JPS6338541A - インジウムの精製方法 - Google Patents
インジウムの精製方法Info
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- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 title claims description 58
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000007670 refining Methods 0.000 title description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004677 spark ionization mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皇呈上二肌几分国
本発明は、インジウムの精製法、さらに詳しくは、イン
ジウムを主成分とするm−v族化合物半導体用材料に供
するのに適したシリコン含量の極めて低い高純度インジ
ウムを得るためのインジウムの精製方法に関する。
ジウムを主成分とするm−v族化合物半導体用材料に供
するのに適したシリコン含量の極めて低い高純度インジ
ウムを得るためのインジウムの精製方法に関する。
l米返玉点皿皿嘉
一般に、インジウム(In)を主成分とする■−■族化
合物半導体のキャリア濃度は、該半導体用材料としての
インジウム中に微量含まれるケイ素(Si)に代表され
る不純物の量に大きく影響される。したがって、上記化
合物半導体用材料として用いるインジウムは特別な精製
処理を施して予めSi等の不純物を可及的に除去してお
くことが必要である。
合物半導体のキャリア濃度は、該半導体用材料としての
インジウム中に微量含まれるケイ素(Si)に代表され
る不純物の量に大きく影響される。したがって、上記化
合物半導体用材料として用いるインジウムは特別な精製
処理を施して予めSi等の不純物を可及的に除去してお
くことが必要である。
従来、インジウム中に微量含まれるSiを除去する手段
として次に示すような方法が行われていた。
として次に示すような方法が行われていた。
■インジウムを真空中で850℃程度の温度に加熱保持
する方法、 ■インジウムを、微量な水蒸気を含む不活性ガスの雰囲
気下で常圧もしくは減圧下に800〜1000’cの温
度に加熱保持する方法、及び ■インジウムを、石英管中に収容し、これに水素ガスを
導通しながら、常圧もしくは減圧下に700℃程度の温
度に加熱保持する方法。
する方法、 ■インジウムを、微量な水蒸気を含む不活性ガスの雰囲
気下で常圧もしくは減圧下に800〜1000’cの温
度に加熱保持する方法、及び ■インジウムを、石英管中に収容し、これに水素ガスを
導通しながら、常圧もしくは減圧下に700℃程度の温
度に加熱保持する方法。
しかし、これらの方法はいずれもインジウム中に微量含
まれるSiを揮発性のSiO□形態で揮散させることか
ら成るものであるが、次に示すように、工業的に再現性
良< Siを除去するうえで問題点がある。
まれるSiを揮発性のSiO□形態で揮散させることか
ら成るものであるが、次に示すように、工業的に再現性
良< Siを除去するうえで問題点がある。
すなわち、上記■の方法では、Siを酸化してSiOの
形態にするのに必要な酸素の供給源がインジウム中に溶
存している酸素量に限られるため、Siの除去効果が不
十分であり、かつ再現性に乏しく、■の方法では、イン
ジウム中のSi含有量に応じて適当な水蒸気分圧の存在
が必要なため、精製条件の設定が困難であって、再現性
がない。
形態にするのに必要な酸素の供給源がインジウム中に溶
存している酸素量に限られるため、Siの除去効果が不
十分であり、かつ再現性に乏しく、■の方法では、イン
ジウム中のSi含有量に応じて適当な水蒸気分圧の存在
が必要なため、精製条件の設定が困難であって、再現性
がない。
また、上記■の方法は、Siを酸化するのに必要な水蒸
気を水素ガスと石英管との反応により生成させて利用す
るものであるが、この反応で生ずるSiOがインジウム
中のSiの酸化を抑制する作用をするため、比較的低温
で加熱する必要があり、したがって、精製に長時間の処
理を要する。
気を水素ガスと石英管との反応により生成させて利用す
るものであるが、この反応で生ずるSiOがインジウム
中のSiの酸化を抑制する作用をするため、比較的低温
で加熱する必要があり、したがって、精製に長時間の処
理を要する。
Hが”しようとする諜
本発明は、上述したごときインジウム中に微量含まれる
不純物としてのSiの除去法における問題点に鑑みなさ
れたものであって、上記インジウム中のSiを揮発性の
SiOの形態で再現性良く、効率的に除去し得る方法を
提供することを課題とする。
不純物としてのSiの除去法における問題点に鑑みなさ
れたものであって、上記インジウム中のSiを揮発性の
SiOの形態で再現性良く、効率的に除去し得る方法を
提供することを課題とする。
本発明者らは、インジウム中に含まれるSiをSiOの
形態にするのに必要な十分の酸素量をインジウム中に溶
存させることにより、SiをS’+0の形態に再現性良
(、効率的に酸化させることに成功し、本発明をなすに
至った。
形態にするのに必要な十分の酸素量をインジウム中に溶
存させることにより、SiをS’+0の形態に再現性良
(、効率的に酸化させることに成功し、本発明をなすに
至った。
以下本発明の詳細な説明する。
1里至盪底
本発明は、インジウムを酸化インジウムの共存下に不活
性ガス雰囲気中で溶融し、次いで真空雰囲気中で加熱し
てインジウム中に不純物として微量存在するケイ素(S
i)を上記酸化インジウムと反応させてSiOの形態と
して揮散させ除去することを特徴とする。
性ガス雰囲気中で溶融し、次いで真空雰囲気中で加熱し
てインジウム中に不純物として微量存在するケイ素(S
i)を上記酸化インジウムと反応させてSiOの形態と
して揮散させ除去することを特徴とする。
課 を”°するための
本発明は、上述のように、インジウムを真空雰囲気中で
加熱するに際し、インジウムを予め酸化インジウムの共
存下に不活性ガス雰囲気中で溶融することが重要な特徴
的事項であって、精製すべきインジウムに、酸化インジ
ウムを添加して加熱溶融することにより、溶融インジウ
ム中の溶存酸素量を、インジウム中に含まれるSiをS
iOの形態にするのに必要な量に高め、かつその酸素量
を長時間にわたって飽和状態に保ってSiの酸化能を維
持し得るようになる。
加熱するに際し、インジウムを予め酸化インジウムの共
存下に不活性ガス雰囲気中で溶融することが重要な特徴
的事項であって、精製すべきインジウムに、酸化インジ
ウムを添加して加熱溶融することにより、溶融インジウ
ム中の溶存酸素量を、インジウム中に含まれるSiをS
iOの形態にするのに必要な量に高め、かつその酸素量
を長時間にわたって飽和状態に保ってSiの酸化能を維
持し得るようになる。
上記インジウムに添加して共存させる酸化インジウムの
量はインジウムに対してO,OS〜0.5重量%程度が
好ましい、上記酸化インジウムの添加量は精製すべきイ
ンジウム中に含まれるSiO量に応じて決められるが、
インジウム中のSiを酸化インジウムから供給される酸
素との反応によりSiOの形態として揮散させる場合、
酸化インジウム自体も下記反応、 IntOs(s) = IntO(g) + Ot(g
)により熱分解して、その保有する酸素の一部を揮散す
るので、酸化インジウムの添加量が低くすぎると短時間
で溶融インジウム中の溶存酸素量が低下してSiが十分
に除去されなくなる。また、一方、インジウム中のSi
量が低いのに酸化インジウムの添加量が多すぎると、溶
融インジウムを真空雰囲気中で加熱する場合溶融インジ
ウムの表面に酸化インジウムの膜が形成して、上記加熱
により生成したSiOの揮散を抑制するようになり、そ
の結果Stの除去効率が低下するので留意する必要があ
る。
量はインジウムに対してO,OS〜0.5重量%程度が
好ましい、上記酸化インジウムの添加量は精製すべきイ
ンジウム中に含まれるSiO量に応じて決められるが、
インジウム中のSiを酸化インジウムから供給される酸
素との反応によりSiOの形態として揮散させる場合、
酸化インジウム自体も下記反応、 IntOs(s) = IntO(g) + Ot(g
)により熱分解して、その保有する酸素の一部を揮散す
るので、酸化インジウムの添加量が低くすぎると短時間
で溶融インジウム中の溶存酸素量が低下してSiが十分
に除去されなくなる。また、一方、インジウム中のSi
量が低いのに酸化インジウムの添加量が多すぎると、溶
融インジウムを真空雰囲気中で加熱する場合溶融インジ
ウムの表面に酸化インジウムの膜が形成して、上記加熱
により生成したSiOの揮散を抑制するようになり、そ
の結果Stの除去効率が低下するので留意する必要があ
る。
上述のごとく、インジウムに酸化インジウムを添加し、
アルゴンガスのような不活性ガスの雰囲気下で950℃
前後に加熱すると、インジウムは溶融し、一方散化イン
ジウムは上記のごとく熱分解して酸素を生成するので、
この酸素の大部分は溶融インジウム中に溶存するように
なる。
アルゴンガスのような不活性ガスの雰囲気下で950℃
前後に加熱すると、インジウムは溶融し、一方散化イン
ジウムは上記のごとく熱分解して酸素を生成するので、
この酸素の大部分は溶融インジウム中に溶存するように
なる。
次に、上述のごとくして得られた溶融インジウムを真空
雰囲気中で加熱すると、インジウム中のSi は溶融イ
ンジウム中の溶存酸素と反応して揮発性のSiOとなっ
て渾敗し、溶融インジウム中に残存する酸化インジウム
も揮散するようになる。
雰囲気中で加熱すると、インジウム中のSi は溶融イ
ンジウム中の溶存酸素と反応して揮発性のSiOとなっ
て渾敗し、溶融インジウム中に残存する酸化インジウム
も揮散するようになる。
この場合の加熱温度は750〜1100℃が好ましく、
750℃より低い温度では、 Si+0=SiO による反応よりも SiO+ 2In = St + Int。
750℃より低い温度では、 Si+0=SiO による反応よりも SiO+ 2In = St + Int。
の反応が優先するためSiの除去効果が得られなくなり
、一方1100℃を越える温度ではInz03=Inz
O+O1 の熱分解反応が急激に進行するため、Siを酸化するの
に必要な溶融インジウム中の溶存酸素量が短時間で減少
してしまってSiが十分に除去されなくなる。
、一方1100℃を越える温度ではInz03=Inz
O+O1 の熱分解反応が急激に進行するため、Siを酸化するの
に必要な溶融インジウム中の溶存酸素量が短時間で減少
してしまってSiが十分に除去されなくなる。
なお、上記加熱を真空雰囲気中で行うのは加熱により生
成したSiO及び残存する酸化インジウムの揮散を促進
するためである。
成したSiO及び残存する酸化インジウムの揮散を促進
するためである。
畝上のとおり、本発明によると、インジウム中に微量含
まれるSiを揮発性のSiOの形態で再現性良く、かつ
効率的に除去し得るので、高純度のインジウムを得るた
めの精製方法として有用であるといえる。
まれるSiを揮発性のSiOの形態で再現性良く、かつ
効率的に除去し得るので、高純度のインジウムを得るた
めの精製方法として有用であるといえる。
以下に実施例により本発明及びその効果を具体的に説明
する。
する。
h と のt
実施例
添付図に例示した装置を用いて実施した。
図中1は石英製炉芯管、2はインジウムを溶融して保持
するための高純度黒鉛製容器、3は熱電対、4はガス導
入部、5は真空計、6は真空排気装置及び7はヒーター
を示す。
するための高純度黒鉛製容器、3は熱電対、4はガス導
入部、5は真空計、6は真空排気装置及び7はヒーター
を示す。
Si含有量0.02〜0.04wt、pp+iのインジ
ウム(6NIn)並ヒにSi含有量0.1〜0.5wt
、pp−のインジウム(4NIn)の各1kg宛をそれ
ぞれ石英製炉芯管lに充填し、その各々に酸化インジウ
ムとして6NInを0 、05w t%、0.5wt%
及び5.0wt%をそれぞれ添加たものをアルゴンガス
を導通しながら、加熱して950℃の温度まで昇温した
0次いで、950tの温度下に石英製炉芯管1内を5X
10−’torrまで真空排気しながら、3時間保持し
た後、系内を真空に保ったまま冷却してインジウムを取
出した。このようにして得られた各インジウム中のSi
含有量をスパークソースマス分析法により測定した。
ウム(6NIn)並ヒにSi含有量0.1〜0.5wt
、pp−のインジウム(4NIn)の各1kg宛をそれ
ぞれ石英製炉芯管lに充填し、その各々に酸化インジウ
ムとして6NInを0 、05w t%、0.5wt%
及び5.0wt%をそれぞれ添加たものをアルゴンガス
を導通しながら、加熱して950℃の温度まで昇温した
0次いで、950tの温度下に石英製炉芯管1内を5X
10−’torrまで真空排気しながら、3時間保持し
た後、系内を真空に保ったまま冷却してインジウムを取
出した。このようにして得られた各インジウム中のSi
含有量をスパークソースマス分析法により測定した。
結果は表1に示すとおりである。なお、比較として酸化
インジウムを添加しないで同様に処理した場合について
も示した。
インジウムを添加しないで同様に処理した場合について
も示した。
表1にみられるとおり、本発明によりインジウムに酸化
インジウムを0.05〜5.0重量%添加して溶融した
ものを真空下で加熱すると、インジウム中のSi含有量
が比較例に比べて著しく低減し得る。
インジウムを0.05〜5.0重量%添加して溶融した
ものを真空下で加熱すると、インジウム中のSi含有量
が比較例に比べて著しく低減し得る。
したがって、本発明によると、比較的筒車な精製手段に
よってSi含量の極めて低い高純度のインジウムを得る
ことができるので、キャリア濃度が極めて低い高品zm
−v族化合物半導体の材料として有用なインジウムを提
供することが可能となる。
よってSi含量の極めて低い高純度のインジウムを得る
ことができるので、キャリア濃度が極めて低い高品zm
−v族化合物半導体の材料として有用なインジウムを提
供することが可能となる。
添付図は本発明の実施に用いる装置の概略を例示したも
のである。 図中、 1・・・・−・−一−−−石英製炉芯管2−−−−−−
・・−高純度黒鉛製容器3−・−・−−−−−一熱電対 4・・・−・−・・ガス導入部 5−−−−−−一・・・・真空計 6・・−・・−・・−・真空排気装置 7−・・・−・・−ヒーター
のである。 図中、 1・・・・−・−一−−−石英製炉芯管2−−−−−−
・・−高純度黒鉛製容器3−・−・−−−−−一熱電対 4・・・−・−・・ガス導入部 5−−−−−−一・・・・真空計 6・・−・・−・・−・真空排気装置 7−・・・−・・−ヒーター
Claims (3)
- (1)インジウムを、酸化インジウムの共存下に不活性
ガス雰囲気中で溶融し、次いで真空雰囲気中で加熱して
インジウム中に不純物として微量存在するケイ素(Si
)を上記酸化インジウムと反応させてSiOの形態とし
て揮発させ除去することを特徴とするインジウムの精製
方法。 - (2)酸化インジウムをインジウムに対して0.05乃
至0.5重量%添加して共存させる特許請求の範囲第(
1)項記載のインジウムの精製方法。 - (3)真空雰囲気中での加熱を750℃〜1100℃の
温度で行う特許請求の範囲第(1)項記載の精製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18173086A JPS6338541A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | インジウムの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18173086A JPS6338541A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | インジウムの精製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6338541A true JPS6338541A (ja) | 1988-02-19 |
Family
ID=16105881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18173086A Pending JPS6338541A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | インジウムの精製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6338541A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03243732A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-30 | Nippon Mining Co Ltd | チタンの脱酸方法 |
US6320133B1 (en) | 1996-10-11 | 2001-11-20 | Tunewell Technology Ltd | Power distribution system |
KR100498871B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2005-07-04 | (주)나인디지트 | 인듐 제조방법 |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP18173086A patent/JPS6338541A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03243732A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-30 | Nippon Mining Co Ltd | チタンの脱酸方法 |
US6320133B1 (en) | 1996-10-11 | 2001-11-20 | Tunewell Technology Ltd | Power distribution system |
KR100498871B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2005-07-04 | (주)나인디지트 | 인듐 제조방법 |
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