JPS6318286A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JPS6318286A JPS6318286A JP16184786A JP16184786A JPS6318286A JP S6318286 A JPS6318286 A JP S6318286A JP 16184786 A JP16184786 A JP 16184786A JP 16184786 A JP16184786 A JP 16184786A JP S6318286 A JPS6318286 A JP S6318286A
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はX線、γ線などの放射線検出器に関する。とく
に、X@CT (コンピユータ化された断層写真)又は
ポジトロンカメラなどに用いる放射線検出器に関する。
に、X@CT (コンピユータ化された断層写真)又は
ポジトロンカメラなどに用いる放射線検出器に関する。
[従来の技術]
X線CTとしては種々のタイプがあるが、通常20〜1
000個の性能の揃った放射線検出器を必要とする。
000個の性能の揃った放射線検出器を必要とする。
従来、X、1ICTなどに用いる放射線検出器としては
、キセノンのガスチェンバーあるいは、BG○単結晶(
ゲルマニウム酸ビスマス)と光電子増倍管を組合せたも
の、CsI:TQ単結晶またはCdWO4単結晶とホト
ダイオードを組合せたものが用いられてきた。キセノン
ガスチェンバーは検出器内に高圧のキセノンガスを封入
するために厚い窓が必要であり、かっ1素子当り2枚の
コリメータ抜が入っているため、X線の利用効率は組合
わせて用いられるが、光電子増倍管やそれに付ずいした
高圧電源が必要となるため多素子化が困難である。
、キセノンのガスチェンバーあるいは、BG○単結晶(
ゲルマニウム酸ビスマス)と光電子増倍管を組合せたも
の、CsI:TQ単結晶またはCdWO4単結晶とホト
ダイオードを組合せたものが用いられてきた。キセノン
ガスチェンバーは検出器内に高圧のキセノンガスを封入
するために厚い窓が必要であり、かっ1素子当り2枚の
コリメータ抜が入っているため、X線の利用効率は組合
わせて用いられるが、光電子増倍管やそれに付ずいした
高圧電源が必要となるため多素子化が困難である。
CSI:Tflは、効率は高いが潮解性で、かつ、残光
(X線を断ってからの発光)現象があり、実用上問題が
ある。
(X線を断ってからの発光)現象があり、実用上問題が
ある。
またC d W O4は発光効率が低く、その上、切断
するときに襞間し易く、かつ毒性がある点で問題がある
。
するときに襞間し易く、かつ毒性がある点で問題がある
。
以上に述べた単結晶シンチレータについて共通する欠点
は、単結晶内における発光特性のばらつきがあることで
ある。単結晶は一般に融液から成長させるが、成長過程
で結晶内に沿って、格子欠陥が広がりやすいため、残光
現象が現われたりする。また、シンチレータには活性剤
が加えられることが多いが、これを結晶内に均一に分散
させることが困難である。そのために結晶内に発光むら
が生じる。前述の問題点は、各検出器の特性を合わせる
ことが極めて困難であることを意味する。
は、単結晶内における発光特性のばらつきがあることで
ある。単結晶は一般に融液から成長させるが、成長過程
で結晶内に沿って、格子欠陥が広がりやすいため、残光
現象が現われたりする。また、シンチレータには活性剤
が加えられることが多いが、これを結晶内に均一に分散
させることが困難である。そのために結晶内に発光むら
が生じる。前述の問題点は、各検出器の特性を合わせる
ことが極めて困難であることを意味する。
−70476に蛍光体粒子をシンチレータとして使用す
る放射線検出器を提案した6通常X線CT用の放射線検
出器において断面像を得るためには、その幅は1〜3m
m程度で、長さは20+mn程度である。それ故に一つ
の放射線検出器の中の蛍光体粒子は、その粒径にもよる
が例えば30万個程度である。個々の蛍光体粒子の特性
は、少しずつ異なっている可能性はあるが、十分に混合
して一つのシンチレータとして使用することにより、シ
ンチレータとしての特性のばらつきは、粒子数の平方根
分の−、すなわち0.01%程度となり満足すべき結果
が得られる。
る放射線検出器を提案した6通常X線CT用の放射線検
出器において断面像を得るためには、その幅は1〜3m
m程度で、長さは20+mn程度である。それ故に一つ
の放射線検出器の中の蛍光体粒子は、その粒径にもよる
が例えば30万個程度である。個々の蛍光体粒子の特性
は、少しずつ異なっている可能性はあるが、十分に混合
して一つのシンチレータとして使用することにより、シ
ンチレータとしての特性のばらつきは、粒子数の平方根
分の−、すなわち0.01%程度となり満足すべき結果
が得られる。
この放射線検出器について第1図を用いて説明はる。入
射xa1がアルミニューム薄膜からなる蓋5と光散乱層
4を透過した後、シンチレータ粒子層2(けい光体をポ
リスチレンで固めたもの)を発光させる。この発光が、
空間層7と2次放射線防止層8(鉛ガラス)を経た後、
ホトダイオード3に到達し、電流に変換される。また、
シンチレータ粒子層の発光を効率良くホトダイオードに
導くために、容器6の全体が反射膜でおおわれている。
射xa1がアルミニューム薄膜からなる蓋5と光散乱層
4を透過した後、シンチレータ粒子層2(けい光体をポ
リスチレンで固めたもの)を発光させる。この発光が、
空間層7と2次放射線防止層8(鉛ガラス)を経た後、
ホトダイオード3に到達し、電流に変換される。また、
シンチレータ粒子層の発光を効率良くホトダイオードに
導くために、容器6の全体が反射膜でおおわれている。
このように検出器では、単結晶シンチレータとホトダイ
オードと組合せた検出器に比べ約2倍の出力が得られ、
頭部X線CT用の検出器として極めて望ましいものとな
る。しかし、全身用の検出器に適用するには、やや問題
がある。それは、頭部用と全身用の画像処理方式が異な
るためである。第1図においてシンチレータ層2の発光
特性は均質であるが、光がホトダイオード3に到達する
迄に空間層7をおおっている反射膜に衝突を繰り返す。
オードと組合せた検出器に比べ約2倍の出力が得られ、
頭部X線CT用の検出器として極めて望ましいものとな
る。しかし、全身用の検出器に適用するには、やや問題
がある。それは、頭部用と全身用の画像処理方式が異な
るためである。第1図においてシンチレータ層2の発光
特性は均質であるが、光がホトダイオード3に到達する
迄に空間層7をおおっている反射膜に衝突を繰り返す。
したがって、反射膜において反射率のむらがあると入射
したX線の正確な情報が得られない。そのためには、こ
のような検出器を多素子化した場合に、各素子間におい
て特性のばらつきが生じることになる。その結果、この
検出器を用いて得られた再生像には、リングむらやアー
チファクトが生じる。
したX線の正確な情報が得られない。そのためには、こ
のような検出器を多素子化した場合に、各素子間におい
て特性のばらつきが生じることになる。その結果、この
検出器を用いて得られた再生像には、リングむらやアー
チファクトが生じる。
この問題を解決するためには、第2図のような構造にす
ることが必要となる。すなわち、真ちゅうからなる容器
6の底部にシリコンホトダイオード3が配置され、容器
6の内面にはアルミニウームにより光反射面が形成され
ている。容器6内にIこ はシリコンホトダイオード3の上が鉛ガラス8が配置さ
れ、さらにその上にシンチレータ層2が形成されている
。鉛ガラスはシンチレータからでる蛍光X線をカットす
るために設けられている。
ることが必要となる。すなわち、真ちゅうからなる容器
6の底部にシリコンホトダイオード3が配置され、容器
6の内面にはアルミニウームにより光反射面が形成され
ている。容器6内にIこ はシリコンホトダイオード3の上が鉛ガラス8が配置さ
れ、さらにその上にシンチレータ層2が形成されている
。鉛ガラスはシンチレータからでる蛍光X線をカットす
るために設けられている。
第2図のような構造において、シンチレータ粒子層を用
いた場合には、粒子層自身が光学的に不透明であるため
、発光をシリコンホトダイオードに効率良く導くことが
困難である。そのために、効率の高いG d 202
S : Pr、 Ce、 Fシンチレータを用いても、
単結晶シンチレータCdW○4とシリコンホトダイオー
ドを組合せた検出器とほぼ同程度の信号出力になってし
まうという問題が生じた。出力を増大するには、希土類
オキシサルファイドシンチレータを単結晶にして透明化
すれば良いのであるが、ジャーナル・オブ・アプライド
・フィジックス(J 、 Appl、 Phys、 )
42巻。
いた場合には、粒子層自身が光学的に不透明であるため
、発光をシリコンホトダイオードに効率良く導くことが
困難である。そのために、効率の高いG d 202
S : Pr、 Ce、 Fシンチレータを用いても、
単結晶シンチレータCdW○4とシリコンホトダイオー
ドを組合せた検出器とほぼ同程度の信号出力になってし
まうという問題が生じた。出力を増大するには、希土類
オキシサルファイドシンチレータを単結晶にして透明化
すれば良いのであるが、ジャーナル・オブ・アプライド
・フィジックス(J 、 Appl、 Phys、 )
42巻。
3049頁(1971)に記載の方法を用いても、数ミ
リ角の単結晶が得られるにすぎない。
リ角の単結晶が得られるにすぎない。
[発明が解決しようとする問題点]
本発明は、上記の欠点を除いた光出力の高い放射線検出
器を提供することを目的とする。
器を提供することを目的とする。
[問題を解決するための手段]
上記目的は、放射線により発光するシンチレータ(Ln
1−x−yPrxンey)2o2s:(x)(但し、
LnはGd、La及びYからなる群から選ばれた少なく
とも一種の元素、XはF及びCΩからなる群から選ばれ
た少なくとも一種の元素を表わし、Xは3XIO−”く
x〈0.2 yは10−6<yく3X10−3(7)範囲ノ値。
1−x−yPrxンey)2o2s:(x)(但し、
LnはGd、La及びYからなる群から選ばれた少なく
とも一種の元素、XはF及びCΩからなる群から選ばれ
た少なくとも一種の元素を表わし、Xは3XIO−”く
x〈0.2 yは10−6<yく3X10−3(7)範囲ノ値。
Xの量は2乃至1000PPII+(重量)で表わされ
る粉末に焼結助剤として、Li20eF6゜(NH4)
2GeF 6.Na2GaF 6.に2GeF 6゜N
aPFB、KPF6.NH4PF6゜Na5ARF6.
に2SiFH,Li2SiF6 ・2H20,Na25
iF 6.LiF、NaHF 2+KHF 2.NH4
HF 2.Na2TiF 6゜(し′ に2TiFg、に2ZrF[l、(NH4)ZrFB。
る粉末に焼結助剤として、Li20eF6゜(NH4)
2GeF 6.Na2GaF 6.に2GeF 6゜N
aPFB、KPF6.NH4PF6゜Na5ARF6.
に2SiFH,Li2SiF6 ・2H20,Na25
iF 6.LiF、NaHF 2+KHF 2.NH4
HF 2.Na2TiF 6゜(し′ に2TiFg、に2ZrF[l、(NH4)ZrFB。
MgSiFg、5rSiFa、LiBF4.NaBF。
及びKBF4の群からなる少なくとも一種を0.001
〜10重景%加え、これを金属製の容器に詰めて真空封
止して熱間静水圧加圧(Hotisostatic P
ressing以下HIPと略す)シ、更にアニール
してなる透光性焼結体シンチレータと該シンチレータの
発光を検知する光検出器と組合せた放射線検出器によっ
て達成される。
〜10重景%加え、これを金属製の容器に詰めて真空封
止して熱間静水圧加圧(Hotisostatic P
ressing以下HIPと略す)シ、更にアニール
してなる透光性焼結体シンチレータと該シンチレータの
発光を検知する光検出器と組合せた放射線検出器によっ
て達成される。
[作用コ
透光性のある焼結体は焼結助剤0.001〜10重量%
加え、圧力が500〜2000気圧、温度が800〜1
700℃でHIPすることによって得られる。但しこの
条件において、圧力が低い場合は当然、高温でHIPす
ることが必要である。好ましいHIP条件は焼結助剤の
添加量が0.01〜4重量%、温度が1100〜150
0℃、圧力が800〜1800気圧テアル。HIPに用
いる金属製容器の材質としては高温で変形(軟化)容易
な金属、例えば純鉄、ステンレススチール、ニッケルお
よび白金などが良い。
加え、圧力が500〜2000気圧、温度が800〜1
700℃でHIPすることによって得られる。但しこの
条件において、圧力が低い場合は当然、高温でHIPす
ることが必要である。好ましいHIP条件は焼結助剤の
添加量が0.01〜4重量%、温度が1100〜150
0℃、圧力が800〜1800気圧テアル。HIPに用
いる金属製容器の材質としては高温で変形(軟化)容易
な金属、例えば純鉄、ステンレススチール、ニッケルお
よび白金などが良い。
透光性のある焼結体は焼結助剤を加えて、HIPするこ
とによって得られ、その製造法は例えば次の通りである
6焼結助剤であるLi2GeF Bを加えた(Gd
Pr Ce O,9990,0016X10−”)202S(F)8
7 gを大きさ52φX3’lt (実効容積21.9
cJ)の純鉄製の容器に詰めてから真空封止シ1.mh
をHIP装置装置札入1300”C。
とによって得られ、その製造法は例えば次の通りである
6焼結助剤であるLi2GeF Bを加えた(Gd
Pr Ce O,9990,0016X10−”)202S(F)8
7 gを大きさ52φX3’lt (実効容積21.9
cJ)の純鉄製の容器に詰めてから真空封止シ1.mh
をHIP装置装置札入1300”C。
1500気圧、3時間の条件でHIPL、容器から焼結
体を取出し、更に厚さ1mmの薄板に加工してから、不
活性ガス中において1200’Cで30分間アニールす
る。前記の方法により Li2GeF Hの添加量の異なる 検出器を試作し、その発光出力を調べた。その結果、L
i2GeFg無添加焼結体の発光出力を100とした場
合、Li20eF6添加量が0.001〜10%の範囲
内の焼結体の発光出力は110以上であること、またそ
の最適添加量は0.1%付近で、その発光出力は160
であることが明らかになった。前述したLi2GeFg
以外の前記の焼結助剤においても、Li20eF 6と
ほぼ同様の効果がある。
体を取出し、更に厚さ1mmの薄板に加工してから、不
活性ガス中において1200’Cで30分間アニールす
る。前記の方法により Li2GeF Hの添加量の異なる 検出器を試作し、その発光出力を調べた。その結果、L
i2GeFg無添加焼結体の発光出力を100とした場
合、Li20eF6添加量が0.001〜10%の範囲
内の焼結体の発光出力は110以上であること、またそ
の最適添加量は0.1%付近で、その発光出力は160
であることが明らかになった。前述したLi2GeFg
以外の前記の焼結助剤においても、Li20eF 6と
ほぼ同様の効果がある。
HIPして金属製の容器から取出した試料のままでは発
光出力が十分でないので不活性ガス中においてアニール
することが肝要である。アニール温度は500〜150
0℃の範囲がよく、好ましくは900〜1300℃で行
なうとよい、アニールによる発光出力の向上率は焼結助
剤の種類によって多少異なるが、Arガス中において、
アニールした試料のX線回折ピークの半値巾はHIPL
、ただけの試料に比べ小さくなっていることから、アニ
ールによる発光出力の向上は、結晶化の促進によるもの
と考えれる。
光出力が十分でないので不活性ガス中においてアニール
することが肝要である。アニール温度は500〜150
0℃の範囲がよく、好ましくは900〜1300℃で行
なうとよい、アニールによる発光出力の向上率は焼結助
剤の種類によって多少異なるが、Arガス中において、
アニールした試料のX線回折ピークの半値巾はHIPL
、ただけの試料に比べ小さくなっていることから、アニ
ールによる発光出力の向上は、結晶化の促進によるもの
と考えれる。
なお、シンチレータ粉末
に記載されているので割愛する。
[実施例コ
実施例1
シンチレータ粉末
(Gd Pr Ce
O,9990,0016X 10− ” )202 S
: (F)87HにLi2GeF go、087g
(添加量0.1%)を加え、これを直径52mm、長さ
37mm、厚さ1ma+の純鉄製の容器(実効容積21
.9cj)に詰め、加熱脱気しながら真空封止する。つ
いで。
: (F)87HにLi2GeF go、087g
(添加量0.1%)を加え、これを直径52mm、長さ
37mm、厚さ1ma+の純鉄製の容器(実効容積21
.9cj)に詰め、加熱脱気しながら真空封止する。つ
いで。
この容器をHIP装置に入れ、1300℃、150o気
圧、1.5時間の条件でHIPし、冷却後、容器から焼
結体を取出し、更に厚さ1n++nの薄板に加工してか
ら、不活性ガス中において1200℃で30分間アニー
ルする。こうして得られた焼結体を用いて第2図のよう
な検出器を作り、X線照射(管電’圧120kV、10
0mA)による発光出力を測定した。その結果、この焼
結体を用いた検出器の発光出力は、焼結助剤無添加口で
同様に作製した検出器の発光出力を100とした場合、
160であった。
圧、1.5時間の条件でHIPし、冷却後、容器から焼
結体を取出し、更に厚さ1n++nの薄板に加工してか
ら、不活性ガス中において1200℃で30分間アニー
ルする。こうして得られた焼結体を用いて第2図のよう
な検出器を作り、X線照射(管電’圧120kV、10
0mA)による発光出力を測定した。その結果、この焼
結体を用いた検出器の発光出力は、焼結助剤無添加口で
同様に作製した検出器の発光出力を100とした場合、
160であった。
実施例2
シンチレータ粉末
(Gd Pr Ce
O,9990,0016X 10−・)2025:(F
)87HにLi20eF 、0.00087g (添加
量0.001%)を加え、後の工程は実施例1と全く同
様に行なった。こうして得られた焼結体を用いて第2図
のような検出器を作り、X線照射(管電圧120 k
V 、 100 m A ) ニよる発光出力を測定し
た。この焼結体を用いた検出器の発生出力は焼結助剤無
添加で同様に作製した検出器の発光出力を100とした
場合110であった。
)87HにLi20eF 、0.00087g (添加
量0.001%)を加え、後の工程は実施例1と全く同
様に行なった。こうして得られた焼結体を用いて第2図
のような検出器を作り、X線照射(管電圧120 k
V 、 100 m A ) ニよる発光出力を測定し
た。この焼結体を用いた検出器の発生出力は焼結助剤無
添加で同様に作製した検出器の発光出力を100とした
場合110であった。
実施例3
シンチレータ粉末
(G d P r Ce
O,9990,0016X 10−8)・0・S :
(F)87gにLi20eF g 8.7 g (添加
量10%)を加え、後の工程は実施例1と全く同様に行
なった。こうして得られた焼結体を用いて第2図のよう
な検出器を作り、xg前照射管電圧120kV。
(F)87gにLi20eF g 8.7 g (添加
量10%)を加え、後の工程は実施例1と全く同様に行
なった。こうして得られた焼結体を用いて第2図のよう
な検出器を作り、xg前照射管電圧120kV。
100mA)による発光出力を測定した。この焼結体を
用いた検出器の発生出力は焼結助剤無添加で同様に作製
した検出器の発光出力を100とした場合120であっ
た。
用いた検出器の発生出力は焼結助剤無添加で同様に作製
した検出器の発光出力を100とした場合120であっ
た。
実施例4〜26
シンチレータ粉末
(Cd Pr Ce
O,9990,0016X 10−・)・02S :
(F)87gに各種の焼結助剤0.087g (添加量
0.1%)をそれぞれ加え、後の工程は実施例1と全く
同様に行なった。こうして得られた各焼結体を用いて第
2図のような検出器を作り、X線照射(管電圧120
k V 、 100 m A ) L:、よる発光出力
を測定した。これらの焼結体を用いた検出器の発光出力
を、焼結助剤無添加で実施例1と同様に作製した焼結体
を用いた検出器の発光出力を100として下表に相対的
に示す。
(F)87gに各種の焼結助剤0.087g (添加量
0.1%)をそれぞれ加え、後の工程は実施例1と全く
同様に行なった。こうして得られた各焼結体を用いて第
2図のような検出器を作り、X線照射(管電圧120
k V 、 100 m A ) L:、よる発光出力
を測定した。これらの焼結体を用いた検出器の発光出力
を、焼結助剤無添加で実施例1と同様に作製した焼結体
を用いた検出器の発光出力を100として下表に相対的
に示す。
[発明の効果コ
本発明によれば(Lnx−x−yPr)(Cey)02
S : (X)の組成を有する透光性の高い焼結体を得
ることができ、これとシリコンホトダイオードと組合せ
た放射線検出器の光出力が従来のものと比べ大巾に増加
する効果がある。
S : (X)の組成を有する透光性の高い焼結体を得
ることができ、これとシリコンホトダイオードと組合せ
た放射線検出器の光出力が従来のものと比べ大巾に増加
する効果がある。
第1図及び第2図は本発明を説明するための放射線検出
器の断面図である。
器の断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、放射線により発光する粉末シンチレータであり一般
式 (Ln_1_−_x_−_yPr_xCe_y)_2O
_2S:(X)(但し、LnはGd、La及びYからな
る群から選ばれた少なくとも一種の元素を表わし、Xは
F及びClからなる群から選ばれた少なくとも一種の元
素を表わし、xは3×10^−^8≦x≦0.2、yは
10^−^6≦y≦5×10^−^3の範囲の値、Xの
量は2乃至1000ppmで表わされる粉末に焼結助剤
として、Li_2GeF_6、(NH_4)_2GeF
_6、Na_2GeF_6、K_2GeF_6、NaP
F_6、KPF_6、NH_4PF_6、Na_3Al
F_6、K_2SiF_6、Li_2SiF_6・2H
_2O、Na_2SiF_6、LiF、NaHF_2、
KHF_2、NH_4HF_2、Na_2TiF_6、
K_2TiF_6、K_2ZrF_6、(NH_4)_
2ZrF_6、MgSiF_6、SrSiF_6、Li
BF_4、NaBF_4及びKBF_4からなる群から
選ばれた少なくとも一種の材料を0.001〜10重量
%加え、これを金属製の容器に詰めて真空封止して、熱
間静水圧加圧し、更にアニールしてなる透光性焼結体シ
ンチレータと、該シンチレータの発光を検知する光検出
器とからなることを特徴とする放射線検出器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16184786A JPH0797139B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 放射線検出器 |
US06/895,455 US4733088A (en) | 1985-09-02 | 1986-08-11 | Radiation detector |
DE19863629180 DE3629180A1 (de) | 1985-09-02 | 1986-08-28 | Strahlungsdetektor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16184786A JPH0797139B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 放射線検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6318286A true JPS6318286A (ja) | 1988-01-26 |
JPH0797139B2 JPH0797139B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=15743071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16184786A Expired - Lifetime JPH0797139B2 (ja) | 1985-09-02 | 1986-07-11 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0797139B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01191084A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
WO1999002622A1 (fr) * | 1997-07-08 | 1999-01-21 | Hitachi Medical Corporation | Phosphore, detecteur de rayonnement et unite de tomographie assistee par ordinateur tous deux equipes dudit phosphore |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP16184786A patent/JPH0797139B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01191084A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
WO1999002622A1 (fr) * | 1997-07-08 | 1999-01-21 | Hitachi Medical Corporation | Phosphore, detecteur de rayonnement et unite de tomographie assistee par ordinateur tous deux equipes dudit phosphore |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0797139B2 (ja) | 1995-10-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |