JP2001077265A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JP2001077265A JP24752199A JP24752199A JP2001077265A JP 2001077265 A JP2001077265 A JP 2001077265A JP 24752199 A JP24752199 A JP 24752199A JP 24752199 A JP24752199 A JP 24752199A JP 2001077265 A JP2001077265 A JP 2001077265A
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lead
frame
resin
mold
sealing
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Kunikazu Takemura
邦和 竹村
Masanori Nano
匡紀 南尾
Katsuki Uchiumi
勝喜 内海
Osamu Adachi
修 安達
Takahiro Matsuo
隆広 松尾
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Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止後のリードカット工程でのブレード
切断により、切断したリード部の端面に金属バリが発生
するといった課題があった。 【解決手段】 樹脂封止した後のリードフレームに対し
て、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離する
際、切断するリード部４の上部に封止樹脂８ａ、下部に
封止樹脂８ｂを形成し、それら封止樹脂８ａ，８ｂとと
もにリード部４を回転ブレード１１によって共切りする
ことにより、リード部の切断した端面へのカエリ部の発
生を防止できるものである。さらにブレード切断を往復
で行い、リード部４に対して２度切りを行うことによ
り、さらにカエリの発生を防止できるものである。した
がってリード部の不良をなくして実装信頼性の高い樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
と称される外部端子となるリード部が片面封止された小
型／薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するも
のであり、特に生産効率を向上させるとともに、リード
部の信頼性を向上させた樹脂封止型半導体装置を実現す
るための製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来のＱＦＮ型の樹脂封止型半導体
装置に使用するリードフレームについて説明する。
【０００４】図４２は、従来のリードフレームの構成を
示す図であり、図４２（ａ）は平面図であり、図４２
（ｂ）は図４２（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００５】図４２に示すように、従来のリードフレー
ムは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内
に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０
２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持
し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１
０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導
体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続する
ビーム状のリード部１０４とより構成されている。そし
てリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹
脂部に埋設される部分はインナーリード部１０４ａを構
成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部
１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０
４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して
設けられている。図４２において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１
０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部
分を示している。
【０００６】また、従来のリードフレームは、図４２
（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード
部１０３によって支持されているが、その吊りリード部
１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０
２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよ
う、アップセットされているものである。
【０００７】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図４３は、図４２に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図４３
（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、
図４３（ｂ）は図４３（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図で
ある。
【０００８】図４３に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、そ
の半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード
部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され
ている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０
５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７
により封止されている。そしてそのリード部１０４（イ
ンナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７
の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１
０８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面から
はアウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的
に封止樹脂１０７の側面と同一面である。
【０００９】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について説明する。
【００１０】まず図４４に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダ
イパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部が
フレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載
置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接
続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０
４とを有したリードフレームを用意する。
【００１１】そして図４５に示すように、ダイパッド部
１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０
５を搭載しボンディングする。
【００１２】次に図４６に示すように、ダイパッド部１
０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッ
ド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１
０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
【００１３】次に図４７に示すように、半導体素子１０
５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリー
ド部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。こ
の封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂
が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を
露出させるための部材である。
【００１４】次に図４８に示すように、リードフレーム
を金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シ
ート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂より
なる封止樹脂１０７を注入し、リードフレームの外囲と
してダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部
１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止す
る。図４９には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を
示している。
【００１５】次に図５０に示すように、リードフレーム
のリード部１０４の底面に密着させていた封止シート１
０９をピールオフ等により除去する。
【００１６】次に図５１に示すように、リード部１０４
の切断部１１０に対して、金型による切断刃１１１でリ
ードカットを行い、樹脂封止型半導体装置を分離する。
【００１７】そして図５２に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載さ
れ、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナー
リード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接
続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そして
そのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底
面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有し
て露出して、外部端子１０８を構成するとともに、封止
樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成し
た樹脂封止型半導体装置を得る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、特にリードフレームに対して樹脂封止した
後は、金型の切断刃によるリードカットを行っていたた
め、その切断工程において、リードカット時の衝撃によ
りリード部の隣接する封止樹脂の部分に樹脂カケ、クラ
ック等が起こり、またリード部が封止樹脂部分から脱落
するといった課題があった。従来の樹脂封止型半導体装
置の構造は、リード部がその上面だけを封止樹脂で覆わ
れたいわゆる片面封止構造であるため、金型の切断刃に
よるリードカットでは、その衝撃いかんによって、リー
ド部、封止樹脂部の破損が発生しやすい状況であった。
【００１９】さらに近年、大型のリードフレーム基板上
に半導体素子を搭載し、金属細線で接続した後、外囲を
全体で封止する一括成形が進んでいるが、この一括成形
では、リードフレーム上面全体を封止樹脂が覆った構成
の場合は、リードカットだけでなく、封止樹脂部もカッ
トしなければならないため、金型の切断刃によるカット
手段では対応できないという課題が顕在化してきてい
る。
【００２０】本発明は前記した従来の課題および今後の
樹脂封止型半導体装置の製造工程の動向に対応できる樹
脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものであり、
生産性を高め、リードフレーム、または基板から樹脂封
止型半導体装置を分離する際の切断工程でリード部、封
止樹脂部に欠陥、欠損の発生しない樹脂封止型半導体装
置の製造方法を提供するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパ
ッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部
でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先
端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前
記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフ
レーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とより
なるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリ
ードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載
する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体
素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリ
ード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、封
止金型として、前記リードフレームの表面側に当接し、
前記リードフレームのリード部の切断部に相当する部分
に彫り込み部を有した第１の金型と、前記第１の金型と
ともに前記リードフレームを挟み込む第２の金型とを用
意する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくと
もリード部の各底面に封止シートを密着させる工程と、
前記第１の金型と第２の金型との間に前記リードフレー
ムを載置し、少なくとも前記リードフレームのリード部
の端部に押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記封
止シートに押圧した状態で封止樹脂を注入して、前記リ
ードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッ
ド部、金属細線、および前記リード部の底面を除く領域
を封止樹脂により樹脂封止するとともに、前記第１の金
型の彫り込み部に封止樹脂を注入して前記フレームのリ
ード部の切断部上に封止樹脂を形成する工程と、樹脂封
止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去す
る工程と、前記リードの切断部上面に対してブレードに
よる切削を行い、前記切断部上に形成された封止樹脂と
共に切断部を切断して樹脂封止型半導体装置を得る工程
とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２２】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレー
ム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用の
ダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、
他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なく
とも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端
部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード
部の前記フレーム枠と接続した領域近傍に設けられ、他
のリード部分よりも薄厚の切断部とよりなるリードフレ
ームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの
前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前
記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の
電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面
とを金属細線により接続する工程と、封止金型として、
前記リードフレームの表面側に当接する第１の金型と、
前記第１の金型とともに前記リードフレームを挟み込む
第２の金型とを用意する工程と、前記リードフレームの
裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シートを密
着させる工程と、前記第１の金型と第２の金型との間に
前記リードフレームを載置し、少なくとも前記リードフ
レームのリード部の端部に押圧力を付加し、前記リード
部の底面を前記封止シートに押圧した状態で封止樹脂を
注入して、前記リードフレームの上面側として前記半導
体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部
の底面を除く領域を封止樹脂により樹脂封止するととも
に、前記リードフレームの前記リード部の切断部の薄厚
による段差部分に封止樹脂を注入して前記フレームのリ
ード部の切断部底面に封止樹脂を形成する工程と、樹脂
封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去
する工程と、前記リードの切断部上面に対してブレード
による切削を行い、前記切断部底面に形成した封止樹脂
と共に切断部を切断して樹脂封止型半導体装置を得る工
程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２３】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレー
ム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用の
ダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、
他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なく
とも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端
部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード
部の前記フレーム枠と接続した領域近傍に設けられ、他
のリード部分よりも薄厚の切断部とよりなるリードフレ
ームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの
前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前
記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の
電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面
とを金属細線により接続する工程と、封止金型として、
前記リードフレームの表面側に当接し、前記リードフレ
ームのリード部の切断部に相当する部分に彫り込み部を
有した第１の金型と、前記第１の金型とともに前記リー
ドフレームを挟み込む第２の金型とを用意する工程と、
前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各
底面に封止シートを密着させる工程と、前記第１の金型
と第２の金型との間に前記リードフレームを載置し、少
なくとも前記リードフレームのリード部の端部に押圧力
を付加し、前記リード部の底面を前記封止シートに押圧
した状態で封止樹脂を注入して、前記リードフレームの
上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金属細
線、および前記リード部の底面を除く領域を封止樹脂に
より樹脂封止するとともに、前記リードフレームの前記
リード部の切断部の薄厚による段差部分と前記第１の金
型の彫り込み部とに封止樹脂を注入して前記フレームの
リード部の切断部上下面に封止樹脂を形成する工程と、
樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレームより
除去する工程と、前記リードの切断部上面に対してブレ
ードによる切削を行い、前記切断部上下面に形成した封
止樹脂と共に切断部を切断して樹脂封止型半導体装置を
得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法で
ある。
【００２４】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレー
ム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用の
ダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、
他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なく
とも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端
部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード
部の前記フレーム枠と接続した領域近傍に設けられ、他
のリード部分よりも薄厚の切断部とよりなるリードフレ
ームを用意する工程と、前記用意したリードフレームの
前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前
記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の
電極パッドと、前記リードフレームのリード部の各上面
とを金属細線により接続する工程と、封止金型として、
前記リードフレームの表面側に当接し、前記リードフレ
ームのリード部の切断部に相当する部分に彫り込み部を
有した第１の金型と、前記第１の金型とともに前記リー
ドフレームを挟み込む第２の金型とを用意する工程と、
前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各
底面に封止シートを密着させる工程と、前記第１の金型
と第２の金型との間に前記リードフレームを載置し、少
なくとも前記リードフレームのリード部の端部に押圧力
を付加し、前記リード部の底面を前記封止シートに押圧
した状態で封止樹脂を注入して、前記リードフレームの
上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金属細
線、および前記リード部の底面を除く領域を封止樹脂に
より樹脂封止するとともに、前記リードフレームの前記
リード部の切断部の薄厚による段差部分と前記第１の金
型の彫り込み部とに封止樹脂を注入して前記フレームの
リード部の切断部上下面に封止樹脂を形成する工程と、
樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレームより
除去する工程と、前記リードの切断部上面に対してブレ
ードによる切削を行い、前記切断部上下面に形成した封
止樹脂と共に切断部を切断し、さらに前記切削の経路に
対して逆方向にブレードにより切削して往復切断して樹
脂封止型半導体装置を分離する工程とよりなる樹脂封止
型半導体装置の製造方法である。
【００２５】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、ブレードによるリードカットによ
り、生産性を高め、リードフレーム、基板から樹脂封止
型半導体装置を分離する際の切断工程でリード部、封止
樹脂部に欠陥、欠損の発生を防止できるものである。
【００２６】さらに樹脂封止した後のリードフレームに
対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離す
る際、切断するリード部の上部、または下部、または上
下部に封止樹脂を形成し、その状態で封止樹脂と共にリ
ードカットするため、リード端面へのカエリ部の発生を
防止できるものである。また、第１の切削の経路に対し
て逆方向にブレードにより第２の切削を行い、切断部を
往復で共切りすることにより、リード部の切断した端面
にカエリが発生したとしても、さらに第２の切削を行
い、その第１の切削で発生した縦カエリ部および横カエ
リ部を除去でき、カエリ部の発生のない樹脂封止型半導
体装置を得ることができるものである。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームと
それを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施
形態について図面を参照しながら説明する。
【００２８】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。
【００２９】図１は本実施形態のリードフレームの一部
分を示す図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
【００３０】図１に示すように、本実施形態のリードフ
レームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半
導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイ
パッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレー
ム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置
した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続
手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とよ
り構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封
止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリ
ード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はア
ウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリ
ード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続し
て設けられている。図１において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４
（アウターリード部４ｂ）を切断する切断部５を示して
いる。
【００３１】また、本実施形態のリードフレームは、図
１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部
３によって支持されているが、その吊りリード部３に設
けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４
上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされ
ているものである。
【００３２】なお、リードフレームは、図１に示した構
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されるものである。
【００３３】次に本実施形態のリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１
に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示し
た透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ
１箇所の断面図である。
【００３４】図２に示すように、リードフレームのダイ
パッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素
子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線
７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部
２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封
止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４
（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底
面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構
成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリ
ード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側
面と同一面である。
【００３５】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
【００３６】まず図３に示すように、フレーム枠と、そ
のフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であ
って、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッ
ド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠
と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有した
リードフレームを用意する。
【００３７】そして図４に示すように、ダイパッド部２
上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載し
ボンディングする。
【００３８】次に図５に示すように、ダイパッド部２上
に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せ
ず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線
７により電気的に接続する。
【００３９】次に図６に示すように、半導体素子６が搭
載された状態のリードフレームの少なくともリード部４
の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シート
１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよう
に保護し、リード部４の底面を露出させるための部材で
ある。
【００４０】次に図７に示すように、リードフレームを
金型内に載置し、金型によりリード部４を封止シート１
０に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止
樹脂８を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッ
ド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細
線７の接続領域を封止する。図８には外囲を封止樹脂８
で封止した状態を示している。
【００４１】次に図９に示すように、リードフレームの
リード部４の底面に密着させていた封止シート１０をピ
ールオフ等により除去する。
【００４２】次に図１０に示すように、リード部４の切
断部５に対して、回転ブレード１１でリードカットを行
う。なお、ここで使用するブレード１１の幅は通常、ウ
ェハーのダイシングで使用するブレードと同様な１００
［μｍ］程度である。
【００４３】そして図１１に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンド
オフを有して露出して、外部端子９を構成するととも
に、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹
脂封止型半導体装置を得るものである。
【００４４】以上、本実施形態のリードフレームを用い
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレード１１で切削して切
断することにより、切断されるリード部４（切断部５）
に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、
リード部４、そのリード部４近傍の封止樹脂８に対する
ダメージを解消してリードカットすることができる。そ
のため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をな
くして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。
【００４５】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法で得られた樹脂封止型半導体装置に起こり得る
別の課題について説明する。
【００４６】図１２は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の課題を示す断面図である。図１２に示す樹脂封止型
半導体装置は、基本構成は前記した図２に示した樹脂封
止型半導体装置と同様であるが、製造過程において、回
転ブレードでリード部４の切断部５を切削してリードカ
ットしているため、回転ブレードによる回転力とリード
部４の素材である金属材料との関係により、切断したリ
ード部４のアウターリード部４ｂの面に金属材によるカ
エリ部１２（金属バリ）が形成されてしまう。このカエ
リ部１２により、樹脂封止型半導体装置を基板実装する
際、実装不良を誘発したり、ハンダ接合時のハンダブリ
ッジを起こしたりする可能性があり、カエリ部１２が発
生しないようリードカット、または発生したカエリ部１
２を除去する必要性が生じている。なお、図１２では、
カエリ部１２は、リード部４の底面側に示しているが、
リード部４の側面側、およびリード部４の上面側にも発
生する場合もある。
【００４７】通常、カエリ部１２の発生要因としては、
リード切断で用いる回転ブレードの切削によって、リー
ド部４を構成している材料である金属材（例えばＣｕ
材）がはね上げられ、金属材の一部が薄膜状に突出し、
カエリ部１２として切断されたリード部４の端面に残留
するものと考えられる。
【００４８】以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法について、主としてリード部４の側面側と底面側
とに発生するカエリ部１２の除去、またはそれ自体の発
生を防止する実施形態について、課題解決における実施
形態として図面を参照しながら説明する。
【００４９】まず課題解決の第１の実施形態について説
明する。
【００５０】図１３〜図２１は、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図であ
る。なお、本実施形態で用いるリードフレームは図１に
示したリードフレームと同様な構成である。
【００５１】まず図１３に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパ
ッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム
枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有した
リードフレームを用意する。
【００５２】そして図１４に示すように、ダイパッド部
２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載
しボンディングする。
【００５３】次に図１５に示すように、ダイパッド部２
上に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示
せず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細
線７により電気的に接続する。
【００５４】次に図１６に示すように、半導体素子６が
搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部
４の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シー
ト１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよ
うに保護し、リード部４の底面を露出させるための部材
である。
【００５５】次に図１７に示すように、第１の金型１３
と第２の金型（図示せず）との金型よりなる封止金型内
にリードフレームを載置し、第１の金型１３によりリー
ド部４を封止シート１０に対して押圧した状態でエポキ
シ系樹脂よりなる封止樹脂８を注入し、リードフレーム
の外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部
４の上面領域と金属細線７の接続領域を封止する。な
お、ここで使用する第１の金型１３は、リードフレーム
の表面側に当接し、リードフレームのリード部４の切断
部に相当する部分に彫り込み部１４を有した金型であ
り、リード部４の切断部を含む上面領域に封止樹脂を形
成する構成を有したものである。
【００５６】図１８には外囲を封止樹脂８で封止した状
態を示し、リード部４の切断部に相当する部分に彫り込
み部１４による封止樹脂８ａが形成されている。
【００５７】次に図１９に示すように、リードフレーム
のリード部４の底面に密着させていた封止シート１０を
ピールオフ等により除去する。
【００５８】次に図２０に示すように、リード部４の切
断箇所に対して、回転ブレード１１でリードカットを行
う。なお、ここで使用するブレード１１の幅は通常、ウ
ェハーのダイシングで使用するブレードと同様な１００
［μｍ］程度である。そしてこのリードカットではリー
ド部４とともにその上面に形成された封止樹脂８ａとと
もに共切りを行うものである。
【００５９】そして図２１に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンド
オフを有して露出して、外部端子９を構成するととも
に、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露
出し、封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型
半導体装置を得るものである。そして特にアウターリー
ド部４ｂ上には封止樹脂８ａが金型形成による段差を有
して形成されているものである。またリード部４の端
面、特にリード部４の端面の上部にはカエリ部の発生は
ない。
【００６０】以上、本実施形態では、樹脂封止した後の
リードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半
導体装置を分離する際、リード部の切断部を含む領域に
封止樹脂を形成し、その封止樹脂を介在させて回転ブレ
ードによってリード部を共切りしてフルカットして樹脂
封止型半導体装置を分離するため、リード部の切断した
端面へのカエリ部の発生を防止してリードカットできる
ものである。しかも短時間によるリードカットが可能で
あり、生産性を高めることができる。
【００６１】次に課題解決の第２の実施形態について説
明する。
【００６２】図２２〜図３０は、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図であ
る。なお、本実施形態で用いるリードフレームは図１に
示したリードフレームと同様な構成であるが、リード部
４のフレーム枠１と接続した領域近傍であって、切断部
５を含む領域には他のリード部分よりも厚みが薄い薄厚
部が形成されているものである。
【００６３】まず図２２に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパ
ッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム
枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有し、
リード部４のフレーム枠１と接続した領域近傍であっ
て、切断部を含む領域には他のリード部分よりも厚みが
薄い薄厚部１５が形成されたリードフレームを用意す
る。
【００６４】そして図２３に示すように、ダイパッド部
２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載
しボンディングする。
【００６５】次に図２４に示すように、ダイパッド部２
上に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示
せず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細
線７により電気的に接続する。
【００６６】次に図２５に示すように、半導体素子６が
搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部
４の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シー
ト１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよ
うに保護し、リード部４の底面を露出させるための部材
である。
【００６７】次に図２６に示すように、第１の金型１３
と第２の金型（図示せず）との金型よりなる封止金型内
にリードフレームを載置し、第１の金型１３によりリー
ド部４を封止シート１０に対して押圧した状態でエポキ
シ系樹脂よりなる封止樹脂８を注入し、リードフレーム
の外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部
４の上面領域と金属細線７の接続領域を封止する。な
お、ここで使用する第１の金型１３は、リードフレーム
の表面側に当接し、リードフレームのリード部４の切断
部に相当する部分に彫り込み部１４を有した金型であ
り、リード部４の切断部を含む上面領域に封止樹脂を形
成する構成を有したものである。
【００６８】図２７には外囲を封止樹脂８で封止した状
態を示し、リード部４の切断部に相当する部分に彫り込
み部１４による封止樹脂８ａが形成され、リード部４の
下面の薄厚部１５には、その段差分の封止樹脂８ｂが形
成されている。
【００６９】次に図２８に示すように、リードフレーム
のリード部４の底面に密着させていた封止シート１０を
ピールオフ等により除去する。
【００７０】次に図２９に示すように、リード部４の切
断箇所に対して、回転ブレード１１でリードカットを行
う。なお、ここで使用するブレード１１の幅は通常、ウ
ェハーのダイシングで使用するブレードと同様な１００
［μｍ］程度である。そしてこのリードカットではリー
ド部４とともにその上面に形成された封止樹脂８ａ、お
よび下面に形成された封止樹脂８ｂとともに共切りを行
うものである。
【００７１】そして図３０に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンド
オフを有して露出して、外部端子９を構成するととも
に、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露
出し、封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型
半導体装置を得るものである。そして特にアウターリー
ド部４ｂ上部には封止樹脂８ａが金型形成による段差を
有して形成され、アウターリード部４ｂ下部には封止樹
脂８ｂがその薄厚部１５による段差を有して形成されて
いるものである。またリード部４の端面、特にリード部
４の端面の上部および下部にはカエリ部の発生はない。
【００７２】以上、本実施形態では、樹脂封止した後の
リードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半
導体装置を分離する際、リード部の切断部を含む領域の
上下部に封止樹脂を形成し、その封止樹脂を介在させて
回転ブレードによってリード部を共切りしてフルカット
して樹脂封止型半導体装置を分離するため、リード部の
切断した端面へのカエリ部の発生を防止してリードカッ
トできるものである。しかも短時間によるリードカット
が可能であり、生産性を高めることができる。また本実
施形態では前記した第１の実施形態に加えて、切断する
リード部の下部にも共切り用の樹脂を介在させて切断す
るため、よりカエリ部の発生を防止できるものである。
【００７３】また本実施形態では、リード部４の切断す
る領域を含む領域の下部にリード部４の厚みを他よりも
薄い薄厚部１５を形成したリードフレームを用い、さら
にリード部の切断する領域を含む領域の上部に封止樹脂
を形成するために彫り込み部１４を有した金型で封止
し、リード部４の切断する領域の上下部には封止樹脂８
ａ，８ｂを形成して共切りしてリードカットした例を示
したが、リード部４の切断する領域を含む領域の下部に
リード部４の厚みを他よりも薄い薄厚部１５を形成した
リードフレームを用いて、通常の金型によって封止し、
リード部４の下部にのみ封止樹脂を形成して共切りして
もよい。この場合、特にリード部４の切断面の端面下部
に発生するカエリ部を防止できるものである。
【００７４】次に課題解決の第３の実施形態について説
明する。
【００７５】図３１〜図４１は、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図であ
る。なお、本実施形態で用いるリードフレームは図１に
示したリードフレームと同様な構成であるが、リード部
４のフレーム枠１と接続した領域近傍であって、切断部
５を含む領域には他のリード部分よりも厚みが薄い薄厚
部が形成されているものである。また本実施形態の製造
方法は基本的には前記した第２の実施形態の工程と同様
であり、往復カットする構成が加わったものである。
【００７６】まず図３１に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパ
ッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム
枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有し、
リード部４のフレーム枠１と接続した領域近傍であっ
て、切断部を含む領域には他のリード部分よりも厚みが
薄い薄厚部１５が形成されたリードフレームを用意す
る。
【００７７】そして図３２に示すように、ダイパッド部
２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載
しボンディングする。
【００７８】次に図３３に示すように、ダイパッド部２
上に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示
せず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細
線７により電気的に接続する。
【００７９】次に図３４に示すように、半導体素子６が
搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部
４の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シー
ト１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよ
うに保護し、リード部４の底面を露出させるための部材
である。
【００８０】次に図３５に示すように、第１の金型１３
と第２の金型（図示せず）との金型よりなる封止金型内
にリードフレームを載置し、第１の金型１３によりリー
ド部４を封止シート１０に対して押圧した状態でエポキ
シ系樹脂よりなる封止樹脂８を注入し、リードフレーム
の外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部
４の上面領域と金属細線７の接続領域を封止する。な
お、ここで使用する第１の金型１３は、リードフレーム
の表面側に当接し、リードフレームのリード部４の切断
部に相当する部分に彫り込み部１４を有した金型であ
り、リード部４の切断部を含む上面領域に封止樹脂を形
成する構成を有したものである。
【００８１】図３６には外囲を封止樹脂８で封止した状
態を示し、リード部４の切断部に相当する部分に彫り込
み部１４による封止樹脂８ａが形成され、リード部４の
下面の薄厚部１５には、その段差分の封止樹脂８ｂが形
成されている。
【００８２】次に図３７に示すように、リードフレーム
のリード部４の底面に密着させていた封止シート１０を
ピールオフ等により除去する。
【００８３】次に図３８に示すように、リード部４の切
断箇所に対して、回転ブレード１１で第１の切削による
リードカットを行う。なお、ここで使用するブレード１
１の幅は通常、ウェハーのダイシングで使用するブレー
ドと同様な１００［μｍ］程度である。そしてこのリー
ドカットではリード部４とともにその上面に形成された
封止樹脂８ａ、および下面に形成された封止樹脂８ｂと
ともに共切りを行うものである。
【００８４】そして図３９，図４０に示すように、リー
ド部４の前記第１の切削で形成した溝の経路に対して、
逆方向にブレード１１により復路で第２の切削を行い、
往復切断する。
【００８５】そして図４１に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンド
オフを有して露出して、外部端子９を構成するととも
に、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露
出し、封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型
半導体装置を得るものである。そして特にアウターリー
ド部４ｂ上部には封止樹脂８ａが金型形成による段差を
有して形成され、アウターリード部４ｂ下部には封止樹
脂８ｂがその薄厚部１５による段差を有して形成されて
いるものである。またリード部４の端面、特にリード部
４の端面の上部および下部にはカエリ部の発生はない。
【００８６】以上、本実施形態では、樹脂封止した後の
リードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半
導体装置を分離する際、リード部の切断部を含む領域の
上下部に封止樹脂を形成し、その封止樹脂を介在させて
回転ブレードによってリード部を共切りしてフルカット
して樹脂封止型半導体装置を分離するため、リード部の
切断した端面へのカエリ部の発生を防止してリードカッ
トできるものである。しかも短時間によるリードカット
が可能であり、生産性を高めることができる。また本実
施形態では前記した第１の実施形態に加えて、切断する
リード部の下部にも共切り用の樹脂を介在させて往復切
断するため、よりカエリ部の発生を防止できるものであ
る。
【００８７】なお、各実施形態において、切断時のブレ
ードの回転数、被切断物の送り速度、ブレードのサイ
ズ、ブレード材質等については、適宜、最適値を設定す
る。また、使用する回転ブレードについても、通常のダ
イシングに使用する断面がＵ型または平坦なブレード以
外に、断面形状がＶ型のブレードを用いてもよい。
【００８８】さらに各実施形態では、フレーム枠内に１
つのダイパッド部と、それに対向して配置された複数の
リード部とにより構成されたユニットをその領域内に複
数ユニットを有したリードフレームに対して、各ユニッ
トごとに樹脂封止してパッケージ部を構成し、各ユニッ
ト間に露出したリード部をその切断部で切断する例を示
したが、本実施形態で示したように、リード部に対して
徐々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、
幅、切断する面の方向を変えてリードカットを実施する
手段によって、一括成形としてリードフレーム内の各ユ
ニットを包括して全面樹脂封止し、各ユニット間のリー
ド部の上面、すなわち各ユニット間のリード部の切断部
に封止樹脂が形成された場合においても、同様な作用効
果を奏するものである。
【００８９】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、樹脂封止後のリードカット工程で
は、金型の切断刃に代えて、基板ダイシング等で用いる
ような回転ブレードで切削して切断することにより、切
断されるリード部に対しては、切断時の押圧力による衝
撃が印加されず、リード部、そのリード部近傍の封止樹
脂に対するダメージを解消してリードカットすることが
できる。そのため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損
の発生をなくして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を
得ることができる。
【００９０】さらに樹脂封止した後のリードフレームに
対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離す
る際、切断するリード部の上部、または下部、または上
下部に封止樹脂を形成し、その状態で封止樹脂と共にリ
ードカットすることにより、リード端面へのカエリ部の
発生を防止できるものである。さらに、第１の切削の経
路に対して逆方向にブレードにより第２の切削を行い、
切断部を往復で共切りすることにより、リード部の切断
した端面にカエリが発生したとしても、さらに第２の切
削を行い、その第１の切削で発生した縦カエリ部および
横カエリ部を除去できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の課題を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図４０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図４１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図４２】従来のリードフレームを示す図
【図４３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図４４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図５０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図５１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図５２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【符号の説明】
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ リード部 ５ 切断部 ６ 半導体素子 ７ 金属細線 ８ 封止樹脂 ９ 外部端子 １０ 封止シート １１ 回転ブレード １２ カエリ部 １３ 第１の金型 １４ 彫り込み部 １５ 薄厚部 １０１ フレーム枠 １０２ ダイパッド部 １０３ 吊りリード部 １０４ リード部 １０５ 半導体素子 １０６ 金属細線 １０７ 封止樹脂 １０８ 外部端子 １０９ 封止シート １１０ 切断部 １１１ 切断刃
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ａ (72)発明者 内海 勝喜 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 安達 修 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 松尾 隆広 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA10 FA00 5F061 AA01 BA01 CA21 CB12 CB13 EA03 5F067 AA01 AA09 AB04 BC12 BD05 BD10 DB00 DE14

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
    用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
    し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
    なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
    他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
    ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切
    断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記
    用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
    素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した
    前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフ
    レームのリード部の各上面とを金属細線により接続する
    工程と、封止金型として、前記リードフレームの表面側
    に当接し、前記リードフレームのリード部の切断部に相
    当する部分に彫り込み部を有した第１の金型と、前記第
    １の金型とともに前記リードフレームを挟み込む第２の
    金型とを用意する工程と、前記リードフレームの裏面側
    の少なくともリード部の各底面に封止シートを密着させ
    る工程と、前記第１の金型と第２の金型との間に前記リ
    ードフレームを載置し、少なくとも前記リードフレーム
    のリード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の底
    面を前記封止シートに押圧した状態で封止樹脂を注入し
    て、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
    子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
    面を除く領域を封止樹脂により樹脂封止するとともに、
    前記第１の金型の彫り込み部に封止樹脂を注入して前記
    フレームのリード部の切断部上に封止樹脂を形成する工
    程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレー
    ムより除去する工程と、前記リードの切断部上面に対し
    てブレードによる切削を行い、前記切断部上に形成され
    た封止樹脂と共に切断部を切断して樹脂封止型半導体装
    置を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
    用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
    し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
    なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
    他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
    ード部の前記フレーム枠と接続した領域近傍に設けら
    れ、他のリード部分よりも薄厚の切断部とよりなるリー
    ドフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレ
    ームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程
    と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主
    面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の
    各上面とを金属細線により接続する工程と、封止金型と
    して、前記リードフレームの表面側に当接する第１の金
    型と、前記第１の金型とともに前記リードフレームを挟
    み込む第２の金型とを用意する工程と、前記リードフレ
    ームの裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シー
    トを密着させる工程と、前記第１の金型と第２の金型と
    の間に前記リードフレームを載置し、少なくとも前記リ
    ードフレームのリード部の端部に押圧力を付加し、前記
    リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態で封止
    樹脂を注入して、前記リードフレームの上面側として前
    記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リ
    ード部の底面を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する
    とともに、前記リードフレームの前記リード部の切断部
    の薄厚による段差部分に封止樹脂を注入して前記フレー
    ムのリード部の切断部底面に封止樹脂を形成する工程
    と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレーム
    より除去する工程と、前記リードの切断部上面に対して
    ブレードによる切削を行い、前記切断部底面に形成した
    封止樹脂と共に切断部を切断して樹脂封止型半導体装置
    を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導
    体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
    用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
    し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
    なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
    他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
    ード部の前記フレーム枠と接続した領域近傍に設けら
    れ、他のリード部分よりも薄厚の切断部とよりなるリー
    ドフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレ
    ームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程
    と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主
    面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の
    各上面とを金属細線により接続する工程と、封止金型と
    して、前記リードフレームの表面側に当接し、前記リー
    ドフレームのリード部の切断部に相当する部分に彫り込
    み部を有した第１の金型と、前記第１の金型とともに前
    記リードフレームを挟み込む第２の金型とを用意する工
    程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード
    部の各底面に封止シートを密着させる工程と、前記第１
    の金型と第２の金型との間に前記リードフレームを載置
    し、少なくとも前記リードフレームのリード部の端部に
    押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記封止シート
    に押圧した状態で封止樹脂を注入して、前記リードフレ
    ームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金
    属細線、および前記リード部の底面を除く領域を封止樹
    脂により樹脂封止するとともに、前記リードフレームの
    前記リード部の切断部の薄厚による段差部分と前記第１
    の金型の彫り込み部とに封止樹脂を注入して前記フレー
    ムのリード部の切断部上下面に封止樹脂を形成する工程
    と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレーム
    より除去する工程と、前記リードの切断部上面に対して
    ブレードによる切削を行い、前記切断部上下面に形成し
    た封止樹脂と共に切断部を切断して樹脂封止型半導体装
    置を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
    用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
    し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
    なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
    他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
    ード部の前記フレーム枠と接続した領域近傍に設けら
    れ、他のリード部分よりも薄厚の切断部とよりなるリー
    ドフレームを用意する工程と、前記用意したリードフレ
    ームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工程
    と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主
    面上の電極パッドと、前記リードフレームのリード部の
    各上面とを金属細線により接続する工程と、封止金型と
    して、前記リードフレームの表面側に当接し、前記リー
    ドフレームのリード部の切断部に相当する部分に彫り込
    み部を有した第１の金型と、前記第１の金型とともに前
    記リードフレームを挟み込む第２の金型とを用意する工
    程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード
    部の各底面に封止シートを密着させる工程と、前記第１
    の金型と第２の金型との間に前記リードフレームを載置
    し、少なくとも前記リードフレームのリード部の端部に
    押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記封止シート
    に押圧した状態で封止樹脂を注入して、前記リードフレ
    ームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、金
    属細線、および前記リード部の底面を除く領域を封止樹
    脂により樹脂封止するとともに、前記リードフレームの
    前記リード部の切断部の薄厚による段差部分と前記第１
    の金型の彫り込み部とに封止樹脂を注入して前記フレー
    ムのリード部の切断部上下面に封止樹脂を形成する工程
    と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレーム
    より除去する工程と、前記リードの切断部上面に対して
    ブレードによる切削を行い、前記切断部上下面に形成し
    た封止樹脂と共に切断部を切断し、さらに前記切削の経
    路に対して逆方向にブレードにより切削して往復切断し
    て樹脂封止型半導体装置を分離する工程とよりなること
    を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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