JPS63119025A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、記録再生可能な光ピックアップ装置に関する
。

従来技術 従来、この種の光ピックアップ装置としては第３図に示
すようなものがある。まず、半導体レーザ１からの光（
Ｐ偏光）はカップリングレンズ２により平行光とされる
。その後、偏光ビームスプリッタ３及びλ／４板４を通
った後（円偏光となっている）、対物レンズ５によって
集光され光デイスク６上に約１μｍのスポットとして照
射される。そして、光ディスク６からの反射光は再び対
物レンズ５及びλ／４板４を通る。これにより、光はＳ
偏光となり、偏光ビームスプリッタ３の反射１１３ａに
より反射されて検出レンズ７に入射される。そして、二
の第３図では焦点検出法としてナイフェツジ法を用いて
いるので、検出レンズ７からの光の一部はナイフェツジ
８により遮光される。残りの光は焦点検出用の２分割受
光素子９に入射する。なお、トラック検出には公知のプ
ッシュプル法が用いられているが、その光学系は省略す
る。

ここで、ナイフェツジ方式の検出原理を第４図を参照し
て説明する。まず、同図（ａ）は光ディスク６が合焦時
を示す。即ち、対物レンズ５の焦点位置に光ディスク６
が位置する場合である。この場合には、光ディスク６が
焦点に位置するため、光ディスク６からの反射光は再び
対物レンズ５を通ると平行光となる。そして、検出レン
ズ７を介してこの検出レンズ７の焦点位置に設置された
２分割受光素子９上に集光される。Ｐ、はその集光点を
示す。このような状態では、２分割受光素子９の２つの
素子をＡ、Ｂとすると、それらの出力関係はＡ＝Ｂとな
る。

一方、同図（ｂ）は光ディスク６が対物レンズ５の焦点
位置よりも遠ざかった位置に位置する場合を示す。この
場合には、光ディスク・６からの反射光が対物レンズ５
を通った後、収束光となるため。

集光点Ｐ１　は２分割受光素子９よりも手前位置となる
。これにより、２分割受光素子９ではＢ素子側に多くの
光が入射することになる。つまり、出力関係はＢ＞Ａと
なる。

又、同図（Ｃ）は光ディスク６が対物レンズ５の焦点位
置よりも近づいた位置に位置する場合を示す。この場合
には、光ディスク６からの反射光が対物レンズ５を通っ
た後、発散光となるため、集光点Ｐ、は２分割受光素子
９よりも奥側の位置となる。これにより、２分割受光素
子９ではＡ素子側に多くの光が入射することになる。つ
まり、出力関係はＢ＜Ａとなる。

つまり、これらの図示状態を考慮すると、２分割受光素
子９の素子Ａ、Ｂの出力差Ａ−Ｂを算出することにより
、焦点信号が得られることとなるものである。

ところが、このような従来のナイフェツジ法において、
焦点検出の感度を向上させようとするためには、検出レ
ンズ７として長焦点のものを用いる必要がある。この結
果、光ピックアップ光学系が大型化してしまう。又、環
境温度変化の影響を受けやすい。この点について、更に
説明する。光ピックアップにおける各種光学部品は温度
変化によって変位し得る。この中で最も影響の大きいの
は、偏光ビームスプリッタ３の傾きである。第５図に示
すように、環境温度の変化によって偏光ビームスプリッ
タ３が傾いたとすると、この偏光ビームスプリッタ３か
らの反射光はその２倍も傾いて射出されることとなる。

よって、第４図（ａ）のような合焦時であっても、偏光
ビームスプリッタ３が第５図のように傾くと一方の受光
素子に多くの光が入射する状態と゛なり、焦点信号にオ
フセットが発生する。つまり、環境温度変化により焦点
検出誤差が生じやすいものである。

目的 本発明は、このような点に鑑みなされたもので、小型で
コンパクトな構成にして環境温度変化の影響を受けるこ
となく焦点検出できる光ピックアップ装置を得ることを
目的とする。

構成 本発明は、上記目的を達成するため、半導体レーザから
射出させた光を対物レンズにより光デイスク上に集光し
て情報の記録又は再生を行なう光ピックアップ装置にお
いて、前記半導体レーザと前記光ディスクとの間に前記
半導体レーザ側から順に偏光ビームスプリッタ、第１の
λ／４板及び前記対物レンズを順に配置して前記光ディ
スクへの入射光路を設定し、前記光ディスクからの反射
光が前記対物レンズ及び第１のλ／４板及び偏光ビーム
スプリッタを経た後の光路に第２のλ／４板と曲面側に
反射処理を施して反射部を備えた凸レンズミラーとを前
記偏光ビームスプリッタに一体化して設け、この凸レン
ズミラーの反射部からの反射光が前記第２のλ／４板及
び前記偏光ビームスプリッタを経た後の光路にナイフェ
ツジ及び受光素子を配置したことを特徴とするものであ
る。

以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づいて
説明する。まず、Ｐ偏光のレーザ光を射出する半導体レ
ーザ１１が設けられている。そして、記録又は再生すべ
き光ディスク１２が離間対向して設けられている。これ
らの半導体レーザ１１と光ディスク１２との間には前記
半導体レーザ１１側から順に平行光束に変換するカップ
リングレンズ１３．Ｐ偏光を透過させる反射膜１４ａを
備えた偏光ビームスプリッタ１４と、第１のλ／４板１
５と、この第１のλ／４板１５により円偏光となった光
の集光用の対物レンズ１６とが直線的に順に配置され、
前記光ディスク１２への入射光路が形成されている。

そして、この光ディスク１２からの反射光が再び前記対
物レンズ１６及び第１のλ・／４板１５を通り、Ｓ偏光
にされて偏光ビームスプリッタ１４の反射膜１４ａによ
り反射された後の光路には、まず、第２のλ゛／４板１
７がこの偏光ビームスプリッタ１４に密着して取付けら
れている。更に、その光路前方には凸レンズミラー１８
が設けられている。この凸レンズミラー１８は前記第２
のλ／４板１板側７側坦面を有してこの第２のλ／４板
１板製７もに前記偏光ビームスプリッタ１４の一面に接
着固定されて一体化されている（なお、これらは連結部
材を用いて一体的に固定してもよい）。そして、凸レン
ズミラー１８の背面曲面側には反射膜がコーティングさ
れ、反射部１８ａが形成されている。

更に、前記凸レンズミラー１８の反射部１８ａに入射し
た光は反射されて再び第２のλ／４板１板製７偏光ビー
ムスプリッタ１４を通ることになるが、その後の光路に
は焦点検出用２分割受光素子１９が配置されている。又
、二の光路途中にはナイフェツジ２０が設けられている
。つまり、これらの受光素子１９及びナイフェツジ２０
は偏光ビームスプリッタ１４に対して第２のλ／４板１
板製７凸レンズミラー１８とは反対側に配置されている
。

このような構成において、半導体レーザ１１からのＰ偏
光の光は偏光ビームスプリッタ１４を透過し、更に第１
のλ／４板１５を透過することにより円偏光となる。そ
して、対物レンズ１６により集光され、光デイスク１２
上に約１μｍのスポットが形成される。そして、この光
ディスク１２からの反射光は再び対物レンズ１６を透過
した後、第１のλ／４板１５を再度透過する。これによ
り、光はＳ偏光となって偏光ビームスプリッタ１４に入
射する。これにより、今度は反射膜１４ａを透過せずに
この反射膜１４ａにより反射されて入射光とは分離され
て射出される。この際、第２のλ／４板１板製７るので
、再び円偏光となる。二の第２のλ／４板１板製７った
光は凸レンズミラー１８に向い、その反射部１８ａによ
り反射され収束光となって再び第２のλ／４板１板側７
側かう。

ここで、この第２のλ／４板１板製７度通過することに
より、光は再びＰ偏光となる。よって、偏光ビームスプ
リッタ１４に入射した後、その反射膜１４ａを透過して
進行し、ナイフェツジ２０により一部遮光されながら反
対側の焦点検出用２分割受光素子１９に入射される。こ
れにより、焦点検出に供される。

このような本実施例方式による特徴点を説明する。まず
、検出レンズの作用をなすレンズを凸レンズミラー１８
とし反射後の光が収束光となるようにし、かつ、ナイフ
ェツジ２０や受光素子１９とは反対面側にて偏光ビーム
スプリッタ１４に配置したので、焦点検出光路が折返し
状に小型化されるもので、空間が有効利用され、光ピッ
クアップは小型化し得るものとなる。又、第２のλ／４
板１７及び凸レンズミラー１８を偏光ビームスプリッタ
１４に一体化しているため、環境温度の変化によってこ
の偏光ビームスプリッタ１４が傾いたとしても、凸レン
ズミラー１８等も一緒に同一方向に傾くことになる。第
２図は偏光ビームスプリッタ１４が角度θだけ傾いた状
態を示す。この状態では、偏光ビームスプリッタ１４の
反射膜１４ａによって反射される光も角度ｅだけ傾くこ
ととなる。しかし、凸レンズミラー１８も同時に角度θ
だけ同一方向に傾き、この凸レンズミラー１８の反射部
１８ａで反射される光は一部だけ傾いて相殺キャンセル
されるものとなる。よって、２分割受光素子１９により
検出される焦点信号にはオフセットが発生せず、焦点検
出誤差を軽減できる。

効果 本発明は、上述したように光ピックアップとしての一般
的な構成に加え、第２のλ／４板と反射部を備えた凸レ
ンズミラーとを偏光ビームスプリッタに一体化して設け
、凸レンズミラーの反射側にナイフェツジ及び受光素子
を設けたので、光ピックアップ光学系の小型化を図りつ
つ、環境温度の変化により偏光ビームスプリッタに傾き
を生じたとしても検出信号にオフセットが発生するのを
防止することができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す側面図、第２図はその
一部を拡大して示す傾斜時の側面図、第３図は従来例を
示す側面図、第４図はナイフェツジ法の検出原理を示す
側面図、第５図はオフセット発生を示す側面図である。 １１・・・半導体レーザ、１２・・・光ディスク、１４
・・・偏光ビームスプリッタ、１５・・・第１のλ／４
板、１６・・・対物レンズ、１７・・・第２のλ／４板
、１８・・・凸レンズミラー、１８ａ・・・反射部用　
願　人　　　株式会社　　リ　コ　−」１づ ゴー１ Ｊ、ｌ　　図 」７ ．５，３　図 Ａ〜１か。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体レーザから射出させた光を対物レンズにより光デ
   ィスク上に集光して情報の記録又は再生を行なう光ピッ
   クアップ装置において、前記半導体レーザと前記光ディ
   スクとの間に前記半導体レーザ側から順に偏光ビームス
   プリッタ、第１のλ／４板及び前記対物レンズを順に配
   置して前記光デイスクへの入射光路を設定し、前記光デ
   ィスクからの反射光が前記対物レンズ及び第１のλ／４
   板及び偏光ビームスプリッタを経た後の光路に第２のλ
   ／４板と曲面側に反射処理を施して反射部を備えた凸レ
   ンズミラーとを前記偏光ビームスプリッタに一体化して
   設け、この凸レンズミラーの反射部からの反射光が前記
   第２のλ／４板及び前記偏光ビームスプリッタを経た後
   の光路にナイフエツジ及び受光素子を配置したことを特
   徴とする光ピツクアツプ装置。