JPS63113388A - シンチレ−タ材料 - Google Patents
シンチレ−タ材料Info
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- JPS63113388A JPS63113388A JP61305254A JP30525486A JPS63113388A JP S63113388 A JPS63113388 A JP S63113388A JP 61305254 A JP61305254 A JP 61305254A JP 30525486 A JP30525486 A JP 30525486A JP S63113388 A JPS63113388 A JP S63113388A
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Landscapes
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、医療機器、科学分析装置等に組み込まれて使
用される放射線検出用シンチレータ材料に関するもので
あり、特に、Ｘ線ＣＴ用シンチレータとして使用するの
に適した、希土類オキシ硫化物を主成分とするシンチレ
ータ材料に関するものである。
用される放射線検出用シンチレータ材料に関するもので
あり、特に、Ｘ線ＣＴ用シンチレータとして使用するの
に適した、希土類オキシ硫化物を主成分とするシンチレ
ータ材料に関するものである。
従来、シンチレーション検出器としては、キセノン （
Ｘ ｅ）電離箱が用いられていた。 Ｘｅ電離箱は実
用性の点では高い評価が与えられているが、高価な低振
動スキャンナーを必要とし、また連続使用時に不安定に
なるという問題点があった。
Ｘ ｅ）電離箱が用いられていた。 Ｘｅ電離箱は実
用性の点では高い評価が与えられているが、高価な低振
動スキャンナーを必要とし、また連続使用時に不安定に
なるという問題点があった。
このため、近年、単結晶のシンチレータ材料や、シンチ
レータ材料粉末を樹脂中に分散・固化した樹脂・粉末複
合体、さらには透光性シンチレータ焼結体などのいわゆ
る固体検出素子を用いたものが出現しており、特に高精
度かつ高速のシンチレーション検出が可能な最近の検出
器には、これら固体検出素子が主として使用されている
。
レータ材料粉末を樹脂中に分散・固化した樹脂・粉末複
合体、さらには透光性シンチレータ焼結体などのいわゆ
る固体検出素子を用いたものが出現しており、特に高精
度かつ高速のシンチレーション検出が可能な最近の検出
器には、これら固体検出素子が主として使用されている
。
第２図は、単結晶シンチレータ材料を用いた固体検出素
子の概略も１成説明図である。
子の概略も１成説明図である。
図において、１は、例えばＢＧＯなどの単結晶からなる
シンチレータ部材であり、入射１ａはシンチレータ部材
１を透過して７オトダイオード２に達し、検出される極
めて簡単な構成となっている。
シンチレータ部材であり、入射１ａはシンチレータ部材
１を透過して７オトダイオード２に達し、検出される極
めて簡単な構成となっている。
しかしながら、従来上り使用されているＢＧＯ、ＣＷＯ
、Ｎａｌ−Ｔ１． ＣａＦ２ｌＥｕ 。
、Ｎａｌ−Ｔ１． ＣａＦ２ｌＥｕ 。
Ｃ３ｌ−ＴＩなどの単結晶シンチレータ材料には、いず
れも問題のあることが指摘されている。
れも問題のあることが指摘されている。
すなわち、ＢＧＯは発光効率が低く高価であること、Ｃ
Ｗ Ｏ（ＣｄＷ ０４ ）は高価で毒性が強く、またへ
き開性のため加工にも難点があること、ＮａＩ・Ｔ１’
およびＣ５Ｉ−ＴＩは吸湿し易く残光が比較的大きいこ
と、ＣａＦ２・Ｅｕはシリコン７すトダイオード等との
彼氏マツチングが悪いこと、などの問題点がある。
Ｗ Ｏ（ＣｄＷ ０４ ）は高価で毒性が強く、またへ
き開性のため加工にも難点があること、ＮａＩ・Ｔ１’
およびＣ５Ｉ−ＴＩは吸湿し易く残光が比較的大きいこ
と、ＣａＦ２・Ｅｕはシリコン７すトダイオード等との
彼氏マツチングが悪いこと、などの問題点がある。
特に、上記のごとき構成の固体検出素子においては、発
光を受ける７オトダイオードの増幅作用が僅少であるが
ためにシンチレータ材料の発光出力が重要な意味をもっ
ている。このため、上記単結晶などに比べ、より発光効
率の良いシンチレータ材料、例えばオキシ硫化物などの
微粉を樹脂中に分散させ固化した樹脂・粉末複合体と７
オトダイオードを組み合わせた素子も提案されている（
特開昭５７−７８６１号公報）。
光を受ける７オトダイオードの増幅作用が僅少であるが
ためにシンチレータ材料の発光出力が重要な意味をもっ
ている。このため、上記単結晶などに比べ、より発光効
率の良いシンチレータ材料、例えばオキシ硫化物などの
微粉を樹脂中に分散させ固化した樹脂・粉末複合体と７
オトダイオードを組み合わせた素子も提案されている（
特開昭５７−７８６１号公報）。
第３図は、ｔｅｌ（脂・粉末複合体を用いた固体検出素
子の概略構成説明図である。
子の概略構成説明図である。
図において、３はｔｊｇ脂・粉末複合体であり、例えば
、Ｇｄ２Ｏ２Ｓなど発光効率の良いシンチレータ材料の
粉末を樹脂中に分散し固化したものであり、ｘｉを該樹
脂・粉末複合体３に照射し、透過Ｘ線を鉛ガラス４によ
って吸収し、フォトダイオード５によって発光をとらえ
るｖｔ造となっている。しかしながら、かかる構造のも
のにおいては、樹脂・粉末複合体３の透光性が低いため
に、この部分を比較的薄い部材とせざるを得ない。この
ため、入射Ｘ＃ｌが直接７オトダイオード５に達し、悪
影響を与えることが無いように、ＸＭを吸収させる目的
で鉛がフス４を中間に設けることが不可欠とされ、構造
が複雑となる欠点がある。
、Ｇｄ２Ｏ２Ｓなど発光効率の良いシンチレータ材料の
粉末を樹脂中に分散し固化したものであり、ｘｉを該樹
脂・粉末複合体３に照射し、透過Ｘ線を鉛ガラス４によ
って吸収し、フォトダイオード５によって発光をとらえ
るｖｔ造となっている。しかしながら、かかる構造のも
のにおいては、樹脂・粉末複合体３の透光性が低いため
に、この部分を比較的薄い部材とせざるを得ない。この
ため、入射Ｘ＃ｌが直接７オトダイオード５に達し、悪
影響を与えることが無いように、ＸＭを吸収させる目的
で鉛がフス４を中間に設けることが不可欠とされ、構造
が複雑となる欠点がある。
また、樹脂・粉末複合体の発光強度もＪ！Ｉ！論値より
かなり小さく、さらに加工時の変形も素子化の障害とな
っている。
かなり小さく、さらに加工時の変形も素子化の障害とな
っている。
上記実情に鑑み、本願発明者等は、先に透光性希土類オ
キシ硫化物と７オトダイオードとを組み合わせた素子を
提案した（特願昭５９−２４７４６７号、特願昭６０−
１９１９５１号）。
キシ硫化物と７オトダイオードとを組み合わせた素子を
提案した（特願昭５９−２４７４６７号、特願昭６０−
１９１９５１号）。
ｔｊＳ４図は、上記本発明者等が先に提案した透光性希
土類オキシ硫化物焼結体を用いた固体検出素子の概略構
成説明図である。
土類オキシ硫化物焼結体を用いた固体検出素子の概略構
成説明図である。
同図において、６はシンチレータ用焼結体であり、例え
ば、Ｇ ｄ２０２Ｓ −Ｐ ｒ 、Ｃｅ 、Ｆ焼結体
が使用される。
ば、Ｇ ｄ２０２Ｓ −Ｐ ｒ 、Ｃｅ 、Ｆ焼結体
が使用される。
χｍを焼結体に照射し、透過ｘｉを鉛ガラス７によって
吸収しフォトダイオード８によって発光をとらえる構造
となっている。焼結体層が厚い場合には、この層におけ
るＸＩａの吸収が大きいために鉛ガラスを必要としない
、しかし、先に提案した発明において具体的に開示した
焼結体の発光出力は、前記樹脂・粉末複合材料の１．５
倍程度まで得られるものの、焼結体の厚さをより大きく
とって鉛ガラスを不要にする場合や解像力を高める場合
には必ずしも十分ではないことが判明した。
吸収しフォトダイオード８によって発光をとらえる構造
となっている。焼結体層が厚い場合には、この層におけ
るＸＩａの吸収が大きいために鉛ガラスを必要としない
、しかし、先に提案した発明において具体的に開示した
焼結体の発光出力は、前記樹脂・粉末複合材料の１．５
倍程度まで得られるものの、焼結体の厚さをより大きく
とって鉛ガラスを不要にする場合や解像力を高める場合
には必ずしも十分ではないことが判明した。
前述したごとく、希土類オキシ硫化物にＨＩＰ法により
焼結したものは、樹脂・粉末複合材料に比べて高い発光
出力を得ることが可能であるが、シンチレータ素子とし
ての性能を大幅に向上させようとする場合には不十分で
ある。
焼結したものは、樹脂・粉末複合材料に比べて高い発光
出力を得ることが可能であるが、シンチレータ素子とし
ての性能を大幅に向上させようとする場合には不十分で
ある。
本発明は、上記の実情に鑑み、高い発光出力を有する希
土類オキシ硫化物焼結体の実現を目的とするものである
。
土類オキシ硫化物焼結体の実現を目的とするものである
。
本発明は、上記目的を達成するために、希土類オキシ硫
化物粉末に焼結助剤を添加し、これを熱間静水圧プレス
法（以下、ＨＩＰ法という）により焼結することにより
透光性を有し高密度の焼結体としたシンチレータ材料で
あることを特徴とするものである。
化物粉末に焼結助剤を添加し、これを熱間静水圧プレス
法（以下、ＨＩＰ法という）により焼結することにより
透光性を有し高密度の焼結体としたシンチレータ材料で
あることを特徴とするものである。
本発明において、上記希土類オキシ硫化物としでは、例
えば、待闇昭５５−６２９３０号公報または待閏昭５６
−１５１３７６号公報などにより知られる組成のもの、
すなわち、組成式％式％：（） ただし、式中 Ｌｎは、Ｇｄ 、Ｌａ 、ＹおよびＬｕのなかから選ば
れた少なくとも一種類の元素 Ｍは、ＰｒおよびＴｂのうちの一種または二種の元素 Ｘの量は、３Ｘ１０−’≦Ｘ≦０．２ ｙの量は、ｌＸｌ０−≦ｙ≦５×１０−コＦまたはＣ１
の量は、重量で０〜１０００ ｐｐ＋＊で表わされるも
の、または組成式 ％式％） ただし、式中 Ｌｎは、Ｇｄ 、Ｌａ 、ＹおよびＬｕのなかから選ば
れた少なくとも一種類の元素 Ｍは、ＰｒおよｒＪＰＴｂのうちの−Ｐ！ｉまたは二種
の元素 ａの量は、１×１０−コ≦ ａ≦０．１ｂの量は、２Ｘ
１０−’≦ ｂ≦ｌＸｌ０−４で表わされるものを用い
ることができる。また、本発明においては、これらのう
ち、特に、（Ｇｃｌ １−ｘ−ｙ Ｐｒ ｘ Ｃｅ ３
１＞ ２０２Ｓ ： （Ｆ）又は（Ｃ／） ただし、３Ｘ１０”≦Ｘ≦０．２゜ ｌＸｌ０−’≦ｙ≦５Ｘ１０−’ で表わされるシンチレータ材料がよい。
えば、待闇昭５５−６２９３０号公報または待閏昭５６
−１５１３７６号公報などにより知られる組成のもの、
すなわち、組成式％式％：（） ただし、式中 Ｌｎは、Ｇｄ 、Ｌａ 、ＹおよびＬｕのなかから選ば
れた少なくとも一種類の元素 Ｍは、ＰｒおよびＴｂのうちの一種または二種の元素 Ｘの量は、３Ｘ１０−’≦Ｘ≦０．２ ｙの量は、ｌＸｌ０−≦ｙ≦５×１０−コＦまたはＣ１
の量は、重量で０〜１０００ ｐｐ＋＊で表わされるも
の、または組成式 ％式％） ただし、式中 Ｌｎは、Ｇｄ 、Ｌａ 、ＹおよびＬｕのなかから選ば
れた少なくとも一種類の元素 Ｍは、ＰｒおよｒＪＰＴｂのうちの−Ｐ！ｉまたは二種
の元素 ａの量は、１×１０−コ≦ ａ≦０．１ｂの量は、２Ｘ
１０−’≦ ｂ≦ｌＸｌ０−４で表わされるものを用い
ることができる。また、本発明においては、これらのう
ち、特に、（Ｇｃｌ １−ｘ−ｙ Ｐｒ ｘ Ｃｅ ３
１＞ ２０２Ｓ ： （Ｆ）又は（Ｃ／） ただし、３Ｘ１０”≦Ｘ≦０．２゜ ｌＸｌ０−’≦ｙ≦５Ｘ１０−’ で表わされるシンチレータ材料がよい。
また、本発明において、上記焼結助剤としては、それを
添加することによって緻密化を促進し、希土類オキシ硫
化物焼結体の発光出力が向上する効果を有する物質であ
ればよく、例えば、ＬｉＦ＝ Ｌｉ１ＧｅＦｓ ＊ Ｌ
ｉ２Ｂ４０ｙ −Ｎａ２ＡｉＦｇ。
添加することによって緻密化を促進し、希土類オキシ硫
化物焼結体の発光出力が向上する効果を有する物質であ
ればよく、例えば、ＬｉＦ＝ Ｌｉ１ＧｅＦｓ ＊ Ｌ
ｉ２Ｂ４０ｙ −Ｎａ２ＡｉＦｇ。
ＮａＰＦ、、ＮａＢＦ、、ＬｉＢＦ＝ 、 （ＮＨ
−）ｔＧｅＦｓおよびＭｇ５ｉＦ＠のなかから選ばれた
一種または二種以上の化合物などが使用できる。
−）ｔＧｅＦｓおよびＭｇ５ｉＦ＠のなかから選ばれた
一種または二種以上の化合物などが使用できる。
また、その添加量は、０．００１％と極めて微量の添加
でも効果が現われるが、あまり多く添加した場合には、
シンチレータ材料本来の発光出力が得られなくなるので
、多くても１０重量％以下とすることが望ましい。
でも効果が現われるが、あまり多く添加した場合には、
シンチレータ材料本来の発光出力が得られなくなるので
、多くても１０重量％以下とすることが望ましい。
しかして、本発明においては、焼結助剤を添加含有させ
ているがために、先に提案した焼結材料に比べて非常に
密度が高く、相ｊｔ密度９６％以上の高密度の優れた特
性のシンチレータ材料が実現できるのである。
ているがために、先に提案した焼結材料に比べて非常に
密度が高く、相ｊｔ密度９６％以上の高密度の優れた特
性のシンチレータ材料が実現できるのである。
さらにまた、本発明における上記焼結材料のある断面で
観察さへる結晶粒子の形状は、先に提案したものとは違
いがあり、本発明によるものは、いずれも柱状の外観を
呈する結晶粒子を比較的多く含有していることが特徴で
ある。この柱状粒子の存在については、焼結体の断面上
で顕微鏡によって観察することができるものであるが、
その量と焼結体の特性との関係についでは、現在検討中
であり必ずしも明確ではないものの、切断面の顕微＃！
観寮写真上の面積率で約１０％以上あれば本発明の目的
とする優れた特性を示すことが確認されている。
観察さへる結晶粒子の形状は、先に提案したものとは違
いがあり、本発明によるものは、いずれも柱状の外観を
呈する結晶粒子を比較的多く含有していることが特徴で
ある。この柱状粒子の存在については、焼結体の断面上
で顕微鏡によって観察することができるものであるが、
その量と焼結体の特性との関係についでは、現在検討中
であり必ずしも明確ではないものの、切断面の顕微＃！
観寮写真上の面積率で約１０％以上あれば本発明の目的
とする優れた特性を示すことが確認されている。
第１図（ａ）に焼結助剤のない場合の粒子の形状を示し
、同図（ｂ）に焼結助剤を添加した場合の粒子形状を示
す。
、同図（ｂ）に焼結助剤を添加した場合の粒子形状を示
す。
以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明する。
（実施例１）
（Ｇｄ ６１１１１７ Ｐｒ ｉｌ＋６３ Ｃｅ ５ｘ
ｌｏ−＠）ｔ ＯｚＳに９０ ｐｐｍのＦを添加した粉
末に、第１表に示す種々の焼結助剤を添加した粉末を、
ステンレス容器内に真空封入した後、 この容器を１，
３００℃、１．０００気圧のアルゴンガス中で ３時間
ＨＩＰ処理を行なった。得られた焼結体の相対密度、任
意の断面における柱状を呈する結晶の面積の割合、およ
び発光出力比を、添加物を加えないＨＩＰ焼結体と比較
してｔｔＳ１表に示す。
ｌｏ−＠）ｔ ＯｚＳに９０ ｐｐｍのＦを添加した粉
末に、第１表に示す種々の焼結助剤を添加した粉末を、
ステンレス容器内に真空封入した後、 この容器を１，
３００℃、１．０００気圧のアルゴンガス中で ３時間
ＨＩＰ処理を行なった。得られた焼結体の相対密度、任
意の断面における柱状を呈する結晶の面積の割合、およ
び発光出力比を、添加物を加えないＨＩＰ焼結体と比較
してｔｔＳ１表に示す。
第 １ 表
（実施例２）
（Ｇｄ ｏａ＊＊ｔ Ｐ ｒ ０１１００３ Ｃｅ ５
ｘｌｏ−’ ）２０２Ｓに９０ｐｐｍのＦを添加した粉
末に、第２表に示す種々の焼結助剤を添加した粉末を、
ステンレス容器内に真空封入した後、 この容器を１，
３００℃、１，５００気圧のアルゴンがス中で１゜５時
間ＨＩＰ処理を行なった。得られた焼結体の相対密度、
任意の断面における柱状を呈する結晶の面積の割合、お
よび発光出力比を、添加物を加えないＨＩＰ焼結体と比
較して第２表に示す。
ｘｌｏ−’ ）２０２Ｓに９０ｐｐｍのＦを添加した粉
末に、第２表に示す種々の焼結助剤を添加した粉末を、
ステンレス容器内に真空封入した後、 この容器を１，
３００℃、１，５００気圧のアルゴンがス中で１゜５時
間ＨＩＰ処理を行なった。得られた焼結体の相対密度、
任意の断面における柱状を呈する結晶の面積の割合、お
よび発光出力比を、添加物を加えないＨＩＰ焼結体と比
較して第２表に示す。
（実施例３）
ｆｉ３表に示す希土類オキシ硫化物粉末に焼結助剤を添
加した粉末をステンレス容器内に真空封入した後、この
容器を１．３００℃、１．２５０気圧のアルゴンガス中
で２時間ＨＩＰ処理を行なった。
加した粉末をステンレス容器内に真空封入した後、この
容器を１．３００℃、１．２５０気圧のアルゴンガス中
で２時間ＨＩＰ処理を行なった。
第３表
得られた焼結体の相対密度、任意の断面における柱状を
呈する結晶の面積の割合、および発光出力比を添加物を
加えないＨＩＰ焼結体と比較して第４表に示す。
呈する結晶の面積の割合、および発光出力比を添加物を
加えないＨＩＰ焼結体と比較して第４表に示す。
本ＮＯ，は、第３表のシンチレータ組成を示す。
以上詳述したごとく、本発明によれば、従来の希土類オ
キシ硫化物焼結体より発光出力が高い希土類オキシ硫化
物の焼結体が得られ、その結果、 （１） ＸＱＣＴ用シンチレータ素子等に用いる高発
光出力の放射線検出用固体検出素子が得られる、 （２）高発光出力のために固体検出素子の厚さを大きく
とれるので、故ａｍ吸収用の材料、例えば鉛ガラスを不
要とするか薄層にすることで素子化のコストが低減でき
る、 （３）高発光出力のためにシグナル・ノイズ比（Ｓ／Ｎ
比）が大きくなることや素子の開口角を小さくすること
によって空間、濃淡の分解能を向上させることが可能と
なり、従来の放射線検出素子の検出限界を超えることが
できる、 等の効果がある。
キシ硫化物焼結体より発光出力が高い希土類オキシ硫化
物の焼結体が得られ、その結果、 （１） ＸＱＣＴ用シンチレータ素子等に用いる高発
光出力の放射線検出用固体検出素子が得られる、 （２）高発光出力のために固体検出素子の厚さを大きく
とれるので、故ａｍ吸収用の材料、例えば鉛ガラスを不
要とするか薄層にすることで素子化のコストが低減でき
る、 （３）高発光出力のためにシグナル・ノイズ比（Ｓ／Ｎ
比）が大きくなることや素子の開口角を小さくすること
によって空間、濃淡の分解能を向上させることが可能と
なり、従来の放射線検出素子の検出限界を超えることが
できる、 等の効果がある。
また、本発明によって作製された焼結体は、ＸＭＣＴ用
素子色素子は無論のこと、透光性発光体、ターデッド材
等への応用も可能であるためにその工業上の効果は大で
ある。
素子色素子は無論のこと、透光性発光体、ターデッド材
等への応用も可能であるためにその工業上の効果は大で
ある。
ｆｆ１１図は、本発明シンチレータ材料および比較材料
の組織を示す観察図、第２図は単結晶シンチレータ材料
を用いた固体検出素子の概略構成説明図、ｔＡｓ図は樹
脂・粉末複合体を用いた固体検出素子の概略構成説明図
、第４図は本発明者等が先に提案した透光性希土類オキ
シ硫化物焼結体を用いた固体検出素子の概略構成説明図
である。 １ ：単結晶シンチレータ材料、 ２．５ 。 ８ ：フォトダイオード、 ３ ：樹脂・粉末複合
体、 ４．７ ：鉛ガラス、 ６ ：シンチレータ用
焼結体 代理人 弁理士 本 間 崇Ｙ ｌ
画 （■ （ｂ〕
の組織を示す観察図、第２図は単結晶シンチレータ材料
を用いた固体検出素子の概略構成説明図、ｔＡｓ図は樹
脂・粉末複合体を用いた固体検出素子の概略構成説明図
、第４図は本発明者等が先に提案した透光性希土類オキ
シ硫化物焼結体を用いた固体検出素子の概略構成説明図
である。 １ ：単結晶シンチレータ材料、 ２．５ 。 ８ ：フォトダイオード、 ３ ：樹脂・粉末複合
体、 ４．７ ：鉛ガラス、 ６ ：シンチレータ用
焼結体 代理人 弁理士 本 間 崇Ｙ ｌ
画 （■ （ｂ〕
Claims (7)
- （１）焼結助剤が添加含有された希土類オキシ硫化物粉
末を原料とし熱間静水圧プレス法により焼結されたこと
を特徴とする高密度透光性シンチレータ材料。 - （２）上記焼結助剤の添加量が、０．００１〜１０重量
％であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項の
記載の高密度透光性シンチレータ材料。 - （３）上記希土類オキシ硫化物が、組成式 （Ｇｄ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙＰｒ＿ｘＣｅ＿ｙ）＿２Ｏ
＿２Ｓ：（Ｆ）又は（Ｃｌ） ただし、３×１０＾−＾６≦ｘ≦０．２、 １×１０＾−＾６≦ｙ≦５×１０＾−＾３ で表わされるものであることを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項または第（２）項記載の高密度透光性シン
チレータ材料。 - （４）上記焼結材料が、相対密度９６％以上の高密度で
あることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項ないし
第（３）項のいずれかに記載の高密度透光性シンチレー
タ材料。 - （５）上記焼結材料のある断面における結晶粒子の形状
が柱状を呈していることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項ないし第（４）項のいずれかに記載の高密度透
光性シンチレータ材料。 - （６）上記焼結材料のある断面における結晶粒子の形状
が面積比で１０％以上について柱状であることを特徴と
する特許請求の範囲第（５）項記載の高密度透光性シン
チレータ材料。 - （７）上記焼結助剤がＬｉＦ、Ｌｉ＿２ＧｅＦ＿６、Ｌ
ｉ、Ｂ＿４Ｏ＿７、Ｎａ＿３ＡｌＦ＿６、ＮａＰＦ＿６
、ＮａＢＦ＿４、ＬｉＢＦ＿４、（ＮＨ＿４）＿２Ｇｅ
Ｆ＿６およびＭｇＳｉＦ＿６のなかから選ばれた一種ま
たは二種以上の化合物であることを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項ないし第（６）項のいずれかに記載の
高密度透光性シンチレータ材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9833086 | 1986-04-30 | ||
| JP61-98330 | 1986-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63113388A true JPS63113388A (ja) | 1988-05-18 |
| JPH0516756B2 JPH0516756B2 (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=14216893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61305254A Granted JPS63113388A (ja) | 1986-04-30 | 1986-12-23 | シンチレ−タ材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63113388A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01191084A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
| JP2001089762A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-04-03 | Toshiba Corp | セラミックシンチレータ材料とその製造方法、およびそれを用いた放射線検出器と放射線検査装置 |
| US7060982B2 (en) | 2003-09-24 | 2006-06-13 | Hokushin Corporation | Fluoride single crystal for detecting radiation, scintillator and radiation detector using the single crystal, and method for detecting radiation |
| JP2016061655A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | シンチレータ、放射線検出装置および放射線検査装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5115860B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2013-01-09 | 日立金属株式会社 | シンチレータ材粉末の製造方法 |
| JP6984599B2 (ja) * | 2016-07-27 | 2021-12-22 | 三菱ケミカル株式会社 | 焼結蛍光体、発光装置、照明装置及び車両用表示灯 |
| JPWO2018105611A1 (ja) | 2016-12-06 | 2019-10-31 | 株式会社東芝 | シンチレータアレイ、シンチレータアレイを製造する方法、放射線検出器、および放射線検査装置 |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP61305254A patent/JPS63113388A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01191084A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
| JP2001089762A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-04-03 | Toshiba Corp | セラミックシンチレータ材料とその製造方法、およびそれを用いた放射線検出器と放射線検査装置 |
| US7060982B2 (en) | 2003-09-24 | 2006-06-13 | Hokushin Corporation | Fluoride single crystal for detecting radiation, scintillator and radiation detector using the single crystal, and method for detecting radiation |
| JP2016061655A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | シンチレータ、放射線検出装置および放射線検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0516756B2 (ja) | 1993-03-05 |
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