JPS63106917A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録に用いられる磁気ディスク、磁気ド
ラム、磁気テープ、磁気カード等の磁気記録媒体に関づ
るものである。

〔従来の技術〕

従来、この種の磁気記録媒体としては、非磁性支持体上
に、Ｃｒからなる下地層（膜厚：　２５００人）及びＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒからなる磁性層（膜厚：６００人）を順
次積層したものや、非磁性支持体ヒに、Ｎ１−Ｐ合金か
らなるメッキ膜、ｐｔとＮ１を含有するＣＯ合金からな
る磁性層及びＳｉＯ２膜を順次積層したもの（特開昭５
９−６１１０６号公報）があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、従来の磁気記録媒体は、次のような問題
点があった。すなわち、Ｃｒからなる下地層とＣｏ−旧
−Ｃｒからなる磁性層とを有する磁気記録媒体では、保
磁力（Ｈｃ）を向上ざＶるためには、Ｃｒ下地層の膜厚
を厚くするか、または磁性層の膜厚を薄くする必要があ
る。しかし、Ｃｒ下地層は膜厚５０００人程度でｔｌｃ
の増加は飽和してしまい、単に膜厚を厚くしてもＨｃは
向上しない。・一方、磁気記録媒体に記録された情報の
再生時の出力が、残留磁化（１４ｒ）と磁性層の膜厚（
Ｔ）との積（以下、［ＨｒｒＪという。）に比例するこ
とから、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒからなる磁性層の膜厚を薄く
してｔｉｃを高める場合、この磁性層の膜厚を蒲クシす
ぎると前述した再生時の出力に支障が生じる。したがっ
て、磁性層の膜厚（Ｔ）を薄クシてＨｃを高めることに
も限界がある。

例えば、近年要求されている３、　７ｘ　１０’　（ｅ
ａ＋ｕ　／ｃｉ　）以上のＨｒＴを得ようとすると、Ｈ
ｒＴと同様に要求されている９００（Ｏｅ）以上のＩＩ
ｃを得ることは困難であった。

また、ｃｏ−Ｎｔ−ｐｔからなる磁性層は、前述したＣ
。

−Ｎｉ−Ｃｒからなる磁性層よりも耐湿性が劣ることか
ら、良好な磁気記録媒体を得ることができなかった。ま
た、前述した値のｌｌｃ及びＨｒＴを得るためには、ｐ
ｔの含有率を１０〜２５原子％の範囲しか選択できず製
造コストの低減を行なうことができなかった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は前述した問題点を除去するためになされたもの
で、その特徴は、非磁性支持体上に磁性層を設けた磁気
記録媒体において、前記非磁性支持体と前記磁性層との
間に下地層を設け、前記磁性層が、コバルト（ＣＯ）、
ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）及び白金（ｐｔ）か
らなり、かつ前記白金が１〜４３原子％含有している磁
気記録媒体である。

本発明の実施態様は、下地層の膜厚が５００Å以上であ
り、かつ磁性層の膜厚が４００〜１０００人であること
、また下地層がクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｎｏ）、
チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等の非磁性材料から
なることである。

〔実施例〕

本発明の一実施例を第１図に基づき詳細に説明する。

先ず、ソーダライムガラスからなる非磁性支持体１の一
主表面上に、Ｃｒをターゲットとして、非磁性支持体１
の温度を室温とし、Ａｒガス雰囲気（Ａｒガス圧：　６
　Ｘ　１０−’Ｐａ）中でマグネトロンスパッタリング
法で、Ｃｒからなる非磁性の下地層２（膜厚：　３００
０人）を成膜する。次にＣｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、及びｐｔか
らなる合金をターゲットとし、下地層２を成膜したとき
と同様にマグネトロンスパッタリング法でＣｏ、Ｎｉ、
Ｃｒ及びｐｔからなる磁性層３（膜厚は６００人で、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｒ及びｐｔのそれぞれの含有率（原子％）
は、６９．０．２４．３．４．９及び１．８である。

）を下地層２上に積層する。なお、この下地層２は、こ
の上に積層する磁性層３の結晶構造を制御する作用をす
る。次に、この磁性ｖｉａ上に、炭素（Ｃ）をターゲッ
トとし、前述したマグネトロンスパッタリング法で、Ｃ
からなる保護膜４（膜厚：３００人）を積層し、磁気記
録媒体５を製作する。

次に、前述した磁気記録媒体５の保磁力（Ｈｃ）及びＭ
ｒＴを次の表に示す。なお、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ及びｐｔ
の含有率の異なる他の実施例についてもシ１様に示す。

なお、比較例として、磁性層がＣｏ、Ｎｉ及びｐｔから
なるものであるとき（他の構成は本例と同様である。）
の保磁力１１ｃも示寸。

また、前述した下地層２の膜厚を３０００人とし、磁性
ｆＩ３のｐｔ会右率を１〜４５原子％の範囲で変化させ
、残りのＣｏ、Ｎｉ、Ｃｒの含有率を原子比７０：２５
：　５で配分して含有さけた磁気記録媒体（保護膜も前
述したと同様に積層されている。）の保磁力とＨｒＴを
第２図に示す。なお、同図の線Ａは保磁力を示し、同図
の線ＢはＨｒＴを示ず。この図及び前述した表によれば
、ｐｔが１〜４３原子％の範囲でかつ下地層２を有して
いることから、保磁力は９００００以上が保たれ、か”
）　ＭｒＴも３．７Ｘ　１Ｏ−３８１ｔＪ／ｃｉ以Ｆと
なる。したがって、従来のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒからなる磁
性膜のときのように、保磁力を向上させる場合、磁性層
を助くする必要もなく、また薄くしても）１ｒＴ　ハ３
．７ｘｌＯ−３ｅｍｕ／ｃｉ以上を維持スルコトができ
る。なお、第２図においては、Ｐ【の含有間１原子％未
満の保磁力を示していないが、１原子％未満であると急
激に低下する。また、ｐｔの範囲を広くとることができ
ることから、製造条件の管理を緩和することができ、か
つ従来のＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔからなる磁性層よりもｐｔの
含有率を下げても（例えば１〜１０原子％）、所望する
保磁力及びＨｒＴが得られることから製造コストの低減
になる。さらに、この磁性層は、従来のＣｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒからなる磁性層よりも耐湿性が優れていた。

本発明は前記実施例に限らず、下記のものであってもよ
い。先ず、非磁性支持体は、ソーダライムガラスからな
るものに限らず、アルミノシリケートガラス、石英ガラ
ス等の他のガラスや、Ａ１合金やセラミックであっても
よい。また、下地層はｃｒに限らず他の非磁性材料、例
えばＭｏ、Ｔｉ、■ａであってもよい。また、磁性層及
び下地層の膜厚は、ぞれぞれ６００人及び３０００人に
限るものではないが、望ましくは磁性層は４００人〜１
０００人で、かつ下地層は５００Å以上がよい。すなわ
ち、下地層が５００人未満であると、前述した保磁力が
９０００層未満及びＭｒＴが３．７ｘ　１０−３　ｅｍ
ｕ／ｃｄ未満となる場合があり、一方、磁性層が４００
人〜１０００人の範囲外であると、前記した下地層と同
様な場合がある。なお、下地層の膜厚は５０００人を上
限とすると、さらに磁気記録媒体の製造コスト等の実用
性が向上する。

また、前記実施例ではｐｔを除く、残りのＣｏ、Ｘｉ、
Ｃｒの含有率を原子比７０：２５：５で配分したが、他
の配分、例えば７６：１８：６であってもよい。また、
前記実施例では、保護膜を積層したがこれはなくてもよ
い。また保護膜を積層したとき、前記実施例ではＣから
なる保護膜であったが、これに限らずＳｉ０２やＣｉ機
重重合体らなる保護膜、さらに複合層、例えば、ｃｒ層
と０層とを当接して積層したもの、ｃｒ層とＳｉ０２層
とを当接して積層したもの、ＣｒＪｆｆｌとｃｌとＳｉ
０２層とからなりこれらを退官当接して積層したもの、
又前記複合層の材料を混合した混合層であってもよい。

また、前記実施例では、非磁性支持体上に下地層、磁性
層及び保護膜を順次積層したが、例えば、円板状の磁気
記録媒体（磁気ディスク）のとき、磁気ヘッドによる情
報の書き込み又は読み取り終了後、磁気ヘッドが配置さ
れるランディングゾーンを含む領域の、非磁性支持体と
下地層との間又は下地層と磁性層との間に磁性層や保護
膜層に凹凸を形成する層（例えばへ克薄膜）を設けても
よい。

〔発明の効果〕

本発明は前述したように１、非磁性支持体と磁性層との
間に下地層を設け、磁性層がＣｏ、Ｈｉ、Ｃｒ及びｐｔ
からなり、かつｐｔの含有率を１〜４３原子％であるこ
とから、良好な保磁力とＨｒＴを右する磁気記録媒体が
可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記録媒体の一実施例を示す断面図
であり、第２図は本発明の一実施例において磁性層のｐ
ｔ含有率を変化させたときの保磁力及びＨｒＴを示す特
性図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性支持体上に磁性層を設けた磁気記録媒体に
   おいて、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に下地層
   を設け、前記磁性層が、コバルト、ニッケル、クロム及
   び白金からなり、かつ前記白金が１〜４３原子％含有し
   ていることを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）下地層の膜厚が５００Å以上であり、かつ磁性層
   の膜厚が４００〜１０００Åであることを特徴とする特
   許請求の範囲第（１）項記載の磁気記録媒体。
3. （３）下地層がＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性材料
   からなることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項又
   は第（２）項記載の磁気記録媒体。