JPS63103811A - ケイ素の精錬方法およびそれにより精製したケイ素 - Google Patents
ケイ素の精錬方法およびそれにより精製したケイ素Info
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- JPS63103811A JPS63103811A JP62254805A JP25480587A JPS63103811A JP S63103811 A JPS63103811 A JP S63103811A JP 62254805 A JP62254805 A JP 62254805A JP 25480587 A JP25480587 A JP 25480587A JP S63103811 A JPS63103811 A JP S63103811A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ケイ素熔融物を反応性気体で処理することに
よりケイ素を精錬する方法に、およびこの方法で精製し
たケイ素に関するものである。
よりケイ素を精錬する方法に、およびこの方法で精製し
たケイ素に関するものである。
大菫の安価なケイ素が光電分野での使用に必要とされて
いる。この材料の適合性は、経済的な実行可能性に加え
て、最も重要なことであるが、純度の要求に答えられる
か否かにかかつている。太陽ケイ素(solar 5i
licon)に許容される残留汚染物濃度は半導体工業
におけるケイ素に要求されるものよりも明らかに上にあ
るが、現在のところ、不純なケイ素を要求される純度に
一段階で精錬することは不可能である。これは汚染元素
の多様性とその濃度とに起因する。金属性不純物、特に
アルミニウムおよび鉄が優勢であるが、ホウ素およびリ
ンは、その変性性(dopiB character
)のために特に望ましくない効果を有する。加えて、酸
素および炭素の除去も固有の難問を有している。
いる。この材料の適合性は、経済的な実行可能性に加え
て、最も重要なことであるが、純度の要求に答えられる
か否かにかかつている。太陽ケイ素(solar 5i
licon)に許容される残留汚染物濃度は半導体工業
におけるケイ素に要求されるものよりも明らかに上にあ
るが、現在のところ、不純なケイ素を要求される純度に
一段階で精錬することは不可能である。これは汚染元素
の多様性とその濃度とに起因する。金属性不純物、特に
アルミニウムおよび鉄が優勢であるが、ホウ素およびリ
ンは、その変性性(dopiB character
)のために特に望ましくない効果を有する。加えて、酸
素および炭素の除去も固有の難問を有している。
金属性不純物はケイ素を酸で処理することにより除去し
得るが、この方法では、残留濃度を0.1ppmg未満
の望ましい低い値にまで減少させることは不可能である
。
得るが、この方法では、残留濃度を0.1ppmg未満
の望ましい低い値にまで減少させることは不可能である
。
米国特許第2,462,839号に記載されているよう
に、熔融物の真空処理によっても精製効果を達成するこ
とができるが、この方法は、ホウ素や炭素のような比較
的不揮発性の不純物を除去するには適していない。
に、熔融物の真空処理によっても精製効果を達成するこ
とができるが、この方法は、ホウ素や炭素のような比較
的不揮発性の不純物を除去するには適していない。
一方、西ドイツ特許第3.so4.7zz号においては
、電気アーク炉でケイ素化合物と炭素とよりなる原料か
ら水素気化(hydrogen gasificati
on)により得た熔融ケイ素中では、炭素および酸素金
製が減少している。
、電気アーク炉でケイ素化合物と炭素とよりなる原料か
ら水素気化(hydrogen gasificati
on)により得た熔融ケイ素中では、炭素および酸素金
製が減少している。
しかし、この方法では残留金属、ホウ素またはリンの含
有分を除去することはできない。
有分を除去することはできない。
したがって、経済的観点から、不純なケイ素を光電分野
での要求に対応する段階の純度になし得る方法を提供す
ることが、本発明の目的である。
での要求に対応する段階の純度になし得る方法を提供す
ることが、本発明の目的である。
驚くべきことには、精製すべき熔融ケイ素を水蒸気およ
び水素と組合わせて反応性ハロゲン化合物とを用いる簡
単な処理によりこの目標が達成されることが、ここに見
いだされた。
び水素と組合わせて反応性ハロゲン化合物とを用いる簡
単な処理によりこの目標が達成されることが、ここに見
いだされた。
したがって、本発明は、ケイ素熔融物を気体状ハロゲン
化合物ならびに水蒸気および/または水素と同時に接触
させることを特徴とする、ケイ素熔融物を反応性気体で
処理することによりケイ素を精錬する方法に関するもの
である。
化合物ならびに水蒸気および/または水素と同時に接触
させることを特徴とする、ケイ素熔融物を反応性気体で
処理することによりケイ素を精錬する方法に関するもの
である。
本発明の方法の好ましい具体例において、上記ハロゲン
化合物は一般式 %式% 式中、 nは工ないし4であり、 Xはハロゲンおよび/または水素を表すに相当する1種
または2種以上のハロゲンシランである。経済的に言え
ば、ハロゲン化合物が四塩化ケイ素である上記の具体例
が特に好ましい。
化合物は一般式 %式% 式中、 nは工ないし4であり、 Xはハロゲンおよび/または水素を表すに相当する1種
または2種以上のハロゲンシランである。経済的に言え
ば、ハロゲン化合物が四塩化ケイ素である上記の具体例
が特に好ましい。
長鎖のハロゲンシランも式S 1aX2a+2に相当す
る化合物と同様に、本発明の方法を実施する際に反応副
生物として形成することができる。
る化合物と同様に、本発明の方法を実施する際に反応副
生物として形成することができる。
これらの副生物は、未反応のハロゲン化合物とともに上
記の熔@物より取り出すことができ、この気体混合物は
、さらにハロゲン化合物を追加し、このハロゲン気体混
合物を新たなケイ素熔融物に吹き込むことにより、再循
環させることができる。
記の熔@物より取り出すことができ、この気体混合物は
、さらにハロゲン化合物を追加し、このハロゲン気体混
合物を新たなケイ素熔融物に吹き込むことにより、再循
環させることができる。
したがって、未消費の気体混合物を後続の猪製処理に再
循環させることにより、本件方法を経済的なものにする
ことができる。したがって、副生物も本件反応性気体の
一定の割合を占めているのである。
循環させることにより、本件方法を経済的なものにする
ことができる。したがって、副生物も本件反応性気体の
一定の割合を占めているのである。
本発明の方法は、また、ハロゲン化合物が塩化水素であ
る場合にも成功裡に実施することができる。もちろん、
他の反応性ハロゲン化合物、たとえばヨウ化水素および
臭化水素もこの方法に使用し得る。
る場合にも成功裡に実施することができる。もちろん、
他の反応性ハロゲン化合物、たとえばヨウ化水素および
臭化水素もこの方法に使用し得る。
ハロゲンシランを用いる場合、および塩化水素を用いる
場合には、本発明の方法を実施する際に不活性気体を添
加して反応性気体を希釈するのが有利であることが実証
されている。本発明の関連での不活性気体には本件反応
条件下で反応に介入しないものが包含される。アルゴン
およびヘリウムを例として挙げ得るが、他の貴ガス類も
適当である。
場合には、本発明の方法を実施する際に不活性気体を添
加して反応性気体を希釈するのが有利であることが実証
されている。本発明の関連での不活性気体には本件反応
条件下で反応に介入しないものが包含される。アルゴン
およびヘリウムを例として挙げ得るが、他の貴ガス類も
適当である。
本発明の気体混合物は導入管を用いて熔融物に吹き込む
こともできるが、溶融物表面上の反応室をこの気体混合
物で満たして溶融物表面で精錬処理を実施することも可
能である。気化ランス(gasification 1
ance)または導入管を通しての新しい不純物の導入
は、この操作様式により避けられる。他の可能性には、
多孔質のるつぼ基材を通しての気体の導入が含まれる。
こともできるが、溶融物表面上の反応室をこの気体混合
物で満たして溶融物表面で精錬処理を実施することも可
能である。気化ランス(gasification 1
ance)または導入管を通しての新しい不純物の導入
は、この操作様式により避けられる。他の可能性には、
多孔質のるつぼ基材を通しての気体の導入が含まれる。
熔融ケイ素を精製する方法に関しては、るつぼ材料から
浸出してくる不純物を避けることが重要である。この点
で適当な材料には、高密炭坑ケイ素規格(silico
n−resistant grades)のグラファイ
トおよび高純度非酸化物セラミックス材料、たとえば炭
化ケイ素または窒化ケイ素が含まれる。
浸出してくる不純物を避けることが重要である。この点
で適当な材料には、高密炭坑ケイ素規格(silico
n−resistant grades)のグラファイ
トおよび高純度非酸化物セラミックス材料、たとえば炭
化ケイ素または窒化ケイ素が含まれる。
上記の精錬工程中において、一定の割合の反応性気体が
熔融物に溶解する。したがって、引き続き、容器を真空
にして熔融物を脱気することが推奨される。
熔融物に溶解する。したがって、引き続き、容器を真空
にして熔融物を脱気することが推奨される。
この繰作は、好ましくは、引き続きlo−1ミリバール
またはそれ以下の圧力で真空処理してケイ素熔融物を脱
気することにより実行する。
またはそれ以下の圧力で真空処理してケイ素熔融物を脱
気することにより実行する。
本発明は、また、本発明の方法により製造したM製ケイ
素に関するものでもある。これは、望ましくない元素の
濃度が十分低いことを特徴としている。低塩素濃度が同
時に検知できるならば、これは、本発明の方法によりケ
イ素が製造されたことの証拠を提供する。
素に関するものでもある。これは、望ましくない元素の
濃度が十分低いことを特徴としている。低塩素濃度が同
時に検知できるならば、これは、本発明の方法によりケ
イ素が製造されたことの証拠を提供する。
本発明は以下の実施例により説明されるが、限定される
ものではない。
ものではない。
K1鮭−1
約1 kgの粉末ケイ素を石英容器中、不活性気体雰囲
気下でのグラファイト感受体(5usceptor・)
を用いる誘導により熔融した。ついで、熔@物の温度を
1450℃に上昇させ、ランスを上からるつぼに導入し
、このランスに、毎時201のアルゴンおよび毎時60
1の水素ならびに毎時0,51の塩化水素および毎時0
.71の水蒸気の気体混合物を通す、5時間生処理した
のちにランスを取りはずし、容器を加熱帯域から下げて
冷却し、ケイ素熔融物をブリッジマン法(Bridge
man process)に従って方向性を持たせて(
directionally)固化させた。破砕し、表
面を精製するために酸処理したケイ素ブロックから試料
を採取した。
気下でのグラファイト感受体(5usceptor・)
を用いる誘導により熔融した。ついで、熔@物の温度を
1450℃に上昇させ、ランスを上からるつぼに導入し
、このランスに、毎時201のアルゴンおよび毎時60
1の水素ならびに毎時0,51の塩化水素および毎時0
.71の水蒸気の気体混合物を通す、5時間生処理した
のちにランスを取りはずし、容器を加熱帯域から下げて
冷却し、ケイ素熔融物をブリッジマン法(Bridge
man process)に従って方向性を持たせて(
directionally)固化させた。破砕し、表
面を精製するために酸処理したケイ素ブロックから試料
を採取した。
下表はそれぞれ処理前および処理後の分析値を示す。
(、Hg2p AI B Ba CC
u Cr前 110 34 <1 120 10
<1後 6 6.5<1 10 4 <1(p1
2mIr) Cu Fe M P Ti
Cl前<1 30 1..723<1 0 後<1 <1 <1 20 <1 <1分析値から見ら
れるように、アルミニウム、ホウ素、炭素、カルシウム
、鉄およびマグネシウムの金星はこの処理により有意に
減少した。
u Cr前 110 34 <1 120 10
<1後 6 6.5<1 10 4 <1(p1
2mIr) Cu Fe M P Ti
Cl前<1 30 1..723<1 0 後<1 <1 <1 20 <1 <1分析値から見ら
れるように、アルミニウム、ホウ素、炭素、カルシウム
、鉄およびマグネシウムの金星はこの処理により有意に
減少した。
K線側−1一
実施例1の場合と同様にして、この実験でも、約1 k
gの粉末ケイ素を不活性気体雰囲気下で、誘導により熔
融した。ランスを用いて、約1450℃で、毎時601
の水−素、毎時301の四塩化ケイ素、毎時201のア
ルゴンおよび毎時0,6pの水蒸気の気体混合物を吹き
込んだ。同様に5時間牛後に処理を終え、熔融物を約1
0−4ミリバールで脱気した。ついで、方向性固化によ
り結晶化さぜな。処理前および処理後の分析値は表に列
記しである。この目的のために、試料を破砕し、酸処理
によりその表面を精製した。以下の表は、この処理前お
よび処理後の分析値を示す。
gの粉末ケイ素を不活性気体雰囲気下で、誘導により熔
融した。ランスを用いて、約1450℃で、毎時601
の水−素、毎時301の四塩化ケイ素、毎時201のア
ルゴンおよび毎時0,6pの水蒸気の気体混合物を吹き
込んだ。同様に5時間牛後に処理を終え、熔融物を約1
0−4ミリバールで脱気した。ついで、方向性固化によ
り結晶化さぜな。処理前および処理後の分析値は表に列
記しである。この目的のために、試料を破砕し、酸処理
によりその表面を精製した。以下の表は、この処理前お
よび処理後の分析値を示す。
、(1p輸AI B Ba CCa−Cr
前 110 13 <1 120 10 <1後
2 1.8<1 23 3 <3m Cu F
e M P Ti C1前 <1
30 1.7 23 23 0後<1
1 <1 5 <1 <1 リ例 3一 実施例1および2の場合と同様にして、毎時201の水
素、毎時2001の水蒸気および毎時21のアルゴンな
らびに毎時0.51の四塩化ケイ素の混合物を用いて、
5時間半にわたり、試料を気化した。以下の分析値を得
た。
前 110 13 <1 120 10 <1後
2 1.8<1 23 3 <3m Cu F
e M P Ti C1前 <1
30 1.7 23 23 0後<1
1 <1 5 <1 <1 リ例 3一 実施例1および2の場合と同様にして、毎時201の水
素、毎時2001の水蒸気および毎時21のアルゴンな
らびに毎時0.51の四塩化ケイ素の混合物を用いて、
5時間半にわたり、試料を気化した。以下の分析値を得
た。
住Pリ AI B Ba CCa−−q工前 1
10 13 <1 120 10 <1後 22
B <1 27 5<1伴卯旦m罰−Fe 1
−二戸−匹工−前<1 30 1.7 30 23 0
後<1 2 <1 24 <1 <1 ホウ素、炭素、アルミニウム、および鉄の濃度はこの処
理によってまた減少させることができた。
10 13 <1 120 10 <1後 22
B <1 27 5<1伴卯旦m罰−Fe 1
−二戸−匹工−前<1 30 1.7 30 23 0
後<1 2 <1 24 <1 <1 ホウ素、炭素、アルミニウム、および鉄の濃度はこの処
理によってまた減少させることができた。
実」1例 4
実施例1ないし3の場合と同様にして、毎時90 Zの
塩化水素、毎時6ONの水素、毎時41の水蒸気および
毎時0.51のアルゴンの気体混合物を5時間半にわた
り、試料に吹き込んだ。
塩化水素、毎時6ONの水素、毎時41の水蒸気および
毎時0.51のアルゴンの気体混合物を5時間半にわた
り、試料に吹き込んだ。
試料採取、粉砕および表面洗浄ののちに、以下の洗浄効
果を得た。
果を得た。
蓮がy)−ノ、l B Baミニ−−一身3
〜」こ前15000.6 0.1103 3 0.7後
2.5 0.6 0.1 73 1 0.1
組PリーSu Fe Mg P ′1−
i Cl−前 33 31 0.5
0.3 9 0後 0.5 0.4 0.5
0.3 0.1 < 1この混合比により、金属元
素の特に顕著な減少が達成された。
〜」こ前15000.6 0.1103 3 0.7後
2.5 0.6 0.1 73 1 0.1
組PリーSu Fe Mg P ′1−
i Cl−前 33 31 0.5
0.3 9 0後 0.5 0.4 0.5
0.3 0.1 < 1この混合比により、金属元
素の特に顕著な減少が達成された。
特許出願人 バイエル・アクチェンゲゼルシャフト
1、) :、、 、 r、g;
1、) :、、 、 r、g;
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ケイ素熔融物を水蒸気、水素、または水蒸気/水素
混合物と混合した気体状ハロゲン化合物よりなる反応性
気体と接触させることを特徴とする、有害不純物を除去
してケイ素を精錬する方法。 2、上記ハロゲン化合物が少なくとも1種の式 Si_nX_2_n_+_2 式中、 nは1ないし4であり、 Xはハロゲンまたは水素を表す のハロゲンシランであることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の方法。 3、上記ハロゲン化合物が四塩化ケイ素であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 4、上記反応性気体が四塩化ケイ素、水蒸気および水素
の混合物であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の方法。 5、上記ハロゲン化合物が塩化水素であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の方法。 6、上記反応性気体が塩化水素、水蒸気および水素の混
合物であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の方法。 7、上記反応性気体に不活性気体を添加することを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 8、上記不活性気体がアルゴンであることを特徴とする
特許請求の範囲第7項記載の方法。 9、上記ケイ素熔融物を引き続き10^−^1ミリバー
ルまたはそれ以下の圧力で真空処理して脱気することを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 10、特許請求の範囲第1項記載の方法により製造した
精製ケイ素。
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---|---|---|---|
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---|---|
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JPH0747484B2 JPH0747484B2 (ja) | 1995-05-24 |
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---|---|---|---|
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---|---|
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EP (1) | EP0264045B1 (ja) |
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DE (2) | DE3635064A1 (ja) |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004537491A (ja) * | 2001-07-23 | 2004-12-16 | アンヴァンシル | 高純度金属シリコンとその製錬法 |
DE112006002203T5 (de) | 2005-08-19 | 2008-07-17 | Sumitomo Chemical Co. Ltd. | Verfahren zur Herstellung von Silicium |
WO2010018815A1 (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | 住友化学株式会社 | 半金属元素又は金属元素を主成分とする材料の精製方法 |
JP2011529841A (ja) * | 2008-08-01 | 2011-12-15 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | 金属ケイ素から非金属不純物を除去する方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3819778A1 (de) * | 1988-06-10 | 1989-12-21 | Bayer Ag | Silicium fuer solarzellen, verfahren zu seiner herstellung sowie dessen verwendung |
WO1990003952A1 (en) * | 1988-10-07 | 1990-04-19 | Crystal Systems, Inc. | Method of growing silicon ingots using a rotating melt |
DE4115183A1 (de) * | 1991-05-09 | 1992-11-12 | Bayer Ag | Feinteiliges silicium mit oberflaechlich gebundenem halogen, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung |
US5445679A (en) * | 1992-12-23 | 1995-08-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Cleaning of polycrystalline silicon for charging into a Czochralski growing process |
US6800137B2 (en) | 1995-06-16 | 2004-10-05 | Phoenix Scientific Corporation | Binary and ternary crystal purification and growth method and apparatus |
US5993540A (en) * | 1995-06-16 | 1999-11-30 | Optoscint, Inc. | Continuous crystal plate growth process and apparatus |
US5753567A (en) * | 1995-08-28 | 1998-05-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Cleaning of metallic contaminants from the surface of polycrystalline silicon with a halogen gas or plasma |
DE69702555T2 (de) | 1996-03-19 | 2000-11-23 | Kawasaki Steel Corp., Kobe | Verfahren und Vorrichtung zur Raffinierung von Silicium |
EP0855367A1 (en) * | 1997-01-22 | 1998-07-29 | Kawasaki Steel Corporation | Method for removing boron from metallurgical grade silicon and apparatus |
US6368403B1 (en) | 1997-08-28 | 2002-04-09 | Crystal Systems, Inc. | Method and apparatus for purifying silicon |
US5972107A (en) * | 1997-08-28 | 1999-10-26 | Crystal Systems, Inc. | Method for purifying silicon |
EP1249520A1 (en) * | 2001-04-09 | 2002-10-16 | Optoscint Inc. | Apparatus and method for the purification of a material |
US6730580B2 (en) * | 2001-07-03 | 2004-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Silicon substrate wafer fabrication method employing halogen gettering material and/or plasma annealing |
NO318092B1 (no) * | 2002-05-22 | 2005-01-31 | Elkem Materials | Kalsium-silikatbasert slagg, fremgangsmate for fremstilling av kalsium-silikatbasert slagg, og anvendelse for slaggbehandling av smeltet silium |
WO2008026931A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Norsk Hydro Asa | Method and equipment for manufacturing multi-crystalline solar grade silicon from metallurgical silicon |
CA2667999A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-03-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for purification of silicon, silicon, and solar cell |
DE102006056482B4 (de) * | 2006-11-30 | 2010-07-15 | Sunicon Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbereiten von Nichteisenmetallen |
DE102007061977A1 (de) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Futech Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterpartikeln, insbesondere aus Silizium |
JP5878013B2 (ja) * | 2008-05-27 | 2016-03-08 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテSpawnt Private S.a.r.l | ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 |
DE102009012034B4 (de) * | 2009-03-10 | 2011-01-27 | Amocon Gmbh | Verfahren zur Aufreinigung einer Siliziumschmelze |
DE102009056731A1 (de) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogenierte Polysilane und Polygermane |
CN111304751B (zh) * | 2020-03-19 | 2021-05-18 | 西北工业大学 | 一种通过反应性气体除h2o的原料提纯方法及装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1039752B (de) * | 1954-05-24 | 1958-09-25 | Electric Furnace Prod Co | Verringerung der Gehalte an Aluminium und Calcium in Silizium oder Silizium enthaltenden Legierungen |
BE548227A (ja) * | 1955-07-22 | |||
DE1023023B (de) * | 1955-07-22 | 1958-01-23 | Western Electric Co | Verfahren zum Reinigen von Silicium |
FR1230158A (fr) * | 1958-07-03 | 1960-09-14 | Wacker Chemie Gmbh | Procédé de purification du silicium |
GB1103329A (en) * | 1964-09-15 | 1968-02-14 | Gen Trustee Co Ltd | Refining of silicon |
DE2623413C2 (de) * | 1976-05-25 | 1985-01-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silicium |
US4298423A (en) * | 1976-12-16 | 1981-11-03 | Semix Incorporated | Method of purifying silicon |
US4172883A (en) * | 1978-06-23 | 1979-10-30 | Nasa | Method of purifying metallurgical grade silicon employing reduced presure atmospheric control |
FR2430917A1 (fr) * | 1978-07-11 | 1980-02-08 | Comp Generale Electricite | Procede et dispositif d'elaboration de silicium polycristallin |
US4200621A (en) * | 1978-07-18 | 1980-04-29 | Motorola, Inc. | Sequential purification and crystal growth |
DE3405613A1 (de) * | 1984-02-16 | 1985-08-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von fluessigem, metallurgischem silicium |
DE3504723A1 (de) * | 1985-02-12 | 1986-08-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum reinigen von silicium |
-
1986
- 1986-10-15 DE DE19863635064 patent/DE3635064A1/de active Granted
-
1987
- 1987-09-30 NO NO874108A patent/NO171778C/no unknown
- 1987-10-05 EP EP87114508A patent/EP0264045B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-05 DE DE8787114508T patent/DE3778820D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-05 US US07/104,657 patent/US4837376A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-12 JP JP62254805A patent/JPH0747484B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004537491A (ja) * | 2001-07-23 | 2004-12-16 | アンヴァンシル | 高純度金属シリコンとその製錬法 |
DE112006002203T5 (de) | 2005-08-19 | 2008-07-17 | Sumitomo Chemical Co. Ltd. | Verfahren zur Herstellung von Silicium |
JP2011529841A (ja) * | 2008-08-01 | 2011-12-15 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | 金属ケイ素から非金属不純物を除去する方法 |
US9327987B2 (en) | 2008-08-01 | 2016-05-03 | Spawnt Private S.A.R.L. | Process for removing nonmetallic impurities from metallurgical silicon |
WO2010018815A1 (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | 住友化学株式会社 | 半金属元素又は金属元素を主成分とする材料の精製方法 |
DE112009001931T5 (de) | 2008-08-11 | 2012-09-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Verfahren zur Reinigung eines Materials, das ein Halbmetallelement oder ein Metallelement als Hauptkomponente enthält |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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DE3635064C2 (ja) | 1991-11-07 |
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NO171778C (no) | 1993-05-05 |
EP0264045A3 (en) | 1990-04-25 |
EP0264045B1 (de) | 1992-05-06 |
NO874108L (no) | 1988-04-18 |
DE3778820D1 (de) | 1992-06-11 |
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