異常放電を伴わない、欠陥
の少い光デイスク膜を形成することが可能になる。
第１図は本発明の光学情報記録再生ディスクの製造に用
いるターゲット材料の断面図、第２図は同ディスク説明
のための記録媒体の断面図である。 １・・・・・・Ｔｅ粒子、２・・・・・・Ｔｅ−Ｐｄ合
金粒子、３・・・・・・ターゲット。
いるターゲット材料の断面図、第２図は同ディスク説明
のための記録媒体の断面図である。 １・・・・・・Ｔｅ粒子、２・・・・・・Ｔｅ−Ｐｄ合
金粒子、３・・・・・・ターゲット。
Claims (4)
- （１）ＴｅとＰｄの合金およびそれらの混合体をターゲ
ットに用い、スパッタ形成して薄膜を得ることを特徴と
する光学情報記録再生ディスクの製造方法。 - （２）酸素Ｏ＿２ガスを含む雰囲気において、反応性ス
パッタを行わしめ、ＴｅＯ＿ｘ＋Ｐｄの薄膜を基板上に
形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光学情報記録再生ディスクの製造方法。 - （３）ＴｅとＰｄの合金および、それらの混合体ターゲ
ットとして、Ｔｅ＿１＿−＿ｘＰｄ＿ｘの組成を、１０
＜ｘ＜３０に選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光学情報記録再生ディスクの製造方法。 - （４）酸素Ｏ＿２ガスを含む雰囲気において、反応性ス
パッタにより、基板上に、ＴｅとＰｄとＯからなる薄膜
を形成し、Ｏを３０ａｔ％以上、Ｐｄを５ａｔ％以上含
む組成を得ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の光学情報記録再生ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27633185A JPH0799595B2 (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27633185A JPH0799595B2 (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62137748A true JPS62137748A (ja) | 1987-06-20 |
| JPH0799595B2 JPH0799595B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=17567955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27633185A Expired - Fee Related JPH0799595B2 (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0799595B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140440A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材の製造方法 |
| EP0592174A2 (en) * | 1992-10-05 | 1994-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium, sputtering method and sputtering target |
-
1985
- 1985-12-09 JP JP27633185A patent/JPH0799595B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63140440A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材の製造方法 |
| EP0592174A2 (en) * | 1992-10-05 | 1994-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium, sputtering method and sputtering target |
| EP0592174A3 (en) * | 1992-10-05 | 1994-09-21 | Canon Kk | Process for producing optical recording medium, sputtering method and sputtering target |
| US5589040A (en) * | 1992-10-05 | 1996-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium sputtering method and sputtering target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0799595B2 (ja) | 1995-10-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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