JPS6276536A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6276536A JPS6276536A JP21545385A JP21545385A JPS6276536A JP S6276536 A JPS6276536 A JP S6276536A JP 21545385 A JP21545385 A JP 21545385A JP 21545385 A JP21545385 A JP 21545385A JP S6276536 A JPS6276536 A JP S6276536A
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- JP
- Japan
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- aluminum
- wiring
- water
- integrated circuit
- circuit operation
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は樹脂封止型半導体集積回路装置に関するもの
である〇 〔従来の技術〕 従来の樹脂封止型半導体集積回路装置では、半導体チッ
プの最外周部分には配線を施すと断線の恐れがあるため
、配線が設けられていない余白の部分があり、最外周の
アルミニウム信号配線の外側には何の配線も設けられて
いない。
である〇 〔従来の技術〕 従来の樹脂封止型半導体集積回路装置では、半導体チッ
プの最外周部分には配線を施すと断線の恐れがあるため
、配線が設けられていない余白の部分があり、最外周の
アルミニウム信号配線の外側には何の配線も設けられて
いない。
このような従来の半導体集積回路装置では、半導体チッ
プ最外周のダイシングラインよシ水が浸入する可能性が
ある。一般に、アルミニクムに対して十分な水分子が存
在する条件下では、水酸化アルミニクム〔Ａｌ（ＯＨ）
ｓ） ができやすく、水酸化アルミニウムは酸にもア
ルカリにも溶ける性質がある。従って、アルミニウム信
号配線はアルカリ金属イオンや、ノ１０ゲン・イオンな
どの不純物を含゛む水に侵されやすい。さらに、アルミ
ニウム配線の下にあるＰ ｓ Ｇ （ｐｈｏｓｐｈｏ
−５ｉｌｉｃａｔｅ Ｐｌａｓｓ）が水と反応し、リン
酸が生成され、そのリン酸によレアルミニウム信号配線
が腐食されるという問題点がある。
プ最外周のダイシングラインよシ水が浸入する可能性が
ある。一般に、アルミニクムに対して十分な水分子が存
在する条件下では、水酸化アルミニクム〔Ａｌ（ＯＨ）
ｓ） ができやすく、水酸化アルミニウムは酸にもア
ルカリにも溶ける性質がある。従って、アルミニウム信
号配線はアルカリ金属イオンや、ノ１０ゲン・イオンな
どの不純物を含゛む水に侵されやすい。さらに、アルミ
ニウム配線の下にあるＰ ｓ Ｇ （ｐｈｏｓｐｈｏ
−５ｉｌｉｃａｔｅ Ｐｌａｓｓ）が水と反応し、リン
酸が生成され、そのリン酸によレアルミニウム信号配線
が腐食されるという問題点がある。
この発明は上記のような問題点全解消するたである。
この発明に係る半導体集積回路装置は、回路動作に使用
されるアルミニウム信号配線をＰＥＧを介して設けた半
導体集積回路装置に於て、半導体チップのダイシングラ
インと上記アルミニウム信号配線との間にＰＳＧが存在
しない領域を設け、さらにその上に回路動作に使用され
ないアルミニウム配線を設けたものである。
されるアルミニウム信号配線をＰＥＧを介して設けた半
導体集積回路装置に於て、半導体チップのダイシングラ
インと上記アルミニウム信号配線との間にＰＳＧが存在
しない領域を設け、さらにその上に回路動作に使用され
ないアルミニウム配線を設けたものである。
この発明における半導体集積回路装置は、ダイシングラ
インより水が浸入した場合、浸入した水をチップ最外周
部のＰＳＧが存在しない領域に設けた回路動作に使用さ
れないアルミニウム配線によって消費させ、内部のＰＥ
Ｇが存在する領域まで水を浸入させないことによシリン
酸の生成を防ぎ、アルミニウム信号配線の腐食を防止す
る。
インより水が浸入した場合、浸入した水をチップ最外周
部のＰＳＧが存在しない領域に設けた回路動作に使用さ
れないアルミニウム配線によって消費させ、内部のＰＥ
Ｇが存在する領域まで水を浸入させないことによシリン
酸の生成を防ぎ、アルミニウム信号配線の腐食を防止す
る。
以下、この発明を図に示す実施例ＶＣ基づいて説明する
。
。
第１図はこの発明の一実施例による半導体集積回路装置
のチップを示す平面図で、第２図１１第１図のＵ−ｎ＠
ＶＣよる拡大断面図である。第１図及び第８図に放て、
（１１は半導体集積回路の半導体基板、＋２１ｉこの半
導体基板の表面上に形成された絶縁膜、＋３１／／ｉ回
路動作に直接関係しないアルミニク配線で、この配線（
３）はダイシングライン（６）とアルミニウム信号配線
（４）の間でＰＳＧ（９）の存在しない領域に設けられ
ている。（４１、（５）は回路動作に使用される信号の
通るアルミニウム信号配線であり、アルミニウム配線＋
４１、！５＋の下にあるＰ Ｓ Ｇ ＋９１と絶縁膜（
２）との間には図に示す例では何もないが、Ｐ Ｓ Ｇ
＋９１と絶縁膜（２）との間にポリシリコン等の他の
層が介在することもある。（６１１−ｉ半導体集積回路
チップをダイシングする際のダイシングラインである。
のチップを示す平面図で、第２図１１第１図のＵ−ｎ＠
ＶＣよる拡大断面図である。第１図及び第８図に放て、
（１１は半導体集積回路の半導体基板、＋２１ｉこの半
導体基板の表面上に形成された絶縁膜、＋３１／／ｉ回
路動作に直接関係しないアルミニク配線で、この配線（
３）はダイシングライン（６）とアルミニウム信号配線
（４）の間でＰＳＧ（９）の存在しない領域に設けられ
ている。（４１、（５）は回路動作に使用される信号の
通るアルミニウム信号配線であり、アルミニウム配線＋
４１、！５＋の下にあるＰ Ｓ Ｇ ＋９１と絶縁膜（
２）との間には図に示す例では何もないが、Ｐ Ｓ Ｇ
＋９１と絶縁膜（２）との間にポリシリコン等の他の
層が介在することもある。（６１１−ｉ半導体集積回路
チップをダイシングする際のダイシングラインである。
ｔｅｌ Ｖ′ｉ表面を保護するパシベーション膜、（８
）は浸入する水の径路である。
）は浸入する水の径路である。
回路動作に使用されないアルミニク配線（３１は回路動
作に使用されるアルミニウム信号配線１４）、（５）と
ダイシングライン（６）との間のＰ １３ Ｇ ［９］
の存在しない領域でチップのダイシングライン（６）の
全内周に沿って設けられている。第１図に示すチップを
樹脂封止することにより樹脂封止型半導体集積回路装置
が構成される０ 次に、上記実施例の作用について第２図を参照して説明
する。第２図におけるアルミニウム信号配線（４）、（
６）は水に浸された場合、腐食し断線する恐れがあるた
め、縦方向からの浸入に対しては表面をパシベーション
膜（７）によって保護しであるので問題ないが、横方向
からの浸入に対しては、ダイシングライン（６）上には
パシベーション膜がないため、ダイシングライン（６）
から半導体基板（１］とパシベーション膜（７）との間
を通って矢印（８）方向に水が浸入する。このダイシン
グライン（６）よシ浸入する水に対して以下のような対
、処を施した。
作に使用されるアルミニウム信号配線１４）、（５）と
ダイシングライン（６）との間のＰ １３ Ｇ ［９］
の存在しない領域でチップのダイシングライン（６）の
全内周に沿って設けられている。第１図に示すチップを
樹脂封止することにより樹脂封止型半導体集積回路装置
が構成される０ 次に、上記実施例の作用について第２図を参照して説明
する。第２図におけるアルミニウム信号配線（４）、（
６）は水に浸された場合、腐食し断線する恐れがあるた
め、縦方向からの浸入に対しては表面をパシベーション
膜（７）によって保護しであるので問題ないが、横方向
からの浸入に対しては、ダイシングライン（６）上には
パシベーション膜がないため、ダイシングライン（６）
から半導体基板（１］とパシベーション膜（７）との間
を通って矢印（８）方向に水が浸入する。このダイシン
グライン（６）よシ浸入する水に対して以下のような対
、処を施した。
回路動作に直接関係しないアルミニウム配線（３）によ
って水及び水に含まれる各種イオンを消費させ、また構
造上の障壁として内部への水及び水に含まれる各種イオ
ンの浸入を妨げることができる。さらに、Ｐ Ｓ Ｇ
＋９１を内部へ後退させることにより、ＰＳｅｔ９１と
水との反応によって生成するリン酸から内部の回路動作
に必要なアルミニウム信号配線＋４１．＋５１”保護す
ることができる。
って水及び水に含まれる各種イオンを消費させ、また構
造上の障壁として内部への水及び水に含まれる各種イオ
ンの浸入を妨げることができる。さらに、Ｐ Ｓ Ｇ
＋９１を内部へ後退させることにより、ＰＳｅｔ９１と
水との反応によって生成するリン酸から内部の回路動作
に必要なアルミニウム信号配線＋４１．＋５１”保護す
ることができる。
なお、上記実施例では半導体集積回路として、アルミニ
ウム信号配線（４）、（５）のみを有するものについて
説明したが、この発明はどのような半導体集積回路にも
適用可能である。
ウム信号配線（４）、（５）のみを有するものについて
説明したが、この発明はどのような半導体集積回路にも
適用可能である。
以上のように、この発明によれば回路動作に使用される
アルミニウム信号配線１Ｐｓ（）？介して設けた半導体
集積回路に於て上記アルミニウム信号配線と半導体チッ
プのダイシングラインとの間のＰＳＧの存在しない領域
に回路動作に使用されないアルミニウム配線を設けたの
で、樹脂封止型半導体集積回路装置の耐湿性を高−め得
る効果がある。
アルミニウム信号配線１Ｐｓ（）？介して設けた半導体
集積回路に於て上記アルミニウム信号配線と半導体チッ
プのダイシングラインとの間のＰＳＧの存在しない領域
に回路動作に使用されないアルミニウム配線を設けたの
で、樹脂封止型半導体集積回路装置の耐湿性を高−め得
る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体集積回路の平
面図、第２図は第１図の■−■線による拡大断面図であ
る。 図中１１１は半導体基板、（２１は絶縁膜、（３）は回
路動作に直接関係しないアルミニウム配線、＋４１、（
６）はアルミニウム配線配線、（６）はダイシングライ
ン、（７）はパシベーション膜、（８）は浸入する水の
径路、（９）はＰＳＧである。 なお、図中、同一符号は同一、又は泪当部分を示す。
面図、第２図は第１図の■−■線による拡大断面図であ
る。 図中１１１は半導体基板、（２１は絶縁膜、（３）は回
路動作に直接関係しないアルミニウム配線、＋４１、（
６）はアルミニウム配線配線、（６）はダイシングライ
ン、（７）はパシベーション膜、（８）は浸入する水の
径路、（９）はＰＳＧである。 なお、図中、同一符号は同一、又は泪当部分を示す。
Claims (2)
- （１）半導体集積回路チップを樹脂封止して成る樹脂封
止型半導体装置に於て、半導体基板上に少なくともＰＳ
Ｇを介して、回路動作に使用されるアルミニウム信号配
線を設け、上記半導体チップのダイシングラインと上記
アルミニウム信号配線との間にＰＳＧの存在しない領域
を設け、さらにその上に回路動作に使用されないアルミ
ニウム配線を前記ＰＳＧに接触されないように設けたこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。 - （２）回路動作に使用されないアルミニウム配線をダイ
シングライン全内周に沿つて設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21545385A JPS6276536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21545385A JPS6276536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276536A true JPS6276536A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16672615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21545385A Pending JPS6276536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276536A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50157065A (ja) * | 1974-06-07 | 1975-12-18 | ||
| JPS5893324A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21545385A patent/JPS6276536A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50157065A (ja) * | 1974-06-07 | 1975-12-18 | ||
| JPS5893324A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Nec Corp | 半導体装置 |
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