JPS6280832A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6280832A JPS6280832A JP22077085A JP22077085A JPS6280832A JP S6280832 A JPS6280832 A JP S6280832A JP 22077085 A JP22077085 A JP 22077085A JP 22077085 A JP22077085 A JP 22077085A JP S6280832 A JPS6280832 A JP S6280832A
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- Japan
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- film
- thin film
- recording medium
- magnetic recording
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は量産化に適した磁気記録媒体の製造方法C:係
り、特に金属薄膜型垂直磁気記録媒体の製造(:適した
製造方法::関するものである。
り、特に金属薄膜型垂直磁気記録媒体の製造(:適した
製造方法::関するものである。
tC!l 従来の技術
$8図C:示すようCoo−Or、0O−Or−Rhな
どの強磁性金属の垂直磁化膜(2)をPKTフィルム等
の非磁性基板(1)上に形成して得られる垂直磁気記録
媒体は、残留磁束密度が大きく、高密度記録C二連して
いる。
どの強磁性金属の垂直磁化膜(2)をPKTフィルム等
の非磁性基板(1)上に形成して得られる垂直磁気記録
媒体は、残留磁束密度が大きく、高密度記録C二連して
いる。
非磁性基板(1)上に垂直磁化膜(2)を形成する方法
としては、一般にスパッタ法または蒸着法が用いられて
いる。
としては、一般にスパッタ法または蒸着法が用いられて
いる。
例えば、スパッタ法としては対向ターゲット式高速スパ
ッタ法やマグネトロン式高速スパッタ法を応用すること
が提案されている。(雑誌応用物理第48巻第6号55
7〜561頁「新しいスパッタ膜形成技術の動向」) 第9図は、一般的な対向ターゲット式スパッタ法を利用
した磁気記録媒体製造装置の概略図である。この装置(
二おいて、!!ず真空槽(3)を十分排気した後、Ar
ガスを導入し、スパッタ電源(4)によりターゲット(
5)(51(例えばco−ar合合板)に負の高電圧を
印加するとArガスがイオン化してプラズマ放電が起る
。この正に帯電したATイオンが前記ターゲットに衝突
すると、ターゲット表面の原子がスパッタされてキャン
ロール(61cよって定速移送されるPET等の非磁性
基板(1)上に。
ッタ法やマグネトロン式高速スパッタ法を応用すること
が提案されている。(雑誌応用物理第48巻第6号55
7〜561頁「新しいスパッタ膜形成技術の動向」) 第9図は、一般的な対向ターゲット式スパッタ法を利用
した磁気記録媒体製造装置の概略図である。この装置(
二おいて、!!ず真空槽(3)を十分排気した後、Ar
ガスを導入し、スパッタ電源(4)によりターゲット(
5)(51(例えばco−ar合合板)に負の高電圧を
印加するとArガスがイオン化してプラズマ放電が起る
。この正に帯電したATイオンが前記ターゲットに衝突
すると、ターゲット表面の原子がスパッタされてキャン
ロール(61cよって定速移送されるPET等の非磁性
基板(1)上に。
c o −c rなどの磁性膜が形成される。そしてキ
ャンロール(6)の周面の一部をマスク(9)で被覆し
。
ャンロール(6)の周面の一部をマスク(9)で被覆し
。
キャンロール(6)C纒周案内される非磁性基板(田:
対するスパッタ金属の入射角度を小さく規制すると、基
板上に垂直磁化膜が形成される。!1!9図において、
(7)は供給ロール、(8)は巻取ロール、αQα■は
プラズマ収束用の磁石を示す。
対するスパッタ金属の入射角度を小さく規制すると、基
板上に垂直磁化膜が形成される。!1!9図において、
(7)は供給ロール、(8)は巻取ロール、αQα■は
プラズマ収束用の磁石を示す。
このような高速スパッタ法においては、膜面(−垂直方
向の抗磁力が高く、かつ垂直対水平残留磁化比の大きい
良質な垂直磁化膜が容易感−得られるとともに、このよ
うな良質な垂直磁化膜が蒸着法に比べてかなり低い基板
温度で形成できるという利点を有する一方、成膜速度が
蒸着法より1桁以上低く、量産性(二劣る点という欠点
を余儀かくされる。
向の抗磁力が高く、かつ垂直対水平残留磁化比の大きい
良質な垂直磁化膜が容易感−得られるとともに、このよ
うな良質な垂直磁化膜が蒸着法に比べてかなり低い基板
温度で形成できるという利点を有する一方、成膜速度が
蒸着法より1桁以上低く、量産性(二劣る点という欠点
を余儀かくされる。
一方、蒸着法(二よる垂直磁化膜の形成では第10図に
示すような連続蒸着装置!=よる方法が提案されている
。(東北大学電気通信研究所 第18回シンポジウム論
文集 149〜157頁「真空蒸着法によるQO−Qr
垂直記録媒体」)この装置(=おいて、まず真空槽芝十
分排気した後1図には示していないが電子ビームによシ
例えばCo−0r合金インゴツ)Uを加熱、蒸発させキ
ャンロール(6)によって定速移送される非磁性基板(
1)上にQ o −Q r膜が形成される。そしてキャ
ンロール(6)と蒸発#r14との間にマスク+1)1
を設けて非磁性基板(1)(:対する蒸発原子の入射角
度を規制することにより、基板上(二垂直磁化膜を形成
する。
示すような連続蒸着装置!=よる方法が提案されている
。(東北大学電気通信研究所 第18回シンポジウム論
文集 149〜157頁「真空蒸着法によるQO−Qr
垂直記録媒体」)この装置(=おいて、まず真空槽芝十
分排気した後1図には示していないが電子ビームによシ
例えばCo−0r合金インゴツ)Uを加熱、蒸発させキ
ャンロール(6)によって定速移送される非磁性基板(
1)上にQ o −Q r膜が形成される。そしてキャ
ンロール(6)と蒸発#r14との間にマスク+1)1
を設けて非磁性基板(1)(:対する蒸発原子の入射角
度を規制することにより、基板上(二垂直磁化膜を形成
する。
第10図において(7)は供給ロール、(8)は巻取ロ
ール、(13はルツボを示す。
ール、(13はルツボを示す。
このような蒸着法(:おいては、特C:成膜速度が大き
く、量産性に優れているが、スパッタ法に比べて膜質が
劣り、かつ基板温度を500℃程度ζ−かなり高くする
必要があることから基板として従来から使用されている
PETフィルムが使えず。
く、量産性に優れているが、スパッタ法に比べて膜質が
劣り、かつ基板温度を500℃程度ζ−かなり高くする
必要があることから基板として従来から使用されている
PETフィルムが使えず。
高価なポリアミド、ポリイミドなどの耐熱性の良いフィ
ルムの使用が不可欠であった。
ルムの使用が不可欠であった。
このようじ蒸着法では高価な耐熱性フィルムを使用しな
ければならないとともイ:垂直磁化膜としての磁気特性
がスパッタ法による膜と比べて劣るという欠点があった
。
ければならないとともイ:垂直磁化膜としての磁気特性
がスパッタ法による膜と比べて劣るという欠点があった
。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
本発明は成膜速度が小さいというスパッタ法の問題点と
、基板を高温に保つことを不可欠とされ7、)−ともに
スパッタ#:C二土16岳直耕()−荊シ7.ての磁気
特性も劣るという蒸着法の問題点とを解決した高性能な
垂直磁気記録媒体を量産性よく製造するための方法を提
供するものである。
、基板を高温に保つことを不可欠とされ7、)−ともに
スパッタ#:C二土16岳直耕()−荊シ7.ての磁気
特性も劣るという蒸着法の問題点とを解決した高性能な
垂直磁気記録媒体を量産性よく製造するための方法を提
供するものである。
に)問題点を解決するための手段
定速移送されるPET等の非磁性基板上ニー、こした状
態で1強磁性金属を極く薄くスパッタして$1薄膜を形
成し、この第1薄膜上(ニスバッタ法以外のドライプロ
セスにより前記強磁性金属をエビタキンヤルに結晶させ
乍ら所定の膜厚となる様に第2薄膜を形成させる。
態で1強磁性金属を極く薄くスパッタして$1薄膜を形
成し、この第1薄膜上(ニスバッタ法以外のドライプロ
セスにより前記強磁性金属をエビタキンヤルに結晶させ
乍ら所定の膜厚となる様に第2薄膜を形成させる。
犀)作 用
PET、ポリアミド、ポリイミドなどの非磁性基板上(
−男1薄膜を形成する際に、強磁性金属を所定の入射角
θi(例えば15°)以下、基板温[T8例えば100
℃以上でスパッタリングすること(二より垂直対水平残
留磁化比が高くかつ高抗磁力でその上(二後の工程で被
着する蒸着原子のヱビタキンヤルな結晶成長を可能とす
る第1薄阪を形成する。
−男1薄膜を形成する際に、強磁性金属を所定の入射角
θi(例えば15°)以下、基板温[T8例えば100
℃以上でスパッタリングすること(二より垂直対水平残
留磁化比が高くかつ高抗磁力でその上(二後の工程で被
着する蒸着原子のヱビタキンヤルな結晶成長を可能とす
る第1薄阪を形成する。
その後、この第1薄膜上C:強磁性金属を真空蒸着法ま
たはイオンブレーティング法等のドライプロセスによっ
て被着し、エビタキンヤルに結晶成長させて第2薄膜を
高速形成させると、高性能な垂直磁気記録媒体Σ猛産性
よく製造することができる。
たはイオンブレーティング法等のドライプロセスによっ
て被着し、エビタキンヤルに結晶成長させて第2薄膜を
高速形成させると、高性能な垂直磁気記録媒体Σ猛産性
よく製造することができる。
(へ)実施例
本発明の基礎となる実験
(1,1第9図の対向ターゲット式スパッタ装置と第1
0図の真空蒸着装置を用いて、それぞれポリアミドフィ
ルムベース上にQ o −Q r膜を形成した場合の基
板温度T1)(以下T8はキャンロールの表面温度を表
わす)とGo−Or膜の残留磁化比Mrl/Mr//お
よび垂直方向抗磁力Ha上との関係を測定した。これら
の測定結果を第2因と第3図(:示す。第2図は基板温
度7日を横軸に、残留磁化比M r l / M r
/を縦軸C−とって表わしたものである。また、第3図
は基板温度T9を横軸(:垂直方向抗磁力Haxを縦軸
にとって表わしたものである。
0図の真空蒸着装置を用いて、それぞれポリアミドフィ
ルムベース上にQ o −Q r膜を形成した場合の基
板温度T1)(以下T8はキャンロールの表面温度を表
わす)とGo−Or膜の残留磁化比Mrl/Mr//お
よび垂直方向抗磁力Ha上との関係を測定した。これら
の測定結果を第2因と第3図(:示す。第2図は基板温
度7日を横軸に、残留磁化比M r l / M r
/を縦軸C−とって表わしたものである。また、第3図
は基板温度T9を横軸(:垂直方向抗磁力Haxを縦軸
にとって表わしたものである。
第2図と第3図から明らかなよう(=、スパッタ法蒸着
法とも基板温度TBが高い程、QO−Qr膜の残留磁化
比Mrl/Mr/、垂直方向抗磁力HQIとも高くなる
。蒸着法では基板温度TS=250〜300℃程度の高
温で残留磁化比Mr/MY/が最大t7のco−〇rl
l+が得られるが。
法とも基板温度TBが高い程、QO−Qr膜の残留磁化
比Mrl/Mr/、垂直方向抗磁力HQIとも高くなる
。蒸着法では基板温度TS=250〜300℃程度の高
温で残留磁化比Mr/MY/が最大t7のco−〇rl
l+が得られるが。
このような膜はスパッタ法では130℃程度の低い基板
温度T1)で得られる。本実験(二用いたスパッタ装置
では加熱機構上の制約により基板温度T8は最高140
℃までしか上げられなかったが。
温度T1)で得られる。本実験(二用いたスパッタ装置
では加熱機構上の制約により基板温度T8は最高140
℃までしか上げられなかったが。
この温度で残留磁化比Mr、/M?//がt9という優
れたQ O−Q r膜が得られている。一方垂直方向抗
磁力HQ 1 (二ついてもスパッタ法と蒸着法とで前
記の残留磁化比Mr1/Mr//と同様の傾向を示して
いる。蒸着法C二よるCo−0r膜の形成(−おいては
ポリアミド、ポリイミドなどの耐熱性フィルムが基板と
して不可欠であるが蒸着中は蒸着原子の凝縮熱、蒸発源
からの輻射熱、電子衝撃などにより、基板の表面温度が
更C:上昇するため、フィルムの熱損傷やシワの発生な
(Oo−(3r膜を形成する(二は、基板温度TFiは
200℃以下にすることが望ましい。従って蒸着法によ
るOO+、 Q r膜は残留磁化比Mr↓/Mr、y、
垂直方向抗磁力Ha土ともスパッタ法(;よる(l O
−Or膜より劣るということができる。即ちスパッタ法
によるoo−cr膜は蒸着法による(3o−cr膜(:
比べ低い基板温度でより優れた股が得られる。
れたQ O−Q r膜が得られている。一方垂直方向抗
磁力HQ 1 (二ついてもスパッタ法と蒸着法とで前
記の残留磁化比Mr1/Mr//と同様の傾向を示して
いる。蒸着法C二よるCo−0r膜の形成(−おいては
ポリアミド、ポリイミドなどの耐熱性フィルムが基板と
して不可欠であるが蒸着中は蒸着原子の凝縮熱、蒸発源
からの輻射熱、電子衝撃などにより、基板の表面温度が
更C:上昇するため、フィルムの熱損傷やシワの発生な
(Oo−(3r膜を形成する(二は、基板温度TFiは
200℃以下にすることが望ましい。従って蒸着法によ
るOO+、 Q r膜は残留磁化比Mr↓/Mr、y、
垂直方向抗磁力Ha土ともスパッタ法(;よる(l O
−Or膜より劣るということができる。即ちスパッタ法
によるoo−cr膜は蒸着法による(3o−cr膜(:
比べ低い基板温度でより優れた股が得られる。
特にリングヘッド(:よる垂直磁気記録では少なくとも
垂直方向抗磁力HQ上が7000e 以上。
垂直方向抗磁力HQ上が7000e 以上。
好ましくは10000e 以上、残留磁化比Mri/
M r /が1以上の膜が必要であるから、このような
垂直磁化膜をスパッタ法で形成する(:は、第2図、第
3図の実験結果から基板温度を少なくとも100℃以上
、好ましくは120℃程度にする必要がある。
M r /が1以上の膜が必要であるから、このような
垂直磁化膜をスパッタ法で形成する(:は、第2図、第
3図の実験結果から基板温度を少なくとも100℃以上
、好ましくは120℃程度にする必要がある。
(2)同様(:第9図の装置を用いてポリアミドフィル
ムベース上に、co−〇rをスパッタリングする際に、
初期入射角θiとフィルムベース上(:形成されたo
o −c r膜の残留磁化比M r i/Mr/および
垂直方向抗磁力)(clとの関係を測定した。
ムベース上に、co−〇rをスパッタリングする際に、
初期入射角θiとフィルムベース上(:形成されたo
o −c r膜の残留磁化比M r i/Mr/および
垂直方向抗磁力)(clとの関係を測定した。
第4図は、測定結果を初期入射角01を横軸に。
残留磁化比Mr↓/Mr/を縦軸C二とって表わしたも
のである。垂直方向磁力HaLは初期入射角θiよ二依
存しないことが確認されたので図(:は省略した。この
図から明らかなようC:初期入射角θiが小さい程 (
10−Qr膜の残留磁化比Mri/ M r /が大き
くなる。上述のように残留磁化比Mr上/ M r膜が
1以上のリングヘッド(=よる垂直磁気記録に適したG
o−Or膜を得るには、第4図より初期入射角01を略
15°以内C二制限する必要があることが分る。
のである。垂直方向磁力HaLは初期入射角θiよ二依
存しないことが確認されたので図(:は省略した。この
図から明らかなようC:初期入射角θiが小さい程 (
10−Qr膜の残留磁化比Mri/ M r /が大き
くなる。上述のように残留磁化比Mr上/ M r膜が
1以上のリングヘッド(=よる垂直磁気記録に適したG
o−Or膜を得るには、第4図より初期入射角01を略
15°以内C二制限する必要があることが分る。
前述の2つの実1!i(1++2)からリングヘッド(
=よる垂直磁気記録C適した高性能なQ O−Q r垂
直磁化膜を得るため::は非磁性基板の耐熱性%を考慮
とが分った。尚実験(1)(2+ を二おいて成膜速度
は蒸着法では24μm/minであるに対しスパッタ法
では15μm/m1nI!:かなり低い結果を得た。
=よる垂直磁気記録C適した高性能なQ O−Q r垂
直磁化膜を得るため::は非磁性基板の耐熱性%を考慮
とが分った。尚実験(1)(2+ を二おいて成膜速度
は蒸着法では24μm/minであるに対しスパッタ法
では15μm/m1nI!:かなり低い結果を得た。
(8,)上述の実験結果に基づいて1本発明者等はPE
T、ポリイミド、ポリアミドなどの非磁性基板上にoo
−arの第1薄膜Qυ(第5図)をスパッタ法にて小さ
い初期入射角θiと比較的高い基板温度条件下で極薄く
形成し、その−ヒにC0−Crの第2薄膜■(第5図)
を真空蒸着法またはイオンブレーティング法で被着しエ
ピタキシャルに結晶成長させれば残留磁化比M r l
/ 1*ζr/、垂直方向抗磁力HO1とも高い(j
O−Q r垂直磁化膜が高速形成できるのではないか
という予測をもとこ、まずポリアミド、ポリイミドなど
の耐熱フィルム上に初期入射角θi=−5、基板淘1t
’rs(1)−120℃でCo−0r膜の第1薄膜(2
Bを種々の膜厚で対向ターゲット式スパッタ法にてスパ
ッタ形成し、更にその上C二基板温度’rli(2+−
120℃でQO−Cr膜の第2薄膜のを全厚tが0.3
μmシ:なるように真空蒸着法にて形成したときの第1
薄膜の膜厚と全1)00−ar膜の残留磁化比M r
L / M r /および垂直方向抗磁力Ha↓との関
係を求めた。第6図は第1薄瞭(2]+の厚みを横軸。
T、ポリイミド、ポリアミドなどの非磁性基板上にoo
−arの第1薄膜Qυ(第5図)をスパッタ法にて小さ
い初期入射角θiと比較的高い基板温度条件下で極薄く
形成し、その−ヒにC0−Crの第2薄膜■(第5図)
を真空蒸着法またはイオンブレーティング法で被着しエ
ピタキシャルに結晶成長させれば残留磁化比M r l
/ 1*ζr/、垂直方向抗磁力HO1とも高い(j
O−Q r垂直磁化膜が高速形成できるのではないか
という予測をもとこ、まずポリアミド、ポリイミドなど
の耐熱フィルム上に初期入射角θi=−5、基板淘1t
’rs(1)−120℃でCo−0r膜の第1薄膜(2
Bを種々の膜厚で対向ターゲット式スパッタ法にてスパ
ッタ形成し、更にその上C二基板温度’rli(2+−
120℃でQO−Cr膜の第2薄膜のを全厚tが0.3
μmシ:なるように真空蒸着法にて形成したときの第1
薄膜の膜厚と全1)00−ar膜の残留磁化比M r
L / M r /および垂直方向抗磁力Ha↓との関
係を求めた。第6図は第1薄瞭(2]+の厚みを横軸。
残留磁化比Mr1/Mrzと垂直方向抗磁力Heを縦軸
シーとり、実験(3)の結果を示すものである。
シーとり、実験(3)の結果を示すものである。
コノ図からM r 17 M r /が1以上 Haま
が700 ’Oe 以上の0O−Cr膜を得る[−は第
1薄膜の膜厚を0.01μm以上C二すればよいことが
分る。
が700 ’Oe 以上の0O−Cr膜を得る[−は第
1薄膜の膜厚を0.01μm以上C二すればよいことが
分る。
このように第1薄膜を初期入射角θiを十分小さく、基
板温度Tl1lを比較的高くしてスパッタ形成すれば結
晶粒子が膜面(−垂直(−成長し易くなり。
板温度Tl1lを比較的高くしてスパッタ形成すれば結
晶粒子が膜面(−垂直(−成長し易くなり。
更にその上(−第2薄膜を成膜速度の高い真空蒸着法ま
たはイオンブレーティング法で形成しても。
たはイオンブレーティング法で形成しても。
第2薄膜の膜は第1薄膜の上にエビタキンヤルC:結晶
成長する九め、第2薄膜も垂直配向性のよい結晶粒子層
となり、その結果残留磁化比’htr1/Mr/、垂直
方向抗磁力Ha上とも高い膜を得ることができることを
確認した。従って全層a O−Cr膜の大部分の厚みを
占める第2薄膜を高速で成膜できるので高性能な垂直磁
気記録媒体を量産性よく製造することができる。
成長する九め、第2薄膜も垂直配向性のよい結晶粒子層
となり、その結果残留磁化比’htr1/Mr/、垂直
方向抗磁力Ha上とも高い膜を得ることができることを
確認した。従って全層a O−Cr膜の大部分の厚みを
占める第2薄膜を高速で成膜できるので高性能な垂直磁
気記録媒体を量産性よく製造することができる。
(4)他の実施例として基板としてPE’I’フィルム
を使用し、まず初期入射角θi=5” 、基板温度T
!+(1)−120℃で且つPIHTフィルムが熱損傷
を受けぬ様に短期間だけキャンロール(二纒周し移送さ
れる様態;キャンロールの回転速度を制御して、co−
ar膜の第1薄膜c!nを0.03/jmの極く薄い膜
厚となる様に対向ターゲット式スパッタ法inテ形成し
、更(:その上Coo−Or膜の$2薄膜のを種々の基
板温度T 8 (2)で全厚がα3μm(二なるよう【
:真空蒸着法で形成したときの$2薄膜の基板温度Tl
1(2)と全5oo−ar膜の残留磁化比M r L
/ M r //、垂直方向抗磁力Hatとの関係を求
めた。
を使用し、まず初期入射角θi=5” 、基板温度T
!+(1)−120℃で且つPIHTフィルムが熱損傷
を受けぬ様に短期間だけキャンロール(二纒周し移送さ
れる様態;キャンロールの回転速度を制御して、co−
ar膜の第1薄膜c!nを0.03/jmの極く薄い膜
厚となる様に対向ターゲット式スパッタ法inテ形成し
、更(:その上Coo−Or膜の$2薄膜のを種々の基
板温度T 8 (2)で全厚がα3μm(二なるよう【
:真空蒸着法で形成したときの$2薄膜の基板温度Tl
1(2)と全5oo−ar膜の残留磁化比M r L
/ M r //、垂直方向抗磁力Hatとの関係を求
めた。
第7図は第2薄膜圓の基板温度Tel+2)を横軸。
残留磁化比Mr1/Mr7/と垂直方向抗磁力F1a1
を縦軸にとり、実験(4)の結果を示すものである。
を縦軸にとり、実験(4)の結果を示すものである。
この図からM r 1 / M r //が1以上 q
afが700δC以上のCo−0r膜を得るC−は第2
薄膜の基板温1i T !i (2)を40℃以上(−
すればよいことが分る。一方、真空蒸着法(二よりPE
TフィルムC二熱損傷なく、0.3μ程度膜形成できる
基板温度は、実験では100℃以下であった。これらの
ことから第2薄膜の基板温度T!3(2)は40〜10
0℃にすればよいことが分る。このよう1;シてPKT
フィルムの如く耐熱性の低いフィルムを使用しても高性
能な垂直磁気記録媒体を献厘性よく得ることができる。
afが700δC以上のCo−0r膜を得るC−は第2
薄膜の基板温1i T !i (2)を40℃以上(−
すればよいことが分る。一方、真空蒸着法(二よりPE
TフィルムC二熱損傷なく、0.3μ程度膜形成できる
基板温度は、実験では100℃以下であった。これらの
ことから第2薄膜の基板温度T!3(2)は40〜10
0℃にすればよいことが分る。このよう1;シてPKT
フィルムの如く耐熱性の低いフィルムを使用しても高性
能な垂直磁気記録媒体を献厘性よく得ることができる。
製造装置
第1図は1本発明の製造方法を実施するための装置の一
実施例を示すものである。この装置は基本的(一対向タ
ーゲット式のスパッタ装置と電子ビーム加熱式の真空蒸
着装置と全採用して一体化したものである。
実施例を示すものである。この装置は基本的(一対向タ
ーゲット式のスパッタ装置と電子ビーム加熱式の真空蒸
着装置と全採用して一体化したものである。
この装置では真空槽としてスパッタ室C31)と蒸着室
(至)との間(二分離室c個を配置し、この分離室にも
排気系を設けること(二よυ、連連続膜膜中スパッタ室
Cl1lと蒸着室02との真空度の安定化を図っている
。スパッタ室131)の中央C二それぞれ背面!−プラ
ズマ収束用の永久磁石tlfll(1)を備えるQ O
−Q rの対向ターゲット(5051を配し、その開口
C:面してキャンロール(61)を配置する。供給ロー
ル(7)はこのスパッタ室c3旧;設ける。一方、蒸着
富国艦二は蒸発源Iの真上にキャンロール(62)を配
し、このキャンロール(62)と蒸発源riIとの間礪
:マスクu1)を配置する。巻取ロール(8)はこの蒸
着室Cl5g二設け6゜非磁性基板(1)は供給ロール
(7)−キャンロール(61)−案内ロール1)51α
9−キャンロール(62)−巻取ロール(8)の経路で
略定速で移送される。キャンロール(61)へのスパッ
タ原子の入射角はマスク(9)(:よシ調整することが
できる。ま九キャンロール(62) (:、部局案内さ
れる非磁性基板(1)に対し蒸発原子の垂直入射に近い
成分を堆積させるようマスクr1)1は配置する。
(至)との間(二分離室c個を配置し、この分離室にも
排気系を設けること(二よυ、連連続膜膜中スパッタ室
Cl1lと蒸着室02との真空度の安定化を図っている
。スパッタ室131)の中央C二それぞれ背面!−プラ
ズマ収束用の永久磁石tlfll(1)を備えるQ O
−Q rの対向ターゲット(5051を配し、その開口
C:面してキャンロール(61)を配置する。供給ロー
ル(7)はこのスパッタ室c3旧;設ける。一方、蒸着
富国艦二は蒸発源Iの真上にキャンロール(62)を配
し、このキャンロール(62)と蒸発源riIとの間礪
:マスクu1)を配置する。巻取ロール(8)はこの蒸
着室Cl5g二設け6゜非磁性基板(1)は供給ロール
(7)−キャンロール(61)−案内ロール1)51α
9−キャンロール(62)−巻取ロール(8)の経路で
略定速で移送される。キャンロール(61)へのスパッ
タ原子の入射角はマスク(9)(:よシ調整することが
できる。ま九キャンロール(62) (:、部局案内さ
れる非磁性基板(1)に対し蒸発原子の垂直入射に近い
成分を堆積させるようマスクr1)1は配置する。
次Cニキャンマスク(61)の初期入射角01を5 に
設定し、真空槽C1)1C315(33e i X 1
0 TOrr口排気し九後、スパッタ室c31)C
Arガスを導入して2X10 TOrrとした。そ
の後キャンロール(61)(62)の温度をそれぞれ1
20℃。
設定し、真空槽C1)1C315(33e i X 1
0 TOrr口排気し九後、スパッタ室c31)C
Arガスを導入して2X10 TOrrとした。そ
の後キャンロール(61)(62)の温度をそれぞれ1
20℃。
90℃とした状態で、PETフィルムを4.5m/mi
Hの送り速度で移動させながら、tずスパッタ室C31
)でスパッタ電力密度40W/−でco−orの第1薄
膜圓(第5図)をQ、02μm(推定値)スパッタ形成
し、続いて蒸着室G3で9KWの電力にて電子ビーム加
熱によりQ O−Q r膜の1q2薄膜の(第5図)を
形成すると、全厚α3μm、残留磁化比MrL /Mr
/71.0.垂直方向抗磁力9506eの良好な0O−
arfi[磁化膜が得られ九。以上のようシー高性能な
o o −c r垂直磁気記録媒体を十分高いベースフ
ィルム送り速度で製造し得ることが確認された。
Hの送り速度で移動させながら、tずスパッタ室C31
)でスパッタ電力密度40W/−でco−orの第1薄
膜圓(第5図)をQ、02μm(推定値)スパッタ形成
し、続いて蒸着室G3で9KWの電力にて電子ビーム加
熱によりQ O−Q r膜の1q2薄膜の(第5図)を
形成すると、全厚α3μm、残留磁化比MrL /Mr
/71.0.垂直方向抗磁力9506eの良好な0O−
arfi[磁化膜が得られ九。以上のようシー高性能な
o o −c r垂直磁気記録媒体を十分高いベースフ
ィルム送り速度で製造し得ることが確認された。
上記実施例では、対向ターゲット式スパッタ法と真空蒸
着法でプラスチックフィルム上に〇o−or膜を形成す
る場合1二ついて述べたが1本発明はこれC:限定する
ものではなく、そnぞれマグネトロン式スパッタ法とイ
オンブレーティン法t:@き換えてもよ<、1九〇 〇
−Or膜以外のco−Or−Rh等の垂直磁化膜、ま
たはNi−lFeなどの茜透磁率膜の上にOo−Or垂
直磁化膜を積層し九所謂垂直二層膜媒体でも同様の効果
が得られることも確認された。
着法でプラスチックフィルム上に〇o−or膜を形成す
る場合1二ついて述べたが1本発明はこれC:限定する
ものではなく、そnぞれマグネトロン式スパッタ法とイ
オンブレーティン法t:@き換えてもよ<、1九〇 〇
−Or膜以外のco−Or−Rh等の垂直磁化膜、ま
たはNi−lFeなどの茜透磁率膜の上にOo−Or垂
直磁化膜を積層し九所謂垂直二層膜媒体でも同様の効果
が得られることも確認された。
(ト1 発明の効果
本発明に依れば、比較的耐熱性の低いPBi’I’等の
非磁性フィルム上C:強磁性金属を被着し磁性薄膜を形
成する(;際して、磁化特性等磁気媒体ζ;不可欠な特
性C二ついては、スパッタ法に依存して決定され、成膜
速度等製造効率(6係わる点については、蒸着法或はイ
オンブレーティン法等の他のドライプロセスに依存して
決定されるので、高性能な垂直磁気記録媒体を量産効率
よく製造することが出来る。
非磁性フィルム上C:強磁性金属を被着し磁性薄膜を形
成する(;際して、磁化特性等磁気媒体ζ;不可欠な特
性C二ついては、スパッタ法に依存して決定され、成膜
速度等製造効率(6係わる点については、蒸着法或はイ
オンブレーティン法等の他のドライプロセスに依存して
決定されるので、高性能な垂直磁気記録媒体を量産効率
よく製造することが出来る。
第1図乃至第7図はいずれも本発明C:係り、第1図は
本発明方法を実施するための装置の概略因。 第2図は基板温度対垂直対水平残留磁化比の関係を示す
図、第3図は、基板温度対垂直方向抗磁力の関係を示す
図、第4図は初期入射角01対垂厘対水平残留磁化比の
関係を示す図、第5図は磁気記録媒体の断面図、第6図
は第1薄膜厚対全a。 O−Q rの垂直対水平残留磁化比及び垂直方向抗磁力
の関係を示す図、第7図は第2薄膜形成時の基板温度対
全層○0−Qrの垂直対水平残留磁化比及び垂直方向抗
磁力の関係を示す図である。 IJ!8図乃至′iI&10図は従来例に係り、′WI
B図は磁気記録媒体の断面図、第9図は対向ターゲット
式スパッタ装置の略図、第10図は真空蒸着装置の略図
である。 (7)・・・PINTフィルム、(62)・・・キャン
ロール。 (61)・・・キャンロール、av−・蒸着マスク、
t5)cai・・・ターゲット、 (141・・・蒸発
源、(9)・・・キャンマスク。 (7)・・・供給ロール、 (8)・・・巻取ロール。
本発明方法を実施するための装置の概略因。 第2図は基板温度対垂直対水平残留磁化比の関係を示す
図、第3図は、基板温度対垂直方向抗磁力の関係を示す
図、第4図は初期入射角01対垂厘対水平残留磁化比の
関係を示す図、第5図は磁気記録媒体の断面図、第6図
は第1薄膜厚対全a。 O−Q rの垂直対水平残留磁化比及び垂直方向抗磁力
の関係を示す図、第7図は第2薄膜形成時の基板温度対
全層○0−Qrの垂直対水平残留磁化比及び垂直方向抗
磁力の関係を示す図である。 IJ!8図乃至′iI&10図は従来例に係り、′WI
B図は磁気記録媒体の断面図、第9図は対向ターゲット
式スパッタ装置の略図、第10図は真空蒸着装置の略図
である。 (7)・・・PINTフィルム、(62)・・・キャン
ロール。 (61)・・・キャンロール、av−・蒸着マスク、
t5)cai・・・ターゲット、 (141・・・蒸発
源、(9)・・・キャンマスク。 (7)・・・供給ロール、 (8)・・・巻取ロール。
Claims (5)
- (1)定速移送される非磁性フィルム上にこのフィルム
を所定の温度以上に保ち乍ら、初期入射角θ_iを製造
する磁気記録媒体の所望の磁化方向に適した角度とした
状態で、磁磁性金属を極く薄くスパッタして第1薄膜を
形成し、この第1薄膜上にスパッタ法以外のドライプロ
セスによって前記強磁性金属をエピタキシャルに結晶さ
せ乍ら所定の膜厚となる様に第2薄膜を形成させること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - (2)前記ドライプロセスが蒸着法であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - (3)前記ドライプロセスがイオンプレート法であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - (4)上記所定の温度が100℃以上で初期入射角θ_
iが15°以下であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項乃至第3項記載の磁気記録媒体の製造方法。 - (5)上記媒体が垂直磁気記録媒体であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項乃至第4項記載の磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22077085A JPS6280832A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
US06/864,357 US4767516A (en) | 1985-05-20 | 1986-05-19 | Method for making magnetic recording media |
DE8686106807T DE3682942D1 (de) | 1985-05-20 | 1986-05-20 | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung magnetischer aufzeichnungstraeger. |
EP86106807A EP0202645B1 (en) | 1985-05-20 | 1986-05-20 | Method and apparatus for making magnetic recording media |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22077085A JPS6280832A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6280832A true JPS6280832A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16756284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22077085A Pending JPS6280832A (ja) | 1985-05-20 | 1985-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6280832A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05193845A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | 油圧エレベータのかご床補正装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5680831A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-02 | Toshiba Corp | Producing device for magnetic recording medium |
JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
JPS60167123A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP22077085A patent/JPS6280832A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5680831A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-02 | Toshiba Corp | Producing device for magnetic recording medium |
JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
JPS60167123A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05193845A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | 油圧エレベータのかご床補正装置 |
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