JP3407937B2 - 希土類−オキシスルフィドの高密度シンチレーションセラミックの製法及びレントゲンコンピューター断層撮影用セラミック体 - Google Patents
希土類−オキシスルフィドの高密度シンチレーションセラミックの製法及びレントゲンコンピューター断層撮影用セラミック体Info
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 21
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 43
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 23
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 13
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005056 compaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 rare earth sulfite Chemical class 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 2
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMZWGRZHKCTXJO-UHFFFAOYSA-L [Li+].[F-].[F-].F.F.F.F.[GeH5+] Chemical compound [Li+].[F-].[F-].F.F.F.F.[GeH5+] XMZWGRZHKCTXJO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- BYJADUSHMADYRW-UHFFFAOYSA-L cadmium(2+);sulfite Chemical compound [Cd+2].[O-]S([O-])=O BYJADUSHMADYRW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- GAGGCOKRLXYWIV-UHFFFAOYSA-N europium(3+);trinitrate Chemical compound [Eu+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GAGGCOKRLXYWIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical compound [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052815 sulfur oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
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- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
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- C09K11/7767—Chalcogenides
- C09K11/7769—Oxides
- C09K11/7771—Oxysulfides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/7784—Chalcogenides
- C09K11/7787—Oxides
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】高エネルギーの放射線、例えばレ
ントゲン線、ガンマー線及び電子線の検出のためにはシ
ンチレーター体が使用される。このシンチレーター体は
高エネルギーの放射線を吸収し、可視光線に変換するこ
とのできる発光物質を含有する。この際生じたルミネッ
センスを感光システム、例えば光二極管又は光増幅機を
用いて電気的に確認し、かつ評価する。そのようなシン
チレーター体は単結晶材料、例えばドーピングしたアル
カリ金属ハロゲン化物から製造される。非単結晶材料は
粉末状発光物質として又はこれから製造したセラミック
体の形で使用することができる。
ントゲン線、ガンマー線及び電子線の検出のためにはシ
ンチレーター体が使用される。このシンチレーター体は
高エネルギーの放射線を吸収し、可視光線に変換するこ
とのできる発光物質を含有する。この際生じたルミネッ
センスを感光システム、例えば光二極管又は光増幅機を
用いて電気的に確認し、かつ評価する。そのようなシン
チレーター体は単結晶材料、例えばドーピングしたアル
カリ金属ハロゲン化物から製造される。非単結晶材料は
粉末状発光物質として又はこれから製造したセラミック
体の形で使用することができる。
【0002】
【従来の技術】例えばレントゲンコンピューター断層撮
影法において必要とされりような高感度放射線検出器に
は一般組成式: (M1-xLnx)2O2S の希土類−オキシドスルフィドの顔料粉末からなるシン
チレーターセラミックが好適である。ここで、Mは希土
類の群から選択された少なくとも1種の元素を表わし、
かつLnはユーロピウム、セリウム、プラセオジム、テ
ルビウム、イッテルビウム、ジスプロシウム、サマリウ
ム及びホルミウムの群から選択された活性剤として好適
な少なくとも1種の元素を表わし、この際xは2×10
~1までであってよい。高エネルギーの放射線の変換にお
ける高い光収量のためには、シンチレーター体の中でル
ミネッセンス線の高い透過度を保証するために、このシ
ンチレーターセラミックは光学的に半透明から透明であ
るべきである。
影法において必要とされりような高感度放射線検出器に
は一般組成式: (M1-xLnx)2O2S の希土類−オキシドスルフィドの顔料粉末からなるシン
チレーターセラミックが好適である。ここで、Mは希土
類の群から選択された少なくとも1種の元素を表わし、
かつLnはユーロピウム、セリウム、プラセオジム、テ
ルビウム、イッテルビウム、ジスプロシウム、サマリウ
ム及びホルミウムの群から選択された活性剤として好適
な少なくとも1種の元素を表わし、この際xは2×10
~1までであってよい。高エネルギーの放射線の変換にお
ける高い光収量のためには、シンチレーター体の中でル
ミネッセンス線の高い透過度を保証するために、このシ
ンチレーターセラミックは光学的に半透明から透明であ
るべきである。
【0003】更に、変換の際に高い量子効率が必要であ
り、一方強すぎる残光は不所望である。
り、一方強すぎる残光は不所望である。
【0004】シンチレーター体の高い透明性はできるだ
け少ない残留多孔度を示す高密度セラミックでのみ達せ
られる。ルミネッセンス線の光学的透過を妨害するのは
光学的屈折率の結晶異方性だけではなく、異相封入並び
に粒状境界及び特に孔である。
け少ない残留多孔度を示す高密度セラミックでのみ達せ
られる。ルミネッセンス線の光学的透過を妨害するのは
光学的屈折率の結晶異方性だけではなく、異相封入並び
に粒状境界及び特に孔である。
【0005】***特許第3629180号明細書からは
希土類−オキシスルフィドの発光体粉末からシンチレー
ターセラミックの製法が公知である。この際、従来のフ
ラックス法により得られた粉末状シンチレーター材料を
金属容器中に真空密に封入し、この中で温度800〜1
700℃及び圧力50〜200Mpaで均衡に圧縮成形
する。粉末状シンチレーター材料のできるかぎり高い圧
縮を達成するためには、あらかじめこれに圧縮添加物、
例えば錯体アルカリ金属弗化物を10%までの重量で添
加する。こうして残留多孔度が4容量%を下まわるシン
チレーターセラミックが得られるが、これは圧縮添加物
のために個々の異相封入を示し、従って可視光に関して
最適な透過は有さない。
希土類−オキシスルフィドの発光体粉末からシンチレー
ターセラミックの製法が公知である。この際、従来のフ
ラックス法により得られた粉末状シンチレーター材料を
金属容器中に真空密に封入し、この中で温度800〜1
700℃及び圧力50〜200Mpaで均衡に圧縮成形
する。粉末状シンチレーター材料のできるかぎり高い圧
縮を達成するためには、あらかじめこれに圧縮添加物、
例えば錯体アルカリ金属弗化物を10%までの重量で添
加する。こうして残留多孔度が4容量%を下まわるシン
チレーターセラミックが得られるが、これは圧縮添加物
のために個々の異相封入を示し、従って可視光に関して
最適な透過は有さない。
【0006】更に、均衡熱間圧縮は技術的に費用がかか
り、かつ例えば200Mpa−高圧技術が必要であるの
で、この***特許の発明は方法においても欠点を示しま
す。高圧ガス密度の金属容器中への溶接及び引き続く容
器からのシンチレーター体の分離は更に時間と費用の著
しくかかる行程である。
り、かつ例えば200Mpa−高圧技術が必要であるの
で、この***特許の発明は方法においても欠点を示しま
す。高圧ガス密度の金属容器中への溶接及び引き続く容
器からのシンチレーター体の分離は更に時間と費用の著
しくかかる行程である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は希土類−オキシスルフィドの顔料粉末を圧縮するため
のあまり費用がかからず、圧縮添加物の使用なしに実施
可能であり、かつ高い光透過性シンチレーターセラミッ
クに導びく方法を提供することである。
は希土類−オキシスルフィドの顔料粉末を圧縮するため
のあまり費用がかからず、圧縮添加物の使用なしに実施
可能であり、かつ高い光透過性シンチレーターセラミッ
クに導びく方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この課題は請求項1の特
徴を有する方法により解決する。
徴を有する方法により解決する。
【0009】本発明の更なる構成は請求項2から11に
記載されている。
記載されている。
【0010】本発明による方法で顔料粉末を圧縮添加又
は焼結助剤の使用なしに理論密度の99.9%以上とい
う高密度セラミックに圧縮成形することができる。この
シンチレーター体は光学的に半透明であり、かつ決して
異相封入を示さない。このシンチレーター体は規則的な
柱状〜球状の平均粒径約50μmの粒子構造を有する。
更に、このシンチレーターセラミックは例えばレントゲ
ン線の作用において高い光放射を示すので、これは例え
ばレントゲンコンピューター断層撮影に使用するための
放射線検出器の製造に非常に好適である。
は焼結助剤の使用なしに理論密度の99.9%以上とい
う高密度セラミックに圧縮成形することができる。この
シンチレーター体は光学的に半透明であり、かつ決して
異相封入を示さない。このシンチレーター体は規則的な
柱状〜球状の平均粒径約50μmの粒子構造を有する。
更に、このシンチレーターセラミックは例えばレントゲ
ン線の作用において高い光放射を示すので、これは例え
ばレントゲンコンピューター断層撮影に使用するための
放射線検出器の製造に非常に好適である。
【0011】この方法自体は簡単に実施可能である。圧
縮成形のためには油圧式ホットプレスが十分であり、こ
れは公知技術において必要な高圧装置より著しく費用が
かからない。方法が簡単であり、特に著しく容易な離型
のために、この方法はあまり時間がかからず、かつ全体
的には著しく費用が安い。
縮成形のためには油圧式ホットプレスが十分であり、こ
れは公知技術において必要な高圧装置より著しく費用が
かからない。方法が簡単であり、特に著しく容易な離型
のために、この方法はあまり時間がかからず、かつ全体
的には著しく費用が安い。
【0012】従来の方法で製造した顔料粉末を従来の方
法で熱間圧縮すると理論密度の90〜98%という比較
的低い密度を有するシンチレーターセラミックを得るこ
とができただけであるということからも本発明方法の結
果は意外である。従来の発光物質顔料粉末はいわゆるフ
ラックス法により得られ、この方法は米国特許第350
2590号明細書から公知である。この際、所定の遊離
体の発光物質顔料粉末への反応は低温で溶融する化合物
の添加による液体状態で達せられる。この顔料粉末は平
均粒径8〜40μmの規則的な多面体形の顔料粒子を有
する。そのような発光物質顔料粉末の比表面積は2m2
/gより小さい。
法で熱間圧縮すると理論密度の90〜98%という比較
的低い密度を有するシンチレーターセラミックを得るこ
とができただけであるということからも本発明方法の結
果は意外である。従来の発光物質顔料粉末はいわゆるフ
ラックス法により得られ、この方法は米国特許第350
2590号明細書から公知である。この際、所定の遊離
体の発光物質顔料粉末への反応は低温で溶融する化合物
の添加による液体状態で達せられる。この顔料粉末は平
均粒径8〜40μmの規則的な多面体形の顔料粒子を有
する。そのような発光物質顔料粉末の比表面積は2m2
/gより小さい。
【0013】本発明による方法は、使用する顔料粉末が
少なくとも10m2/g(BETによる)の比表面積を
示す場合にのみ実施可能である。そのような顔料粉末は
従来公知法によっては決して得られませんでした。
少なくとも10m2/g(BETによる)の比表面積を
示す場合にのみ実施可能である。そのような顔料粉末は
従来公知法によっては決して得られませんでした。
【0014】本発明に好適な顔料粉末の製造は例えば英
国特許第1375052号明細書から公知であるスルフ
ィット沈殿/還元法の改変によってはじめて達せられ
た。
国特許第1375052号明細書から公知であるスルフ
ィット沈殿/還元法の改変によってはじめて達せられ
た。
【0015】そのような粉末は大きな比表面積のために
多数の外側及び“内側”表面に多数の飽和していない結
合を示し、これは粉末の大きな焼結活性に導びく。
多数の外側及び“内側”表面に多数の飽和していない結
合を示し、これは粉末の大きな焼結活性に導びく。
【0016】改変スルフィット沈殿法により製造した粉
末は10m2/gより大きく約50m2/gまでの比表面
積を示し、典型的には20〜30m2/g(それぞれB
ETによる)である。
末は10m2/gより大きく約50m2/gまでの比表面
積を示し、典型的には20〜30m2/g(それぞれB
ETによる)である。
【0017】この方法により得られた、異相を有さない
完全化学量論を有している粉末を圧縮成形の前に酸化ア
ルミニウム、タンタル、タングステン、モリブテン、炭
化珪素又は窒化珪素からなるプレスマトリックス中に供
給し、圧縮に使用した条件において起こりうる粉末とプ
レスの鋼との化学的反応を締め出す。
完全化学量論を有している粉末を圧縮成形の前に酸化ア
ルミニウム、タンタル、タングステン、モリブテン、炭
化珪素又は窒化珪素からなるプレスマトリックス中に供
給し、圧縮に使用した条件において起こりうる粉末とプ
レスの鋼との化学的反応を締め出す。
【0018】圧縮成形工程自体は2相で行なうことがで
き、この際まず乾燥し、かつ冷間一軸前圧縮を圧力0.
1〜10kNcm~2、有利に圧力1〜3kNcm~2で行
ない、引き続き温度1000〜1500℃、有利に11
00〜1300℃及び圧力0.1〜20kNcm~2、有
利に2〜6kNcm2で一軸熱間圧縮により完全に圧縮
成形を行なう。
き、この際まず乾燥し、かつ冷間一軸前圧縮を圧力0.
1〜10kNcm~2、有利に圧力1〜3kNcm~2で行
ない、引き続き温度1000〜1500℃、有利に11
00〜1300℃及び圧力0.1〜20kNcm~2、有
利に2〜6kNcm2で一軸熱間圧縮により完全に圧縮
成形を行なう。
【0019】本発明の更なる実施形においては冷間前圧
縮及び熱間圧縮の間に非加圧焼結工程を実施することも
できる。その際には前加圧した顔料粉末を加圧なしに温
度1000〜1500℃に加熱する。この際、焼結によ
り圧縮を理論密度の75〜90%にする。引き続き熱間
圧縮を行なう。
縮及び熱間圧縮の間に非加圧焼結工程を実施することも
できる。その際には前加圧した顔料粉末を加圧なしに温
度1000〜1500℃に加熱する。この際、焼結によ
り圧縮を理論密度の75〜90%にする。引き続き熱間
圧縮を行なう。
【0020】必須ではないが、有利な更なる本発明実施
形においては、熱間圧縮の前に顔料粉末に圧縮添加物を
混合する。このために好適な材料は例えば***特許第3
629180号明細書から公知であり、かつゲルマニウ
ム、燐、アルミニウム、珪素、ジルコニウム、チタン及
び硼素を中心原子として有し、かつアルカリ金属又はア
ルカリ土類金属のカチオンを有する錯弗化物の群から選
択される。この圧縮添加物を用いて(又は焼結によ
り)、本発明によるシンチレーションセラミックの圧縮
は従来公知の方法に対して低い温度で達せられるか、も
しくはそのままの温度で圧縮添加物を加えて、シンチレ
ーションセラミックのより高い密度が達成される。圧縮
成形における低い温度は、相応して製造されたシンチレ
ーター体がより良好なルミネッセンス及び特に僅かな残
光を示すという利点を有する。
形においては、熱間圧縮の前に顔料粉末に圧縮添加物を
混合する。このために好適な材料は例えば***特許第3
629180号明細書から公知であり、かつゲルマニウ
ム、燐、アルミニウム、珪素、ジルコニウム、チタン及
び硼素を中心原子として有し、かつアルカリ金属又はア
ルカリ土類金属のカチオンを有する錯弗化物の群から選
択される。この圧縮添加物を用いて(又は焼結によ
り)、本発明によるシンチレーションセラミックの圧縮
は従来公知の方法に対して低い温度で達せられるか、も
しくはそのままの温度で圧縮添加物を加えて、シンチレ
ーションセラミックのより高い密度が達成される。圧縮
成形における低い温度は、相応して製造されたシンチレ
ーター体がより良好なルミネッセンス及び特に僅かな残
光を示すという利点を有する。
【0021】圧縮添加物は焼結の間もしくは熱間圧縮の
間にほぼ完全にシンチレーター体から除去される。それ
というのもこの圧縮添加物は使用した残留ガス圧及び焼
結温度において揮発性であるためである。熱間圧縮にお
いては圧縮すべき顔料粉末に(機械的)圧力を作用させ
るが、同時に残留ガス圧が10paより低い真空をかけ
る。こうして易揮発性圧縮添加物はほぼ完全に除去さ
れ、このことは従来の均衡熱間圧縮により不可能であ
る。それというのもこの方法はすべての方向からかけら
れた高いガス圧で実施されるためである。
間にほぼ完全にシンチレーター体から除去される。それ
というのもこの圧縮添加物は使用した残留ガス圧及び焼
結温度において揮発性であるためである。熱間圧縮にお
いては圧縮すべき顔料粉末に(機械的)圧力を作用させ
るが、同時に残留ガス圧が10paより低い真空をかけ
る。こうして易揮発性圧縮添加物はほぼ完全に除去さ
れ、このことは従来の均衡熱間圧縮により不可能であ
る。それというのもこの方法はすべての方向からかけら
れた高いガス圧で実施されるためである。
【0022】顔料粉末の冷間前圧縮は窒素、アルゴン、
ヘリウム又は水素下に不活性ガス雰囲気中で実施するこ
とができる。
ヘリウム又は水素下に不活性ガス雰囲気中で実施するこ
とができる。
【0023】
【実施例】次に実施例並びにこれに属する2つの図面に
つき本発明を詳細に説明する。
つき本発明を詳細に説明する。
【0024】図1中に顔料粒子を示した発光物質顔料粉
末は微細に構成された針状〜葉状の形態のために大きな
比表面積(これは質量単位あたりの表面積である)を示
す。公知技術からの発光物質は球状の形態を示し(例え
ば、Y.イトー等、Jap.Journal App
l.Physics、第27巻、第8号、1988年、
第L1371〜L1373頁、特に第L1372頁の第
1a図を参照)、従って比表面積はこの顔料粒子の輪郭
表面積に相当するのに対して、本発明による発光物質顔
料粉末において比表面積に関して内側表面が重要であ
る。
末は微細に構成された針状〜葉状の形態のために大きな
比表面積(これは質量単位あたりの表面積である)を示
す。公知技術からの発光物質は球状の形態を示し(例え
ば、Y.イトー等、Jap.Journal App
l.Physics、第27巻、第8号、1988年、
第L1371〜L1373頁、特に第L1372頁の第
1a図を参照)、従って比表面積はこの顔料粒子の輪郭
表面積に相当するのに対して、本発明による発光物質顔
料粉末において比表面積に関して内側表面が重要であ
る。
【0025】本発明による発光物質顔料粉末においては
大きな比表面積のために多数の非飽和結合が表面に存在
し、これは大きすぎる焼結活性に導びく。
大きな比表面積のために多数の非飽和結合が表面に存在
し、これは大きすぎる焼結活性に導びく。
【0026】本発明による発光物質顔料粉末は特に10
m2/gより大きく、かつ20m2/gと50m2/gと
の間であり、典型的には35m2/gの比表面積を示
す。
m2/gより大きく、かつ20m2/gと50m2/gと
の間であり、典型的には35m2/gの比表面積を示
す。
【0027】本発明による発光物質顔料粉末の製造のた
めに実施例においては酸化ガドリニウム(Gd2O3)の
水性懸濁液を製造する。カドリニウムオキシドのこの水
性懸濁液中に二酸化硫黄を導入する。亜硫酸錯体の透明
溶液が生じる:
めに実施例においては酸化ガドリニウム(Gd2O3)の
水性懸濁液を製造する。カドリニウムオキシドのこの水
性懸濁液中に二酸化硫黄を導入する。亜硫酸錯体の透明
溶液が生じる:
【0028】
【化1】
【0029】粒子除去のためにこの溶液をポンプを用い
て0.2μm−フィルターを通す。例えば、硝酸ユーロ
ピウムの水溶液をドーピング添加物(活性剤)として添
加したのち、窒素を吹き込み、かつ100℃に加熱して
二酸化硫黄を除去する。この際pH値が1から6に上昇
し、このことは亜硫酸カドリニウムが完全に沈殿するこ
とに導びく。
て0.2μm−フィルターを通す。例えば、硝酸ユーロ
ピウムの水溶液をドーピング添加物(活性剤)として添
加したのち、窒素を吹き込み、かつ100℃に加熱して
二酸化硫黄を除去する。この際pH値が1から6に上昇
し、このことは亜硫酸カドリニウムが完全に沈殿するこ
とに導びく。
【0030】この反応に関しては次の式が概当する:
【0031】
【化2】
【0032】溶解した亜硫酸錯体が空中酸素により硫酸
塩に酸化することを阻止するために、この工程は保護ガ
ス下に行なう。
塩に酸化することを阻止するために、この工程は保護ガ
ス下に行なう。
【0033】引き続き、沈殿(亜硫酸カドリニウム)を
分離し、例えば120℃で乾燥させる。
分離し、例えば120℃で乾燥させる。
【0034】乾燥した亜硫酸カドリニウム粉末を約1c
mの層厚で石英ボート中で管状炉中に組み込む。この管
状炉をガス密に封鎖し、形成ガスですすぐ。例えば、組
成N280%/H220%の形成ガスを使用する。この管
状炉を例えば700℃に加熱する。この際亜硫酸カドリ
ニウムはカドリニウムオキシスルフィドGd2O2Sに還
元する。
mの層厚で石英ボート中で管状炉中に組み込む。この管
状炉をガス密に封鎖し、形成ガスですすぐ。例えば、組
成N280%/H220%の形成ガスを使用する。この管
状炉を例えば700℃に加熱する。この際亜硫酸カドリ
ニウムはカドリニウムオキシスルフィドGd2O2Sに還
元する。
【0035】ドーピング剤添加により組成式(Gd1-x
Eux) 2 O2S(x=0.03)の発光物質顔料粉末が生
じる。
Eux) 2 O2S(x=0.03)の発光物質顔料粉末が生
じる。
【0036】亜硫酸カドリニウムのカドリニウムオキシ
スルフィドへの還元はCO、H2又は記載した実施例中
とは異なる組成の形成ガスの吹き込みによっても実施す
ることができるということを実験は示した。管状炉中で
の温度は、この際400℃と800℃との間であってよ
い。還元のために、組成N280%/H220%の形成ガ
スを680℃より高温で使用すると完全な還元が行われ
るので、この条件が特に有利である。
スルフィドへの還元はCO、H2又は記載した実施例中
とは異なる組成の形成ガスの吹き込みによっても実施す
ることができるということを実験は示した。管状炉中で
の温度は、この際400℃と800℃との間であってよ
い。還元のために、組成N280%/H220%の形成ガ
スを680℃より高温で使用すると完全な還元が行われ
るので、この条件が特に有利である。
【0037】生じる発光物質顔料粉末の表面積は亜硫酸
カドリニウムのカドリニウムオキシスルフィドへの還元
における管状炉中の温度に依存することが実験から判明
した。管状炉中の温度が680℃と1100℃との間の
温度において比表面積は35m2/gから3m2/gに低
下する。
カドリニウムのカドリニウムオキシスルフィドへの還元
における管状炉中の温度に依存することが実験から判明
した。管状炉中の温度が680℃と1100℃との間の
温度において比表面積は35m2/gから3m2/gに低
下する。
【0038】従って、亜硫酸カドリニウムのカドリニウ
ムオキシスルフィドへの還元を680〜700℃の温度
範囲で実施するのが有利である。この温度範囲において
完全な還元及び比表面積、すなわち焼結活性に関して最
適値が達せられる。
ムオキシスルフィドへの還元を680〜700℃の温度
範囲で実施するのが有利である。この温度範囲において
完全な還元及び比表面積、すなわち焼結活性に関して最
適値が達せられる。
【0039】得られた顔料粉末は例えば35m2/gの
所望の高い比表面積を示すが、一般的な組成式(Gd
1-xLnx)2O2Sに相応しない異相封入をなお示すこと
がある。この式中のLnは実施例において選択された添
加物である活性剤及び活性助剤(ユーロピウム及び/又
はセリウム)を表わす。化学量論を完全にするためには
更に新しい種類の還元工程を実施することができる。こ
のためには得られた顔料粉末を水素/硫黄雰囲気にさら
し、その際この工程に関しては水素雰囲気(形成ガス)
下の第1の還元工程と同じ温度条件を選択する。この処
置においても選択した温度が達成可能な表面に重要な意
味を有する。高すぎる温度においては低下した比表面積
(BETによる)が得られる。
所望の高い比表面積を示すが、一般的な組成式(Gd
1-xLnx)2O2Sに相応しない異相封入をなお示すこと
がある。この式中のLnは実施例において選択された添
加物である活性剤及び活性助剤(ユーロピウム及び/又
はセリウム)を表わす。化学量論を完全にするためには
更に新しい種類の還元工程を実施することができる。こ
のためには得られた顔料粉末を水素/硫黄雰囲気にさら
し、その際この工程に関しては水素雰囲気(形成ガス)
下の第1の還元工程と同じ温度条件を選択する。この処
置においても選択した温度が達成可能な表面に重要な意
味を有する。高すぎる温度においては低下した比表面積
(BETによる)が得られる。
【0040】この付加的な水素/硫黄蒸気処置は全異相
を所望の硫黄酸化物にし、この際化学反応は明白であ
り、全く副生成物は観察されない。レントゲン回折法に
より測定した結晶の大きさは10〜20nmである。
を所望の硫黄酸化物にし、この際化学反応は明白であ
り、全く副生成物は観察されない。レントゲン回折法に
より測定した結晶の大きさは10〜20nmである。
【0041】不活性ガス下に例えばリチウムゲルマニウ
ムヘキサフルオリドLi2GeF60.1%を圧縮添加物
として混合し、最後に全体を酸化アルミニウムからなる
プレスマトリックス中に装入し、引き続き一軸圧縮成形
を行なう。このためにはすでに記載した三工程法を選択
する。
ムヘキサフルオリドLi2GeF60.1%を圧縮添加物
として混合し、最後に全体を酸化アルミニウムからなる
プレスマトリックス中に装入し、引き続き一軸圧縮成形
を行なう。このためにはすでに記載した三工程法を選択
する。
【0042】図2は熱間圧縮に好適な装置を示す。顔料
粉末を底板(BP)、マトリックス壁(MW)及びカバ
ープレート(AP)からなりかつ例えばシリンダー状の
プレスマトリックス中に装入する。圧縮圧を油圧で行な
い、かつマトリックスピストンMSでカバープレートA
Pに作用させる。この際、このマトリックスはかなとこ
A上に設置されている。熱間圧縮装置はこのプレスマト
リックスをかこむヒーターH並びに(図示されていな
い)真空装置からなる。
粉末を底板(BP)、マトリックス壁(MW)及びカバ
ープレート(AP)からなりかつ例えばシリンダー状の
プレスマトリックス中に装入する。圧縮圧を油圧で行な
い、かつマトリックスピストンMSでカバープレートA
Pに作用させる。この際、このマトリックスはかなとこ
A上に設置されている。熱間圧縮装置はこのプレスマト
リックスをかこむヒーターH並びに(図示されていな
い)真空装置からなる。
【0043】1〜3kN/cm2の圧力で、まず乾燥し
て、かつ冷間前圧縮を行なう。この前圧縮した粉末を引
き続きホットプレス中でまず加圧せずに、温度1100
〜1300℃に加熱するが、その際顔料粉末を理論密度
の約80〜85%に焼結する。その後はじめて約2〜6
kn/cm2の最終圧縮圧にし、焼結した顔料粉末から
なる成形体を最後に完全に圧縮成形する。
て、かつ冷間前圧縮を行なう。この前圧縮した粉末を引
き続きホットプレス中でまず加圧せずに、温度1100
〜1300℃に加熱するが、その際顔料粉末を理論密度
の約80〜85%に焼結する。その後はじめて約2〜6
kn/cm2の最終圧縮圧にし、焼結した顔料粉末から
なる成形体を最後に完全に圧縮成形する。
【0044】引き続き焼結体から圧力をとり、冷却し、
プレス及びマトリックスから取り出す。このようにして
得られた、図3に示したシンチレーターセラミックは光
学的に半透明であり、理論密度の99.9%より大きい
密度を示し、かつ規則的な球状〜柱状の粒子構造を示
す。これは有効な放射線検出器のための高い放出を有
し、例えばレントゲンコンピューター−断層撮影法に検
出器の要素として使用可能である。
プレス及びマトリックスから取り出す。このようにして
得られた、図3に示したシンチレーターセラミックは光
学的に半透明であり、理論密度の99.9%より大きい
密度を示し、かつ規則的な球状〜柱状の粒子構造を示
す。これは有効な放射線検出器のための高い放出を有
し、例えばレントゲンコンピューター−断層撮影法に検
出器の要素として使用可能である。
【0045】ガドリニウムオキシドスルフィドを記載し
た方法は、化学的挙動において大きな類似性のために他
の希土類金属に関して同様に実施可能であり、例えばガ
ドリニウムのかわりにイットリウム及びランタンで、か
つユーロピウム、セリウム、プラセオジム、テルビウ
ム、イッテルビウム、ジスプロシウム、サマリウム及び
ホルミウムの群から選択された元素である、少なくとも
1種の活性剤で実施可能である。有利な活性剤/活性助
剤の組合わせは例えばEu/Ce、Eu/Pr、Eu/
Tb及びPr/Ceを形成する。記載した群からの三種
の活性剤を同時に使用することも可能である。
た方法は、化学的挙動において大きな類似性のために他
の希土類金属に関して同様に実施可能であり、例えばガ
ドリニウムのかわりにイットリウム及びランタンで、か
つユーロピウム、セリウム、プラセオジム、テルビウ
ム、イッテルビウム、ジスプロシウム、サマリウム及び
ホルミウムの群から選択された元素である、少なくとも
1種の活性剤で実施可能である。有利な活性剤/活性助
剤の組合わせは例えばEu/Ce、Eu/Pr、Eu/
Tb及びPr/Ceを形成する。記載した群からの三種
の活性剤を同時に使用することも可能である。
【0046】本発明による熱間圧縮法はシンチレーター
セラミックに導びき、これは使用した装置により困難な
く任意の大きさで、例えば手のひらの大きさのプレート
に製造することができる。これに対して、従来公知の均
衡熱間圧縮成形は少なくとも2日間を必要とし、小さい
結晶体に導びき、その容量を任意に高めることはできな
い。
セラミックに導びき、これは使用した装置により困難な
く任意の大きさで、例えば手のひらの大きさのプレート
に製造することができる。これに対して、従来公知の均
衡熱間圧縮成形は少なくとも2日間を必要とし、小さい
結晶体に導びき、その容量を任意に高めることはできな
い。
【図1】本発明による発光物質顔量粉末の顔量粒子の図
である。
である。
【図2】本発明による熱間圧縮のための装置の横断面図
である。
である。
【図3】本発明により製造したシンチレーターセラミッ
ク体の断面図である。
ク体の断面図である。
A かなとこ
BP 底板
MW マトリックス壁
AP カバープレート
MS マトリックスピストン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平3−243686(JP,A)
特開 昭61−127670(JP,A)
特開 平2−229764(JP,A)
特開 昭62−275072(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
C04B 35/00 - 35/50
C09K 11/00 - 11/89
CA(STN)
REGISTRY(STN)
Claims (11)
- 【請求項1】 希土類−オキシスルフィドの高密度半透
明シンチレーションセラミックを製造する方法におい
て、まず希土類亜硫酸塩 (M1-XLnX)2(SO3)3 [式中、Mは、Y、La及びGdの群から選択された少
なくとも1種の元素を表わし、LnはEu、Ce、P
r、Tb、Yb、Dy、Sm及びHoの群から選択され
た少なくとも1種の元素を表わし、かつxは1×10
-6≦x≦2×10-1の範囲である]の酸性水溶液から
化学的に沈殿させ、引き続き熱的に還元することによ
り、一般的な組成式 (M1-XLnX)2O2S を有し、かつBETによるガス吸着法により決定した比
表面積少なくとも10m2/gを有する顔料粉末を製造
し、 この顔料粉末をまず乾燥し、かつ0.1〜10kN/c
m2の圧力で冷間前圧縮し、 引き続き温度1000〜1500℃及び圧力0.1〜2
0kN/cm2で理論密度の少なくとも99.9%の密
度まで一軸熱間圧縮することを特徴とする希土類−オキ
シスルフィドの高密度半透明シンチレーションセラミッ
クの製法。 - 【請求項2】 20〜30m2/gのBET−表面積を
有する顔料粉末を圧縮成形する請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 顔料粉末をまず乾燥し、かつ1〜3kN
/cm2の圧力で冷間前圧縮し、引き続き温度1100
〜1300℃及び圧力2〜6kN/cm2で完全に圧縮
成形する請求項1又は2記載の方法。 - 【請求項4】 顔料粉末を冷間前圧縮の後、まず圧力を
かけずに温度1000〜1500℃に加熱し、その際理
論密度の75〜90%まで焼結し、次いで圧力をかけて
完全に圧縮成形する請求項3記載の方法。 - 【請求項5】 希土類亜硫酸塩の熱的還元を680〜7
00℃の温度で成形ガスを用いて実施する、請求項1か
ら4までのいずれか1項記載の方法。 - 【請求項6】 顔料粉末をプレスマトリックス中で圧縮
成形する請求項1から5までのいずれか1項記載の方
法。 - 【請求項7】 酸化アルミニウムAl2O3、タンタル
Ta、タングステンW、モリブデンMo、炭化珪素Si
C又は窒化珪素Si3N4からなるプレスマトリックス
を使用する請求項6記載の方法。 - 【請求項8】 圧縮成形の前に顔料粉末に圧縮成形添加
物又は焼結助剤を添加する請求項1から7までのいずれ
か1項記載の方法。 - 【請求項9】 10paより小さい残留ガス圧下に熱間
圧縮を実施する請求項1から8までのいずれか1項記載
の方法。 - 【請求項10】 窒素、アルゴン、ヘリウム又は水素か
らなるガス雰囲気中で圧縮成形を実施する請求項1から
9までのいずれか1項記載の方法。 - 【請求項11】 請求項1から10のいずれか1項記載
の方法により製造された希土類−オキシスルフィドの高
密度半透明シンチレーションセラミック体であることを
特徴とするレントゲンコンピューター断層撮影用セラミ
ック体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4224931A DE4224931C2 (de) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | Verfahren zur Herstellung einer Szintillatorkeramik und deren Verwendung |
DE4224931.7 | 1992-07-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06206769A JPH06206769A (ja) | 1994-07-26 |
JP3407937B2 true JP3407937B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=6464310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18474093A Expired - Fee Related JP3407937B2 (ja) | 1992-07-28 | 1993-07-27 | 希土類−オキシスルフィドの高密度シンチレーションセラミックの製法及びレントゲンコンピューター断層撮影用セラミック体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5296163A (ja) |
JP (1) | JP3407937B2 (ja) |
DE (1) | DE4224931C2 (ja) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3194828B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2001-08-06 | 株式会社東芝 | 焼結蛍光体およびその製造方法とこの焼結蛍光体を用いた放射線検出器およびx線断層写真撮影装置 |
DE4402260A1 (de) * | 1994-01-26 | 1995-07-27 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs mit hoher Transluzenz |
DE4402258C2 (de) * | 1994-01-26 | 1996-06-20 | Siemens Ag | Leuchtstoff mit reduziertem Nachleuchten |
DE4425922B4 (de) * | 1994-07-21 | 2004-03-18 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Leuchtstoffkeramik durch Heißpressen |
DE4427021C2 (de) * | 1994-07-29 | 1996-05-30 | Siemens Ag | Leuchtstoff mit reduziertem Nachleuchten |
DE4427022A1 (de) * | 1994-07-29 | 1996-02-01 | Siemens Ag | Leuchtstoff mit Zusatz zur Verringerung des Nachleuchtens |
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JPH11271453A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | 放射線弁別測定方法および放射線弁別測定装置 |
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1992
- 1992-07-28 DE DE4224931A patent/DE4224931C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-07-26 US US08/096,271 patent/US5296163A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-27 JP JP18474093A patent/JP3407937B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4224931A1 (de) | 1994-02-03 |
US5296163A (en) | 1994-03-22 |
DE4224931C2 (de) | 1995-11-23 |
JPH06206769A (ja) | 1994-07-26 |
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---|---|---|---|
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