JPS61283031A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS61283031A JPS61283031A JP10776285A JP10776285A JPS61283031A JP S61283031 A JPS61283031 A JP S61283031A JP 10776285 A JP10776285 A JP 10776285A JP 10776285 A JP10776285 A JP 10776285A JP S61283031 A JPS61283031 A JP S61283031A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
げ）産業上の利用分野
本発明は、量産化に適したスパッタ法による垂直磁気記
録媒体の製造方法に関するものである。
録媒体の製造方法に関するものである。
（ロ）従来の技術
第６図に示すようにｃｏ−ｃｒ、Ｃｏ−０ｒ−Ｒｈなど
の強磁性金属の垂直磁化膜（２）を非磁性基板（１）上
にスパッタ形成して得られる垂直磁気記録媒体は、残留
磁束密度が大きく高密度記録に適している。
の強磁性金属の垂直磁化膜（２）を非磁性基板（１）上
にスパッタ形成して得られる垂直磁気記録媒体は、残留
磁束密度が大きく高密度記録に適している。
例えば、ＰＥＴ、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チックフィルム等の非磁性基板上に、ｃｏ−ｃｒなどの
磁化膜を高速スパッタ形成する方法として対向ターゲッ
ト式スパッタ法、マグネトロン式スパッタ法を応用する
ことが提案されている。（雑誌「応用物理第４８巻第６
Ｊｉｊ第５５７〜５６１頁「新しいスパッタ形成技術の
動向」）第７図は一般的な対向ターゲット式スパッタ法
を利用した磁気テープ製造装置の概略図である。
チックフィルム等の非磁性基板上に、ｃｏ−ｃｒなどの
磁化膜を高速スパッタ形成する方法として対向ターゲッ
ト式スパッタ法、マグネトロン式スパッタ法を応用する
ことが提案されている。（雑誌「応用物理第４８巻第６
Ｊｉｊ第５５７〜５６１頁「新しいスパッタ形成技術の
動向」）第７図は一般的な対向ターゲット式スパッタ法
を利用した磁気テープ製造装置の概略図である。
この装置に詔いて、まず真空槽を十分排気した後、Ａｒ
ガスを導入し、スパッタ電源（４）によりターゲット＋
５１ ［５）’ （例えばｃｏ−ａｒ合会合板ｓｃ負ノ
高電圧を印加するとＡｒガスがイオン化してプラズマ放
電が起る。この正に帯電したＡｒイオンが前記ターゲッ
トに衝突すると、ターゲット表面の粒子がスパッタされ
てキャンローラ（６）によって定速移送される非磁性基
板（１）上にＣｏ−０ｒなどの磁化膜が形成される。そ
してキャンローラ（６）の局面の一部をキャンマスク（
９）で被覆し、キャンローラ（６）に線屑案内される非
磁性基板（１）に対するスパッタ金属の入射角度を規制
すると、基板上に垂直磁化膜が形成される。
ガスを導入し、スパッタ電源（４）によりターゲット＋
５１ ［５）’ （例えばｃｏ−ａｒ合会合板ｓｃ負ノ
高電圧を印加するとＡｒガスがイオン化してプラズマ放
電が起る。この正に帯電したＡｒイオンが前記ターゲッ
トに衝突すると、ターゲット表面の粒子がスパッタされ
てキャンローラ（６）によって定速移送される非磁性基
板（１）上にＣｏ−０ｒなどの磁化膜が形成される。そ
してキャンローラ（６）の局面の一部をキャンマスク（
９）で被覆し、キャンローラ（６）に線屑案内される非
磁性基板（１）に対するスパッタ金属の入射角度を規制
すると、基板上に垂直磁化膜が形成される。
第７図において、（７）は供給ローラ、（８）は巻取ロ
ーラ、αＩ（１１’！ｉプラズマ収束用の磁石を示す。
ーラ、αＩ（１１’！ｉプラズマ収束用の磁石を示す。
非磁性基板（１）上に堆積するスパッタ粒子の初期入射
角θ１を一定値以下に制限することは、高性能な垂直磁
化膜を形成する上で不可欠である。
角θ１を一定値以下に制限することは、高性能な垂直磁
化膜を形成する上で不可欠である。
一方、初期入射角θ１を小さくすると、スパッタ金属（
粒子）の非磁性基板上への堆積率が悪くなり、量産効率
が著しく低下するという問題を残すことになる。
粒子）の非磁性基板上への堆積率が悪くなり、量産効率
が著しく低下するという問題を残すことになる。
（／埼 発明が解決しようとする問題点本発明は、ス
パッタ粒子の初期入射角θ１の制限による非磁性基板へ
の堆積効率の低下を防ぐことにより、高性能な垂直磁気
記録媒体を量産性よく製造するための方法を提供するも
のである。
パッタ粒子の初期入射角θ１の制限による非磁性基板へ
の堆積効率の低下を防ぐことにより、高性能な垂直磁気
記録媒体を量産性よく製造するための方法を提供するも
のである。
に）問題点を解決するための手段
定速移送される前記非磁性基板に対しスパッタされた強
磁性金属を入射角０１以下の角度で被着せしめ、垂直対
水平残留磁化比が１以上でエピタキシャルな結晶成長を
可能とする第１薄膜を形成すると共に、前記第１薄膜上
に、スパッタされた強磁性金属を入射角θ２ （但しθ
雪〉〉θ１）の角度で被着せしめ、前記第１薄膜よりも
相当高い堆積率でエピタキシャルに結晶成長させて第２
薄膜を形成する。
磁性金属を入射角０１以下の角度で被着せしめ、垂直対
水平残留磁化比が１以上でエピタキシャルな結晶成長を
可能とする第１薄膜を形成すると共に、前記第１薄膜上
に、スパッタされた強磁性金属を入射角θ２ （但しθ
雪〉〉θ１）の角度で被着せしめ、前記第１薄膜よりも
相当高い堆積率でエピタキシャルに結晶成長させて第２
薄膜を形成する。
より具体的には、垂直磁化膜をスパッタ形成するに際し
、この成膜工程を２段階に分け、まず、第１薄膜を初期
入射角０１１５°以内で膜厚０．０７μｍ以上形成し、
その上に第２薄膜を初期入射角０１１５°以上で所要の
膜厚ｔになるよう形成する。
、この成膜工程を２段階に分け、まず、第１薄膜を初期
入射角０１１５°以内で膜厚０．０７μｍ以上形成し、
その上に第２薄膜を初期入射角０１１５°以上で所要の
膜厚ｔになるよう形成する。
（ホ）作 用
ポリイミドフィルム等のテープベース上に第１薄膜を形
成する際に、強磁性金属を入射角０１以下でスパッタリ
ングすることにより、堆積率を多少犠牲にして垂直対水
平残留磁化比が１以上でエピタキシャルな結晶成長を可
能とする薄膜を形成する。
成する際に、強磁性金属を入射角０１以下でスパッタリ
ングすることにより、堆積率を多少犠牲にして垂直対水
平残留磁化比が１以上でエピタキシャルな結晶成長を可
能とする薄膜を形成する。
その後、ｌＪ＊＞＞θｌ の関係にある入射角θりで第
１薄膜上に高堆積率で強磁性金属をスパッタリングしエ
ピタキシャルに結晶成長させて第２薄膜を形成させると
、垂直対水平残留磁化比が１以上の薄膜が高堆積率で効
率よく形成される。
１薄膜上に高堆積率で強磁性金属をスパッタリングしエ
ピタキシャルに結晶成長させて第２薄膜を形成させると
、垂直対水平残留磁化比が１以上の薄膜が高堆積率で効
率よく形成される。
（へ）実施例
本発明の基礎となる実験
（１）第７図の対向ターゲット式スパッタ装置を用いて
、ポリイミドフィルムベース上にＣｏ−Ｃｒをスパッタ
リングする際に、初期入射角θ１とフィルムベース上に
形成されたｃｏ−Ｃｒ膜の残留磁化比ＭＹ／ＭＥとの関
係を測定した。第２図は、測定結果を初期入射角θ１を
横軸に、残留磁化比ＭＹ／ＭＨを縦軸にとって表わした
ものである。
、ポリイミドフィルムベース上にＣｏ−Ｃｒをスパッタ
リングする際に、初期入射角θ１とフィルムベース上に
形成されたｃｏ−Ｃｒ膜の残留磁化比ＭＹ／ＭＥとの関
係を測定した。第２図は、測定結果を初期入射角θ１を
横軸に、残留磁化比ＭＹ／ＭＨを縦軸にとって表わした
ものである。
この図から明らかなように初期入射角θ１が小さい程、
ｃｏ−Ｃｒ膜の残留磁化比ＭＹ／ＭＨが大きくなる。Ｍ
Ｖ／ＭＨが１以上であることが垂直磁化膜の条件である
から、第２図から明らかな様に、ｃｏ−Ｏｒｒ直磁化膜
を得るには初期入射角θ１を１５°以内に制限する必要
があることが分る。
ｃｏ−Ｃｒ膜の残留磁化比ＭＹ／ＭＨが大きくなる。Ｍ
Ｖ／ＭＨが１以上であることが垂直磁化膜の条件である
から、第２図から明らかな様に、ｃｏ−Ｏｒｒ直磁化膜
を得るには初期入射角θ１を１５°以内に制限する必要
があることが分る。
（２）同様に、＠７図の装置を用いて、ポリイミドフィ
ルムベース上に、ｃｏ−Ｃｒをスパッタリングスる際に
、初期入射角θ１とフィルムベース上に形成されるｃｏ
−Ｃｒ膜の堆積効率の関係を測定した。第３図に初期入
射角θ１（横軸）とｃｏ−Ｃｒ膜の堆積効率（縦軸）と
の関係を示す。
ルムベース上に、ｃｏ−Ｃｒをスパッタリングスる際に
、初期入射角θ１とフィルムベース上に形成されるｃｏ
−Ｃｒ膜の堆積効率の関係を測定した。第３図に初期入
射角θ１（横軸）とｃｏ−Ｃｒ膜の堆積効率（縦軸）と
の関係を示す。
第７図のスパッタ装置の構造上、初期入射角θ１＝４５
° はキャンマスク（９）を取外した状態と同等である
。ここではキャンマスク（９）を取外したときの堆積効
率を１として規格化した。この図から分るように初期入
射角θ１＝１５°（即ちＭｖ／ＭＨ＝１）のとき堆積効
率は０．７となる。ＭＹ／ＭＨが１．５以上の更に高性
能なＣｏ−０ｒ垂直磁化膜（ＭＹ／ＭＨが大きい程、高
記録密度に適する）を得るためには、第２図から初期入
射角θ１を５°以内に制限する必要があるが、このとき
堆積効率は０゜５以下に低下する。
° はキャンマスク（９）を取外した状態と同等である
。ここではキャンマスク（９）を取外したときの堆積効
率を１として規格化した。この図から分るように初期入
射角θ１＝１５°（即ちＭｖ／ＭＨ＝１）のとき堆積効
率は０．７となる。ＭＹ／ＭＨが１．５以上の更に高性
能なＣｏ−０ｒ垂直磁化膜（ＭＹ／ＭＨが大きい程、高
記録密度に適する）を得るためには、第２図から初期入
射角θ１を５°以内に制限する必要があるが、このとき
堆積効率は０゜５以下に低下する。
前述の２つの実験（１１＋２１から、高速スパッタ法に
より高性能な垂直磁化膜を移動する非磁性基板上に形成
するには、スパッタ粒子の初期入射角θ１を小さくする
必要があり、その結果スパッタ粒子の堆積効率が低下す
るという背反する要因があることが判うた。
より高性能な垂直磁化膜を移動する非磁性基板上に形成
するには、スパッタ粒子の初期入射角θ１を小さくする
必要があり、その結果スパッタ粒子の堆積効率が低下す
るという背反する要因があることが判うた。
（３）上述の実験結果に基づいて、本発明者等はポリイ
ミドフィルムベース上にＣｏ−Ｏｒをスパッタリング被
着させる際に、第１薄膜＠（第４図）を小さい初期入射
角でスパッタリング被着せしめ１垂直対水平残留磁化比
が１以上でエピタキシャルな結晶成長を可能とする第１
薄膜を形成し、その上θ鵞〉〉θｌ の角度で第２薄膜
＠（第４図）をスパッタリング被着させれば垂直対水平
残留磁化比が１以上の薄膜が効率よく形成されるのでは
ないかという予測を基に、初期入射角θ１＝５°でＣｏ
−０ｒ膜の第１薄膜■を種々の膜厚で形成し、更にその
上に初期入射角６１．＝４５°でＣｏ−０ｒ膜の第２薄
膜＠を全厚ｔが０．３μｍになるように形成したときの
第１薄膜の膜厚と全層Ｃｏ−Ｃｒ膜の残留磁化比ＭＹ／
ＭＨとの関係を求めた。第５図は、第１薄膜（社）の厚
みを横軸、垂直対水平残留磁化比ＭＶ／ＭＨを縦軸にと
り、実験（３）の結果を示すものである。
ミドフィルムベース上にＣｏ−Ｏｒをスパッタリング被
着させる際に、第１薄膜＠（第４図）を小さい初期入射
角でスパッタリング被着せしめ１垂直対水平残留磁化比
が１以上でエピタキシャルな結晶成長を可能とする第１
薄膜を形成し、その上θ鵞〉〉θｌ の角度で第２薄膜
＠（第４図）をスパッタリング被着させれば垂直対水平
残留磁化比が１以上の薄膜が効率よく形成されるのでは
ないかという予測を基に、初期入射角θ１＝５°でＣｏ
−０ｒ膜の第１薄膜■を種々の膜厚で形成し、更にその
上に初期入射角６１．＝４５°でＣｏ−０ｒ膜の第２薄
膜＠を全厚ｔが０．３μｍになるように形成したときの
第１薄膜の膜厚と全層Ｃｏ−Ｃｒ膜の残留磁化比ＭＹ／
ＭＨとの関係を求めた。第５図は、第１薄膜（社）の厚
みを横軸、垂直対水平残留磁化比ＭＶ／ＭＨを縦軸にと
り、実験（３）の結果を示すものである。
コノ図からＭＹ／ＭＨが１以上（Ｆ）Ｃｏ−Ｃｒ膜を得
るには第１薄膜の膜厚を０．０７μｍ以上にすればよい
ことが分る。第１薄膜の膜厚が０．１μｍ以上でＭＶ／
ＭＨが最大値１，５になる。このように第１薄膜を初期
入射角θ１を十分小さくして形成すれば結晶粒子が膜面
に垂直に成長し易（なり更にその上に第２薄膜を初期入
射角θ１を極力大きくして形成しても、第２薄膜の膜は
Ｗ１１薄膜の上にエビタクシャルに結晶成長するため、
第２薄膜も垂直配向性のよい結晶粒子層となり、その結
果残留磁化比ＭＹ／ＭＥの大きい膜を得ることができる
。従って、第２薄膜を高い堆積効率で形成することがで
きるので高性能な垂直磁気記録媒体の量産性が向上する
。
るには第１薄膜の膜厚を０．０７μｍ以上にすればよい
ことが分る。第１薄膜の膜厚が０．１μｍ以上でＭＶ／
ＭＨが最大値１，５になる。このように第１薄膜を初期
入射角θ１を十分小さくして形成すれば結晶粒子が膜面
に垂直に成長し易（なり更にその上に第２薄膜を初期入
射角θ１を極力大きくして形成しても、第２薄膜の膜は
Ｗ１１薄膜の上にエビタクシャルに結晶成長するため、
第２薄膜も垂直配向性のよい結晶粒子層となり、その結
果残留磁化比ＭＹ／ＭＥの大きい膜を得ることができる
。従って、第２薄膜を高い堆積効率で形成することがで
きるので高性能な垂直磁気記録媒体の量産性が向上する
。
製造装置
第１図は、本発明の製造方法を実施するための装置の一
実施例を示すものである。この装置は基本的に対向ター
ゲット方式のスパッタリング装置を採用している。
実施例を示すものである。この装置は基本的に対向ター
ゲット方式のスパッタリング装置を採用している。
この装置では、真空槽（３）の中央にそれぞれ背面にプ
ラズマ集束用の永久磁石α００Ｇ′を備えるＣｏ−Ｃｒ
の対向ターゲット（５Ｈ５どを配し、その左右の開口に
面して一対のキャンローラ＋６）＋６１’を配置してい
る。前記各キャンローラの局面を線屑して移送されるポ
リイミドフィルム（１）は供給ロール（７）−キャンロ
ーラ（６）−案内ロール０１１（Ｉｌｌ（１１１（１１
１−キャンロール（６）′−巻取ロール（８）の経路で
略定速で移送される。
ラズマ集束用の永久磁石α００Ｇ′を備えるＣｏ−Ｃｒ
の対向ターゲット（５Ｈ５どを配し、その左右の開口に
面して一対のキャンローラ＋６）＋６１’を配置してい
る。前記各キャンローラの局面を線屑して移送されるポ
リイミドフィルム（１）は供給ロール（７）−キャンロ
ーラ（６）−案内ロール０１１（Ｉｌｌ（１１１（１１
１−キャンロール（６）′−巻取ロール（８）の経路で
略定速で移送される。
キャンローラ１６１ ｆ６）’の局面に沿って案内され
るポリイミドフィルム（１）は、いずれも同じ面がスパ
ッタリング装置＜Ｓ＞の開口側に面する様に案内される
。
るポリイミドフィルム（１）は、いずれも同じ面がスパ
ッタリング装置＜Ｓ＞の開口側に面する様に案内される
。
両キャンロールｆｉｌ Ｔ６どへのスパッタ粒子の入射
角はキャンマスク（９１（９１′＆こより調整すること
が出来る。
角はキャンマスク（９１（９１′＆こより調整すること
が出来る。
実施例では、供給ロール（７）側のキャンマスク（９）
の初期入射角θ１（ａ）を５°に設定し、巻取りローラ
（８）側のキャンマスク（９）′の初期入射角θ１（旬
を４５°に設定した。この様な構成で、まず、真空槽内
をｌＸ１０ Ｔ−ｏｒｒに排気した後、Ａｒガスを
導入して２Ｘ１０ ’ｒｏｒｒ とし、キャンロ
ーラ＋６１ ＋６１’の温度を１７０℃とした状態でポ
リアミドフィルムを６０ｃＩＩ／ｍｉ、ｎの送り速度で
移動させながら、スパッタ電力密度３８Ｗ／ｄで０ｏ−
Ｃｒ膜をスパッタ形成すると、膜厚０，３μｍ１残留磁
化比ＭＶ／ＭＨが１．５）良好なＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜
が得られる。
の初期入射角θ１（ａ）を５°に設定し、巻取りローラ
（８）側のキャンマスク（９）′の初期入射角θ１（旬
を４５°に設定した。この様な構成で、まず、真空槽内
をｌＸ１０ Ｔ−ｏｒｒに排気した後、Ａｒガスを
導入して２Ｘ１０ ’ｒｏｒｒ とし、キャンロ
ーラ＋６１ ＋６１’の温度を１７０℃とした状態でポ
リアミドフィルムを６０ｃＩＩ／ｍｉ、ｎの送り速度で
移動させながら、スパッタ電力密度３８Ｗ／ｄで０ｏ−
Ｃｒ膜をスパッタ形成すると、膜厚０，３μｍ１残留磁
化比ＭＶ／ＭＨが１．５）良好なＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜
が得られる。
第３図より初期入射角θ１が５°のときの膜の堆積効率
はθ１＝４５°のときの１７２になることから、上記実
施例において、θｉ、 ＋１１ ＝ ５°で形成される
第１薄膜と０１−４５°で形成される第２薄膜との膜厚
はそれぞれ０．１μｍ、０．２μｍとなる。これは第６
図の結果と一致している。発明者等の実験に依れば、高
性能なＣｏ−０ｒ垂直磁気記録媒体ヲ十分高いベースフ
ィルム送り速度で製造４得ることが確認された。
はθ１＝４５°のときの１７２になることから、上記実
施例において、θｉ、 ＋１１ ＝ ５°で形成される
第１薄膜と０１−４５°で形成される第２薄膜との膜厚
はそれぞれ０．１μｍ、０．２μｍとなる。これは第６
図の結果と一致している。発明者等の実験に依れば、高
性能なＣｏ−０ｒ垂直磁気記録媒体ヲ十分高いベースフ
ィルム送り速度で製造４得ることが確認された。
上記実施例では、対向ターゲット式スパッタ法でプラス
チックフィルム上にＣｏ−０ｒ膜を形成する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限定するものではなく、マ
グネトロン式スパッタ法でも、Ｃｏ−０ｒ膜以外のＣｏ
−Ｃｊｒ−Ｒｈ等の垂直磁化膜でも同様の効果が得られ
る。
チックフィルム上にＣｏ−０ｒ膜を形成する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限定するものではなく、マ
グネトロン式スパッタ法でも、Ｃｏ−０ｒ膜以外のＣｏ
−Ｃｊｒ−Ｒｈ等の垂直磁化膜でも同様の効果が得られ
る。
（ト） 発明の効果
本発明によれば、垂直対水平残留磁化率の高い高性能な
垂直磁気記録媒体の量産効率の良い製造法を提供するこ
とができる。
垂直磁気記録媒体の量産効率の良い製造法を提供するこ
とができる。
第１図乃至第５図はいずれも本発明に係り、第１図は本
発明方法を実施する装置の略図、第２図は初期入射角θ
１で対垂直対水平残留磁化比の関係を示す図、第３図は
初期入射角０１対薄膜堆積効率の関係を示す図、第４図
は第１薄膜厚対Ｃ０−ｃｒの垂直対水平残留磁化比の関
係を示す図、第５図は磁気記録媒体の断面図である。 第６図及び第７図は従来例に係り、第６図は磁気記録媒
体の断面図、第７図は対向ターゲット方式のスパッタリ
ング装置の略図である。
発明方法を実施する装置の略図、第２図は初期入射角θ
１で対垂直対水平残留磁化比の関係を示す図、第３図は
初期入射角０１対薄膜堆積効率の関係を示す図、第４図
は第１薄膜厚対Ｃ０−ｃｒの垂直対水平残留磁化比の関
係を示す図、第５図は磁気記録媒体の断面図である。 第６図及び第７図は従来例に係り、第６図は磁気記録媒
体の断面図、第７図は対向ターゲット方式のスパッタリ
ング装置の略図である。
Claims (3)
- （１）スパッタ法により非磁性基板上に強磁性金属膜を
形成する垂直磁気記録媒体の製造方法において、定速移
送される前記非磁性基板に対しスパッタされた強磁性金
属を入射角θ＿１以下の角度で被着せしめ、垂直対水平
残留磁化比が１以上で、その上に後の工程で被着するス
パッタ粒子のエピタキシャルな結晶成長を可能とする第
１薄膜を形成すると共に、前記第１薄膜上に、スパッタ
された強磁性金属を入射角θ＿２（但しθ＿２≫θ＿１
）の角度で被着せしめ、前記第１薄膜よりも相当高い堆
積率でエピタキシャルに結晶成長させて第２薄膜を形成
することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - （２）θ＿１≦１５°の初期入射角で形成される第１薄
膜の厚みを０．０７μ以上としたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - （３）強磁性金属をスパッタするために対向ターゲット
方式を採用したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
若しくは第２項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10776285A JPS61283031A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| US06/864,357 US4767516A (en) | 1985-05-20 | 1986-05-19 | Method for making magnetic recording media |
| DE8686106807T DE3682942D1 (de) | 1985-05-20 | 1986-05-20 | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung magnetischer aufzeichnungstraeger. |
| EP86106807A EP0202645B1 (en) | 1985-05-20 | 1986-05-20 | Method and apparatus for making magnetic recording media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10776285A JPS61283031A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61283031A true JPS61283031A (ja) | 1986-12-13 |
Family
ID=14467348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10776285A Pending JPS61283031A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61283031A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5680831A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-02 | Toshiba Corp | Producing device for magnetic recording medium |
| JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
| JPS60167123A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10776285A patent/JPS61283031A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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