JPH05198030A - 光磁気記録用レーザカプラ - Google Patents
光磁気記録用レーザカプラInfo
- Publication number
- JPH05198030A JPH05198030A JP4030044A JP3004492A JPH05198030A JP H05198030 A JPH05198030 A JP H05198030A JP 4030044 A JP4030044 A JP 4030044A JP 3004492 A JP3004492 A JP 3004492A JP H05198030 A JPH05198030 A JP H05198030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- beam splitter
- polarization beam
- polarized light
- magneto
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】薄型でしかも信頼性が高い光磁気記録用のピッ
クアップを作ることができる光磁気記録用レーザカプラ
を提供する。 【構成】偏光ビームスプリッタ２５は、ｓ偏光を一部反
射し、ｐ偏光を１００％透過する。偏光ビームスプリッ
タ２２は、ｓ偏光を１００％反射し、ｐ偏光を１００％
透過する。光磁気ディスクで反射されてｓ偏光と信号成
分であるｐ偏光とを含み偏光ビームスプリッタ２５を透
過した光は、半波長板２４で偏光面を４５°だけ回転さ
れる。その後、偏光ビームスプリッタ２２で振り分けら
れ、焦点前にフォトダイオード１７へ入射し、プリズム
２１中での焦点後にフォトダイオード１８へ入射する。
従って、フォトダイオード１７、１８の差動出力によっ
て、光磁気信号とフォーカスエラー信号とが得られる。
クアップを作ることができる光磁気記録用レーザカプラ
を提供する。 【構成】偏光ビームスプリッタ２５は、ｓ偏光を一部反
射し、ｐ偏光を１００％透過する。偏光ビームスプリッ
タ２２は、ｓ偏光を１００％反射し、ｐ偏光を１００％
透過する。光磁気ディスクで反射されてｓ偏光と信号成
分であるｐ偏光とを含み偏光ビームスプリッタ２５を透
過した光は、半波長板２４で偏光面を４５°だけ回転さ
れる。その後、偏光ビームスプリッタ２２で振り分けら
れ、焦点前にフォトダイオード１７へ入射し、プリズム
２１中での焦点後にフォトダイオード１８へ入射する。
従って、フォトダイオード１７、１８の差動出力によっ
て、光磁気信号とフォーカスエラー信号とが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体から記
録情報を読み取るためのピックアップに用いて好適な光
磁気記録用レーザカプラに関するものである。
録情報を読み取るためのピックアップに用いて好適な光
磁気記録用レーザカプラに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】情報の記録及び消去を何度でも繰り返し
て行うことができる記録媒体の一つとして、光磁気ディ
スクが知られている。この様な光磁気ディスクに対して
情報の記録や読み取りを行うピックアップとしては、偏
光ビームスプリッタ等の部品をアセンブリして接着等で
固定したものが従来から知られている。
て行うことができる記録媒体の一つとして、光磁気ディ
スクが知られている。この様な光磁気ディスクに対して
情報の記録や読み取りを行うピックアップとしては、偏
光ビームスプリッタ等の部品をアセンブリして接着等で
固定したものが従来から知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、部品をアセン
ブリした従来のピックアップでは、薄型化が困難であ
る。しかも、部品が接着等で固定されているので、温度
や経時変化による位置ずれ等が発生し易くて信頼性が低
い。
ブリした従来のピックアップでは、薄型化が困難であ
る。しかも、部品が接着等で固定されているので、温度
や経時変化による位置ずれ等が発生し易くて信頼性が低
い。
【０００４】なお、コンパクトディスクを再生するため
のピックアップは、レーザダイオードやマイクロプリズ
ム等を一体的にしたレーザカプラを用いて作られてい
る。しかし、コンパクトディスク用のレーザカプラは、
無偏光光学系を採用しており、反射光の偏光面の回転か
ら記録情報を読み取る光磁気記録用のピックアップを作
ることができない。
のピックアップは、レーザダイオードやマイクロプリズ
ム等を一体的にしたレーザカプラを用いて作られてい
る。しかし、コンパクトディスク用のレーザカプラは、
無偏光光学系を採用しており、反射光の偏光面の回転か
ら記録情報を読み取る光磁気記録用のピックアップを作
ることができない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による光磁気記録
用レーザカプラ１１は、半導体基板１４に対して固定さ
れており、直線偏光である第１の光を射出するレーザダ
イオード１６と、前記半導体基板１４に対して固定され
ており、前記第１の光の少なくとも一部を反射すると共
に前記第１の光とは偏光面が直交する直線偏光である第
２の光を透過する第１の偏光ビームスプリッタと２５、
前記半導体基板１４に対して固定されており、前記第１
の偏光ビームスプリッタ２５を透過した光２８を入射さ
せる半波長板２４と、前記半導体基板１４に対して固定
されており、前記第１の光を反射すると共に前記第２の
光を透過し、前記半波長板１４を透過した光２８を入射
させる第２の偏光ビームスプリッタ２２と、前記半導体
基板１４に対して固定されており、前記第２の偏光ビー
ムスプリッタ２２で反射された光２８を入射させて焦点
を結ばせるプリズム２１と、前記半導体基板１４に形成
されており、前記第２の偏光ビームスプリッタ２２を透
過した光２８と前記焦点を結んだ後の光２８とを夫々入
射させる第１及び第２の受光素子１７、１８とを具備し
ている。
用レーザカプラ１１は、半導体基板１４に対して固定さ
れており、直線偏光である第１の光を射出するレーザダ
イオード１６と、前記半導体基板１４に対して固定され
ており、前記第１の光の少なくとも一部を反射すると共
に前記第１の光とは偏光面が直交する直線偏光である第
２の光を透過する第１の偏光ビームスプリッタと２５、
前記半導体基板１４に対して固定されており、前記第１
の偏光ビームスプリッタ２５を透過した光２８を入射さ
せる半波長板２４と、前記半導体基板１４に対して固定
されており、前記第１の光を反射すると共に前記第２の
光を透過し、前記半波長板１４を透過した光２８を入射
させる第２の偏光ビームスプリッタ２２と、前記半導体
基板１４に対して固定されており、前記第２の偏光ビー
ムスプリッタ２２で反射された光２８を入射させて焦点
を結ばせるプリズム２１と、前記半導体基板１４に形成
されており、前記第２の偏光ビームスプリッタ２２を透
過した光２８と前記焦点を結んだ後の光２８とを夫々入
射させる第１及び第２の受光素子１７、１８とを具備し
ている。
【０００６】
【作用】本発明による光磁気記録用レーザカプラ１１で
は、レーザダイオード１６から射出された第１の光の少
なくとも一部を第１の偏光ビームスプリッタ２５で反射
して光磁気記録媒体１２へ入射させ、光磁気記録媒体１
２で反射された光２８を再び第１の偏光ビームスプリッ
タ２５へ入射させると、この光２８のうちで第１の光の
少なくとも一部と第２の光とが第１の偏光ビームスプリ
ッタ２５を透過する。
は、レーザダイオード１６から射出された第１の光の少
なくとも一部を第１の偏光ビームスプリッタ２５で反射
して光磁気記録媒体１２へ入射させ、光磁気記録媒体１
２で反射された光２８を再び第１の偏光ビームスプリッ
タ２５へ入射させると、この光２８のうちで第１の光の
少なくとも一部と第２の光とが第１の偏光ビームスプリ
ッタ２５を透過する。
【０００７】そして、第１の偏光ビームスプリッタ２５
を透過した光２８の偏光面が半波長板２４で回転される
ので、第１の偏光ビームスプリッタ２５へ入射した光２
８のうちでレーザダイオード１６から射出された第１の
光とは偏光面が直交する直線偏光である第２の光を、第
１及び第２の受光素子１７、１８の差動出力によって検
出することが可能である。
を透過した光２８の偏光面が半波長板２４で回転される
ので、第１の偏光ビームスプリッタ２５へ入射した光２
８のうちでレーザダイオード１６から射出された第１の
光とは偏光面が直交する直線偏光である第２の光を、第
１及び第２の受光素子１７、１８の差動出力によって検
出することが可能である。
【０００８】また、第１及び第２の受光素子１７、１８
には第２の偏光ビームスプリッタ２２を透過した光２８
とプリズム２１内で焦点を結んだ後の光２８とを夫々入
射させるので、第１及び第２の受光素子１７、１８の出
力から、光２８を反射している光磁気記録媒体１２のフ
ォーカスエラーを検出することが可能である。
には第２の偏光ビームスプリッタ２２を透過した光２８
とプリズム２１内で焦点を結んだ後の光２８とを夫々入
射させるので、第１及び第２の受光素子１７、１８の出
力から、光２８を反射している光磁気記録媒体１２のフ
ォーカスエラーを検出することが可能である。
【０００９】しかも、何れの構成要素も半導体基板１４
に対して固定されているか半導体基板１４に形成されて
いるので、半導体チップレベルのアセンブリを行ってパ
ッケージ２７内に封止することができる。
に対して固定されているか半導体基板１４に形成されて
いるので、半導体チップレベルのアセンブリを行ってパ
ッケージ２７内に封止することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の第１〜第４実施例を、図１〜
１０を参照しながら説明する。
１０を参照しながら説明する。
【００１１】図１〜７が、第１実施例を示している。図
２に示す様に、この第１実施例の光磁気記録用レーザカ
プラ１１は、光磁気ディスク１２から光磁気記録信号を
読み出すためのピックアップのうちで対物レンズ１３以
外の光学要素を集積化したものである。
２に示す様に、この第１実施例の光磁気記録用レーザカ
プラ１１は、光磁気ディスク１２から光磁気記録信号を
読み出すためのピックアップのうちで対物レンズ１３以
外の光学要素を集積化したものである。
【００１２】図１に示す様に、光磁気記録用レーザカプ
ラ１１はＳｉ基板１４を有している。Ｓｉ基板１４上に
は他のＳｉ基板等であるサブマウント１５が銀ペースト
等で固定されており、更にサブマウント１５上にレーザ
ダイオード１６が半田等で固定されている。
ラ１１はＳｉ基板１４を有している。Ｓｉ基板１４上に
は他のＳｉ基板等であるサブマウント１５が銀ペースト
等で固定されており、更にサブマウント１５上にレーザ
ダイオード１６が半田等で固定されている。
【００１３】Ｓｉ基板１４のうちでサブマウント１５が
固定されている位置とは異なる位置に、２個のフォトダ
イオード１７、１８が形成されている。フォトダイオー
ド１７、１８は、図６に示す様に、これらの配列方向と
は直角な方向に分割されている３個ずつの部分Ａ〜Ｃ及
びＤ〜Ｆから成っている。
固定されている位置とは異なる位置に、２個のフォトダ
イオード１７、１８が形成されている。フォトダイオー
ド１７、１８は、図６に示す様に、これらの配列方向と
は直角な方向に分割されている３個ずつの部分Ａ〜Ｃ及
びＤ〜Ｆから成っている。
【００１４】フォトダイオード１７、１８上には、高さ
が１ｍｍ程度で側断面が平行四辺形であるプリズム２１
が接着されている。プリズム２１のうちでフォトダイオ
ード１７に対向している斜面には、ｓ偏光を１００％反
射しｐ偏光を１００％透過する偏光ビームスプリッタ２
２が形成されており、この斜面とは反対側の斜面には、
全反射ミラー２３が形成されている。
が１ｍｍ程度で側断面が平行四辺形であるプリズム２１
が接着されている。プリズム２１のうちでフォトダイオ
ード１７に対向している斜面には、ｓ偏光を１００％反
射しｐ偏光を１００％透過する偏光ビームスプリッタ２
２が形成されており、この斜面とは反対側の斜面には、
全反射ミラー２３が形成されている。
【００１５】また、プリズム２１の上面でフォトダイオ
ード１７の上方の部分には、半波長板２４とｓ偏光を１
〜１００％の範囲内、通常は２０〜８０％反射しｐ偏光
を１００％透過する偏光ビームスプリッタ２５とが一体
化されたものが固定されている。なお、偏光ビームスプ
リッタ２５におけるｓ偏光の反射率は、光磁気ディスク
１２から戻って来たｓ偏光と信号成分であるｐ偏光との
強度比、つまり信号のエンハンスをどの程度にするかで
決定される。
ード１７の上方の部分には、半波長板２４とｓ偏光を１
〜１００％の範囲内、通常は２０〜８０％反射しｐ偏光
を１００％透過する偏光ビームスプリッタ２５とが一体
化されたものが固定されている。なお、偏光ビームスプ
リッタ２５におけるｓ偏光の反射率は、光磁気ディスク
１２から戻って来たｓ偏光と信号成分であるｐ偏光との
強度比、つまり信号のエンハンスをどの程度にするかで
決定される。
【００１６】更に、プリズム２１の上面で半波長板２４
以外の部分には、吸収膜または反射膜である迷光防止膜
２６が形成されている。そして、Ｓｉ基板１４に対して
固定されている以上の様な各光学要素の全体は、パッケ
ージ２７内に封止されている。なお、パッケージ２７の
うちで偏光ビームスプリッタ２５の上方の部分には、透
光性の窓（図示せず）が設けられている。
以外の部分には、吸収膜または反射膜である迷光防止膜
２６が形成されている。そして、Ｓｉ基板１４に対して
固定されている以上の様な各光学要素の全体は、パッケ
ージ２７内に封止されている。なお、パッケージ２７の
うちで偏光ビームスプリッタ２５の上方の部分には、透
光性の窓（図示せず）が設けられている。
【００１７】以上の様な第１実施例では、図３に示す様
に、レーザダイオード１６から射出された光２８は、電
場成分が図面の紙面に対して垂直に偏光しているｓ偏光
である。この光２８は、偏光ビームスプリッタ２５へ入
射し、その一部のみが上方へ反射される。
に、レーザダイオード１６から射出された光２８は、電
場成分が図面の紙面に対して垂直に偏光しているｓ偏光
である。この光２８は、偏光ビームスプリッタ２５へ入
射し、その一部のみが上方へ反射される。
【００１８】偏光ビームスプリッタ２５で反射された光
２８は、図２に示した様に対物レンズ１３によって光磁
気ディスク１２上に集光され、光磁気ディスク１２に記
録されている磁気信号によって偏光面が±０．３°程度
だけ回転される。
２８は、図２に示した様に対物レンズ１３によって光磁
気ディスク１２上に集光され、光磁気ディスク１２に記
録されている磁気信号によって偏光面が±０．３°程度
だけ回転される。
【００１９】この結果、光磁気ディスク１２へ入射した
光２８の１００％がｓ偏光であるのに対して、光磁気デ
ィスク１２で反射された光２８つまり光磁気ディスク１
２から戻って来た光２８は、図４に示す様に電場成分が
図面の紙面に対して平行に偏光しているｐ偏光を、信号
成分として０．５％程度の割合で有している。
光２８の１００％がｓ偏光であるのに対して、光磁気デ
ィスク１２で反射された光２８つまり光磁気ディスク１
２から戻って来た光２８は、図４に示す様に電場成分が
図面の紙面に対して平行に偏光しているｐ偏光を、信号
成分として０．５％程度の割合で有している。
【００２０】この光磁気ディスク１２から戻って来た光
２８は再び偏光ビームスプリッタ２５へ入射し、そのう
ちの信号成分であるｐ偏光は１００％が偏光ビームスプ
リッタ２５を透過し、ｓ偏光は一部のみがこの偏光ビー
ムスプリッタ２５を透過する。
２８は再び偏光ビームスプリッタ２５へ入射し、そのう
ちの信号成分であるｐ偏光は１００％が偏光ビームスプ
リッタ２５を透過し、ｓ偏光は一部のみがこの偏光ビー
ムスプリッタ２５を透過する。
【００２１】偏光ビームスプリッタ２５を透過した光２
８は、半波長板２４へ入射し、この半波長板２４によっ
て偏光方向を４５°だけ回転される。図５に示す様に、
半波長板２４で偏光方向を４５°だけ回転されプリズム
２１へ入射して偏光ビームスプリッタ２２に到達した光
２８のうちで、ｐ偏光は偏光ビームスプリッタ２２を透
過し、ｓ偏光はこの偏光ビームスプリッタ２２で反射さ
れる。
８は、半波長板２４へ入射し、この半波長板２４によっ
て偏光方向を４５°だけ回転される。図５に示す様に、
半波長板２４で偏光方向を４５°だけ回転されプリズム
２１へ入射して偏光ビームスプリッタ２２に到達した光
２８のうちで、ｐ偏光は偏光ビームスプリッタ２２を透
過し、ｓ偏光はこの偏光ビームスプリッタ２２で反射さ
れる。
【００２２】偏光ビームスプリッタ２２を透過した光２
８は、フォトダイオード１７へ入射する。偏光ビームス
プリッタ２２で反射された光２８は、プリズム２１内で
一度焦点を結んだ後、全反射ミラー２３で反射され、フ
ォトダイオード１８へ入射する。つまり、光２８のうち
で光磁気ディスク１２で変調されていない成分は、フォ
トダイオード１７、１８に５０％ずつの割合で振り分け
られる。
８は、フォトダイオード１７へ入射する。偏光ビームス
プリッタ２２で反射された光２８は、プリズム２１内で
一度焦点を結んだ後、全反射ミラー２３で反射され、フ
ォトダイオード１８へ入射する。つまり、光２８のうち
で光磁気ディスク１２で変調されていない成分は、フォ
トダイオード１７、１８に５０％ずつの割合で振り分け
られる。
【００２３】このため、図６からも明らかな様に、 ＦＥ＝（Ａ＋Ｃ＋Ｅ）−（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ） という差動検出によって、フォーカスエラー信号が得ら
れる。また、 ＲＦ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ） という差動検出によって、光磁気信号が得られる。
れる。また、 ＲＦ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ｄ＋Ｅ＋Ｆ） という差動検出によって、光磁気信号が得られる。
【００２４】また、 ＴＥ＝（Ａ＋Ｆ）−（Ｃ＋Ｄ） という差動検出によって、トラッキングエラー信号が得
られる。なお、図７に示す様に、フォトダイオード１
７、１８のＢ、Ｅを夫々Ｂ1 、Ｂ2 及びＥ1 、Ｅ2 に分
割すれば、 ＴＥ＝（Ａ＋Ｂ1 ＋Ｆ＋Ｅ2 ）−（Ｃ＋Ｂ2 ＋Ｄ＋
Ｅ1 ） という差動検出によっても、トラッキングエラー信号が
得られる。
られる。なお、図７に示す様に、フォトダイオード１
７、１８のＢ、Ｅを夫々Ｂ1 、Ｂ2 及びＥ1 、Ｅ2 に分
割すれば、 ＴＥ＝（Ａ＋Ｂ1 ＋Ｆ＋Ｅ2 ）−（Ｃ＋Ｂ2 ＋Ｄ＋
Ｅ1 ） という差動検出によっても、トラッキングエラー信号が
得られる。
【００２５】図８、９は、第２及び第３実施例を示して
いる。これらの第２及び第３実施例も、ｓ偏光を１００
％反射しｐ偏光を１００％透過する偏光ビームスプリッ
タ２２を有しており、光磁気ディスク１２から戻って来
た光２８を偏光ビームスプリッタ２２によってその焦点
の前後に振り分けている。従って、フォーカスエラーの
差動検出を行うことができ、上述の第１実施例と同様の
機能を実現することができる。
いる。これらの第２及び第３実施例も、ｓ偏光を１００
％反射しｐ偏光を１００％透過する偏光ビームスプリッ
タ２２を有しており、光磁気ディスク１２から戻って来
た光２８を偏光ビームスプリッタ２２によってその焦点
の前後に振り分けている。従って、フォーカスエラーの
差動検出を行うことができ、上述の第１実施例と同様の
機能を実現することができる。
【００２６】図１０は、第４実施例を示している。この
第４実施例は、所謂フロントＡＰＣ用のフォトダイオー
ド３１がＳｉ基板１４に形成されており、このフォトダ
イオード３１へ光２８を導くためのハーフミラー３２を
有していることを除いて、図１に示した第１実施例と実
質的に同様の構成を有している。なお、フォトダイオー
ド３１を偏光ビームスプリッタ２５かプリズム２１に貼
り付けてもよく、その場合はハーフミラー３２が不要で
ある。
第４実施例は、所謂フロントＡＰＣ用のフォトダイオー
ド３１がＳｉ基板１４に形成されており、このフォトダ
イオード３１へ光２８を導くためのハーフミラー３２を
有していることを除いて、図１に示した第１実施例と実
質的に同様の構成を有している。なお、フォトダイオー
ド３１を偏光ビームスプリッタ２５かプリズム２１に貼
り付けてもよく、その場合はハーフミラー３２が不要で
ある。
【００２７】
【発明の効果】本発明による光磁気記録用レーザカプラ
では、第１の偏光ビームスプリッタへ入射した光のうち
でレーザダイオードから射出された第１の光とは偏光面
が直交する直線偏光である第２の光を、第１及び第２の
受光素子の差動出力によって検出することが可能であ
り、また光を反射している光磁気記録媒体のフォーカス
エラーを検出することが可能であるので、反射光の偏光
面の回転から記録情報を読み取る光磁気記録用のピック
アップを作ることができる。
では、第１の偏光ビームスプリッタへ入射した光のうち
でレーザダイオードから射出された第１の光とは偏光面
が直交する直線偏光である第２の光を、第１及び第２の
受光素子の差動出力によって検出することが可能であ
り、また光を反射している光磁気記録媒体のフォーカス
エラーを検出することが可能であるので、反射光の偏光
面の回転から記録情報を読み取る光磁気記録用のピック
アップを作ることができる。
【００２８】しかも、半導体チップレベルのアセンブリ
を行ってパッケージ内に封止することができるので、薄
型でしかも温度や経時変化による位置ずれ等が発生しに
くくて信頼性が高いピックアップを作ることができる。
を行ってパッケージ内に封止することができるので、薄
型でしかも温度や経時変化による位置ずれ等が発生しに
くくて信頼性が高いピックアップを作ることができる。
【図１】本発明の第１実施例の側面図である。
【図２】第１実施例と光磁気ディスクとの関係を示す側
面図である。
面図である。
【図３】第１実施例においてレーザダイオードから射出
された光を説明するための側面図である。
された光を説明するための側面図である。
【図４】第１実施例において光磁気ディスクから戻って
来た光を説明するための側面図である。
来た光を説明するための側面図である。
【図５】第１実施例の要部の側面図である。
【図６】第１実施例におけるフォトダイオードの平面図
である。
である。
【図７】第１実施例におけるフォトダイオードの変形例
の平面図である。
の平面図である。
【図８】第２実施例の要部の側面図である。
【図９】第３実施例の要部の側面図である。
【図１０】第４実施例の要部の側面図である。
１１ 光磁気記録用レーザカプラ １２ 光磁気ディスク １４ Ｓｉ基板 １６ レーザダイオード １７ フォトダイオード １８ フォトダイオード ２１ プリズム ２２ 偏光ビームスプリッタ ２４ 半波長板 ２５ 偏光ビームスプリッタ ２７ パッケージ ２８ 光
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板に対して固定されており、直線
偏光である第１の光を射出するレーザダイオードと、 前記半導体基板に対して固定されており、前記第１の光
の少なくとも一部を反射すると共に前記第１の光とは偏
光面が直交する直線偏光である第２の光を透過する第１
の偏光ビームスプリッタと、 前記半導体基板に対して固定されており、前記第１の偏
光ビームスプリッタを透過した光を入射させる半波長板
と、 前記半導体基板に対して固定されており、前記第１の光
を反射すると共に前記第２の光を透過し、前記半波長板
を透過した光を入射させる第２の偏光ビームスプリッタ
と、 前記半導体基板に対して固定されており、前記第２の偏
光ビームスプリッタで反射された光を入射させて焦点を
結ばせるプリズムと、 前記半導体基板に形成されており、前記第２の偏光ビー
ムスプリッタを透過した光と前記焦点を結んだ後の光と
を夫々入射させる第１及び第２の受光素子とを具備する
光磁気記録用レーザカプラ。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4030044A JPH05198030A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 光磁気記録用レーザカプラ |
| US07/996,149 US5350917A (en) | 1991-12-27 | 1992-12-23 | Opto-magnetic recording polarization optical apparatus including a laser diode and a light absorbing film |
| KR1019920025345A KR100263863B1 (ko) | 1991-12-27 | 1992-12-24 | 광학장치 |
| TW085207967U TW302101U (en) | 1991-12-27 | 1992-12-24 | Optical apparatus |
| DE69232508T DE69232508D1 (de) | 1991-12-27 | 1992-12-24 | Optisches Gerät |
| EP97120974A EP0840305B1 (en) | 1991-12-27 | 1992-12-24 | Optical apparatus |
| EP92122003A EP0550036B1 (en) | 1991-12-27 | 1992-12-24 | Optical apparatus |
| EP97120975A EP0836177B1 (en) | 1991-12-27 | 1992-12-24 | Optical apparatus |
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| DE69232509T DE69232509D1 (de) | 1991-12-27 | 1992-12-24 | Optisches Gerät |
| US08/179,914 US5396061A (en) | 1991-12-27 | 1994-01-11 | Opto-magnetic recording polarization optical apparatus having a light absorbing film and a total reflection film |
| KR1020000020755A KR100280055B1 (ko) | 1991-12-27 | 2000-04-19 | 광학 픽업장치 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4030044A JPH05198030A (ja) | 1992-01-21 | 1992-01-21 | 光磁気記録用レーザカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=12292828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4030044A Pending JPH05198030A (ja) | 1991-12-27 | 1992-01-21 | 光磁気記録用レーザカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198030A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796701A (en) * | 1995-06-23 | 1998-08-18 | Sony Corporation | Optical pickup and opto-magnetic signal reproducing apparatus |
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-
1992
- 1992-01-21 JP JP4030044A patent/JPH05198030A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6290134B1 (en) | 1994-07-19 | 2001-09-18 | Psc Scanning, Inc. | Compact scanner module mountable to pointing instrument |
| US6572019B1 (en) | 1994-07-19 | 2003-06-03 | Psc Scanning, Inc. | Compact scanner module mountable to pointing instrument |
| US5796701A (en) * | 1995-06-23 | 1998-08-18 | Sony Corporation | Optical pickup and opto-magnetic signal reproducing apparatus |
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