JPS61283031A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS61283031A JPS61283031A JP10776285A JP10776285A JPS61283031A JP S61283031 A JPS61283031 A JP S61283031A JP 10776285 A JP10776285 A JP 10776285A JP 10776285 A JP10776285 A JP 10776285A JP S61283031 A JPS61283031 A JP S61283031A
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- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
げ)産業上の利用分野
本発明は、量産化に適したスパッタ法による垂直磁気記
録媒体の製造方法に関するものである。
録媒体の製造方法に関するものである。
(ロ)従来の技術
第6図に示すようにco−cr、Co−0r−Rhなど
の強磁性金属の垂直磁化膜(2)を非磁性基板(1)上
にスパッタ形成して得られる垂直磁気記録媒体は、残留
磁束密度が大きく高密度記録に適している。
の強磁性金属の垂直磁化膜(2)を非磁性基板(1)上
にスパッタ形成して得られる垂直磁気記録媒体は、残留
磁束密度が大きく高密度記録に適している。
例えば、PET、ポリアミド、ポリイミドなどのプラス
チックフィルム等の非磁性基板上に、co−crなどの
磁化膜を高速スパッタ形成する方法として対向ターゲッ
ト式スパッタ法、マグネトロン式スパッタ法を応用する
ことが提案されている。(雑誌「応用物理第48巻第6
Jij第557〜561頁「新しいスパッタ形成技術の
動向」)第7図は一般的な対向ターゲット式スパッタ法
を利用した磁気テープ製造装置の概略図である。
チックフィルム等の非磁性基板上に、co−crなどの
磁化膜を高速スパッタ形成する方法として対向ターゲッ
ト式スパッタ法、マグネトロン式スパッタ法を応用する
ことが提案されている。(雑誌「応用物理第48巻第6
Jij第557〜561頁「新しいスパッタ形成技術の
動向」)第7図は一般的な対向ターゲット式スパッタ法
を利用した磁気テープ製造装置の概略図である。
この装置に詔いて、まず真空槽を十分排気した後、Ar
ガスを導入し、スパッタ電源(4)によりターゲット+
51 [5)’ (例えばco−ar合会合板sc負ノ
高電圧を印加するとArガスがイオン化してプラズマ放
電が起る。この正に帯電したArイオンが前記ターゲッ
トに衝突すると、ターゲット表面の粒子がスパッタされ
てキャンローラ(6)によって定速移送される非磁性基
板(1)上にCo−0rなどの磁化膜が形成される。そ
してキャンローラ(6)の局面の一部をキャンマスク(
9)で被覆し、キャンローラ(6)に線屑案内される非
磁性基板(1)に対するスパッタ金属の入射角度を規制
すると、基板上に垂直磁化膜が形成される。
ガスを導入し、スパッタ電源(4)によりターゲット+
51 [5)’ (例えばco−ar合会合板sc負ノ
高電圧を印加するとArガスがイオン化してプラズマ放
電が起る。この正に帯電したArイオンが前記ターゲッ
トに衝突すると、ターゲット表面の粒子がスパッタされ
てキャンローラ(6)によって定速移送される非磁性基
板(1)上にCo−0rなどの磁化膜が形成される。そ
してキャンローラ(6)の局面の一部をキャンマスク(
9)で被覆し、キャンローラ(6)に線屑案内される非
磁性基板(1)に対するスパッタ金属の入射角度を規制
すると、基板上に垂直磁化膜が形成される。
第7図において、(7)は供給ローラ、(8)は巻取ロ
ーラ、αI(11’!iプラズマ収束用の磁石を示す。
ーラ、αI(11’!iプラズマ収束用の磁石を示す。
非磁性基板(1)上に堆積するスパッタ粒子の初期入射
角θ1を一定値以下に制限することは、高性能な垂直磁
化膜を形成する上で不可欠である。
角θ1を一定値以下に制限することは、高性能な垂直磁
化膜を形成する上で不可欠である。
一方、初期入射角θ1を小さくすると、スパッタ金属(
粒子)の非磁性基板上への堆積率が悪くなり、量産効率
が著しく低下するという問題を残すことになる。
粒子)の非磁性基板上への堆積率が悪くなり、量産効率
が著しく低下するという問題を残すことになる。
(/埼 発明が解決しようとする問題点本発明は、ス
パッタ粒子の初期入射角θ1の制限による非磁性基板へ
の堆積効率の低下を防ぐことにより、高性能な垂直磁気
記録媒体を量産性よく製造するための方法を提供するも
のである。
パッタ粒子の初期入射角θ1の制限による非磁性基板へ
の堆積効率の低下を防ぐことにより、高性能な垂直磁気
記録媒体を量産性よく製造するための方法を提供するも
のである。
に)問題点を解決するための手段
定速移送される前記非磁性基板に対しスパッタされた強
磁性金属を入射角01以下の角度で被着せしめ、垂直対
水平残留磁化比が1以上でエピタキシャルな結晶成長を
可能とする第1薄膜を形成すると共に、前記第1薄膜上
に、スパッタされた強磁性金属を入射角θ2 (但しθ
雪〉〉θ1)の角度で被着せしめ、前記第1薄膜よりも
相当高い堆積率でエピタキシャルに結晶成長させて第2
薄膜を形成する。
磁性金属を入射角01以下の角度で被着せしめ、垂直対
水平残留磁化比が1以上でエピタキシャルな結晶成長を
可能とする第1薄膜を形成すると共に、前記第1薄膜上
に、スパッタされた強磁性金属を入射角θ2 (但しθ
雪〉〉θ1)の角度で被着せしめ、前記第1薄膜よりも
相当高い堆積率でエピタキシャルに結晶成長させて第2
薄膜を形成する。
より具体的には、垂直磁化膜をスパッタ形成するに際し
、この成膜工程を2段階に分け、まず、第1薄膜を初期
入射角0115°以内で膜厚0.07μm以上形成し、
その上に第2薄膜を初期入射角0115°以上で所要の
膜厚tになるよう形成する。
、この成膜工程を2段階に分け、まず、第1薄膜を初期
入射角0115°以内で膜厚0.07μm以上形成し、
その上に第2薄膜を初期入射角0115°以上で所要の
膜厚tになるよう形成する。
(ホ)作 用
ポリイミドフィルム等のテープベース上に第1薄膜を形
成する際に、強磁性金属を入射角01以下でスパッタリ
ングすることにより、堆積率を多少犠牲にして垂直対水
平残留磁化比が1以上でエピタキシャルな結晶成長を可
能とする薄膜を形成する。
成する際に、強磁性金属を入射角01以下でスパッタリ
ングすることにより、堆積率を多少犠牲にして垂直対水
平残留磁化比が1以上でエピタキシャルな結晶成長を可
能とする薄膜を形成する。
その後、lJ*>>θl の関係にある入射角θりで第
1薄膜上に高堆積率で強磁性金属をスパッタリングしエ
ピタキシャルに結晶成長させて第2薄膜を形成させると
、垂直対水平残留磁化比が1以上の薄膜が高堆積率で効
率よく形成される。
1薄膜上に高堆積率で強磁性金属をスパッタリングしエ
ピタキシャルに結晶成長させて第2薄膜を形成させると
、垂直対水平残留磁化比が1以上の薄膜が高堆積率で効
率よく形成される。
(へ)実施例
本発明の基礎となる実験
(1)第7図の対向ターゲット式スパッタ装置を用いて
、ポリイミドフィルムベース上にCo−Crをスパッタ
リングする際に、初期入射角θ1とフィルムベース上に
形成されたco−Cr膜の残留磁化比MY/MEとの関
係を測定した。第2図は、測定結果を初期入射角θ1を
横軸に、残留磁化比MY/MHを縦軸にとって表わした
ものである。
、ポリイミドフィルムベース上にCo−Crをスパッタ
リングする際に、初期入射角θ1とフィルムベース上に
形成されたco−Cr膜の残留磁化比MY/MEとの関
係を測定した。第2図は、測定結果を初期入射角θ1を
横軸に、残留磁化比MY/MHを縦軸にとって表わした
ものである。
この図から明らかなように初期入射角θ1が小さい程、
co−Cr膜の残留磁化比MY/MHが大きくなる。M
V/MHが1以上であることが垂直磁化膜の条件である
から、第2図から明らかな様に、co−Orr直磁化膜
を得るには初期入射角θ1を15°以内に制限する必要
があることが分る。
co−Cr膜の残留磁化比MY/MHが大きくなる。M
V/MHが1以上であることが垂直磁化膜の条件である
から、第2図から明らかな様に、co−Orr直磁化膜
を得るには初期入射角θ1を15°以内に制限する必要
があることが分る。
(2)同様に、@7図の装置を用いて、ポリイミドフィ
ルムベース上に、co−Crをスパッタリングスる際に
、初期入射角θ1とフィルムベース上に形成されるco
−Cr膜の堆積効率の関係を測定した。第3図に初期入
射角θ1(横軸)とco−Cr膜の堆積効率(縦軸)と
の関係を示す。
ルムベース上に、co−Crをスパッタリングスる際に
、初期入射角θ1とフィルムベース上に形成されるco
−Cr膜の堆積効率の関係を測定した。第3図に初期入
射角θ1(横軸)とco−Cr膜の堆積効率(縦軸)と
の関係を示す。
第7図のスパッタ装置の構造上、初期入射角θ1=45
° はキャンマスク(9)を取外した状態と同等である
。ここではキャンマスク(9)を取外したときの堆積効
率を1として規格化した。この図から分るように初期入
射角θ1=15°(即ちMv/MH=1)のとき堆積効
率は0.7となる。MY/MHが1.5以上の更に高性
能なCo−0r垂直磁化膜(MY/MHが大きい程、高
記録密度に適する)を得るためには、第2図から初期入
射角θ1を5°以内に制限する必要があるが、このとき
堆積効率は0゜5以下に低下する。
° はキャンマスク(9)を取外した状態と同等である
。ここではキャンマスク(9)を取外したときの堆積効
率を1として規格化した。この図から分るように初期入
射角θ1=15°(即ちMv/MH=1)のとき堆積効
率は0.7となる。MY/MHが1.5以上の更に高性
能なCo−0r垂直磁化膜(MY/MHが大きい程、高
記録密度に適する)を得るためには、第2図から初期入
射角θ1を5°以内に制限する必要があるが、このとき
堆積効率は0゜5以下に低下する。
前述の2つの実験(11+21から、高速スパッタ法に
より高性能な垂直磁化膜を移動する非磁性基板上に形成
するには、スパッタ粒子の初期入射角θ1を小さくする
必要があり、その結果スパッタ粒子の堆積効率が低下す
るという背反する要因があることが判うた。
より高性能な垂直磁化膜を移動する非磁性基板上に形成
するには、スパッタ粒子の初期入射角θ1を小さくする
必要があり、その結果スパッタ粒子の堆積効率が低下す
るという背反する要因があることが判うた。
(3)上述の実験結果に基づいて、本発明者等はポリイ
ミドフィルムベース上にCo−Orをスパッタリング被
着させる際に、第1薄膜@(第4図)を小さい初期入射
角でスパッタリング被着せしめ1垂直対水平残留磁化比
が1以上でエピタキシャルな結晶成長を可能とする第1
薄膜を形成し、その上θ鵞〉〉θl の角度で第2薄膜
@(第4図)をスパッタリング被着させれば垂直対水平
残留磁化比が1以上の薄膜が効率よく形成されるのでは
ないかという予測を基に、初期入射角θ1=5°でCo
−0r膜の第1薄膜■を種々の膜厚で形成し、更にその
上に初期入射角61.=45°でCo−0r膜の第2薄
膜@を全厚tが0.3μmになるように形成したときの
第1薄膜の膜厚と全層Co−Cr膜の残留磁化比MY/
MHとの関係を求めた。第5図は、第1薄膜(社)の厚
みを横軸、垂直対水平残留磁化比MV/MHを縦軸にと
り、実験(3)の結果を示すものである。
ミドフィルムベース上にCo−Orをスパッタリング被
着させる際に、第1薄膜@(第4図)を小さい初期入射
角でスパッタリング被着せしめ1垂直対水平残留磁化比
が1以上でエピタキシャルな結晶成長を可能とする第1
薄膜を形成し、その上θ鵞〉〉θl の角度で第2薄膜
@(第4図)をスパッタリング被着させれば垂直対水平
残留磁化比が1以上の薄膜が効率よく形成されるのでは
ないかという予測を基に、初期入射角θ1=5°でCo
−0r膜の第1薄膜■を種々の膜厚で形成し、更にその
上に初期入射角61.=45°でCo−0r膜の第2薄
膜@を全厚tが0.3μmになるように形成したときの
第1薄膜の膜厚と全層Co−Cr膜の残留磁化比MY/
MHとの関係を求めた。第5図は、第1薄膜(社)の厚
みを横軸、垂直対水平残留磁化比MV/MHを縦軸にと
り、実験(3)の結果を示すものである。
コノ図からMY/MHが1以上(F)Co−Cr膜を得
るには第1薄膜の膜厚を0.07μm以上にすればよい
ことが分る。第1薄膜の膜厚が0.1μm以上でMV/
MHが最大値1,5になる。このように第1薄膜を初期
入射角θ1を十分小さくして形成すれば結晶粒子が膜面
に垂直に成長し易(なり更にその上に第2薄膜を初期入
射角θ1を極力大きくして形成しても、第2薄膜の膜は
W11薄膜の上にエビタクシャルに結晶成長するため、
第2薄膜も垂直配向性のよい結晶粒子層となり、その結
果残留磁化比MY/MEの大きい膜を得ることができる
。従って、第2薄膜を高い堆積効率で形成することがで
きるので高性能な垂直磁気記録媒体の量産性が向上する
。
るには第1薄膜の膜厚を0.07μm以上にすればよい
ことが分る。第1薄膜の膜厚が0.1μm以上でMV/
MHが最大値1,5になる。このように第1薄膜を初期
入射角θ1を十分小さくして形成すれば結晶粒子が膜面
に垂直に成長し易(なり更にその上に第2薄膜を初期入
射角θ1を極力大きくして形成しても、第2薄膜の膜は
W11薄膜の上にエビタクシャルに結晶成長するため、
第2薄膜も垂直配向性のよい結晶粒子層となり、その結
果残留磁化比MY/MEの大きい膜を得ることができる
。従って、第2薄膜を高い堆積効率で形成することがで
きるので高性能な垂直磁気記録媒体の量産性が向上する
。
製造装置
第1図は、本発明の製造方法を実施するための装置の一
実施例を示すものである。この装置は基本的に対向ター
ゲット方式のスパッタリング装置を採用している。
実施例を示すものである。この装置は基本的に対向ター
ゲット方式のスパッタリング装置を採用している。
この装置では、真空槽(3)の中央にそれぞれ背面にプ
ラズマ集束用の永久磁石α00G′を備えるCo−Cr
の対向ターゲット(5H5どを配し、その左右の開口に
面して一対のキャンローラ+6)+61’を配置してい
る。前記各キャンローラの局面を線屑して移送されるポ
リイミドフィルム(1)は供給ロール(7)−キャンロ
ーラ(6)−案内ロール011(Ill(111(11
1−キャンロール(6)′−巻取ロール(8)の経路で
略定速で移送される。
ラズマ集束用の永久磁石α00G′を備えるCo−Cr
の対向ターゲット(5H5どを配し、その左右の開口に
面して一対のキャンローラ+6)+61’を配置してい
る。前記各キャンローラの局面を線屑して移送されるポ
リイミドフィルム(1)は供給ロール(7)−キャンロ
ーラ(6)−案内ロール011(Ill(111(11
1−キャンロール(6)′−巻取ロール(8)の経路で
略定速で移送される。
キャンローラ161 f6)’の局面に沿って案内され
るポリイミドフィルム(1)は、いずれも同じ面がスパ
ッタリング装置<S>の開口側に面する様に案内される
。
るポリイミドフィルム(1)は、いずれも同じ面がスパ
ッタリング装置<S>の開口側に面する様に案内される
。
両キャンロールfil T6どへのスパッタ粒子の入射
角はキャンマスク(91(91′&こより調整すること
が出来る。
角はキャンマスク(91(91′&こより調整すること
が出来る。
実施例では、供給ロール(7)側のキャンマスク(9)
の初期入射角θ1(a)を5°に設定し、巻取りローラ
(8)側のキャンマスク(9)′の初期入射角θ1(旬
を45°に設定した。この様な構成で、まず、真空槽内
をlX10 T−orrに排気した後、Arガスを
導入して2X10 ’rorr とし、キャンロ
ーラ+61 +61’の温度を170℃とした状態でポ
リアミドフィルムを60cII/mi、nの送り速度で
移動させながら、スパッタ電力密度38W/dで0o−
Cr膜をスパッタ形成すると、膜厚0,3μm1残留磁
化比MV/MHが1.5)良好なCo−Cr垂直磁化膜
が得られる。
の初期入射角θ1(a)を5°に設定し、巻取りローラ
(8)側のキャンマスク(9)′の初期入射角θ1(旬
を45°に設定した。この様な構成で、まず、真空槽内
をlX10 T−orrに排気した後、Arガスを
導入して2X10 ’rorr とし、キャンロ
ーラ+61 +61’の温度を170℃とした状態でポ
リアミドフィルムを60cII/mi、nの送り速度で
移動させながら、スパッタ電力密度38W/dで0o−
Cr膜をスパッタ形成すると、膜厚0,3μm1残留磁
化比MV/MHが1.5)良好なCo−Cr垂直磁化膜
が得られる。
第3図より初期入射角θ1が5°のときの膜の堆積効率
はθ1=45°のときの172になることから、上記実
施例において、θi、 +11 = 5°で形成される
第1薄膜と01−45°で形成される第2薄膜との膜厚
はそれぞれ0.1μm、0.2μmとなる。これは第6
図の結果と一致している。発明者等の実験に依れば、高
性能なCo−0r垂直磁気記録媒体ヲ十分高いベースフ
ィルム送り速度で製造4得ることが確認された。
はθ1=45°のときの172になることから、上記実
施例において、θi、 +11 = 5°で形成される
第1薄膜と01−45°で形成される第2薄膜との膜厚
はそれぞれ0.1μm、0.2μmとなる。これは第6
図の結果と一致している。発明者等の実験に依れば、高
性能なCo−0r垂直磁気記録媒体ヲ十分高いベースフ
ィルム送り速度で製造4得ることが確認された。
上記実施例では、対向ターゲット式スパッタ法でプラス
チックフィルム上にCo−0r膜を形成する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限定するものではなく、マ
グネトロン式スパッタ法でも、Co−0r膜以外のCo
−Cjr−Rh等の垂直磁化膜でも同様の効果が得られ
る。
チックフィルム上にCo−0r膜を形成する場合につい
て述べたが、本発明はこれに限定するものではなく、マ
グネトロン式スパッタ法でも、Co−0r膜以外のCo
−Cjr−Rh等の垂直磁化膜でも同様の効果が得られ
る。
(ト) 発明の効果
本発明によれば、垂直対水平残留磁化率の高い高性能な
垂直磁気記録媒体の量産効率の良い製造法を提供するこ
とができる。
垂直磁気記録媒体の量産効率の良い製造法を提供するこ
とができる。
第1図乃至第5図はいずれも本発明に係り、第1図は本
発明方法を実施する装置の略図、第2図は初期入射角θ
1で対垂直対水平残留磁化比の関係を示す図、第3図は
初期入射角01対薄膜堆積効率の関係を示す図、第4図
は第1薄膜厚対C0−crの垂直対水平残留磁化比の関
係を示す図、第5図は磁気記録媒体の断面図である。 第6図及び第7図は従来例に係り、第6図は磁気記録媒
体の断面図、第7図は対向ターゲット方式のスパッタリ
ング装置の略図である。
発明方法を実施する装置の略図、第2図は初期入射角θ
1で対垂直対水平残留磁化比の関係を示す図、第3図は
初期入射角01対薄膜堆積効率の関係を示す図、第4図
は第1薄膜厚対C0−crの垂直対水平残留磁化比の関
係を示す図、第5図は磁気記録媒体の断面図である。 第6図及び第7図は従来例に係り、第6図は磁気記録媒
体の断面図、第7図は対向ターゲット方式のスパッタリ
ング装置の略図である。
Claims (3)
- (1)スパッタ法により非磁性基板上に強磁性金属膜を
形成する垂直磁気記録媒体の製造方法において、定速移
送される前記非磁性基板に対しスパッタされた強磁性金
属を入射角θ_1以下の角度で被着せしめ、垂直対水平
残留磁化比が1以上で、その上に後の工程で被着するス
パッタ粒子のエピタキシャルな結晶成長を可能とする第
1薄膜を形成すると共に、前記第1薄膜上に、スパッタ
された強磁性金属を入射角θ_2(但しθ_2≫θ_1
)の角度で被着せしめ、前記第1薄膜よりも相当高い堆
積率でエピタキシャルに結晶成長させて第2薄膜を形成
することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - (2)θ_1≦15°の初期入射角で形成される第1薄
膜の厚みを0.07μ以上としたことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - (3)強磁性金属をスパッタするために対向ターゲット
方式を採用したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
若しくは第2項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10776285A JPS61283031A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
US06/864,357 US4767516A (en) | 1985-05-20 | 1986-05-19 | Method for making magnetic recording media |
DE8686106807T DE3682942D1 (de) | 1985-05-20 | 1986-05-20 | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung magnetischer aufzeichnungstraeger. |
EP86106807A EP0202645B1 (en) | 1985-05-20 | 1986-05-20 | Method and apparatus for making magnetic recording media |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10776285A JPS61283031A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61283031A true JPS61283031A (ja) | 1986-12-13 |
Family
ID=14467348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10776285A Pending JPS61283031A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61283031A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5680831A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-02 | Toshiba Corp | Producing device for magnetic recording medium |
JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
JPS60167123A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10776285A patent/JPS61283031A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5680831A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-02 | Toshiba Corp | Producing device for magnetic recording medium |
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