JPS6276536A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6276536A JPS6276536A JP21545385A JP21545385A JPS6276536A JP S6276536 A JPS6276536 A JP S6276536A JP 21545385 A JP21545385 A JP 21545385A JP 21545385 A JP21545385 A JP 21545385A JP S6276536 A JPS6276536 A JP S6276536A
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- Japan
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- aluminum
- wiring
- water
- integrated circuit
- circuit operation
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は樹脂封止型半導体集積回路装置に関するもの
である〇 〔従来の技術〕 従来の樹脂封止型半導体集積回路装置では、半導体チッ
プの最外周部分には配線を施すと断線の恐れがあるため
、配線が設けられていない余白の部分があり、最外周の
アルミニウム信号配線の外側には何の配線も設けられて
いない。
である〇 〔従来の技術〕 従来の樹脂封止型半導体集積回路装置では、半導体チッ
プの最外周部分には配線を施すと断線の恐れがあるため
、配線が設けられていない余白の部分があり、最外周の
アルミニウム信号配線の外側には何の配線も設けられて
いない。
このような従来の半導体集積回路装置では、半導体チッ
プ最外周のダイシングラインよシ水が浸入する可能性が
ある。一般に、アルミニクムに対して十分な水分子が存
在する条件下では、水酸化アルミニクム〔Al(OH)
s) ができやすく、水酸化アルミニウムは酸にもア
ルカリにも溶ける性質がある。従って、アルミニウム信
号配線はアルカリ金属イオンや、ノ10ゲン・イオンな
どの不純物を含゛む水に侵されやすい。さらに、アルミ
ニウム配線の下にあるP s G (phospho
−5ilicate Plass)が水と反応し、リン
酸が生成され、そのリン酸によレアルミニウム信号配線
が腐食されるという問題点がある。
プ最外周のダイシングラインよシ水が浸入する可能性が
ある。一般に、アルミニクムに対して十分な水分子が存
在する条件下では、水酸化アルミニクム〔Al(OH)
s) ができやすく、水酸化アルミニウムは酸にもア
ルカリにも溶ける性質がある。従って、アルミニウム信
号配線はアルカリ金属イオンや、ノ10ゲン・イオンな
どの不純物を含゛む水に侵されやすい。さらに、アルミ
ニウム配線の下にあるP s G (phospho
−5ilicate Plass)が水と反応し、リン
酸が生成され、そのリン酸によレアルミニウム信号配線
が腐食されるという問題点がある。
この発明は上記のような問題点全解消するたである。
この発明に係る半導体集積回路装置は、回路動作に使用
されるアルミニウム信号配線をPEGを介して設けた半
導体集積回路装置に於て、半導体チップのダイシングラ
インと上記アルミニウム信号配線との間にPSGが存在
しない領域を設け、さらにその上に回路動作に使用され
ないアルミニウム配線を設けたものである。
されるアルミニウム信号配線をPEGを介して設けた半
導体集積回路装置に於て、半導体チップのダイシングラ
インと上記アルミニウム信号配線との間にPSGが存在
しない領域を設け、さらにその上に回路動作に使用され
ないアルミニウム配線を設けたものである。
この発明における半導体集積回路装置は、ダイシングラ
インより水が浸入した場合、浸入した水をチップ最外周
部のPSGが存在しない領域に設けた回路動作に使用さ
れないアルミニウム配線によって消費させ、内部のPE
Gが存在する領域まで水を浸入させないことによシリン
酸の生成を防ぎ、アルミニウム信号配線の腐食を防止す
る。
インより水が浸入した場合、浸入した水をチップ最外周
部のPSGが存在しない領域に設けた回路動作に使用さ
れないアルミニウム配線によって消費させ、内部のPE
Gが存在する領域まで水を浸入させないことによシリン
酸の生成を防ぎ、アルミニウム信号配線の腐食を防止す
る。
以下、この発明を図に示す実施例VC基づいて説明する
。
。
第1図はこの発明の一実施例による半導体集積回路装置
のチップを示す平面図で、第2図11第1図のU−n@
VCよる拡大断面図である。第1図及び第8図に放て、
(11は半導体集積回路の半導体基板、+21iこの半
導体基板の表面上に形成された絶縁膜、+31//i回
路動作に直接関係しないアルミニク配線で、この配線(
3)はダイシングライン(6)とアルミニウム信号配線
(4)の間でPSG(9)の存在しない領域に設けられ
ている。(41、(5)は回路動作に使用される信号の
通るアルミニウム信号配線であり、アルミニウム配線+
41、!5+の下にあるP S G +91と絶縁膜(
2)との間には図に示す例では何もないが、P S G
+91と絶縁膜(2)との間にポリシリコン等の他の
層が介在することもある。(611−i半導体集積回路
チップをダイシングする際のダイシングラインである。
のチップを示す平面図で、第2図11第1図のU−n@
VCよる拡大断面図である。第1図及び第8図に放て、
(11は半導体集積回路の半導体基板、+21iこの半
導体基板の表面上に形成された絶縁膜、+31//i回
路動作に直接関係しないアルミニク配線で、この配線(
3)はダイシングライン(6)とアルミニウム信号配線
(4)の間でPSG(9)の存在しない領域に設けられ
ている。(41、(5)は回路動作に使用される信号の
通るアルミニウム信号配線であり、アルミニウム配線+
41、!5+の下にあるP S G +91と絶縁膜(
2)との間には図に示す例では何もないが、P S G
+91と絶縁膜(2)との間にポリシリコン等の他の
層が介在することもある。(611−i半導体集積回路
チップをダイシングする際のダイシングラインである。
tel V′i表面を保護するパシベーション膜、(8
)は浸入する水の径路である。
)は浸入する水の径路である。
回路動作に使用されないアルミニク配線(31は回路動
作に使用されるアルミニウム信号配線14)、(5)と
ダイシングライン(6)との間のP 13 G [9]
の存在しない領域でチップのダイシングライン(6)の
全内周に沿って設けられている。第1図に示すチップを
樹脂封止することにより樹脂封止型半導体集積回路装置
が構成される0 次に、上記実施例の作用について第2図を参照して説明
する。第2図におけるアルミニウム信号配線(4)、(
6)は水に浸された場合、腐食し断線する恐れがあるた
め、縦方向からの浸入に対しては表面をパシベーション
膜(7)によって保護しであるので問題ないが、横方向
からの浸入に対しては、ダイシングライン(6)上には
パシベーション膜がないため、ダイシングライン(6)
から半導体基板(1]とパシベーション膜(7)との間
を通って矢印(8)方向に水が浸入する。このダイシン
グライン(6)よシ浸入する水に対して以下のような対
、処を施した。
作に使用されるアルミニウム信号配線14)、(5)と
ダイシングライン(6)との間のP 13 G [9]
の存在しない領域でチップのダイシングライン(6)の
全内周に沿って設けられている。第1図に示すチップを
樹脂封止することにより樹脂封止型半導体集積回路装置
が構成される0 次に、上記実施例の作用について第2図を参照して説明
する。第2図におけるアルミニウム信号配線(4)、(
6)は水に浸された場合、腐食し断線する恐れがあるた
め、縦方向からの浸入に対しては表面をパシベーション
膜(7)によって保護しであるので問題ないが、横方向
からの浸入に対しては、ダイシングライン(6)上には
パシベーション膜がないため、ダイシングライン(6)
から半導体基板(1]とパシベーション膜(7)との間
を通って矢印(8)方向に水が浸入する。このダイシン
グライン(6)よシ浸入する水に対して以下のような対
、処を施した。
回路動作に直接関係しないアルミニウム配線(3)によ
って水及び水に含まれる各種イオンを消費させ、また構
造上の障壁として内部への水及び水に含まれる各種イオ
ンの浸入を妨げることができる。さらに、P S G
+91を内部へ後退させることにより、PSet91と
水との反応によって生成するリン酸から内部の回路動作
に必要なアルミニウム信号配線+41.+51”保護す
ることができる。
って水及び水に含まれる各種イオンを消費させ、また構
造上の障壁として内部への水及び水に含まれる各種イオ
ンの浸入を妨げることができる。さらに、P S G
+91を内部へ後退させることにより、PSet91と
水との反応によって生成するリン酸から内部の回路動作
に必要なアルミニウム信号配線+41.+51”保護す
ることができる。
なお、上記実施例では半導体集積回路として、アルミニ
ウム信号配線(4)、(5)のみを有するものについて
説明したが、この発明はどのような半導体集積回路にも
適用可能である。
ウム信号配線(4)、(5)のみを有するものについて
説明したが、この発明はどのような半導体集積回路にも
適用可能である。
以上のように、この発明によれば回路動作に使用される
アルミニウム信号配線1Ps()?介して設けた半導体
集積回路に於て上記アルミニウム信号配線と半導体チッ
プのダイシングラインとの間のPSGの存在しない領域
に回路動作に使用されないアルミニウム配線を設けたの
で、樹脂封止型半導体集積回路装置の耐湿性を高−め得
る効果がある。
アルミニウム信号配線1Ps()?介して設けた半導体
集積回路に於て上記アルミニウム信号配線と半導体チッ
プのダイシングラインとの間のPSGの存在しない領域
に回路動作に使用されないアルミニウム配線を設けたの
で、樹脂封止型半導体集積回路装置の耐湿性を高−め得
る効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による半導体集積回路の平
面図、第2図は第1図の■−■線による拡大断面図であ
る。 図中111は半導体基板、(21は絶縁膜、(3)は回
路動作に直接関係しないアルミニウム配線、+41、(
6)はアルミニウム配線配線、(6)はダイシングライ
ン、(7)はパシベーション膜、(8)は浸入する水の
径路、(9)はPSGである。 なお、図中、同一符号は同一、又は泪当部分を示す。
面図、第2図は第1図の■−■線による拡大断面図であ
る。 図中111は半導体基板、(21は絶縁膜、(3)は回
路動作に直接関係しないアルミニウム配線、+41、(
6)はアルミニウム配線配線、(6)はダイシングライ
ン、(7)はパシベーション膜、(8)は浸入する水の
径路、(9)はPSGである。 なお、図中、同一符号は同一、又は泪当部分を示す。
Claims (2)
- (1)半導体集積回路チップを樹脂封止して成る樹脂封
止型半導体装置に於て、半導体基板上に少なくともPS
Gを介して、回路動作に使用されるアルミニウム信号配
線を設け、上記半導体チップのダイシングラインと上記
アルミニウム信号配線との間にPSGの存在しない領域
を設け、さらにその上に回路動作に使用されないアルミ
ニウム配線を前記PSGに接触されないように設けたこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。 - (2)回路動作に使用されないアルミニウム配線をダイ
シングライン全内周に沿つて設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21545385A JPS6276536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21545385A JPS6276536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6276536A true JPS6276536A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16672615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21545385A Pending JPS6276536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6276536A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50157065A (ja) * | 1974-06-07 | 1975-12-18 | ||
JPS5893324A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21545385A patent/JPS6276536A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50157065A (ja) * | 1974-06-07 | 1975-12-18 | ||
JPS5893324A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Nec Corp | 半導体装置 |
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