NO171778B - Fremgangsmaate for raffinering av silisium - Google Patents
Fremgangsmaate for raffinering av silisium Download PDFInfo
- Publication number
- NO171778B NO171778B NO874108A NO874108A NO171778B NO 171778 B NO171778 B NO 171778B NO 874108 A NO874108 A NO 874108A NO 874108 A NO874108 A NO 874108A NO 171778 B NO171778 B NO 171778B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- silicon
- hydrogen
- melt
- halogen
- refining
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000007670 refining Methods 0.000 title claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 4
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 241001062472 Stokellia anisodon Species 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Description
Foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for raffinering av silisium ved behandling av en silisiumsmelte med reaktive gasser.
Store mengder billig silisium er påkrevet for anvendelse innen det fotoelektriske feltet. Bortsett fra økonomiske betraktninger er anvendeligheten av materialet først og fremst avhengig av hvor godt det oppfyller renhetskravene. Selv om de tillatte gjenværende forurensningskonsentrasjonene i solcellesilisium kan ligge klart over de som er påkrevet for silisium i halvlederindustrien, er det i dag ikke mulig å raffinere forurenset silisium til den påkrevde renhetsgraden i ett enkelt trinn. Dette skyldes de varierende forurensende elementene og deres konsentrasjoner. Metalliske forurensninger, spesielt aluminium og jern er dominerende. Imidlertid har bor og fosfor en spesielt uønsket virkning på grunn av deres dopekarakter. I tillegg utgjør fjernelse av oksygen og karbon også et spesielt problem.
Metalliske forurensninger kan fjernes ved behandling av silisium med syrer, men det er ikke mulig å redusere de gjenværende konsentrasjonene til de ønskede lave konsentrasjonene under 0,1 ppmg ved denne fremgangsmåten.
Som beskrevet i US-patent nr. 2.402.839 kan en rensevirkning også oppnås ved vakuumbehandling av smeiten. Imidlertid er dette ikke egnet for fjernelse av relativt ikke-flyktige forurensninger så som bor og karbon.
I tysk patentskrift nr. 3.504.723 reduseres, på den andre siden, karbon og oksygeninnholdet i smeltet silisium som er oppnådd fra en charge omfattende silisiumforbindelser og karbon i en elektrisk lysbueovn ved hydrogenforgasning.
Imidlertid er denne prosessen ikke i stand til å fjerne gjenværende metall, dvs. bor- eller fosforinnholdet.
Fra FR-A-1230158, eksempel 7, fremgår en fremgangsmåte for rensing av silisium, hvorved en gassblanding bestående av 50$ HC1, 40$ argon og 10$ vanndamp blåses inn i en silisiumsmelte. Derved oppnås ved en utgangsforurensningskonsentra-sjon på 0,956, med de angitte forholdsreglene, en rensning til 0 ,2356
Det er derfor et formål ved foreliggende oppfinnelse å tilveiebringe en fremgangsmåte ifølge hvilken urent silisium kan bringes til et renhetstrinn som samsvarer med kravene innen det fotoelektriske feltet på en økonomisk fordelaktig måte.
Det er nå overraskende funnet at dette formålet kan oppnås ved enkel behandling av smeltet silisium som skal renses med reaktive halogenforbindelser kombinert med damp og hydrogen.
Foreliggende oppfinnelse vedrører følgelig en fremgangsmåte for raffinering av silisium ved behandling av en silisiumsmelte med reaktive gasser, som er kjennetegnet ved at smeiten samtidig bringes i kontakt med gassformige halogenforbindelser, vanndamp og hydrogengass, eventuelt tilsettes de reaktive gassene inertgass og eventuelt avgasses silisiumsmelten deretter ved en vakuumbehandling ved trykk < 10"<* >mbar. 1 en foretrukket utførelse av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen er halogenforbindelsen en eller flere halogensilaner svarende til den generelle formelen Sin<X>2n+2» hvori n er 1 til 4 og X står for halogen og/eller hydrogen. Av økonomiske grunner er utførelsen hvori halogenforbindelsen er silisiumtetraklorid spesielt foretrukket. Halogensilaner med lengre kjede, såvel som forbindelser svarende til formelen SinX2n+2 kan dannes som reaksjonsbiprodukter mens fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen utføres.
Disse biproduktene kan fjernes fra smeiten sammen med uomsatt halogenforbindelse og denne gassblandingen, supplert med ytterligere halogenforbindelse, kan resirkuleres ved å blåse en slik blanding av halogengasser inn i ytterligere silisiumsmelte. Følgelig kan fremgangsmåten gjøres økonomisk ved resirkulering av den uforbrukte gassblandingen til den ytterligere rensebehandlingen. De utgjør derfor en viss andel av den reaktive gassblandingen.
Imidlertid kan fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen også med fordel utføres dersom halogenforbindelsen er hydrogenklorid. Naturligvis kan andre reaktive halogenforbindelser, så som hydrogenjodid og hydrogenbromid, anvendes ved denne prosessen .
Som nevnt tilsettes eventuelt inertgass for å fortynne de reaktive gassene ved anvendelse av halogensilaner og ved anvendelse av hydrogenklorid. Inerte gasser i forbindelse med foreliggende oppfinnelse innbefatter de som ikke inngår i en reaksjon under reaksjonsbetingelsene. Argon og helium kan nevnes som eksempler, men andre edelgasser er også egnede.
Gassblandingen som anvendes ved oppfinnelsen kan blåses inn i smeiten ved anvendelse av innløpsrør. Imidlertid er det også mulig å fylle reaksjonskammeret over overflaten av smeiten med denne gassblandingen og derved utføre raffinerings-behandlingen på overflaten av smeiten. Innføringen av nye forurensninger gjennom forgasningslansen eller innløpsrøret unngås ved denne driftsmåten. En ytterligere mulighet innbefatter innføring av gassene gjennom en porøs digelbunn.
Det er viktig ved en fremgangsmåte for rensing av smeltet silisium å forhindre forurensninger fra å vaskes ut av digelmaterialet. Materialer som har vist seg egnede i dette henseende innbefatter silisium-resistente kvaliteter av grafitt med høy tetthet, så vel som ikke-oksydiske keramiske materialer av høy renhet så som silisiumkarbid eller sili-siumnitrid.
En viss andel av den reaktive gassen oppløses i smeiten under raffineringsprosessen beskrevet ovenfor. Det er derfor fordelaktig å avgasse smeiten ved etterfølgende evakuering av beholderen.
Dette bevirkes fortrinnsvis ved etterfølgende avgassing av silisiumsmelten ved hjelp av en vakuumbehandling ved trykk på IO"<1> mbar eller lavere.
Oppfinnelsen skal i det følgende illustreres ved hjelp av eksemplene.
Eksempel 1
Ca. 1 kg silisiumpulver smeltes i en kvartsbeholder ved induksjon ved anvendelse av en grafittsusceptor under en inert gassatmosfære. Temperaturen av smeiten ble deretter hevet til 1450°C og en lanse ble innført i digelen ovenfra, lansen ble gjennomstrømmet av en gassblanding på 20 l/time av argon og 60 l/time hydrogen, så vel som 0,5 l/time hydrogenklorid og 0,7 l/time damp. Etter en behandlingstid på 5 1/2 time, ble lansen fjernet og beholderen avkjølt ved å senke den ut av varmesonen slik at silisiumsmelten størknet i foretrukket retning ifølge Bridgman-prosessen. En prøve ble tatt fra silisiumblokken, knust og underkastet en syrebehandling for å rense overflaten.
Den følgende tabellen gir de respektive analytiske verdiene før og etter behandling:
Som det fremgår av analysene ble innholdet av aluminium, bor, karbon, kalsium, jern og magnesium betydelig redusert ved behandlingen.
Eksempel 2
Som i eksempel 1 ble ca. 1 kg silisiumpulver også smeltet ved induksjon under inertgass i dette forsøket. En gassblandingen på 60 l/time hydrogen, 30 l/time silisiumtetraklorid, 20 l/time argon og 0,6 l/time damp blåst inn ved ca. 1450° C ved anvendelse av en lanse. Tilsvarende ble behandlingen avsluttet etter 5 1/2 time og smeiten ble evakuert til ca. IO-<4> mbar. Den ble deretter krystallisert ved retningsav-hengig størkning. De analytiske verdiene før og etter behandling er angitt i tabellen. For dette formålet ble prøven knust og overflaten ble renset ved en syrebehandling. Den følgende tabellen gir de analytiske verdiene før og etter denne behandlingen:
Eksempel 3
Som i eksempel 1 og 2 ble prøven gassbehandlet med en blanding av 20 l/time hydrogen, 200 l/time damp og 2 l/time argon, så vel som 0,5 l/time silisiumtetraklorid i løpet av 5 1/2 time. De følgende analyseverdiene ble funnet: Konsentrasjonene av bor, karbon, aluminium og jern kunne også reduseres ved behandlingen.
Eksempel 4
Som i eksempler 1 til 3 ble en gassblanding av 90 l/time hydrogenklorid, 60 l/time hydrogen, 4 l/time damp og 0,5 1/tlme argon blåst inn i smeiten i løpet av 5 1/2 time. Etter prøvetaking, findeling og overflaterensing, ble følgende renseeffekt fastslått:
En spesielt markert reduksjon i de metalliske elementene ble følgelig oppnådd ved dette blandeforholdet.
Claims (4)
1.
Fremgangsmåte for raffinering av silisium ved behandling av en silisiumsmelte med reaktive gasser, karakterisert ved at smeiten samtidig bringes i kontakt med gassformige halogenforbindelser, vanndamp -og hydrogengass, eventuelt tilsettes de reaktive gassene inertgass og eventuelt avgasses silisiumsmelten deretter ved en vakuumbehandling ved trykk < IO-<1> mbar.
2.
Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at halogenforbindelsene er en eller flere halogensilaner med generell formel Sinx2n+2» nvor n er 1 til 4 og X betyr halogen og/eller hydrogen.
3.
Fremgangsmåte ifølge krav 1 eller 2, karakterisert ved at halogenforbindelsen er silisiumtetraklorid.
4.
Fremgangsmåte ifølge krav 1, "karakterisert ved at halogenforbindelsen er hydrogenklorid.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863635064 DE3635064A1 (de) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | Verfahren zur raffination von silicium und derart gereinigtes silicium |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO874108D0 NO874108D0 (no) | 1987-09-30 |
NO874108L NO874108L (no) | 1988-04-18 |
NO171778B true NO171778B (no) | 1993-01-25 |
NO171778C NO171778C (no) | 1993-05-05 |
Family
ID=6311759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO874108A NO171778C (no) | 1986-10-15 | 1987-09-30 | Fremgangsmaate for raffinering av silisium |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4837376A (no) |
EP (1) | EP0264045B1 (no) |
JP (1) | JPH0747484B2 (no) |
DE (2) | DE3635064A1 (no) |
NO (1) | NO171778C (no) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3819778A1 (de) * | 1988-06-10 | 1989-12-21 | Bayer Ag | Silicium fuer solarzellen, verfahren zu seiner herstellung sowie dessen verwendung |
WO1990003952A1 (en) * | 1988-10-07 | 1990-04-19 | Crystal Systems, Inc. | Method of growing silicon ingots using a rotating melt |
DE4115183A1 (de) * | 1991-05-09 | 1992-11-12 | Bayer Ag | Feinteiliges silicium mit oberflaechlich gebundenem halogen, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung |
US5445679A (en) * | 1992-12-23 | 1995-08-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Cleaning of polycrystalline silicon for charging into a Czochralski growing process |
US6800137B2 (en) | 1995-06-16 | 2004-10-05 | Phoenix Scientific Corporation | Binary and ternary crystal purification and growth method and apparatus |
US5993540A (en) * | 1995-06-16 | 1999-11-30 | Optoscint, Inc. | Continuous crystal plate growth process and apparatus |
US5753567A (en) * | 1995-08-28 | 1998-05-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Cleaning of metallic contaminants from the surface of polycrystalline silicon with a halogen gas or plasma |
DE69702555T2 (de) | 1996-03-19 | 2000-11-23 | Kawasaki Steel Corp., Kobe | Verfahren und Vorrichtung zur Raffinierung von Silicium |
EP0855367A1 (en) * | 1997-01-22 | 1998-07-29 | Kawasaki Steel Corporation | Method for removing boron from metallurgical grade silicon and apparatus |
US6368403B1 (en) | 1997-08-28 | 2002-04-09 | Crystal Systems, Inc. | Method and apparatus for purifying silicon |
US5972107A (en) * | 1997-08-28 | 1999-10-26 | Crystal Systems, Inc. | Method for purifying silicon |
EP1249520A1 (en) * | 2001-04-09 | 2002-10-16 | Optoscint Inc. | Apparatus and method for the purification of a material |
US6730580B2 (en) * | 2001-07-03 | 2004-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Silicon substrate wafer fabrication method employing halogen gettering material and/or plasma annealing |
FR2827592B1 (fr) * | 2001-07-23 | 2003-08-22 | Invensil | Silicium metallurgique de haute purete et procede d'elaboration |
NO318092B1 (no) * | 2002-05-22 | 2005-01-31 | Elkem Materials | Kalsium-silikatbasert slagg, fremgangsmate for fremstilling av kalsium-silikatbasert slagg, og anvendelse for slaggbehandling av smeltet silium |
DE112006002203T5 (de) | 2005-08-19 | 2008-07-17 | Sumitomo Chemical Co. Ltd. | Verfahren zur Herstellung von Silicium |
WO2008026931A1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Norsk Hydro Asa | Method and equipment for manufacturing multi-crystalline solar grade silicon from metallurgical silicon |
CA2667999A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-03-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for purification of silicon, silicon, and solar cell |
DE102006056482B4 (de) * | 2006-11-30 | 2010-07-15 | Sunicon Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbereiten von Nichteisenmetallen |
DE102007061977A1 (de) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Futech Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterpartikeln, insbesondere aus Silizium |
JP5878013B2 (ja) * | 2008-05-27 | 2016-03-08 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテSpawnt Private S.a.r.l | ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 |
DE102008036143A1 (de) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Berlinsolar Gmbh | Verfahren zum Entfernen von nichtmetallischen Verunreinigungen aus metallurgischem Silicium |
CN102119122A (zh) * | 2008-08-11 | 2011-07-06 | 住友化学株式会社 | 以半金属元素或金属元素为主成分的材料的提纯方法 |
DE102009012034B4 (de) * | 2009-03-10 | 2011-01-27 | Amocon Gmbh | Verfahren zur Aufreinigung einer Siliziumschmelze |
DE102009056731A1 (de) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogenierte Polysilane und Polygermane |
CN111304751B (zh) * | 2020-03-19 | 2021-05-18 | 西北工业大学 | 一种通过反应性气体除h2o的原料提纯方法及装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1039752B (de) * | 1954-05-24 | 1958-09-25 | Electric Furnace Prod Co | Verringerung der Gehalte an Aluminium und Calcium in Silizium oder Silizium enthaltenden Legierungen |
BE548227A (no) * | 1955-07-22 | |||
DE1023023B (de) * | 1955-07-22 | 1958-01-23 | Western Electric Co | Verfahren zum Reinigen von Silicium |
FR1230158A (fr) * | 1958-07-03 | 1960-09-14 | Wacker Chemie Gmbh | Procédé de purification du silicium |
GB1103329A (en) * | 1964-09-15 | 1968-02-14 | Gen Trustee Co Ltd | Refining of silicon |
DE2623413C2 (de) * | 1976-05-25 | 1985-01-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von für Halbleiterbauelemente verwendbarem Silicium |
US4298423A (en) * | 1976-12-16 | 1981-11-03 | Semix Incorporated | Method of purifying silicon |
US4172883A (en) * | 1978-06-23 | 1979-10-30 | Nasa | Method of purifying metallurgical grade silicon employing reduced presure atmospheric control |
FR2430917A1 (fr) * | 1978-07-11 | 1980-02-08 | Comp Generale Electricite | Procede et dispositif d'elaboration de silicium polycristallin |
US4200621A (en) * | 1978-07-18 | 1980-04-29 | Motorola, Inc. | Sequential purification and crystal growth |
DE3405613A1 (de) * | 1984-02-16 | 1985-08-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum reinigen von fluessigem, metallurgischem silicium |
DE3504723A1 (de) * | 1985-02-12 | 1986-08-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum reinigen von silicium |
-
1986
- 1986-10-15 DE DE19863635064 patent/DE3635064A1/de active Granted
-
1987
- 1987-09-30 NO NO874108A patent/NO171778C/no unknown
- 1987-10-05 EP EP87114508A patent/EP0264045B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-05 DE DE8787114508T patent/DE3778820D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-05 US US07/104,657 patent/US4837376A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-12 JP JP62254805A patent/JPH0747484B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0264045A2 (de) | 1988-04-20 |
JPH0747484B2 (ja) | 1995-05-24 |
DE3635064A1 (de) | 1988-04-21 |
NO874108D0 (no) | 1987-09-30 |
DE3635064C2 (no) | 1991-11-07 |
US4837376A (en) | 1989-06-06 |
NO171778C (no) | 1993-05-05 |
EP0264045A3 (en) | 1990-04-25 |
JPS63103811A (ja) | 1988-05-09 |
EP0264045B1 (de) | 1992-05-06 |
NO874108L (no) | 1988-04-18 |
DE3778820D1 (de) | 1992-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO171778B (no) | Fremgangsmaate for raffinering av silisium | |
US8329133B2 (en) | Method and apparatus for refining metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon | |
Gribov et al. | Preparation of high-purity silicon for solar cells | |
CN101665253B (zh) | 多晶硅提纯方法及用于多晶硅提纯的坩埚、提纯设备 | |
US9567227B2 (en) | Process for producing silicon, silicon, and panel for solar cells | |
US4241037A (en) | Process for purifying silicon | |
US4388286A (en) | Silicon purification | |
US8658118B2 (en) | High purity crystalline silicon, high purity silicon tetrachloride for processes for producing the same | |
RU2451635C2 (ru) | Способ получения высокочистого элементного кремния | |
US4446120A (en) | Method of preparing silicon from sodium fluosilicate | |
US20100178195A1 (en) | Method of solidifying metallic silicon | |
JPH05262512A (ja) | シリコンの精製方法 | |
NO863742L (no) | Zirkonium og hafnium med lavt oksygen- og jerninnhold. | |
US9352970B2 (en) | Method for producing silicon for solar cells by metallurgical refining process | |
JP2004099421A (ja) | シリコンの製造方法 | |
JP2000327488A (ja) | 太陽電池用シリコン基板の製造方法 | |
CN107324341B (zh) | 一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法 | |
RU2237616C2 (ru) | Способ получения кремния солнечного качества | |
RU2385291C1 (ru) | Способ получения кристаллического кремния высокой чистоты (варианты) | |
Delannoy et al. | 3 Conventional and Advanced Purification Processes of MG Silicon | |
RU2707053C1 (ru) | Способ очистки металлургического кремния от углерода | |
EP1903005A1 (en) | Production of Si by reduction of SiCI4 with liquid Zn, and purification process | |
Ma et al. | Upgrade Metallurgical Grade Silicon | |
Delannoy et al. | 3 Conventional and | |
Pizzini | Solar grade silicon production from MG-Silicon |