JPS6267729A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6267729A JPS6267729A JP20937885A JP20937885A JPS6267729A JP S6267729 A JPS6267729 A JP S6267729A JP 20937885 A JP20937885 A JP 20937885A JP 20937885 A JP20937885 A JP 20937885A JP S6267729 A JPS6267729 A JP S6267729A
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- Japan
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- thin film
- substrate
- sputtering
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、1産化に適したスパッタ法による垂直磁気記
録媒体の製造方法に関するものである。
録媒体の製造方法に関するものである。
(ロ)従来の技術
第9図に示すようKCo−Cr、 Co−Cr −Rh
などの強磁性金属の垂直磁化膜(2)を非磁性基板(1
j上にスパッタ形成して得られる垂直磁気記録媒体は、
残留磁束密度が大きく高密度記録に適している。
などの強磁性金属の垂直磁化膜(2)を非磁性基板(1
j上にスパッタ形成して得られる垂直磁気記録媒体は、
残留磁束密度が大きく高密度記録に適している。
例えば、PET、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チックフィルム等の非磁性基板上に、Co−Crなどの
磁化膜を高速スパッタ形成する方法として対向ターゲッ
ト式スパッタ法、マグネトロン式スパッタ法を応用する
ことが提案されている。(雑誌「応用物理第48巻第6
Ji+第557〜561頁「新しいスパッタ膜形成技術
の動向」)第10図は一般的な対向ターゲット式スパッ
タ法を利用した磁気テープ製造装置の概略図である。
チックフィルム等の非磁性基板上に、Co−Crなどの
磁化膜を高速スパッタ形成する方法として対向ターゲッ
ト式スパッタ法、マグネトロン式スパッタ法を応用する
ことが提案されている。(雑誌「応用物理第48巻第6
Ji+第557〜561頁「新しいスパッタ膜形成技術
の動向」)第10図は一般的な対向ターゲット式スパッ
タ法を利用した磁気テープ製造装置の概略図である。
この装置において、まず真空槽を十分排気した後、Ar
ガスを導入し、スパッタ電源(4)によりターゲット(
15)(5)′(例えばCo−Cr合金板)に負の高電
圧を印加するとArガスがイオン化してプラズマ放電が
起る。この正に帯電したArイオンが前記ターゲットに
衝突すると、ターゲット表面の粒子がスパッタされてキ
ャンローラ(6)によって定速移送される非磁性基板(
lj上にCo−Crなどの磁化膜か形成される。そして
キャンローラ(6)の局面の一部をキャンマスク(9)
で被覆し、キャンローラ(6)に縮開案内される非磁性
基板(1)に対するスパッタ金属の入射角度を規制する
と、基板上に垂直磁化膜が形成される。
ガスを導入し、スパッタ電源(4)によりターゲット(
15)(5)′(例えばCo−Cr合金板)に負の高電
圧を印加するとArガスがイオン化してプラズマ放電が
起る。この正に帯電したArイオンが前記ターゲットに
衝突すると、ターゲット表面の粒子がスパッタされてキ
ャンローラ(6)によって定速移送される非磁性基板(
lj上にCo−Crなどの磁化膜か形成される。そして
キャンローラ(6)の局面の一部をキャンマスク(9)
で被覆し、キャンローラ(6)に縮開案内される非磁性
基板(1)に対するスパッタ金属の入射角度を規制する
と、基板上に垂直磁化膜が形成される。
第10図において、())は供給ローラ、(8)は巻取
ローラ、101(+01 I/i7”ラズマ収束用の磁
石を示す。
ローラ、101(+01 I/i7”ラズマ収束用の磁
石を示す。
非磁性基板+11上に堆積するスパッタ粒子の初期入射
角θiを一定値以下に制限することは、高性能な垂直磁
化膜を形成する上で不可欠である。
角θiを一定値以下に制限することは、高性能な垂直磁
化膜を形成する上で不可欠である。
一方、初期入射角θiを小さくすると、スパッタ金属(
粒子)の非磁性基板上への堆積率が悪くなり、量産効率
が著しく低下するという問題を桟す。
粒子)の非磁性基板上への堆積率が悪くなり、量産効率
が著しく低下するという問題を桟す。
またキャンローラ(6)を加熱して非磁性基板+13’
に高温に保持することはその上に高保磁力を持つ垂直磁
化膜を形成する上で不可欠である。
に高温に保持することはその上に高保磁力を持つ垂直磁
化膜を形成する上で不可欠である。
一方非磁性基板温度を一定温度以上に加熱させることは
、PETフィルム等、耐熱性の低い基板等への熱損傷を
発生させ、またポリアミド、ポリイミドフィルム等の1
耐熱性を有する基板の場合でも磁化膜形成中に基板自身
のしわを生じさせ垂直磁化膜の形成を困難にするという
問題を残すことになる。
、PETフィルム等、耐熱性の低い基板等への熱損傷を
発生させ、またポリアミド、ポリイミドフィルム等の1
耐熱性を有する基板の場合でも磁化膜形成中に基板自身
のしわを生じさせ垂直磁化膜の形成を困難にするという
問題を残すことになる。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
本発明はスパッタ中の非磁性基板温度の上昇による熱損
傷及びしわの発生を防ぐことにより、高性能な垂U!磁
気記録謀体を量産性よく製造するための方法を提供する
ものである。
傷及びしわの発生を防ぐことにより、高性能な垂U!磁
気記録謀体を量産性よく製造するための方法を提供する
ものである。
に)問題点を解決するための手段
定速移送される非磁性基板を比較的高i!in(T t
℃以上)K保ち、その上にCo−Cr等の強磁性金属を
スパッタ法により被着して少くとも7006e以上の高
保磁力を呈し後の工程でその上に被着するスパッタ粒子
のエピタキシャルな結晶成長を可能とする第1薄膜を形
成すると共に、前記第1薄膜上にスパッタされた強磁性
金属を上記非磁性基板の温度を比較的低温(T1℃以下
、但しT2くT1)に保ち乍ら被着せしめ第2薄膜をエ
ピタキシャルに成長形成する 、 −
〜 (ホ)作 用 PET等の耐熱性の低いフィルム基板上に第1薄膜を形
成する際に、基板温度11以上でスパッタリングすると
とくよシ、高保磁力でその上に後の工程で低温で被着す
るスパッタ粒子のエピタキシャルな結晶成長を可能とす
る薄膜を形成する。
℃以上)K保ち、その上にCo−Cr等の強磁性金属を
スパッタ法により被着して少くとも7006e以上の高
保磁力を呈し後の工程でその上に被着するスパッタ粒子
のエピタキシャルな結晶成長を可能とする第1薄膜を形
成すると共に、前記第1薄膜上にスパッタされた強磁性
金属を上記非磁性基板の温度を比較的低温(T1℃以下
、但しT2くT1)に保ち乍ら被着せしめ第2薄膜をエ
ピタキシャルに成長形成する 、 −
〜 (ホ)作 用 PET等の耐熱性の低いフィルム基板上に第1薄膜を形
成する際に、基板温度11以上でスパッタリングすると
とくよシ、高保磁力でその上に後の工程で低温で被着す
るスパッタ粒子のエピタキシャルな結晶成長を可能とす
る薄膜を形成する。
その後基板温度T2 <Tl (T2は基板の融点に比
して著しく低い)の関係にある基板温度T2で第1薄膜
上に強磁性金属をスパッタリングしエビタキシャ〃に結
晶成長させて第2薄膜を形成させると基板の熱損傷を無
くし、高性能な垂直磁化膜が形成される。
して著しく低い)の関係にある基板温度T2で第1薄膜
上に強磁性金属をスパッタリングしエビタキシャ〃に結
晶成長させて第2薄膜を形成させると基板の熱損傷を無
くし、高性能な垂直磁化膜が形成される。
(へ)実施例
本発明の基礎となる実験
(1)第10図の対向ターゲット式スパッタ装置を用い
て、ポリイミドフィルムベース上にCo−Crをスパッ
タリングする際に、初期入射角θiとフィルムベース上
に形成されたCo−Cr膜の残留磁化比MV/MHとの
関係を測定した。第2図は、測定結果を初期入射角θi
を横軸に、残留磁化比MV/MHを縦軸にとって表わし
たものである。
て、ポリイミドフィルムベース上にCo−Crをスパッ
タリングする際に、初期入射角θiとフィルムベース上
に形成されたCo−Cr膜の残留磁化比MV/MHとの
関係を測定した。第2図は、測定結果を初期入射角θi
を横軸に、残留磁化比MV/MHを縦軸にとって表わし
たものである。
この図から明らかなように初期入射角θiが小さい程、
Co−Cr膜の残留磁化比MY/MHが大きくなる。M
V/M Hが1以上であることが垂直磁化膜の条件で
あるから、第2図から明らかな様に、Co−Cr垂直磁
化膜を得るには初期入射角θiを15°以内に制限する
必要があることが分る。
Co−Cr膜の残留磁化比MY/MHが大きくなる。M
V/M Hが1以上であることが垂直磁化膜の条件で
あるから、第2図から明らかな様に、Co−Cr垂直磁
化膜を得るには初期入射角θiを15°以内に制限する
必要があることが分る。
(2)同様に、第10図の装置を用いて、ポリイミドフ
ィルムベース上K、Co−Crをスパッタリングする際
に、初期入射角θiとフィルムベース上に形成されるC
o−Cr膜の堆積効率の関係を測定した。第3図に初期
入射角θi(横軸)とCo−Cr膜の堆積効率(縦軸)
との関係を示す。
ィルムベース上K、Co−Crをスパッタリングする際
に、初期入射角θiとフィルムベース上に形成されるC
o−Cr膜の堆積効率の関係を測定した。第3図に初期
入射角θi(横軸)とCo−Cr膜の堆積効率(縦軸)
との関係を示す。
第10図のスパッタ装置の構造上、初期入射角θ1=4
5はキャンマスク(9)を取外した状態と同等である。
5はキャンマスク(9)を取外した状態と同等である。
ここではキャンプ2、り(9)を取外したときの堆積効
率を1として規格化した。この図から分るように初期入
射角θ1=15 (即ちMY/MH=1 )のとき堆
積効率は0.7となる。MV/MHが1.5以上の更に
高性能なCo −Cr垂直磁化膜(MV/MHが大きい
程、高記鐘密度に適する)を得るためには、@2図から
初期入射角θiを5以内に制限する必要があるが、この
とき堆積効率は0.5以下に低下する。
率を1として規格化した。この図から分るように初期入
射角θ1=15 (即ちMY/MH=1 )のとき堆
積効率は0.7となる。MV/MHが1.5以上の更に
高性能なCo −Cr垂直磁化膜(MV/MHが大きい
程、高記鐘密度に適する)を得るためには、@2図から
初期入射角θiを5以内に制限する必要があるが、この
とき堆積効率は0.5以下に低下する。
前述の2つの実験++1(21から、高速ス/(ツタ法
により高性能な垂直磁化膜を移動する非磁性基板上に形
成するには、スパッタ粒子の初期入射角θiを小さくす
る必要があり、その結果スノくツタ粒子の堆積効率が低
下するという背反する要因があることが判った。
により高性能な垂直磁化膜を移動する非磁性基板上に形
成するには、スパッタ粒子の初期入射角θiを小さくす
る必要があり、その結果スノくツタ粒子の堆積効率が低
下するという背反する要因があることが判った。
(3)上述の実験結果に基づいて、本発明者等はポリイ
ミドフィルムベース上に(o−Crをスノ(ツタリング
被着させる際に、第1薄膜@1)(!4図)を小さい初
期入射角でスパッタリング被着せしめ、垂直対水平残留
磁化比が1以上でエピタキシャルな結晶成長を可能とす
る第1薄暎を形成し、その(て 上θ2≫θ1 の角度で第2薄膜(22【第4図]をΔ スパッタリング被着させれば垂直対水平残留磁化比が1
以上の薄膜が効率よく形成されるので1r!ないかとい
う予測を基に、初期入射角θi=5 でCo−Cr膜の
第1薄膜りυを種々の膜厚で形成し、更にその上に初期
入射角θi−45−でCo−Cr膜の第2薄膜□□□を
全厚tが0.3声mになるように形成したときの第14
膜の膜厚と全Mica−Cr膜の残留磁化比M V/M
Hとの関係を求めた。第5図は、第14膜圓の厚み′
lt横軸、垂直対水平残留磁化比M V / M Hを
縦軸にとり、実験(3)の結果を示すものである。
ミドフィルムベース上に(o−Crをスノ(ツタリング
被着させる際に、第1薄膜@1)(!4図)を小さい初
期入射角でスパッタリング被着せしめ、垂直対水平残留
磁化比が1以上でエピタキシャルな結晶成長を可能とす
る第1薄暎を形成し、その(て 上θ2≫θ1 の角度で第2薄膜(22【第4図]をΔ スパッタリング被着させれば垂直対水平残留磁化比が1
以上の薄膜が効率よく形成されるので1r!ないかとい
う予測を基に、初期入射角θi=5 でCo−Cr膜の
第1薄膜りυを種々の膜厚で形成し、更にその上に初期
入射角θi−45−でCo−Cr膜の第2薄膜□□□を
全厚tが0.3声mになるように形成したときの第14
膜の膜厚と全Mica−Cr膜の残留磁化比M V/M
Hとの関係を求めた。第5図は、第14膜圓の厚み′
lt横軸、垂直対水平残留磁化比M V / M Hを
縦軸にとり、実験(3)の結果を示すものである。
この図からM V/M Hが1以上のCo−Cr膜を得
るには第1薄膜の膜厚を0.07μm以上にすればよい
ことが分る。第1薄膜の膜厚が0.1μm以上でMV/
MI(が最大値1.5になる。このように第1薄膜を初
期入射角θiを十分小さくして形成すれば結晶粒子が膜
面に垂直に成長し易くなり更にその上に第2N膜を初期
入射角θiを極力大きくして形成しても、第2薄膜の膜
は第1薄膜の上にエビタクシャルに、結晶成長する念め
、第2薄膜も垂直配向性のよい結晶粒子層上なり、その
結果残留磁化比MV/MHの大きい膜を得ることができ
る。従って、第24膜を高い堆積効率で形成することが
できるので高性能な垂直磁気記録媒体の最産性が向上す
る。
るには第1薄膜の膜厚を0.07μm以上にすればよい
ことが分る。第1薄膜の膜厚が0.1μm以上でMV/
MI(が最大値1.5になる。このように第1薄膜を初
期入射角θiを十分小さくして形成すれば結晶粒子が膜
面に垂直に成長し易くなり更にその上に第2N膜を初期
入射角θiを極力大きくして形成しても、第2薄膜の膜
は第1薄膜の上にエビタクシャルに、結晶成長する念め
、第2薄膜も垂直配向性のよい結晶粒子層上なり、その
結果残留磁化比MV/MHの大きい膜を得ることができ
る。従って、第24膜を高い堆積効率で形成することが
できるので高性能な垂直磁気記録媒体の最産性が向上す
る。
(4)・第10図の対向ターゲット式スパッタ装置を用
いて、ポリイミドフィルムベース上にCo−Crtスパ
ッタリングする際に、フィルム基板温度とフィルム基板
上【形成されたC o −Cr膜の垂直方向保磁力Hc
よの関係を測定した。第6図は、測定結果を基板温度を
横軸に垂直方向保磁力を縦軸にとって表わしたものであ
る。
いて、ポリイミドフィルムベース上にCo−Crtスパ
ッタリングする際に、フィルム基板温度とフィルム基板
上【形成されたC o −Cr膜の垂直方向保磁力Hc
よの関係を測定した。第6図は、測定結果を基板温度を
横軸に垂直方向保磁力を縦軸にとって表わしたものであ
る。
この図から明らかな様に基板温度Tsが高い程Co−C
r模の垂直方向保磁力HCLが高くなる。
r模の垂直方向保磁力HCLが高くなる。
リングヘッドによる垂f亘磁気記録では少なくとも垂直
方向保磁力Hc上が7000 e以上、好ましくけ10
000e程度の膜が必要であるから、第6図から明らか
な様に、Co−Cr垂直磁化膜を得るには基板温度を少
なくとも100°C以上好ましくは110〜120℃程
度(でする必要がある。
方向保磁力Hc上が7000 e以上、好ましくけ10
000e程度の膜が必要であるから、第6図から明らか
な様に、Co−Cr垂直磁化膜を得るには基板温度を少
なくとも100°C以上好ましくは110〜120℃程
度(でする必要がある。
この様な実験結果から明らかな如く、高速スパック法に
より高性能な非直磁化妬を移動する非磁性基板上に形成
するには、基板温Jにを高くする必要があるが、高エネ
ルギーのスパッタ粒子の堆積により基板温度が更に上昇
するためPETフィルム等の耐熱性の低い基板上には膜
形成が困難になる。
より高性能な非直磁化妬を移動する非磁性基板上に形成
するには、基板温Jにを高くする必要があるが、高エネ
ルギーのスパッタ粒子の堆積により基板温度が更に上昇
するためPETフィルム等の耐熱性の低い基板上には膜
形成が困難になる。
実験に依ればPETフィルムに熱損傷、しわ発生なく、
膜厚0.3μmを膜形成できる基板温度は70℃以下で
あることが確認された。
膜厚0.3μmを膜形成できる基板温度は70℃以下で
あることが確認された。
(6)上述の実験結果に基づいて本発明者らは、PET
フィルムベース上1cco−(rをスパッタリング被着
させる際に第1薄膜2υ(第4図)を高い基板温度Tl
で膜厚を薄くしてスパッタリング被着せしめ、高垂直方
向保磁力でエピタキシャルな結晶成長可能とする第1薄
膜を形成し、その上KT1よりも低温の基板温度T2で
第2薄膜n<第4図)をスパッタリング被着させれば高
垂直方向保磁力の薄膜が形成されるのではないかという
予測を基に、基板温度Tsfl)=120℃でCo−C
r膜の第1薄膜ンりを種凌の膜厚で形成し更にその上に
第2薄膜翰を基板温度60℃、全厚 が0.3μmにな
るように形成したときの第1N膜の膜厚と全層Co−C
r膜の垂直方向保磁力HCIの関係を求めた、第7図は
第1薄膜圓の膜厚を横軸、垂直方向保磁力HCJLを縦
軸にとって示し九ものである。
フィルムベース上1cco−(rをスパッタリング被着
させる際に第1薄膜2υ(第4図)を高い基板温度Tl
で膜厚を薄くしてスパッタリング被着せしめ、高垂直方
向保磁力でエピタキシャルな結晶成長可能とする第1薄
膜を形成し、その上KT1よりも低温の基板温度T2で
第2薄膜n<第4図)をスパッタリング被着させれば高
垂直方向保磁力の薄膜が形成されるのではないかという
予測を基に、基板温度Tsfl)=120℃でCo−C
r膜の第1薄膜ンりを種凌の膜厚で形成し更にその上に
第2薄膜翰を基板温度60℃、全厚 が0.3μmにな
るように形成したときの第1N膜の膜厚と全層Co−C
r膜の垂直方向保磁力HCIの関係を求めた、第7図は
第1薄膜圓の膜厚を横軸、垂直方向保磁力HCJLを縦
軸にとって示し九ものである。
この図からHc−L(垂直方向の保磁力)が10000
ea度のGo−Cr膜を得るには第1薄暎のII/J1
!lを0.02μm以上にすればよいことがわかる0 次に基板8度T1=120℃でCo−Cr膜の第1f4
嘆シl)を杉成し、くにその上に第2薄膜固を種々の基
板lPA度T2で全厚が0.3μmになる様に形成した
ときの第2/l漢の基板温度T2と全層Co−Cr膜の
垂直方向保磁力Hc↓の関係を求めた。
ea度のGo−Cr膜を得るには第1薄暎のII/J1
!lを0.02μm以上にすればよいことがわかる0 次に基板8度T1=120℃でCo−Cr膜の第1f4
嘆シl)を杉成し、くにその上に第2薄膜固を種々の基
板lPA度T2で全厚が0.3μmになる様に形成した
ときの第2/l漢の基板温度T2と全層Co−Cr膜の
垂直方向保磁力Hc↓の関係を求めた。
第8図は、第2薄114!(支)の基板温度T S (
2+を横軸、垂・電方向保磁力HcJ−を縦軸にとって
示したものである。
2+を横軸、垂・電方向保磁力HcJ−を縦軸にとって
示したものである。
この図からHcJ−が7000e以上のCo−Cr膜を
得るには第2薄膜の基Vi温度T s +2)を40℃
以上にすればよいことがわかる。
得るには第2薄膜の基Vi温度T s +2)を40℃
以上にすればよいことがわかる。
上述の実験により、第14漢形成時の基板温度を120
℃、膜厚を0.02μm以上とし、$2/1膜の基板a
jFをso’c、全厚を0.3μmとすれば垂直方向保
磁力HcJ−が10000e程度となる。
℃、膜厚を0.02μm以上とし、$2/1膜の基板a
jFをso’c、全厚を0.3μmとすれば垂直方向保
磁力HcJ−が10000e程度となる。
この様に第1薄膜を基板温度を十分高くして極薄く形成
すれば第2薄膜基板温度を低くしても第24膜は第1薄
膜の上にエビタキシャ〃に結晶成長するため第2薄膜に
おいて高垂直方向保磁力の膜を得ることができる。
すれば第2薄膜基板温度を低くしても第24膜は第1薄
膜の上にエビタキシャ〃に結晶成長するため第2薄膜に
おいて高垂直方向保磁力の膜を得ることができる。
第1薄膜は極薄いため、高エネルギーのスパッタ粒子の
堆積による基板温度の上昇が低く、従ってPET等耐熱
性の低いフィルム上にも基板熱損傷無く膜形成すること
ができる。
堆積による基板温度の上昇が低く、従ってPET等耐熱
性の低いフィルム上にも基板熱損傷無く膜形成すること
ができる。
製造装置
第1図は、本発明の製造方法を実施する之めの装置の一
実施例を示すものである。この装置は基本的に対向ター
ゲット方式のスパッタリング装置を採用している。
実施例を示すものである。この装置は基本的に対向ター
ゲット方式のスパッタリング装置を採用している。
この装置では、真空4(3)の中央にそれぞれ背面にプ
ラズマ集束用の永久磁石no+ ttofを備えるCo
−Crの対向ターゲラ) +51+51’ft2し、そ
の左右の開口に而して一対のキャンローラr61ief
を配置している。前記各キャンローラの局面を纒周して
移送されるPET(daポリイミド)フイ〃ム11)は
供給ローA/ 171−キャンローラ(6)−案内ロー
ル(川(11)(川(川−・キャンロール+ef−巻取
ロール(8)の径路で略定速で移送される。
ラズマ集束用の永久磁石no+ ttofを備えるCo
−Crの対向ターゲラ) +51+51’ft2し、そ
の左右の開口に而して一対のキャンローラr61ief
を配置している。前記各キャンローラの局面を纒周して
移送されるPET(daポリイミド)フイ〃ム11)は
供給ローA/ 171−キャンローラ(6)−案内ロー
ル(川(11)(川(川−・キャンロール+ef−巻取
ロール(8)の径路で略定速で移送される。
キャンローラ!61 (6どの局面に沿って案内される
PETフィルム(11は、いずれも同じ面がスパッタリ
ング装置(S)の開口側に面する様に案内される3両キ
ャンロール(61!61’へのスパッタ粒子の入射角及
び膜堆積速度は水冷式のキャンマスク、91 :9どに
より調整することが出来る。実施例では、供給ローA/
(T)側のキャンマスク(9)の初期入射角θi (
a)を5に設定し、巻取りローラ(8)側のキャンマス
ク;9)′の初期入射角θi (b)を45に設定した
。
PETフィルム(11は、いずれも同じ面がスパッタリ
ング装置(S)の開口側に面する様に案内される3両キ
ャンロール(61!61’へのスパッタ粒子の入射角及
び膜堆積速度は水冷式のキャンマスク、91 :9どに
より調整することが出来る。実施例では、供給ローA/
(T)側のキャンマスク(9)の初期入射角θi (
a)を5に設定し、巻取りローラ(8)側のキャンマス
ク;9)′の初期入射角θi (b)を45に設定した
。
上記PETフィルム(非磁性基板)の温度は前記両キャ
ンローA/ +61 +6どをロールに内蔵するヒータ
等によって加熱しロール温度を調整することにより任意
に設定することが出来る。この実施例では、供給ロー/
L/1711tllIのキャンローラ(6)に巻付けら
れその上に第1薄模が形成されるPETフィルム(1)
の温度を120℃に設定し、巻取ローラαa側のキャン
ローラ(6)′に巻付られその上に第2薄模が形成され
るPETフィルムmの温度を60℃に設定した。
ンローA/ +61 +6どをロールに内蔵するヒータ
等によって加熱しロール温度を調整することにより任意
に設定することが出来る。この実施例では、供給ロー/
L/1711tllIのキャンローラ(6)に巻付けら
れその上に第1薄模が形成されるPETフィルム(1)
の温度を120℃に設定し、巻取ローラαa側のキャン
ローラ(6)′に巻付られその上に第2薄模が形成され
るPETフィルムmの温度を60℃に設定した。
この様な構成で、まず、真空槽内11XIOTorrに
排気した停、Arガスと導入して2X10−8Torr
とし、PETフィルムを、15cm/minの送り速
度で移動させながら、スパッタ電力密度10w/am2
でCo−Cr膜を形成すると膜厚0.3μm垂直方向保
磁力Hc上が10000eの良好な垂直磁化膜を、PE
Tフィルム上に熱損傷なくかつしわ発生もなく形成する
ことができな。
排気した停、Arガスと導入して2X10−8Torr
とし、PETフィルムを、15cm/minの送り速
度で移動させながら、スパッタ電力密度10w/am2
でCo−Cr膜を形成すると膜厚0.3μm垂直方向保
磁力Hc上が10000eの良好な垂直磁化膜を、PE
Tフィルム上に熱損傷なくかつしわ発生もなく形成する
ことができな。
発明者等の実験に依れば高性能なCo−Cr垂直磁気記
録謀媒体PETフィルム等の1#熱性の無い基板上でも
製造し得ることが確認できた。
録謀媒体PETフィルム等の1#熱性の無い基板上でも
製造し得ることが確認できた。
上記実施例では対向ターゲット式スパッタ法でデラスチ
ックフイ〃ム上にCo−Cr膜を形成する場合について
述べたが、本発明はこれに限定するものでなく、マグネ
トロン式スパッタ法でも、C0−Cr3以外のCo −
Cr −Rh等の垂直磁化、嘆でも同様の効果が得られ
ることが判った。
ックフイ〃ム上にCo−Cr膜を形成する場合について
述べたが、本発明はこれに限定するものでなく、マグネ
トロン式スパッタ法でも、C0−Cr3以外のCo −
Cr −Rh等の垂直磁化、嘆でも同様の効果が得られ
ることが判った。
上記実施例では、対向ターゲット式スパッタ決でプラス
チックフィ゛yム上にCo−Cr膜を形成する場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限定するものではなく、
マグネトロン式スパッタ法でも、Co−Cr膜以外のC
o−Cr−Rh等の垂直磁化膜でも同様の効果が得られ
る。
チックフィ゛yム上にCo−Cr膜を形成する場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限定するものではなく、
マグネトロン式スパッタ法でも、Co−Cr膜以外のC
o−Cr−Rh等の垂直磁化膜でも同様の効果が得られ
る。
尚上述の実施例では垂直磁気記鐙媒体の製法を例にとっ
て説明したが、本発明はこれに限定されるものでなくそ
の場合スパッタリングの入射角θlを絞り込む必要はな
い。
て説明したが、本発明はこれに限定されるものでなくそ
の場合スパッタリングの入射角θlを絞り込む必要はな
い。
本発明を垂直磁気記録媒体の製法に応用する場合にはス
パッタリングする強磁性金属の堆積効率を向上するため
に第1薄膜形成時の入射角σ!分絞り、第2薄膜形成時
の入射角θ2を出来るだけ開放することが望ましい。
パッタリングする強磁性金属の堆積効率を向上するため
に第1薄膜形成時の入射角σ!分絞り、第2薄膜形成時
の入射角θ2を出来るだけ開放することが望ましい。
(ト) 発明の効果
本発明によれば、PET等の#熱性の低いフィルム基板
上に高保磁力の磁性層を能率よく形成出来、特に、垂直
対水平残留磁化率の高い高性能な垂直磁気記録媒体の量
産効率の良い製造法を提供することができる。
上に高保磁力の磁性層を能率よく形成出来、特に、垂直
対水平残留磁化率の高い高性能な垂直磁気記録媒体の量
産効率の良い製造法を提供することができる。
第1図乃至第8図は本発明に係り、第1図は製造装置の
概略図、第2図は初期入射角θi対C0−Cr膜の残留
磁化比の関係を示す図、第3図は初期入射角θi対Co
−Cr膜の堆債効率比の間流を示′t″図、!!4図I
i磁気媒体の部分断面図、第5図はCo−Crの第1薄
膜厚対G o −Cr dcJl、f#膜膜部第2薄膜
のM v / M Hの関係を示す図、第6図は基板温
度対保持磁力Hcの関係を示す図、第7図はCo−Cr
(第1薄膜の膜厚)対C。 −Cr(第1薄膜十第2薄膜)の保磁力の関係を示f図
、第8図は@2薄膜の基板温度対Co−Cr喚の保磁力
の関係を示す図である。 第9図及び第10図は従来例に係り、第9図は磁気記録
媒体の部分断面図、第10図は製造装置の概略図である
。 (1)・・・PETフィルム、[) +6+・・・ギャ
シローラ、(6)(5)・・・対向ターゲラ)、(T1
・・・供給ローラ、H・・・巻取ロー 7 、i9)・
・キャンマスク。 第1図 第5図 (λ) 冨111(Co−Cr)al!!厚(μm)第6図 第7図 ↑ Co−Cr5J1t Nl d Tg−6(pm)第8
図 121#co(:4’f濫7t Ts+2+(’C)第
和図 手 続 補 正 書(自発) 昭和60年10月31日 1、事件の表示 昭和60年特許願第209578 号2、発明の名称 磁気記録媒体の製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人 名体 (188)三洋電機株式会社 4、代 理 人 住所 守口市京阪本通2丁目18番地 予、′I 〔倶、1 。 5、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 6、補正の内容 O明細書第9頁第9行目中、「0.07μm以、辷」を
[0゜02μmll上」と訂正する。 O同第9頁第10行目中、rO,1pm以上」を「0.
05メLm以上」と訂正する。 O明細書第12頁第20行口中、「50℃」を「60℃
」と訂正する。 以上
概略図、第2図は初期入射角θi対C0−Cr膜の残留
磁化比の関係を示す図、第3図は初期入射角θi対Co
−Cr膜の堆債効率比の間流を示′t″図、!!4図I
i磁気媒体の部分断面図、第5図はCo−Crの第1薄
膜厚対G o −Cr dcJl、f#膜膜部第2薄膜
のM v / M Hの関係を示す図、第6図は基板温
度対保持磁力Hcの関係を示す図、第7図はCo−Cr
(第1薄膜の膜厚)対C。 −Cr(第1薄膜十第2薄膜)の保磁力の関係を示f図
、第8図は@2薄膜の基板温度対Co−Cr喚の保磁力
の関係を示す図である。 第9図及び第10図は従来例に係り、第9図は磁気記録
媒体の部分断面図、第10図は製造装置の概略図である
。 (1)・・・PETフィルム、[) +6+・・・ギャ
シローラ、(6)(5)・・・対向ターゲラ)、(T1
・・・供給ローラ、H・・・巻取ロー 7 、i9)・
・キャンマスク。 第1図 第5図 (λ) 冨111(Co−Cr)al!!厚(μm)第6図 第7図 ↑ Co−Cr5J1t Nl d Tg−6(pm)第8
図 121#co(:4’f濫7t Ts+2+(’C)第
和図 手 続 補 正 書(自発) 昭和60年10月31日 1、事件の表示 昭和60年特許願第209578 号2、発明の名称 磁気記録媒体の製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人 名体 (188)三洋電機株式会社 4、代 理 人 住所 守口市京阪本通2丁目18番地 予、′I 〔倶、1 。 5、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 6、補正の内容 O明細書第9頁第9行目中、「0.07μm以、辷」を
[0゜02μmll上」と訂正する。 O同第9頁第10行目中、rO,1pm以上」を「0.
05メLm以上」と訂正する。 O明細書第12頁第20行口中、「50℃」を「60℃
」と訂正する。 以上
Claims (4)
- (1)スパッタ法により非磁性基板上に強磁性金属膜を
形成する磁気記録媒体の製造方法において、定速移送さ
れる前記非磁性基板を比較的高温(T1℃以上)に保ち
、その上に強磁性金属をスパッタ法により被着して少く
とも7000e以上の高保磁力を呈し後の工程でその上
に被着するスパッタ粒子のエピタキシャルな結晶成長を
可能とする第1薄膜を形成すると共に、前記第1薄膜上
にスパッタされた強磁性金属を上記非磁性基板の温度を
比較的低温(T2℃以下、但しT2<T1)に保ち乍ら
被着せしめ第2薄膜をエピタキシャルに成長形成するこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - (2)上記第1薄膜を入射角θ1(但しθ1≧15°)
で、厚み0.02μm以上に、上記第2薄膜を入射角θ
2(θ2≫θ1)の角度でそれぞれ被着させることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の垂直磁気記録媒体
の製造方法。 - (3)上記非磁性基板としてPETフィルムを用い前記
温度T1℃を100℃、T2℃を70℃としたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項若しくは第2項記載の垂
直磁気記録媒体の製造方法。 - (4)強磁性金属をスパッタするために対向ターゲット
方式を採用したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
或は第2項若しくは第3項記載の垂直磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20937885A JPS6267729A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
US06/864,357 US4767516A (en) | 1985-05-20 | 1986-05-19 | Method for making magnetic recording media |
DE8686106807T DE3682942D1 (de) | 1985-05-20 | 1986-05-20 | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung magnetischer aufzeichnungstraeger. |
EP86106807A EP0202645B1 (en) | 1985-05-20 | 1986-05-20 | Method and apparatus for making magnetic recording media |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20937885A JPS6267729A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6267729A true JPS6267729A (ja) | 1987-03-27 |
JPH0555930B2 JPH0555930B2 (ja) | 1993-08-18 |
Family
ID=16571927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20937885A Granted JPS6267729A (ja) | 1985-05-20 | 1985-09-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6267729A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010059528A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-18 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5680831A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-02 | Toshiba Corp | Producing device for magnetic recording medium |
JPS59129944A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-26 | Anelva Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体の製造装置 |
JPS59210531A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-29 | Teijin Ltd | 磁気記録媒体及びその製造法 |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP20937885A patent/JPS6267729A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5680831A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-02 | Toshiba Corp | Producing device for magnetic recording medium |
JPS59129944A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-26 | Anelva Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体の製造装置 |
JPS59210531A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-29 | Teijin Ltd | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010059528A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-18 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムの製造方法 |
US8236388B2 (en) | 2008-09-08 | 2012-08-07 | Fujifilm Corporation | Method of producing gas barrier film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0555930B2 (ja) | 1993-08-18 |
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