JPH0721560A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0721560A JPH0721560A JP18331693A JP18331693A JPH0721560A JP H0721560 A JPH0721560 A JP H0721560A JP 18331693 A JP18331693 A JP 18331693A JP 18331693 A JP18331693 A JP 18331693A JP H0721560 A JPH0721560 A JP H0721560A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 連続走行する非磁性支持体２に対向して蒸着
源７を配置し、該蒸着源から蒸発する金属蒸気流を略垂
直方向から非磁性支持体２上に被着するに際し、蒸着源
から蒸発する金属蒸気流に非磁性支持体の長手方向と平
行な向きの磁界を印加する。 【効果】 磁化容易軸が斜めに傾いた蒸着膜が効率良く
成膜され、記録再生特性に優れた磁気記録媒体を高い生
産性をもって製造することが可能である。
源７を配置し、該蒸着源から蒸発する金属蒸気流を略垂
直方向から非磁性支持体２上に被着するに際し、蒸着源
から蒸発する金属蒸気流に非磁性支持体の長手方向と平
行な向きの磁界を印加する。 【効果】 磁化容易軸が斜めに傾いた蒸着膜が効率良く
成膜され、記録再生特性に優れた磁気記録媒体を高い生
産性をもって製造することが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非磁性支持体上に真空
蒸着法によって磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方
法に関する。
蒸着法によって磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばビデオテープレコーダ等の分野に
おいては、高画質化を図るために、高密度化が一層強く
要求されており、これに対応する磁気記録媒体として、
金属あるいはＣｏ−Ｎｉ系合金等の磁性材料をメッキや
真空薄膜形成技術（真空蒸着法，スパッリング法，イオ
ンプレーティング法等）により、直接非磁性支持体上に
被着せしめて磁性層が形成される，いわゆる金属薄膜型
の磁気記録媒体が提案されている。
おいては、高画質化を図るために、高密度化が一層強く
要求されており、これに対応する磁気記録媒体として、
金属あるいはＣｏ−Ｎｉ系合金等の磁性材料をメッキや
真空薄膜形成技術（真空蒸着法，スパッリング法，イオ
ンプレーティング法等）により、直接非磁性支持体上に
被着せしめて磁性層が形成される，いわゆる金属薄膜型
の磁気記録媒体が提案されている。
【０００３】この金属薄膜型の磁気記録媒体は、保磁
力，角形比及び短波長域における電磁変換特性に優れる
ばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であるために磁性
材料の充填密度を高くできること等、数々の利点を有し
ている。中でも真空蒸着法によって磁性層が形成される
蒸着タイプの磁気記録媒体は、優れた短波長記録再生特
性と安定した物理特性を有していることから既にハイバ
ンド８ミリ用テープやディジタルマイクロテープとして
商品化されている。
力，角形比及び短波長域における電磁変換特性に優れる
ばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であるために磁性
材料の充填密度を高くできること等、数々の利点を有し
ている。中でも真空蒸着法によって磁性層が形成される
蒸着タイプの磁気記録媒体は、優れた短波長記録再生特
性と安定した物理特性を有していることから既にハイバ
ンド８ミリ用テープやディジタルマイクロテープとして
商品化されている。
【０００４】ところで、上記蒸着タイプの磁気テープを
作製するには、図２に示すように、冷却キャン２１に掛
け渡された非磁性支持体２２と、蒸着源２３とを対向配
置し、連続走行する非磁性支持体２２に蒸着源２３から
蒸発する金属蒸気を被着させ金属組織を成長させること
で蒸着膜を形成する。
作製するには、図２に示すように、冷却キャン２１に掛
け渡された非磁性支持体２２と、蒸着源２３とを対向配
置し、連続走行する非磁性支持体２２に蒸着源２３から
蒸発する金属蒸気を被着させ金属組織を成長させること
で蒸着膜を形成する。
【０００５】このとき、蒸着源から蒸発する金属蒸気流
を非磁性支持体２２面に対して垂直方向から入射させる
と、金属組織が垂直方向に成長して磁化容易軸が膜厚方
向と一致する蒸着膜が成膜される。一方、図２に示すよ
うに、非磁性支持体２２面に対して遮蔽板２４にて入射
角θを規制しつつ金属蒸気流を斜めに入射させると、金
属組織が斜め方向に成長し、磁化容易軸の向きが蒸着膜
の厚み方向に対して斜めに傾いた蒸着膜が成膜される。
このようにして成膜された蒸着膜は、磁化容易軸が蒸着
膜の厚み方向と同一な蒸着膜に比べて、長手記録用の磁
性層として良好な記録再生特性を発揮する。特に、磁化
容易軸が非磁性支持体面と約２０°の角度をなすように
成膜された蒸着膜は、極めて記録再生特性に優れている
ことが実験によって確認されている。
を非磁性支持体２２面に対して垂直方向から入射させる
と、金属組織が垂直方向に成長して磁化容易軸が膜厚方
向と一致する蒸着膜が成膜される。一方、図２に示すよ
うに、非磁性支持体２２面に対して遮蔽板２４にて入射
角θを規制しつつ金属蒸気流を斜めに入射させると、金
属組織が斜め方向に成長し、磁化容易軸の向きが蒸着膜
の厚み方向に対して斜めに傾いた蒸着膜が成膜される。
このようにして成膜された蒸着膜は、磁化容易軸が蒸着
膜の厚み方向と同一な蒸着膜に比べて、長手記録用の磁
性層として良好な記録再生特性を発揮する。特に、磁化
容易軸が非磁性支持体面と約２０°の角度をなすように
成膜された蒸着膜は、極めて記録再生特性に優れている
ことが実験によって確認されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属蒸
気流を非磁性支持体面に対して斜め方向から入射させる
と、良好な記録再生特性を発揮する磁性層が形成される
ものの、垂直方向から入射させる場合に比べて金属蒸気
流の被着効率が低く、金属組織の成長速度が遅い。この
ため、所定の厚さにまで成長させるには非磁性支持体の
走行速度を遅くしてある程度の時間をかけなければなら
ない。このため、生産効率の向上に制限があるといった
問題がある。
気流を非磁性支持体面に対して斜め方向から入射させる
と、良好な記録再生特性を発揮する磁性層が形成される
ものの、垂直方向から入射させる場合に比べて金属蒸気
流の被着効率が低く、金属組織の成長速度が遅い。この
ため、所定の厚さにまで成長させるには非磁性支持体の
走行速度を遅くしてある程度の時間をかけなければなら
ない。このため、生産効率の向上に制限があるといった
問題がある。
【０００７】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、磁化容易軸が厚さ方向に
対して斜めに傾いた蒸着膜が効率良く成膜され、記録再
生特性に優れた磁気記録媒体が高い生産性をもって製造
できる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的と
する。
鑑みて提案されたものであり、磁化容易軸が厚さ方向に
対して斜めに傾いた蒸着膜が効率良く成膜され、記録再
生特性に優れた磁気記録媒体が高い生産性をもって製造
できる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、蒸着を行う
に際して、非磁性支持体面に対して金属蒸気流を垂直方
向に入射させるとともに、金属蒸気気流を、非磁性支持
体面に被着するのに先行して非磁性支持体の長手方向と
平行な向きの磁界中を通過させることにより、磁化容易
軸が厚さ方向に対して斜めに傾いた蒸着膜が効率良く成
膜されるとの知見を得るに至った。
めに、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、蒸着を行う
に際して、非磁性支持体面に対して金属蒸気流を垂直方
向に入射させるとともに、金属蒸気気流を、非磁性支持
体面に被着するのに先行して非磁性支持体の長手方向と
平行な向きの磁界中を通過させることにより、磁化容易
軸が厚さ方向に対して斜めに傾いた蒸着膜が効率良く成
膜されるとの知見を得るに至った。
【０００９】本発明は、前記知見に基づいて完成された
ものであって、連続走行する非磁性支持体に対向して蒸
着源を配置し、該蒸着源から蒸発する金属蒸気流を略垂
直方向から非磁性支持体上に被着するに際し、蒸着源か
ら蒸発する金属蒸気流に非磁性支持体の長手方向と平行
な向きの磁界を印加することを特徴とするものである。
ものであって、連続走行する非磁性支持体に対向して蒸
着源を配置し、該蒸着源から蒸発する金属蒸気流を略垂
直方向から非磁性支持体上に被着するに際し、蒸着源か
ら蒸発する金属蒸気流に非磁性支持体の長手方向と平行
な向きの磁界を印加することを特徴とするものである。
【００１０】また、蒸着源がＣｏＮｉ合金であることを
特徴とするものである。さらに、金属蒸気流に印加する
磁界の強さが５００Ｏｅ以上であることを特徴とするも
のである。
特徴とするものである。さらに、金属蒸気流に印加する
磁界の強さが５００Ｏｅ以上であることを特徴とするも
のである。
【００１１】
【作用】本発明では、蒸着膜を成膜するに当たって、連
続走行する非磁性支持体に対向して蒸着源を配置し、該
蒸着源から蒸発する金属蒸気流を略垂直方向から非磁性
支持体上に被着させるとともに蒸着源から蒸発する金属
蒸気流に非磁性支持体の長手方向と平行な向きの磁界を
印加する。
続走行する非磁性支持体に対向して蒸着源を配置し、該
蒸着源から蒸発する金属蒸気流を略垂直方向から非磁性
支持体上に被着させるとともに蒸着源から蒸発する金属
蒸気流に非磁性支持体の長手方向と平行な向きの磁界を
印加する。
【００１２】連続走行する非磁性支持体に加熱蒸発した
金属蒸気流を略垂直方向から入射させると、非磁性支持
体面に金属蒸気流が効率良く被着し、金属組織が速い速
度で成長する。この非磁性支持体に金属蒸気流が被着す
るのに先行して、金属蒸気流に非磁性支持体の長手方向
と平行な向きの磁界が印加されると、金属蒸気流が凝固
する段階でこの磁界の向きに磁化されて配向し、金属組
織が斜めに傾いて成長する。したがって、磁化容易軸の
向きが厚み方向に対して斜めに傾き、記録再生特性に優
れた蒸着膜が効率良く成膜されることになる。
金属蒸気流を略垂直方向から入射させると、非磁性支持
体面に金属蒸気流が効率良く被着し、金属組織が速い速
度で成長する。この非磁性支持体に金属蒸気流が被着す
るのに先行して、金属蒸気流に非磁性支持体の長手方向
と平行な向きの磁界が印加されると、金属蒸気流が凝固
する段階でこの磁界の向きに磁化されて配向し、金属組
織が斜めに傾いて成長する。したがって、磁化容易軸の
向きが厚み方向に対して斜めに傾き、記録再生特性に優
れた蒸着膜が効率良く成膜されることになる。
【００１３】
【実施例】本発明の好適な実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１４】まず、本実施例において使用される真空蒸
着装置を図１に示す。すなわち、上記蒸着装置は、内部
が高真空状態となされたチャンバー内に、巻き出しロー
ル３，巻き取りロール４，冷却キャン５よりなる走行系
と、蒸発源である金属磁性材料７が収容された坩堝６と
を収容することにより構成されている。
着装置を図１に示す。すなわち、上記蒸着装置は、内部
が高真空状態となされたチャンバー内に、巻き出しロー
ル３，巻き取りロール４，冷却キャン５よりなる走行系
と、蒸発源である金属磁性材料７が収容された坩堝６と
を収容することにより構成されている。
【００１５】上記巻き出しロール３，冷却キャン５，巻
き取りロール４には、長尺状の非磁性支持体２が順次掛
け渡され、前記巻き出しロール３より冷却キャン５側に
送り出されて最終的に前記巻き取りロール４に巻き取ら
れるようになされている。また、上記冷却キャン５の内
部には、図示しない冷却装置が設けられ、前記非磁性支
持体２の温度上昇による変形等を制御するようになされ
ている。
き取りロール４には、長尺状の非磁性支持体２が順次掛
け渡され、前記巻き出しロール３より冷却キャン５側に
送り出されて最終的に前記巻き取りロール４に巻き取ら
れるようになされている。また、上記冷却キャン５の内
部には、図示しない冷却装置が設けられ、前記非磁性支
持体２の温度上昇による変形等を制御するようになされ
ている。
【００１６】上記坩堝６は、前記冷却キャン５の下方で
あって、該冷却キャン５の接線方向と略平行となるよう
な位置に冷却キャンに対して対向配置されている。そし
て、この坩堝６内に収容される金属磁性材料７が電子銃
等によって加熱蒸発させられ、前記冷却キャン５の外周
囲を走行する非磁性支持体２上に磁性層として被着形成
されるようになされている。
あって、該冷却キャン５の接線方向と略平行となるよう
な位置に冷却キャンに対して対向配置されている。そし
て、この坩堝６内に収容される金属磁性材料７が電子銃
等によって加熱蒸発させられ、前記冷却キャン５の外周
囲を走行する非磁性支持体２上に磁性層として被着形成
されるようになされている。
【００１７】また、上記冷却キャン５と坩堝６の間に
は、前記金属磁性材料７の加熱蒸発による金属蒸気流を
遮蔽する遮蔽板８が配設されている。上記遮蔽板８は、
金属蒸気流が前記非磁性支持体２に対して所定角度範囲
で蒸着されるように当該非磁性支持体２の所定範囲を覆
うものである。
は、前記金属磁性材料７の加熱蒸発による金属蒸気流を
遮蔽する遮蔽板８が配設されている。上記遮蔽板８は、
金属蒸気流が前記非磁性支持体２に対して所定角度範囲
で蒸着されるように当該非磁性支持体２の所定範囲を覆
うものである。
【００１８】そして、さらに上記蒸着装置においては、
遮蔽板８と冷却キャン５の間に一対のコイル９が配さ
れ、この遮蔽板８と冷却キャン５の間に非磁性支持体２
の長手方向と平行な向きの磁界が形成されるようになさ
れている。これら一対のコイル９は、遮蔽板８の開口部
を通過した金属蒸気流を、非磁性支持体２に到達する前
に非磁性支持体２の長手方向に対して平行な向きに磁
化，配向させるためのものである。
遮蔽板８と冷却キャン５の間に一対のコイル９が配さ
れ、この遮蔽板８と冷却キャン５の間に非磁性支持体２
の長手方向と平行な向きの磁界が形成されるようになさ
れている。これら一対のコイル９は、遮蔽板８の開口部
を通過した金属蒸気流を、非磁性支持体２に到達する前
に非磁性支持体２の長手方向に対して平行な向きに磁
化，配向させるためのものである。
【００１９】このように構成された蒸着装置を用いて非
磁性支持体２上に蒸着膜を形成するには、先ずチャンバ
ー内を真空状態とした後、巻き出しロール３側から巻き
取りロール４側に亘って非磁性支持体２を走行させる。
そして、電子銃等によって坩堝６内の金属磁性材料７を
加熱蒸発させる。加熱蒸発した金属蒸気流のうち遮蔽板
８の開口部を通過した金属蒸気流は、遮蔽板８と冷却キ
ャン５の間に配設された一対のコイル９によって形成さ
れた磁界中を通過する。これにより、金属蒸気流は磁化
され、その後、非磁性支持体２上に垂直方向に入射して
被着し、蒸着膜が形成される。
磁性支持体２上に蒸着膜を形成するには、先ずチャンバ
ー内を真空状態とした後、巻き出しロール３側から巻き
取りロール４側に亘って非磁性支持体２を走行させる。
そして、電子銃等によって坩堝６内の金属磁性材料７を
加熱蒸発させる。加熱蒸発した金属蒸気流のうち遮蔽板
８の開口部を通過した金属蒸気流は、遮蔽板８と冷却キ
ャン５の間に配設された一対のコイル９によって形成さ
れた磁界中を通過する。これにより、金属蒸気流は磁化
され、その後、非磁性支持体２上に垂直方向に入射して
被着し、蒸着膜が形成される。
【００２０】このとき、上記金属蒸気流は非磁性支持体
２面に対して垂直方向に入射するので非磁性支持体２面
に効率良く被着し、金属組織が速い成長速度で成長す
る。また、この被着する金属蒸気流は非磁性支持体の長
手方向に対して平行な向きに磁化され配向しており、金
属組織は斜めに傾いて成長する。したがって、磁化容易
軸が膜厚方向に対して斜めに傾き、記録再生特性に優れ
た蒸着膜が効率良く成膜されることになる。
２面に対して垂直方向に入射するので非磁性支持体２面
に効率良く被着し、金属組織が速い成長速度で成長す
る。また、この被着する金属蒸気流は非磁性支持体の長
手方向に対して平行な向きに磁化され配向しており、金
属組織は斜めに傾いて成長する。したがって、磁化容易
軸が膜厚方向に対して斜めに傾き、記録再生特性に優れ
た蒸着膜が効率良く成膜されることになる。
【００２１】なお、記録再生特性がより優れたものとす
るには、蒸着膜の磁化容易軸が非磁性支持体面に対して
約２０°傾くように蒸着膜を成膜することが好ましい。
蒸着膜の磁化容易軸は、例えばコイルより発生する磁界
の大きさを制御することによって調整することができ、
この磁界の大きさを５００Ｏｅ以上とすることによって
磁化容易軸が非磁性支持体面と約２０°の角度をなす蒸
着膜が形成できる。
るには、蒸着膜の磁化容易軸が非磁性支持体面に対して
約２０°傾くように蒸着膜を成膜することが好ましい。
蒸着膜の磁化容易軸は、例えばコイルより発生する磁界
の大きさを制御することによって調整することができ、
この磁界の大きさを５００Ｏｅ以上とすることによって
磁化容易軸が非磁性支持体面と約２０°の角度をなす蒸
着膜が形成できる。
【００２２】また、上記蒸着装置によって斜方蒸着する
金属材料としては、通常この主の媒体で使用されるもの
がいずれも使用可能である。例示すれば、Ｃｏ−Ｎｉ合
金の他、Ｃｏ−Ｐｔ合金，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金，Ｆｅ
−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金，
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金等が使
用可能である。
金属材料としては、通常この主の媒体で使用されるもの
がいずれも使用可能である。例示すれば、Ｃｏ−Ｎｉ合
金の他、Ｃｏ−Ｐｔ合金，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金，Ｆｅ
−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金，
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金等が使
用可能である。
【００２３】蒸着膜が成膜される非磁性支持体として
は、やはりこの種の媒体で通常使用されるものが使用で
き、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィ
ルム，ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエ
ステルフィルムや芳香族ポリアミドフィルム，ポリイミ
ド樹脂フィルム等が挙げられる。
は、やはりこの種の媒体で通常使用されるものが使用で
き、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィ
ルム，ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエ
ステルフィルムや芳香族ポリアミドフィルム，ポリイミ
ド樹脂フィルム等が挙げられる。
【００２４】次に、実際に上記蒸着装置を用いて磁気テ
ープを作製し、磁気特性，記録再生特性を調べた。
ープを作製し、磁気特性，記録再生特性を調べた。
【００２５】実験例１〜実験例４ 先ず、上記蒸着装置の坩堝６内にＣｏ−Ｎｉ系合金を収
容するとともに巻き出しロール３，冷却キャン５，巻き
取りロール４に亘って非磁性支持体２となるポリエチレ
ンテフレタレート（ＰＥＴ）フィルムを巻回した。そし
て、上記チャンバー内を１０-9気圧となるまで排気した
後、コイルに電流を供給して所定の大きさの磁界を発生
させるとともに坩堝６内に載置したＣｏ−Ｎｉ系合金を
電子ビームで加熱溶解して蒸発させ、ＰＥＴフィルム上
に被着させることで膜厚２００ｎｍの蒸着膜を成膜し
た。
容するとともに巻き出しロール３，冷却キャン５，巻き
取りロール４に亘って非磁性支持体２となるポリエチレ
ンテフレタレート（ＰＥＴ）フィルムを巻回した。そし
て、上記チャンバー内を１０-9気圧となるまで排気した
後、コイルに電流を供給して所定の大きさの磁界を発生
させるとともに坩堝６内に載置したＣｏ−Ｎｉ系合金を
電子ビームで加熱溶解して蒸発させ、ＰＥＴフィルム上
に被着させることで膜厚２００ｎｍの蒸着膜を成膜し
た。
【００２６】なお、このとき蒸着源を加熱蒸発させるた
めの電子ビームに供給する電流は、１．０Ａに設定し
た。上記蒸着装置では、ビーム電流をこのように設定し
たときには、非磁性支持体の送り速度を３０ｍ／分とす
ることにより膜厚２００ｎｍの蒸着膜が成膜される。ま
た、コイルより発生させた磁界の大きさは表１に示す通
りである。
めの電子ビームに供給する電流は、１．０Ａに設定し
た。上記蒸着装置では、ビーム電流をこのように設定し
たときには、非磁性支持体の送り速度を３０ｍ／分とす
ることにより膜厚２００ｎｍの蒸着膜が成膜される。ま
た、コイルより発生させた磁界の大きさは表１に示す通
りである。
【００２７】以上のようにして蒸着膜が成膜された非磁
性支持体を所定のテープ幅に裁断して磁気テープを作製
した。
性支持体を所定のテープ幅に裁断して磁気テープを作製
した。
【００２８】実験例５ 蒸着源から発生する金属蒸気流を非磁性支持体面に対し
て斜めに入射させる斜方型の蒸着装置を用いて非磁性支
持体上に膜厚２００ｎｍのＣｏ−Ｎｉ系合金よりなる蒸
着膜を成膜した。そして蒸着膜が成膜された非磁性支持
体を所定のテープ幅に裁断して磁気テープを作製した。
て斜めに入射させる斜方型の蒸着装置を用いて非磁性支
持体上に膜厚２００ｎｍのＣｏ−Ｎｉ系合金よりなる蒸
着膜を成膜した。そして蒸着膜が成膜された非磁性支持
体を所定のテープ幅に裁断して磁気テープを作製した。
【００２９】なお、蒸着源を加熱蒸発させるための電子
ビームに供給する電流は、１．０Ａに設定した。上記斜
方型の蒸着装置では、ビーム電流をこのように設定した
としたきには、非磁性支持体の送り速度を７ｍ／分に設
定することにより、膜厚２００ｎｍの蒸着膜が成膜され
る。
ビームに供給する電流は、１．０Ａに設定した。上記斜
方型の蒸着装置では、ビーム電流をこのように設定した
としたきには、非磁性支持体の送り速度を７ｍ／分に設
定することにより、膜厚２００ｎｍの蒸着膜が成膜され
る。
【００３０】以上のようにして作製された各磁気テープ
について、磁化容易軸，保磁力，再生出力を測定した。
その結果を蒸着膜の成膜に際して設定した冷却キャンと
シャッターの間に発生させる磁界の大きさ，非磁性支持
体の走行速度と併せて表１に示す。
について、磁化容易軸，保磁力，再生出力を測定した。
その結果を蒸着膜の成膜に際して設定した冷却キャンと
シャッターの間に発生させる磁界の大きさ，非磁性支持
体の走行速度と併せて表１に示す。
【００３１】なお、表１中、磁化容易軸方向は、非磁性
支持体面と磁化容易軸のなす角度を試料振動型磁力計に
て測定したものである。また、再生出力は、ハイバンド
８ミリビデオデッキ（ソニー社製，商品名ＥＶＳ−９０
０改造機）を用い、相対速度３．８ｍ／秒、記録周波数
７ＭＨｚの条件で、再生時に７ＭＨｚ信号として再生さ
れた信号の出力を再生出力として測定したものである。
なお、再生出力の測定に際して、各磁気テープに記録を
行うための記録電流は再生出力が最も高くなるときの値
に設定した。
支持体面と磁化容易軸のなす角度を試料振動型磁力計に
て測定したものである。また、再生出力は、ハイバンド
８ミリビデオデッキ（ソニー社製，商品名ＥＶＳ−９０
０改造機）を用い、相対速度３．８ｍ／秒、記録周波数
７ＭＨｚの条件で、再生時に７ＭＨｚ信号として再生さ
れた信号の出力を再生出力として測定したものである。
なお、再生出力の測定に際して、各磁気テープに記録を
行うための記録電流は再生出力が最も高くなるときの値
に設定した。
【００３２】
【表１】
【００３３】表１において、まず、蒸着を非磁性支持体
面に対して略垂直方向から行った実験例１〜実験例４と
蒸着を非磁性支持体面に対して斜め方向から行った実験
例５の磁気テープとを、蒸着に際する非磁性支持体の走
行速度について比較すると、膜厚２００ｎｍの蒸着膜を
成膜するには実験例５では非磁性支持体の走行速度を７
ｍ／分と遅く設定しなければならなかったのに対して、
実験例１〜実験例４では非磁性支持体の走行速度を実験
例５の場合の約４倍に相当する３０ｍ／分と速く設定す
ることができる。このことから、蒸着膜を効率良く成膜
するには、蒸着は非磁性支持体面に対して垂直方向から
行う方が有利であることがわかる。
面に対して略垂直方向から行った実験例１〜実験例４と
蒸着を非磁性支持体面に対して斜め方向から行った実験
例５の磁気テープとを、蒸着に際する非磁性支持体の走
行速度について比較すると、膜厚２００ｎｍの蒸着膜を
成膜するには実験例５では非磁性支持体の走行速度を７
ｍ／分と遅く設定しなければならなかったのに対して、
実験例１〜実験例４では非磁性支持体の走行速度を実験
例５の場合の約４倍に相当する３０ｍ／分と速く設定す
ることができる。このことから、蒸着膜を効率良く成膜
するには、蒸着は非磁性支持体面に対して垂直方向から
行う方が有利であることがわかる。
【００３４】次に、蒸着を非磁性支持体面に対して略垂
直方向から行った実験例１〜実験例４を、印加磁界の大
きさ，磁化容易軸，保磁力，再生出力について比較する
と、磁化容易軸，保磁力，再生出力は、蒸着に際して金
属蒸気流に印加した磁界の大きさによって変化すること
がわかる。すなわち、金属蒸気流に全く磁界を印加しな
い場合（実験例１）には、蒸着膜の磁化容易軸が非磁性
支持体面に対して垂直であり、保磁力，再生出力が小さ
い値を示す。そして、金属蒸気流に印加する磁界の大き
さが大きい場合程、蒸着膜の磁化容易軸が垂直から斜め
に傾き、それに伴って保磁力，再生出力が高い値とな
る。特に、金属蒸気流に１０００Ｏｅの磁界を印加した
場合（実験例４）には、斜めから蒸着を行った場合と同
等の保磁力，再生出力が得られる。
直方向から行った実験例１〜実験例４を、印加磁界の大
きさ，磁化容易軸，保磁力，再生出力について比較する
と、磁化容易軸，保磁力，再生出力は、蒸着に際して金
属蒸気流に印加した磁界の大きさによって変化すること
がわかる。すなわち、金属蒸気流に全く磁界を印加しな
い場合（実験例１）には、蒸着膜の磁化容易軸が非磁性
支持体面に対して垂直であり、保磁力，再生出力が小さ
い値を示す。そして、金属蒸気流に印加する磁界の大き
さが大きい場合程、蒸着膜の磁化容易軸が垂直から斜め
に傾き、それに伴って保磁力，再生出力が高い値とな
る。特に、金属蒸気流に１０００Ｏｅの磁界を印加した
場合（実験例４）には、斜めから蒸着を行った場合と同
等の保磁力，再生出力が得られる。
【００３５】以上のことから、蒸着を垂直方向から行う
場合でも、金属蒸気流に非磁性支持体の長手方向と平行
な磁界を印加すれば、磁化容易軸が厚さ方向に対して斜
めに傾いた蒸着膜が形成でき、記録再生特性に優れた磁
気記録媒体が高い生産性をもって製造することが可能と
なることがわかった。
場合でも、金属蒸気流に非磁性支持体の長手方向と平行
な磁界を印加すれば、磁化容易軸が厚さ方向に対して斜
めに傾いた蒸着膜が形成でき、記録再生特性に優れた磁
気記録媒体が高い生産性をもって製造することが可能と
なることがわかった。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気記録媒体の製造方法では、連続走行する非磁性
支持体に対向して蒸着源を配置し、該蒸着源から蒸発す
る金属蒸気流を略垂直方向から非磁性支持体上に被着す
るに際し、蒸着源から蒸発する金属蒸気流に非磁性支持
体の長手方向と平行な向きの磁界を印加するので、磁化
容易軸が斜めに傾いた蒸着膜が効率良く成膜され、記録
再生特性に優れた磁気記録媒体を高い生産性をもって製
造することが可能である。
明の磁気記録媒体の製造方法では、連続走行する非磁性
支持体に対向して蒸着源を配置し、該蒸着源から蒸発す
る金属蒸気流を略垂直方向から非磁性支持体上に被着す
るに際し、蒸着源から蒸発する金属蒸気流に非磁性支持
体の長手方向と平行な向きの磁界を印加するので、磁化
容易軸が斜めに傾いた蒸着膜が効率良く成膜され、記録
再生特性に優れた磁気記録媒体を高い生産性をもって製
造することが可能である。
【図１】従来の蒸着装置の構成を示す模式図である。
【図２】本発明を適用した蒸着装置の一構成例を示す模
式図である。
式図である。
２・・・非磁性支持体 ５・・・冷却キャン ７・・・蒸着源 ８・・・遮蔽板 ９・・・コイル
Claims (3)
- 【請求項１】 連続走行する非磁性支持体に対向して蒸
着源を配置し、該蒸着源から蒸発する金属蒸気流を略垂
直方向から非磁性支持体上に被着するに際し、蒸着源か
ら蒸発する金属蒸気流に非磁性支持体の長手方向と平行
な向きの磁界を印加することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項２】 蒸着源がＣｏＮｉ合金であることを特徴
とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 金属蒸気流に印加する磁界の強さが５０
０Ｏｅ以上であることを特徴とする請求項１記載の磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18331693A JPH0721560A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18331693A JPH0721560A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0721560A true JPH0721560A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=16133570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18331693A Withdrawn JPH0721560A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721560A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6429430B2 (en) | 1998-06-18 | 2002-08-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same |
| US6469305B2 (en) | 1998-06-19 | 2002-10-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image sensor |
| US6469307B2 (en) | 1998-06-18 | 2002-10-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same |
| US6531225B1 (en) | 1998-06-18 | 2003-03-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US6753531B2 (en) | 1999-04-09 | 2004-06-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US7034306B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US8354646B2 (en) | 2006-10-30 | 2013-01-15 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Scintillator plate, scintillator panel and flat panel radiation detector by use thereof |
| US9121951B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-09-01 | Konica Minolta, Inc. | Deposition substrate and scintillator panel |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP18331693A patent/JPH0721560A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7408177B2 (en) | 1998-06-18 | 2008-08-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US6429430B2 (en) | 1998-06-18 | 2002-08-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same |
| US6469307B2 (en) | 1998-06-18 | 2002-10-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same |
| US6531225B1 (en) | 1998-06-18 | 2003-03-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US7034306B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US6849336B2 (en) | 1998-06-18 | 2005-02-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US7112801B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-09-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US7705315B2 (en) | 1998-06-18 | 2010-04-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US6469305B2 (en) | 1998-06-19 | 2002-10-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image sensor |
| US6753531B2 (en) | 1999-04-09 | 2004-06-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US6911658B2 (en) | 1999-04-09 | 2005-06-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US8354646B2 (en) | 2006-10-30 | 2013-01-15 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Scintillator plate, scintillator panel and flat panel radiation detector by use thereof |
| US9121951B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-09-01 | Konica Minolta, Inc. | Deposition substrate and scintillator panel |
| US9557424B2 (en) | 2013-02-28 | 2017-01-31 | Konica Minolta, Inc. | Deposition substrate and scintillator panel |
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