JPS6286907A - 水晶発振回路 - Google Patents
水晶発振回路Info
- Publication number
- JPS6286907A JPS6286907A JP22738485A JP22738485A JPS6286907A JP S6286907 A JPS6286907 A JP S6286907A JP 22738485 A JP22738485 A JP 22738485A JP 22738485 A JP22738485 A JP 22738485A JP S6286907 A JPS6286907 A JP S6286907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos transistor
- capacitor
- oscillation circuit
- transistor
- capacitors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は温度補償水晶発振回路の発掘回路に関する。
本発明は１発振回路のゲート端子、あるいはドレイン端
子とアースあるいは十電源間に直列に接続される複数の
温度補償用コンデンサと前記コンデンサをオン−オフ制
御するＭＯＳトランジスタより構成される温度補償水晶
発振回路において、前記コンデンサと、前記ＭｏＳトラ
ンジスタの接続点と、直流電位が定１っている点とをＭ
ＯＳトランジスタで接続し、そのＭＯＥＩ ）ランジス
タが前６己コンデンサを制御するＭｏ８ ）ランジスタ
のオン−オフ動作と逆動作し、前記コンデンサと制御す
るＭｏ８ ）ランジスタがオフ状態によってできる寄生
ダイオードの直流レベルを、ある定１つた直流レベルと
慕しくすることにより、発振周波数の安定性を向上させ
たものである。
子とアースあるいは十電源間に直列に接続される複数の
温度補償用コンデンサと前記コンデンサをオン−オフ制
御するＭＯＳトランジスタより構成される温度補償水晶
発振回路において、前記コンデンサと、前記ＭｏＳトラ
ンジスタの接続点と、直流電位が定１っている点とをＭ
ＯＳトランジスタで接続し、そのＭＯＥＩ ）ランジス
タが前６己コンデンサを制御するＭｏ８ ）ランジスタ
のオン−オフ動作と逆動作し、前記コンデンサと制御す
るＭｏ８ ）ランジスタがオフ状態によってできる寄生
ダイオードの直流レベルを、ある定１つた直流レベルと
慕しくすることにより、発振周波数の安定性を向上させ
たものである。
従来のコンデンサによる温度補償回路を有する水晶発振
回路は４５図に示す様に、水晶発振回路のゲート端子に
、温度補償用コンデンサ、Ｃ８゜Ｃ７・・・・・・０ｎ
（ｎは自然数）が接続され、前記コンデンサＣＩ ｍ
Ｃ２・・・・・・Ｏｎ に直列にＭｏ８ トランジスタ
ＴＮ１．ＴＮ２・・・・・・ＴＮｎが接続されていて、
温度センサ９から送られた温度清報６ｓｗコントローラ
ー８において制御データ７１ ＊ ７！・・・・・・７
ｎに変換し、前記ＭｏＳトランジスタＴＮＩ、ＴＮ２・
・・・・・ＴＮｎを制御することによ）、温度補償を行
なっていた。
回路は４５図に示す様に、水晶発振回路のゲート端子に
、温度補償用コンデンサ、Ｃ８゜Ｃ７・・・・・・０ｎ
（ｎは自然数）が接続され、前記コンデンサＣＩ ｍ
Ｃ２・・・・・・Ｏｎ に直列にＭｏ８ トランジスタ
ＴＮ１．ＴＮ２・・・・・・ＴＮｎが接続されていて、
温度センサ９から送られた温度清報６ｓｗコントローラ
ー８において制御データ７１ ＊ ７！・・・・・・７
ｎに変換し、前記ＭｏＳトランジスタＴＮＩ、ＴＮ２・
・・・・・ＴＮｎを制御することによ）、温度補償を行
なっていた。
しかし、従来のコンデンサによる温度補償回路を有する
水晶発振回路は、Ｍｏ８ トランジスタＴＮがオフ状態
となった時、Ｍｏ８ ）ランジスタの構造上寄生ダイオ
ードができてしまう。第ル図に寄生ダイオードができた
従来の回路図を示す。
水晶発振回路は、Ｍｏ８ トランジスタＴＮがオフ状態
となった時、Ｍｏ８ ）ランジスタの構造上寄生ダイオ
ードができてしまう。第ル図に寄生ダイオードができた
従来の回路図を示す。
前記ダイオード１０に加わる、直流レベルは、半導体の
構造によって決筐る（ト）へのリーク電流１１と（−）
へのリークＴｔ流１２の比によってのみ決まるため、Ｍ
ＯＦＩ ）ランジスタＴＮがオン状態からオフ状態に切
り戻っても、コンデンサＣ８とダイオード１０の静電容
量が、リーク電流１１によっテ前記直流レベルまで充電
されるまで時間がかかり、ダイオードの静電容債がすぐ
に安定しないので、よって水晶発振回路の発振周波数が
安定しないという間２１点を有していた。
構造によって決筐る（ト）へのリーク電流１１と（−）
へのリークＴｔ流１２の比によってのみ決まるため、Ｍ
ＯＦＩ ）ランジスタＴＮがオン状態からオフ状態に切
り戻っても、コンデンサＣ８とダイオード１０の静電容
量が、リーク電流１１によっテ前記直流レベルまで充電
されるまで時間がかかり、ダイオードの静電容債がすぐ
に安定しないので、よって水晶発振回路の発振周波数が
安定しないという間２１点を有していた。
発振回路のゲート端子、あるいはドレイン端子とアース
あるいは十電源間に直列に接続される複数の温度補償用
コンデンサと前記コンデンサをオン−オフ制御するＭｏ
Ｓトランジスタより構成される温度補償水晶発振回路に
おいて、前記コンデンサと、前記ＭＯＳトランジスタの
接続点と、直流電位が定まっている点とをＭｏ８ トラ
ンジスタで接続し、そのＭＯＳトランジスタｉ）’ 、
前記” ’テンプを制御するＭｏＳトランジスタのオン
。オフ動作と逆動作することを特徴とする。
あるいは十電源間に直列に接続される複数の温度補償用
コンデンサと前記コンデンサをオン−オフ制御するＭｏ
Ｓトランジスタより構成される温度補償水晶発振回路に
おいて、前記コンデンサと、前記ＭＯＳトランジスタの
接続点と、直流電位が定まっている点とをＭｏ８ トラ
ンジスタで接続し、そのＭＯＳトランジスタｉ）’ 、
前記” ’テンプを制御するＭｏＳトランジスタのオン
。オフ動作と逆動作することを特徴とする。
本発明の上記のような構成によれば、温度補償用コンデ
ンサを制御するＭｏ８ トランジスタがオフ状態となっ
た時寄生ダイオードができるが、前記コンデンサに並列
に接続されたＭｏ８ トランジスタがオン状態となし、
寄生ダイオードの直流レベルは、ある定まった直流レベ
ルと等しくなるため、安定な周波数が得ることができる
。
ンサを制御するＭｏ８ トランジスタがオフ状態となっ
た時寄生ダイオードができるが、前記コンデンサに並列
に接続されたＭｏ８ トランジスタがオン状態となし、
寄生ダイオードの直流レベルは、ある定まった直流レベ
ルと等しくなるため、安定な周波数が得ることができる
。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。′
ＸｆＡ＋図知おいて、水晶発振回路のゲート端゛子に複
数の温度補償用コンデンサＣ，、ａ、ν曲ｃｎが接続さ
れ、前記コンデンサの他方の端子とアース間にＮチャン
ネルのＭｏ８ トランジスタＴＮＩ。
ＸｆＡ＋図知おいて、水晶発振回路のゲート端゛子に複
数の温度補償用コンデンサＣ，、ａ、ν曲ｃｎが接続さ
れ、前記コンデンサの他方の端子とアース間にＮチャン
ネルのＭｏ８ トランジスタＴＮＩ。
ＴＮ２・・・・・・ＴＮｎが接続される。また前記コン
デ７？ Ｃ，、Ｃ，・・・・・・Ｏｎ に並列にＰチャ
ンネルＭＯＳトランジスタＴＰＩ、ＴＰ２・・・・・・
ＴＰｎが接続される。１は帰還抵抗、２は発振インバー
タ、５は水晶振動子、４はドレイン抵抗、５はゲート容
量、６はドレイン抵抗、７，１．７．・・・・・・７ｎ
はＭ、ＯＳトランジスタを制御する信号、８は温度に
対［６した制御データを出力するＳＷコントローラ、９
は温度センサーである。温度が変化したことを温度セン
サー９が感知したとすると、それに対［ｉ；シて任意の
コンデンサＣｍ（ｍは任意の自然数ｍ≦ｎ）がオンから
オフになるデータ（ＨレベルからＬレベル）７ｍが送ら
れると、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴ Ｎｍがオ
フ状態になると同時に、ＰチャンネルＭＯＳトランジス
タＴＰｍがオフ状態となり、ＴＮｍのドレインの直流レ
ベルは、発振回路のゲートと同じになるため、Ｎチャン
ネル１１１１ＯＳトランジスタＴＮｍによる寄生ダイオ
ードの静電容歓はすぐに一定となる。
デ７？ Ｃ，、Ｃ，・・・・・・Ｏｎ に並列にＰチャ
ンネルＭＯＳトランジスタＴＰＩ、ＴＰ２・・・・・・
ＴＰｎが接続される。１は帰還抵抗、２は発振インバー
タ、５は水晶振動子、４はドレイン抵抗、５はゲート容
量、６はドレイン抵抗、７，１．７．・・・・・・７ｎ
はＭ、ＯＳトランジスタを制御する信号、８は温度に
対［６した制御データを出力するＳＷコントローラ、９
は温度センサーである。温度が変化したことを温度セン
サー９が感知したとすると、それに対［ｉ；シて任意の
コンデンサＣｍ（ｍは任意の自然数ｍ≦ｎ）がオンから
オフになるデータ（ＨレベルからＬレベル）７ｍが送ら
れると、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴ Ｎｍがオ
フ状態になると同時に、ＰチャンネルＭＯＳトランジス
タＴＰｍがオフ状態となり、ＴＮｍのドレインの直流レ
ベルは、発振回路のゲートと同じになるため、Ｎチャン
ネル１１１１ＯＳトランジスタＴＮｍによる寄生ダイオ
ードの静電容歓はすぐに一定となる。
騙２図は、不発明の他の実施例を示す。ＭＯＳトランジ
スタＴＰが（ト）電源に接続されており、同様の効果が
得られる。
スタＴＰが（ト）電源に接続されており、同様の効果が
得られる。
が１図の実施例においては、ＴＮをＮチャンネルＭｏ８
トランジスタで、ＴＰ全ＰチャンネルＭＯ８トランジ
スタで構成したが、制御信号をそれぞれ反転させること
により、ＴＮをＰチャンネルＭＯ８トランジスタ、ＴＰ
をＮチャンネルＭＯ６１トランジスタで構成しても同様
の効果が得られる第１図の実施例では、温度補償用コン
デンサが発振回路のゲート側に接続されていたが、発振
回路のドレイン側に接続した場合でも同様の効果が得ら
れる。
トランジスタで、ＴＰ全ＰチャンネルＭＯ８トランジ
スタで構成したが、制御信号をそれぞれ反転させること
により、ＴＮをＰチャンネルＭＯ８トランジスタ、ＴＰ
をＮチャンネルＭＯ６１トランジスタで構成しても同様
の効果が得られる第１図の実施例では、温度補償用コン
デンサが発振回路のゲート側に接続されていたが、発振
回路のドレイン側に接続した場合でも同様の効果が得ら
れる。
以上述べた様に、本発明は温度補償用のコンデンサと前
記コンデンサを制御するＭＯＳトランジスタの接続点と
、直流電位が定っている点とをＭＯＳトランジスタで接
続する構造にしたので、温度補償用コンデンサを制御す
るＭＯＳトランジスタがオフ状態となった時にできる寄
生ダイオードの直流レベルがすぐに一定となシ、前記Ｍ
ＯＳトランジスタのスイッチングに対して、すばやく安
定な発振周波数が得られるという効果がある。
記コンデンサを制御するＭＯＳトランジスタの接続点と
、直流電位が定っている点とをＭＯＳトランジスタで接
続する構造にしたので、温度補償用コンデンサを制御す
るＭＯＳトランジスタがオフ状態となった時にできる寄
生ダイオードの直流レベルがすぐに一定となシ、前記Ｍ
ＯＳトランジスタのスイッチングに対して、すばやく安
定な発振周波数が得られるという効果がある。
第＼図は従来の温度補償水晶発振回路図。
午
第＼図は、寄生タイオードができた従来の回路。
図。
図。
１・・・帰遣抵抗
２・・・発振インバータ
５・・・水晶振動子
４・・・ドレイン抵抗
５・・・ゲート容量
６、・・・ドレイン容量
７１ ｅ ７ｔ・・・・・・７ｎ ・・・制御信号Ｃ
，、Ｏ，・・・・・・Ｏｎ ・・・温度補償用コンデン
サＴＰＩ、ＴＰ２・・・・・・ＴＰｎ・・・Ｐチャンネ
ルＭＯＳトランジスタ ＴＮＩ、ＴＮ２・・・・・・ＴＮｎ・・・Ｎチャンネル
ＭＯ８トランジスタ 以 上
，、Ｏ，・・・・・・Ｏｎ ・・・温度補償用コンデン
サＴＰＩ、ＴＰ２・・・・・・ＴＰｎ・・・Ｐチャンネ
ルＭＯＳトランジスタ ＴＮＩ、ＴＮ２・・・・・・ＴＮｎ・・・Ｎチャンネル
ＭＯ８トランジスタ 以 上
Claims (1)
- 発振回路のゲート端子、あるいはドレイン端子とアース
あるいは＋電源間に、直列に接続される少なくとも１つ
の温度補償用コンデンサと前記コンデンサをオン、オフ
制御するＭＯＳトランジスタより構成されるＣＭＯＳ構
造の水晶発振回路において、前記コンデンサと、前記Ｍ
ＯＳトランジスタの接続点と、直流電位が定まつている
点とをＭＯＳトランジスタで接続し、前記直流電位が定
まつている点と接続されるＭＯＳトランジスタが前記コ
ンデンサを制御するＭＯＳトランジスタのオン、オフ動
作と逆動作することを特徴とする水晶発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22738485A JPS6286907A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 水晶発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22738485A JPS6286907A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 水晶発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286907A true JPS6286907A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16859968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22738485A Pending JPS6286907A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 水晶発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286907A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005529536A (ja) * | 2002-06-10 | 2005-09-29 | ジーシーティー セミコンダクター インコーポレイテッド | 広帯域同調範囲および低位相ノイズをもつｌｃ発振器 |
| JP2007228339A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Renesas Technology Corp | 発振回路を内蔵した通信用半導体集積回路 |
| JP2008085857A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Mitsumi Electric Co Ltd | 電圧制御型発振回路 |
| JP2008098731A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Niigata Seimitsu Kk | 電圧制御発振器 |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP22738485A patent/JPS6286907A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005529536A (ja) * | 2002-06-10 | 2005-09-29 | ジーシーティー セミコンダクター インコーポレイテッド | 広帯域同調範囲および低位相ノイズをもつｌｃ発振器 |
| JP2007228339A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Renesas Technology Corp | 発振回路を内蔵した通信用半導体集積回路 |
| JP2008085857A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Mitsumi Electric Co Ltd | 電圧制御型発振回路 |
| JP2008098731A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Niigata Seimitsu Kk | 電圧制御発振器 |
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