JPH04132015A - CoCr垂直磁気記録テープおよびその製造方法 - Google Patents
CoCr垂直磁気記録テープおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04132015A JPH04132015A JP25036190A JP25036190A JPH04132015A JP H04132015 A JPH04132015 A JP H04132015A JP 25036190 A JP25036190 A JP 25036190A JP 25036190 A JP25036190 A JP 25036190A JP H04132015 A JPH04132015 A JP H04132015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cocr
- thickness
- magnetic recording
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 76
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 29
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 241000282470 Canis latrans Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150097381 Mtor gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、CoCr垂直磁気記録テープおよびその製
造方法に関し、とくに軟磁性裏打ち層および磁気記録層
の結晶配向性を効果的に改善して、磁気記録媒体として
の磁気特性の有利な向上を図ったものである。
造方法に関し、とくに軟磁性裏打ち層および磁気記録層
の結晶配向性を効果的に改善して、磁気記録媒体として
の磁気特性の有利な向上を図ったものである。
(従来の技術)
次世代の高密度磁気記録方式として垂直磁気記録方式が
提案されて以来、垂直磁気記録媒体に関して多くの研究
が行われてきた。その結果、垂直磁気記録媒体としては
CoCr膜が最も有望であることが判明し、現在、その
成膜方法について種々の研究開発がなされている。なお
媒体形式としては、ハードディスク、フロッピーディス
クおよびテープなど様々なものがあり、それに従って製
造方法も異なってくる。中でもテープ媒体の場合は、基
板テープに熱的ダメージを与えず、しかも連続的に結晶
性のよいCoCr膜を成膜する必要があるため、技術的
課題も多い。
提案されて以来、垂直磁気記録媒体に関して多くの研究
が行われてきた。その結果、垂直磁気記録媒体としては
CoCr膜が最も有望であることが判明し、現在、その
成膜方法について種々の研究開発がなされている。なお
媒体形式としては、ハードディスク、フロッピーディス
クおよびテープなど様々なものがあり、それに従って製
造方法も異なってくる。中でもテープ媒体の場合は、基
板テープに熱的ダメージを与えず、しかも連続的に結晶
性のよいCoCr膜を成膜する必要があるため、技術的
課題も多い。
(発明が解決しようとする課j!!i)ここに上記の技
術的課題の詳細について述べると、次のとおりである。
術的課題の詳細について述べると、次のとおりである。
(1)基板テープとしては、ポリエチレンナフタレート
(PEN)やポリエチレンテレフタレート(PET)な
どの熱可塑プラスチックテープが用いることが好ましい
が、この種テープは通常耐熱性に劣るので、かかるテー
プへの熱的ダメージは極力回避しなければならない。
(PEN)やポリエチレンテレフタレート(PET)な
どの熱可塑プラスチックテープが用いることが好ましい
が、この種テープは通常耐熱性に劣るので、かかるテー
プへの熱的ダメージは極力回避しなければならない。
(2)記録再生出力は磁気記録層の飽和磁化に比例する
ので、なるべく高飽和磁化を呈するCoCrを用いる方
が好ましいけれども、一般に、高飽和磁化のCoCrを
結晶性良く成膜することは難しい。
ので、なるべく高飽和磁化を呈するCoCrを用いる方
が好ましいけれども、一般に、高飽和磁化のCoCrを
結晶性良く成膜することは難しい。
(3)垂直磁気異方性を得るためには、CoCrのhc
p結晶構造のC軸をテープ面に垂直に配向させる必要が
あるので、移動テープ上に成膜する場合、C軸が傾いて
しまうキャンティングが生じないように成膜しなければ
ならない。
p結晶構造のC軸をテープ面に垂直に配向させる必要が
あるので、移動テープ上に成膜する場合、C軸が傾いて
しまうキャンティングが生じないように成膜しなければ
ならない。
(4)軟磁性裏打ち層であるパーマロイ層と磁気記録層
である高飽和磁化CoCr層との界面接合を良好にし、
高飽和磁化CoCr磁気記録層のC軸の分散角半値幅Δ
θ50が10°以下の配向性の良い膜を作る。
である高飽和磁化CoCr層との界面接合を良好にし、
高飽和磁化CoCr磁気記録層のC軸の分散角半値幅Δ
θ50が10°以下の配向性の良い膜を作る。
(5)以上のプロセスを連続的に成膜速度を低下させず
に行う。
に行う。
なお成膜法としては、真空蒸着法、3極スパツタリング
法、DC2極スパッタリング法、RF2F2式ッタリン
グ法およびマグネトロンスパッタリング法などが挙げら
れるが、未だ上記の課題を全て克服した製造方法は開発
されていない。
法、DC2極スパッタリング法、RF2F2式ッタリン
グ法およびマグネトロンスパッタリング法などが挙げら
れるが、未だ上記の課題を全て克服した製造方法は開発
されていない。
この発明の目的は、上記の課題を効果的に解決して、優
れた磁化特性を有するCoCr垂直磁気記録テープを、
その有利な製造方法と共に提案するところにある。
れた磁化特性を有するCoCr垂直磁気記録テープを、
その有利な製造方法と共に提案するところにある。
(課題を解決するための手段)
さて発明者らは、上記の目的を達成すべく、鋭意研究を
重ねた結果、以下に述べる知見を得た。
重ねた結果、以下に述べる知見を得た。
i)磁気記録テープとしては、その記録再生上、パーマ
ロイの軟磁性裏打ち層を下地層としてそなえることが望
ましいが、パーマロイは元来結晶性が悪く、従ってその
上に形成されるCoCr磁気記録層の結晶性をも悪くし
てしまう。この点発明者らの研究によれば、CoCrの
hcp (002)面とパーマロイのfcc(111)
面とは、ヘテロエピタキシャル効果を有し、従ってパー
マロイ層の形成に先立って結晶性の良いCoCrの薄膜
を被成しておけば、結晶配向性の良好なパーマロイ層ひ
いては同じく結晶配向性の良好なCoCr磁気記録層を
得ることができる。
ロイの軟磁性裏打ち層を下地層としてそなえることが望
ましいが、パーマロイは元来結晶性が悪く、従ってその
上に形成されるCoCr磁気記録層の結晶性をも悪くし
てしまう。この点発明者らの研究によれば、CoCrの
hcp (002)面とパーマロイのfcc(111)
面とは、ヘテロエピタキシャル効果を有し、従ってパー
マロイ層の形成に先立って結晶性の良いCoCrの薄膜
を被成しておけば、結晶配向性の良好なパーマロイ層ひ
いては同じく結晶配向性の良好なCoCr磁気記録層を
得ることができる。
ii)対向ターゲット式スパッタ法を用いれば、堆積中
の膜や基板テープにプラズマによる損傷を与えることな
しに、被膜を被成するとこができる。
の膜や基板テープにプラズマによる損傷を与えることな
しに、被膜を被成するとこができる。
この発明は、上記の知見に立脚するものである。
すなわちこの発明の要旨構成は次のとおりである。
1、 フレキシブルテープの基板上に、Cr含有量:2
0at%以上の低飽和磁化CoCrからなり、C軸の分
散角半値幅Δθ50≦10°、厚み250〜200人の
配向度制御層と、 この薄膜上にエピタキシャル成長させた、Ni含有量:
75〜85a t%のパーマロイからなる厚み8100
Å以上、臨界膜厚以下の軟磁性裏打ち層と、 この軟磁性裏打ち層上にさらに重ねてエピタキシャル成
長させた、Co含有量:80at%以上の高飽和磁化C
oCr層からなる厚み:400〜3000人の磁気記録
層 とをそなえるCoCr垂直磁気記録テープ(第1発明)
。
0at%以上の低飽和磁化CoCrからなり、C軸の分
散角半値幅Δθ50≦10°、厚み250〜200人の
配向度制御層と、 この薄膜上にエピタキシャル成長させた、Ni含有量:
75〜85a t%のパーマロイからなる厚み8100
Å以上、臨界膜厚以下の軟磁性裏打ち層と、 この軟磁性裏打ち層上にさらに重ねてエピタキシャル成
長させた、Co含有量:80at%以上の高飽和磁化C
oCr層からなる厚み:400〜3000人の磁気記録
層 とをそなえるCoCr垂直磁気記録テープ(第1発明)
。
2、 基板であるフレキシブルテープを、3分割された
成膜ゾーンに連続的に供給し、該成膜ゾーンを通過する
間にスパッタ法によって該基板の片面に順次、配向度制
御層、軟磁性裏打ち層および磁気記録層を形成するに当
たり、 各層の形成手段として対向ターゲット式スパッタ法を用
いるものとし、 まず第1成膜ゾーンにて、基板に対する斜め入射を抑制
する狭幅スリットの使用の下に、スパッタArガス圧:
1mTorr以下の低圧力で、Cr含有量:20at%
以上の低飽和磁化CoCr層を膜厚:50〜200人に
被成し、 ついで第2成膜ゾーンにて、斜め入射を許容する広幅ス
リットの使用の下に、スパッタArガス圧: 5mTo
rr以下で、Ni含有量:75〜85at%のパーマロ
イ層を厚み: 100Å以上、臨界膜厚以下に被成し、 引き続き第3成膜ゾーンにて、同じく斜め入射を許容す
る広幅スリットの使用の下に、スパッタArガス圧:
5mTorr以下で、Co含有量:80at%以上の高
飽和磁化CoCr層を厚み:400〜3000人に被成
する ことからなるCoCr垂直磁気記録テープの製造方法(
第2発明)。
成膜ゾーンに連続的に供給し、該成膜ゾーンを通過する
間にスパッタ法によって該基板の片面に順次、配向度制
御層、軟磁性裏打ち層および磁気記録層を形成するに当
たり、 各層の形成手段として対向ターゲット式スパッタ法を用
いるものとし、 まず第1成膜ゾーンにて、基板に対する斜め入射を抑制
する狭幅スリットの使用の下に、スパッタArガス圧:
1mTorr以下の低圧力で、Cr含有量:20at%
以上の低飽和磁化CoCr層を膜厚:50〜200人に
被成し、 ついで第2成膜ゾーンにて、斜め入射を許容する広幅ス
リットの使用の下に、スパッタArガス圧: 5mTo
rr以下で、Ni含有量:75〜85at%のパーマロ
イ層を厚み: 100Å以上、臨界膜厚以下に被成し、 引き続き第3成膜ゾーンにて、同じく斜め入射を許容す
る広幅スリットの使用の下に、スパッタArガス圧:
5mTorr以下で、Co含有量:80at%以上の高
飽和磁化CoCr層を厚み:400〜3000人に被成
する ことからなるCoCr垂直磁気記録テープの製造方法(
第2発明)。
以下、この発明を具体的に説明する。
第1図に、この発明に従う垂直磁気記録テープの作製要
領を、また第2図a −dには、各成膜処理後における
テープ上の被膜形成状態を、それぞれ模式で示す。
領を、また第2図a −dには、各成膜処理後における
テープ上の被膜形成状態を、それぞれ模式で示す。
図中番号lはフレキシブルテープ、2−1. 2−2お
よび2−3はいずれもキャンロール、そして3−13−
2および3−3はそれぞれ、配向度制御層、軟磁性裏打
ち層および磁気記録層作製用の対向ターゲット式スパッ
タ装置であり、第1図に示すように、基板であるフレキ
シブルテープlをキャンロール2−1.2−2および2
−3の回転に同期させて搬送する間に、対向ターゲット
式スパッタ装置3−L 3−2および3−3を用いて
、フレキシブルテープ1(第2図a)上に配向度制御層
4(第2図b)、軟磁性裏打ち層5(第2図C)および
磁気記録層6(第2図d)をそれぞれ順次に被成するこ
とによって、垂直磁気記録テープを製造するのである。
よび2−3はいずれもキャンロール、そして3−13−
2および3−3はそれぞれ、配向度制御層、軟磁性裏打
ち層および磁気記録層作製用の対向ターゲット式スパッ
タ装置であり、第1図に示すように、基板であるフレキ
シブルテープlをキャンロール2−1.2−2および2
−3の回転に同期させて搬送する間に、対向ターゲット
式スパッタ装置3−L 3−2および3−3を用いて
、フレキシブルテープ1(第2図a)上に配向度制御層
4(第2図b)、軟磁性裏打ち層5(第2図C)および
磁気記録層6(第2図d)をそれぞれ順次に被成するこ
とによって、垂直磁気記録テープを製造するのである。
また第3図に、対向ターゲット式スパッタ装置3を斜視
面で示し、図中番号7−1.7−2が対向配置としたタ
ーゲット、8−1.8−2が各ターゲットの裏側に配置
された永久磁石よりなるを可とする磁極、9はマスク、
そして10がマスク9に設けたスリットである。
面で示し、図中番号7−1.7−2が対向配置としたタ
ーゲット、8−1.8−2が各ターゲットの裏側に配置
された永久磁石よりなるを可とする磁極、9はマスク、
そして10がマスク9に設けたスリットである。
さてかかる対向ターゲット式スパッタ装置3は、スパッ
タ源として、たとえば10 X 10cmzの2枚のタ
ーゲラ)7−1.7−2を約10cm程度離して対向配
置とし、各ターゲットの後ろに設置した磁極8−1゜8
−2により、ターゲット間に各ターゲツト面に垂直に磁
界を走らせつつ、両ターゲッ)7−1. 7−2に負の
DCを印加することにより、プラズマを2枚のターゲッ
ト間に閉じ込めながらスパッタ粒子をテープ基板1に供
給するものである。ここにスパッタ源と基板1との間に
はスリット10を配し、ターゲットから飛来するスパッ
タ粒子の量を制御する。この時、基板面は2枚のターゲ
ットの端から3〜10cm離してターゲツト面に垂直に
そしてターゲット間の中心に設置する。ここでは基板面
の位置にキャンロールに巻付けられたテープ面が該ロー
ルの回転に帯同して通板する間に、テープ面上に連続的
に膜が形成されてゆくのである。この対向ターゲット式
スパッタ法によれば、被処理体がプラズマに曝されない
プラズマフリーの状態で成膜できるので、プラスチック
薄膜のように熱的ダメージを比較的受けやすい物体の上
にも損傷を与えずにコーティングできるのである。
タ源として、たとえば10 X 10cmzの2枚のタ
ーゲラ)7−1.7−2を約10cm程度離して対向配
置とし、各ターゲットの後ろに設置した磁極8−1゜8
−2により、ターゲット間に各ターゲツト面に垂直に磁
界を走らせつつ、両ターゲッ)7−1. 7−2に負の
DCを印加することにより、プラズマを2枚のターゲッ
ト間に閉じ込めながらスパッタ粒子をテープ基板1に供
給するものである。ここにスパッタ源と基板1との間に
はスリット10を配し、ターゲットから飛来するスパッ
タ粒子の量を制御する。この時、基板面は2枚のターゲ
ットの端から3〜10cm離してターゲツト面に垂直に
そしてターゲット間の中心に設置する。ここでは基板面
の位置にキャンロールに巻付けられたテープ面が該ロー
ルの回転に帯同して通板する間に、テープ面上に連続的
に膜が形成されてゆくのである。この対向ターゲット式
スパッタ法によれば、被処理体がプラズマに曝されない
プラズマフリーの状態で成膜できるので、プラスチック
薄膜のように熱的ダメージを比較的受けやすい物体の上
にも損傷を与えずにコーティングできるのである。
(作 用)
さて第1ゾーンにおいて、かりにスリット幅をいっばい
に広げて(例えば10 cm )スパッタを行った場合
には、ターゲット源から飛来するスパッタ粒子のうち、
スリットの中央部を通過したものは垂直入射により、一
方スリットの端部を通過したものは斜め入射によりそれ
ぞれロール曲面に到達し、膜が形成される。このとき斜
め入射によって形成される膜は、C軸のキャンティング
が生し、その磁気特性は低下する。
に広げて(例えば10 cm )スパッタを行った場合
には、ターゲット源から飛来するスパッタ粒子のうち、
スリットの中央部を通過したものは垂直入射により、一
方スリットの端部を通過したものは斜め入射によりそれ
ぞれロール曲面に到達し、膜が形成される。このとき斜
め入射によって形成される膜は、C軸のキャンティング
が生し、その磁気特性は低下する。
かかるキャンティングの防止策としては、スリット幅を
極力績る(例えば2CT11程度)ことによって、斜め
入射を阻止すればよいのであるが、この方法では成膜速
度の大幅な低下を招くため、短時間で数千穴の膜を被成
するのは難しい。しかしながら、例えば10〜200人
程度の非常に薄い膜であれば狭スリットでも短時間で作
れるので高速成膜が可能となる。
極力績る(例えば2CT11程度)ことによって、斜め
入射を阻止すればよいのであるが、この方法では成膜速
度の大幅な低下を招くため、短時間で数千穴の膜を被成
するのは難しい。しかしながら、例えば10〜200人
程度の非常に薄い膜であれば狭スリットでも短時間で作
れるので高速成膜が可能となる。
そこでこの発明では、第1ゾーンでは、基板に対する斜
め入射を抑制する狭幅スリットの使用の下に膜厚が20
0Å以下の下地となる配向度制御層を作る。ここで重要
なことは、スパッタArガス圧P Arをl mTor
r以下、好ましくは0.5 w+Torr以下の非常に
低いガス圧でスパッタを行うことである。
め入射を抑制する狭幅スリットの使用の下に膜厚が20
0Å以下の下地となる配向度制御層を作る。ここで重要
なことは、スパッタArガス圧P Arをl mTor
r以下、好ましくは0.5 w+Torr以下の非常に
低いガス圧でスパッタを行うことである。
というのはPArがl mTorrを超えると結晶性の
劣化を招くからである。この点、対向ターゲット式スパ
ッタ法は他のスパッタ法に比べて1 mTorr以下の
低ガス圧でも安定に放電できるという非常に優れた特長
を有している。このためスパッタされた粒子の平均自由
工程が大きくなり、大きな運動エネルギーを持ったまま
基板テープに到達してテープ上で十分にマイグレーショ
ンが起こり、しかもプラズマフリースバッタなので、5
0〜100人という非常に薄い膜厚から結晶性のよいC
oCr膜を形成することができるのであり、このことは
電子線回折およびX線回折からも確認されている。
劣化を招くからである。この点、対向ターゲット式スパ
ッタ法は他のスパッタ法に比べて1 mTorr以下の
低ガス圧でも安定に放電できるという非常に優れた特長
を有している。このためスパッタされた粒子の平均自由
工程が大きくなり、大きな運動エネルギーを持ったまま
基板テープに到達してテープ上で十分にマイグレーショ
ンが起こり、しかもプラズマフリースバッタなので、5
0〜100人という非常に薄い膜厚から結晶性のよいC
oCr膜を形成することができるのであり、このことは
電子線回折およびX線回折からも確認されている。
なおこの発明において、結晶配向性はCoCr層のC軸
の分散角半値幅Δθ50で評価するものとし、この値が
lO°以下であれば結晶配向性は良好といえる。
の分散角半値幅Δθ50で評価するものとし、この値が
lO°以下であれば結晶配向性は良好といえる。
ここに配向度制御層としては、Crの含有量が20at
%以上(好ましくは40a t%以下)の低飽和磁化C
oCr、とくにCo5qCrz+が好適である。またか
かるCoCr下地層の膜厚は、50〜200人とする必
要がある。というのは膜厚が50人に満たないと、キャ
ンティングが太き(なって結晶配向性の指標であるC軸
の分散角半値幅Δθ50が10°超となって配向度制御
層としての機能を果たし得ず、一方200人を超えると
やはりキャンティングの増大を招くことの他、その上に
パーマロイ軟磁性裏打ち層を被成した場合に軟磁性の劣
化を生じるからである。
%以上(好ましくは40a t%以下)の低飽和磁化C
oCr、とくにCo5qCrz+が好適である。またか
かるCoCr下地層の膜厚は、50〜200人とする必
要がある。というのは膜厚が50人に満たないと、キャ
ンティングが太き(なって結晶配向性の指標であるC軸
の分散角半値幅Δθ50が10°超となって配向度制御
層としての機能を果たし得ず、一方200人を超えると
やはりキャンティングの増大を招くことの他、その上に
パーマロイ軟磁性裏打ち層を被成した場合に軟磁性の劣
化を生じるからである。
なおその他のスパッタ法、たえばマグネトロンスパッタ
法では、1 mTorr以下の低圧力では安定放電が難
しく、しかも基板がプラズマに曝されてしまうので50
〜200人の薄膜では微結晶で結晶性の悪い初期層が形
成されてしまう。
法では、1 mTorr以下の低圧力では安定放電が難
しく、しかも基板がプラズマに曝されてしまうので50
〜200人の薄膜では微結晶で結晶性の悪い初期層が形
成されてしまう。
次に第2ゾーンでは、スリットをいっばいに開き、軟磁
性裏打ち層としてのパーマロイを上記の配向度制御層の
上に基板テープを送りながら被成する。この時には当然
、垂直入射だけではなく斜め入射も含まれるけれども、
上記したような特殊な下地層である配向度制御層の上で
は、下地のhcρ構造の(002)面上にパーマロイの
fcc構造の(111)面がエピタキシャルに成長し、
Δθ50は約8°で(111)軸のキャンティグのない
結晶性の良好なパーマロイ層が高い成膜速度で得られる
。これに対し、配向度制御層なしに成膜を行うとパーマ
ロイ層のΔθ50は20°以上となり、(111)軸キ
ャンティグが起こる。なお、パーマロイとしてはNi含
有量が75〜85a t%のもの、とくにNi□FeB
が好ましい。この時、PArは5 mTorr以下とす
る必要がある。というのは5 mTorrを超えるとス
パッタ粒子とArガスとの散乱が増加して結晶性低下の
原因となるからである。また膜厚は、100Å以上、臨
界膜厚以下とする必要がある。というのは膜厚が100
人に満たないと軟磁性裏打ち層としての機能を十分に発
揮できず、一方臨界膜厚を超えると軟磁気特性の劣化を
招くからである。ここに臨界膜厚とは、強い磁−場を印
加するとパーマロイ層の磁化容易軸の方向が瞬時にその
印加磁場方向に回転する現象(rotatable a
nisotropy)が生じ始める膜厚であり、膜の作
製条件によって幾分変化するけれども、通常3000人
程度である。
性裏打ち層としてのパーマロイを上記の配向度制御層の
上に基板テープを送りながら被成する。この時には当然
、垂直入射だけではなく斜め入射も含まれるけれども、
上記したような特殊な下地層である配向度制御層の上で
は、下地のhcρ構造の(002)面上にパーマロイの
fcc構造の(111)面がエピタキシャルに成長し、
Δθ50は約8°で(111)軸のキャンティグのない
結晶性の良好なパーマロイ層が高い成膜速度で得られる
。これに対し、配向度制御層なしに成膜を行うとパーマ
ロイ層のΔθ50は20°以上となり、(111)軸キ
ャンティグが起こる。なお、パーマロイとしてはNi含
有量が75〜85a t%のもの、とくにNi□FeB
が好ましい。この時、PArは5 mTorr以下とす
る必要がある。というのは5 mTorrを超えるとス
パッタ粒子とArガスとの散乱が増加して結晶性低下の
原因となるからである。また膜厚は、100Å以上、臨
界膜厚以下とする必要がある。というのは膜厚が100
人に満たないと軟磁性裏打ち層としての機能を十分に発
揮できず、一方臨界膜厚を超えると軟磁気特性の劣化を
招くからである。ここに臨界膜厚とは、強い磁−場を印
加するとパーマロイ層の磁化容易軸の方向が瞬時にその
印加磁場方向に回転する現象(rotatable a
nisotropy)が生じ始める膜厚であり、膜の作
製条件によって幾分変化するけれども、通常3000人
程度である。
なおCoCr配向度制御層の膜厚が200Å以下の時に
はパーマロイの軟磁気特性に悪影響を及ぼさないことが
確認された。
はパーマロイの軟磁気特性に悪影響を及ぼさないことが
確認された。
次に第3ゾーンでも、スリットをいっばいに開き、Co
Cr磁気記録層を上記のパーマロイ層にテープを送りな
がら被成する。記録再生出力は磁気記録層の飽和磁化に
比例するので、CoCr磁気記録層としてはなるべく高
飽和磁化のCoCrを用いることが好ましいが、一般に
、高飽和磁化のCoCrを結晶性良く成膜することは難
しい。ところが、ここでも垂直及び斜め入射粒子を含む
にもかかわらず、上記した結晶配向のよい特殊なパーマ
ロイ層の上では、パーマロイの(111)面上にCoC
rの(002)面がエピタキシャルに成長して、Δθ5
゜が約8@でC軸キャンティグのない結晶配向性の非常
に優れたCoCr磁気記録層が高い成膜速度で形成され
るのである。
Cr磁気記録層を上記のパーマロイ層にテープを送りな
がら被成する。記録再生出力は磁気記録層の飽和磁化に
比例するので、CoCr磁気記録層としてはなるべく高
飽和磁化のCoCrを用いることが好ましいが、一般に
、高飽和磁化のCoCrを結晶性良く成膜することは難
しい。ところが、ここでも垂直及び斜め入射粒子を含む
にもかかわらず、上記した結晶配向のよい特殊なパーマ
ロイ層の上では、パーマロイの(111)面上にCoC
rの(002)面がエピタキシャルに成長して、Δθ5
゜が約8@でC軸キャンティグのない結晶配向性の非常
に優れたCoCr磁気記録層が高い成膜速度で形成され
るのである。
ここにCoCr磁気記録層としては、Co含有量が80
at%以上(好ましくは90a t%以下)の高飽和磁
化CoCr、特にCo113Cr17が好ましい。また
7rがあまりに高いとスパッタ粒子とArガスの散乱に
よって結晶性が低下するので、5 mTorr以下とす
る必要がある。さらに膜厚が400人に満たないと面内
磁化膜になってしまい、一方3000人を超えるとフレ
キシビリティ−が低下するので、膜厚は400〜300
0人の範囲に限定した。
at%以上(好ましくは90a t%以下)の高飽和磁
化CoCr、特にCo113Cr17が好ましい。また
7rがあまりに高いとスパッタ粒子とArガスの散乱に
よって結晶性が低下するので、5 mTorr以下とす
る必要がある。さらに膜厚が400人に満たないと面内
磁化膜になってしまい、一方3000人を超えるとフレ
キシビリティ−が低下するので、膜厚は400〜300
0人の範囲に限定した。
上記のようにして得られた被膜は緻密な構造を持ちフレ
キシビリティ−の優れた被膜となる。
キシビリティ−の優れた被膜となる。
こうしてテープ基板の上に(CoCrvt気記録層/パ
ーマロイ軟磁性裏打ち層/ CoCr配向度制御層)が
形成できるが、この時の基板テープとしてはポリエチレ
ンナフタレートテープ(PEN)、ポリエチレンテレフ
タレートテープ(PF、T)およびポリイミドテープな
どが好ましく、またその厚みは5〜50μ鴫程度とする
のが好適である。
ーマロイ軟磁性裏打ち層/ CoCr配向度制御層)が
形成できるが、この時の基板テープとしてはポリエチレ
ンナフタレートテープ(PEN)、ポリエチレンテレフ
タレートテープ(PF、T)およびポリイミドテープな
どが好ましく、またその厚みは5〜50μ鴫程度とする
のが好適である。
なお、かかる磁気記録媒体には、記録の長期保存の面か
ら耐食性が、また使用時における媒体表面とセンサーと
の高速接触の面から耐摩耗性がそれぞれ要求される。従
ってプラスチック基板上に磁気記録媒体を被成した磁気
記録テープでは、磁気記録媒体表面の保護の目的から表
面にトップコートを、また静電気を防ぎテープ表面の摩
擦係数を下げテープ間の滑りを良くする観点から裏面に
バックコートを施すことが好ましく、かかる保護被膜と
しては、従来公知のものいずれもが適合する。
ら耐食性が、また使用時における媒体表面とセンサーと
の高速接触の面から耐摩耗性がそれぞれ要求される。従
ってプラスチック基板上に磁気記録媒体を被成した磁気
記録テープでは、磁気記録媒体表面の保護の目的から表
面にトップコートを、また静電気を防ぎテープ表面の摩
擦係数を下げテープ間の滑りを良くする観点から裏面に
バックコートを施すことが好ましく、かかる保護被膜と
しては、従来公知のものいずれもが適合する。
(実施例)
第4図に、この発明の実施に用いて好適な磁気記録テー
プの製造装置を模式で示す。構成の骨子は第1図に示し
たところと同一なので共通の番号を付して表すものとし
、図中番号2−4および3−4はそれぞれ、保護被膜作
製用のキャンロールおよび対向ターゲット式スパッタ装
置、また11は真空槽、12および13はそれぞれ基板
テープの巻出しロールおよび巻取りロールである。
プの製造装置を模式で示す。構成の骨子は第1図に示し
たところと同一なので共通の番号を付して表すものとし
、図中番号2−4および3−4はそれぞれ、保護被膜作
製用のキャンロールおよび対向ターゲット式スパッタ装
置、また11は真空槽、12および13はそれぞれ基板
テープの巻出しロールおよび巻取りロールである。
同図に示したとおり、この製造装置は、真空槽11中に
4個の成膜ゾーンを有し、各ゾーンには対向ターゲット
式スパッタ源とテープ搬送用キャンロールが設置されて
いる。対向ターゲット式スパッタ源は、約1010X1
0”の2枚のターゲットを面を向かい合わせて10cm
離して置き、また各ターゲットの裏側には永久磁石を設
置して2枚のターゲット間に各ターゲツト面に垂直方向
に250 (Gauss)の磁界を走らせて、両ターゲ
ットに負のDC(約2 kW)を印加してスパッタ粒子
を基板テープに供給する。スパッタ源と基板テープとの
間にはスリットを配しターゲットから飛来するスパッタ
粒子の量を制御する。この時、基板面は2枚のターゲッ
トの端から10cm離してターゲツト面に垂直にそして
ターゲット間の中心に設置する。ここでは基板面の位置
に直径15cmのキャンロール面に巻き付けられた厚み
12μmのポリエチレンナフタレートテープ面が来て、
ロール回転に同期して移動する間にテープ面上に連続的
に膜が形成されるしくみになっている。
4個の成膜ゾーンを有し、各ゾーンには対向ターゲット
式スパッタ源とテープ搬送用キャンロールが設置されて
いる。対向ターゲット式スパッタ源は、約1010X1
0”の2枚のターゲットを面を向かい合わせて10cm
離して置き、また各ターゲットの裏側には永久磁石を設
置して2枚のターゲット間に各ターゲツト面に垂直方向
に250 (Gauss)の磁界を走らせて、両ターゲ
ットに負のDC(約2 kW)を印加してスパッタ粒子
を基板テープに供給する。スパッタ源と基板テープとの
間にはスリットを配しターゲットから飛来するスパッタ
粒子の量を制御する。この時、基板面は2枚のターゲッ
トの端から10cm離してターゲツト面に垂直にそして
ターゲット間の中心に設置する。ここでは基板面の位置
に直径15cmのキャンロール面に巻き付けられた厚み
12μmのポリエチレンナフタレートテープ面が来て、
ロール回転に同期して移動する間にテープ面上に連続的
に膜が形成されるしくみになっている。
ターゲット組成は、第1ゾーンがCOt*C1+、第2
ゾーンがNis+Fe+w、第3ゾーンがC0Il、C
rI?、そして第4ゾーンは保護膜用のカーボンである
。
ゾーンがNis+Fe+w、第3ゾーンがC0Il、C
rI?、そして第4ゾーンは保護膜用のカーボンである
。
またスパッタ^rガス圧PArは、第1ゾーンで0.2
5mTorr 、第2.3および4ゾーンはいずれもl
mTorrとした。さらにスリット幅は第1ゾーンで
2cm、第2.3.4ゾーンで10cmとした。
5mTorr 、第2.3および4ゾーンはいずれもl
mTorrとした。さらにスリット幅は第1ゾーンで
2cm、第2.3.4ゾーンで10cmとした。
上記の条件の下に、まず第1ゾーンで膜厚:0゜100
、200.300人のCoCr下地層を、第2ゾーンで
は膜厚: 1550.2000人のパーマロイ軟磁性裏
打ち層を、第3ゾーンでは膜厚: 1300人のCoC
r磁気記録層を、さらに第4ゾーンでは膜厚:200人
の保護被膜をそれぞれ被成した。
、200.300人のCoCr下地層を、第2ゾーンで
は膜厚: 1550.2000人のパーマロイ軟磁性裏
打ち層を、第3ゾーンでは膜厚: 1300人のCoC
r磁気記録層を、さらに第4ゾーンでは膜厚:200人
の保護被膜をそれぞれ被成した。
第5図に、(パーマロイ層/配向度制御用下地層)二層
膜の下地膜厚とパーマロイ層の面内保磁力との関係につ
いて調べた結果を示す。
膜の下地膜厚とパーマロイ層の面内保磁力との関係につ
いて調べた結果を示す。
同図より明らかなように、下地膜厚が200Å以下では
保磁力の増大はほとんどなく、パーマロイ層の軟磁性に
対する下地層の悪影響は見られない。
保磁力の増大はほとんどなく、パーマロイ層の軟磁性に
対する下地層の悪影響は見られない。
次に第6図に、(Co、3Cr、7層/パーマロイ層/
配向度制御用下地層)三層膜における下地膜厚とキャン
ティングとの関係について調べた結果を示す。
配向度制御用下地層)三層膜における下地膜厚とキャン
ティングとの関係について調べた結果を示す。
同図より明らかなように、下地層がない場合にはキャン
ティングが極めて大きかったのに対し、下地層として5
0〜200人程度のCo7wCrz+Fi膜を被成する
ことにより、キャンティングは大幅に改善されている。
ティングが極めて大きかったのに対し、下地層として5
0〜200人程度のCo7wCrz+Fi膜を被成する
ことにより、キャンティングは大幅に改善されている。
次に第7図に、同じ< (C05zCr+を層/パーツ
0イ層/配向度制御用下地層)三層膜の下地膜厚とX線
回折強度IFおよびΔθ50との関係を示す。
0イ層/配向度制御用下地層)三層膜の下地膜厚とX線
回折強度IFおよびΔθ50との関係を示す。
まずI、については、下地層がないとき、パーマロイ層
からはピークが現れず、またC05zCr+を層からも
極弱いピークしか呈しない。この理由は、下地層がない
ときにはパーマロイ層の結晶性が非常に悪く、従ってそ
の上のCO53Crt7層の結晶性も劣悪になったもの
と考えられる。
からはピークが現れず、またC05zCr+を層からも
極弱いピークしか呈しない。この理由は、下地層がない
ときにはパーマロイ層の結晶性が非常に悪く、従ってそ
の上のCO53Crt7層の結晶性も劣悪になったもの
と考えられる。
これに対し、わずか50〜200人程度の特殊なCoy
*Crz+下地層を被成しただけで、Ni1lf’e1
4層およびCOs+Cr r q層とも強いピークが現
れ、両層の結晶性が大幅に改善されたことが判る。
*Crz+下地層を被成しただけで、Ni1lf’e1
4層およびCOs+Cr r q層とも強いピークが現
れ、両層の結晶性が大幅に改善されたことが判る。
このことはΔθ50の変化からも明瞭で、Δθ50はC
OtwCrz+下地層による結晶度配向効果によって大
幅に低減しており、両層の結晶配向性の改善を裏付けて
いる。
OtwCrz+下地層による結晶度配向効果によって大
幅に低減しており、両層の結晶配向性の改善を裏付けて
いる。
(発明の効果)
かくして第1発明によれば、パーマロイ裏打ち層をそな
えるCoCr垂直磁気記録媒体におむ1て、下地層とし
て低飽和磁化CoCr ′fiI膜からなる配向度制御
層を被成することにより、パーマロイ軟磁性裏打ち層さ
らにはCoCr磁気記録層の結晶配向性を格段に向上さ
せることができ、ひいては垂直磁気記録媒体としての磁
気特性の大幅な改善が実現できる。
えるCoCr垂直磁気記録媒体におむ1て、下地層とし
て低飽和磁化CoCr ′fiI膜からなる配向度制御
層を被成することにより、パーマロイ軟磁性裏打ち層さ
らにはCoCr磁気記録層の結晶配向性を格段に向上さ
せることができ、ひいては垂直磁気記録媒体としての磁
気特性の大幅な改善が実現できる。
また第2発明によれば、被処理体がプラズマに曝されな
いプラズマフリーの状況で成膜できるので、プラスチン
クテープのような熱的ダメージを比較的受けやすいテー
プ基板の上にも、損傷を与えることなしに、各層をコー
ティングできる。しかもC軸キャンティングを除去する
ための狭スリットで成膜される配向度制御層は、極めて
薄くてよいので、短時間で成膜でき、プロセス全体とし
て連続した高速成膜が可能となる。
いプラズマフリーの状況で成膜できるので、プラスチン
クテープのような熱的ダメージを比較的受けやすいテー
プ基板の上にも、損傷を与えることなしに、各層をコー
ティングできる。しかもC軸キャンティングを除去する
ための狭スリットで成膜される配向度制御層は、極めて
薄くてよいので、短時間で成膜でき、プロセス全体とし
て連続した高速成膜が可能となる。
第1図は、この発明に従う垂直磁気記録テープの作製要
領を示した図、 第2図a % dはそれぞれ、各成膜処理後におけるテ
ープ上の被膜形成状態を示す模式図、第3図は、対向タ
ーゲット式スパッタ装置の斜視図、 第4図は、この発明の実施に用いて好適な垂直磁気記録
テープ製造装置の模式図、 第5図は、(パーマロイ層/配向度制御用下地層)二層
膜の下地膜厚とパーマロイ層の面内保磁力との関係を示
したグラフ、 第6図は、(COa3Crl、層/パーツ0イ層/配向
度制御用下地層)三層膜における下地膜厚とキャンティ
ングとの関係を示したグラフ、 第7図は、同じ< (CossCrtt層/パーマロイ
層/配向度制御用下地層)三層膜の下地膜厚とX線回折
強度IFおよびΔθ50との関係を示したグラフである
。 1・・・フレキシブルテープ 2−L 2−2. 2−3. 2−4・・・キャンロ
ール3−1. 3−2. 3−3. 3−4・・・対向
ターゲット式スパッタ装置 4・・・配向度制御層 5・・・軟磁性裏打ち層6
・・・磁気記録層 7−1. 7−2・・・ター
ゲット8−1. 8−2・・・磁極 9・・・マス
ク10・・・スリット 11・・・真空槽12
・・・t=出出口ロール 13・・・巻取りロール第
1図 10−一一−スリ・1F 第4図 13−−−一壱R1すa−ル 8− f、 8−2−−−− 、in、掻第5図 下建膜厚(A) 第6図 T坩績II (A) 第7図 下すtall(A>
領を示した図、 第2図a % dはそれぞれ、各成膜処理後におけるテ
ープ上の被膜形成状態を示す模式図、第3図は、対向タ
ーゲット式スパッタ装置の斜視図、 第4図は、この発明の実施に用いて好適な垂直磁気記録
テープ製造装置の模式図、 第5図は、(パーマロイ層/配向度制御用下地層)二層
膜の下地膜厚とパーマロイ層の面内保磁力との関係を示
したグラフ、 第6図は、(COa3Crl、層/パーツ0イ層/配向
度制御用下地層)三層膜における下地膜厚とキャンティ
ングとの関係を示したグラフ、 第7図は、同じ< (CossCrtt層/パーマロイ
層/配向度制御用下地層)三層膜の下地膜厚とX線回折
強度IFおよびΔθ50との関係を示したグラフである
。 1・・・フレキシブルテープ 2−L 2−2. 2−3. 2−4・・・キャンロ
ール3−1. 3−2. 3−3. 3−4・・・対向
ターゲット式スパッタ装置 4・・・配向度制御層 5・・・軟磁性裏打ち層6
・・・磁気記録層 7−1. 7−2・・・ター
ゲット8−1. 8−2・・・磁極 9・・・マス
ク10・・・スリット 11・・・真空槽12
・・・t=出出口ロール 13・・・巻取りロール第
1図 10−一一−スリ・1F 第4図 13−−−一壱R1すa−ル 8− f、 8−2−−−− 、in、掻第5図 下建膜厚(A) 第6図 T坩績II (A) 第7図 下すtall(A>
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、フレキシブルテープの基板上に、 Cr含有量:20at%以上の低飽和磁化CoCrから
なり、c軸の分散角半値幅Δθ_5_0≦10゜、厚み
:50〜200Åの配向度制御層と、 この薄膜上にエピタキシャル成長させた、 Ni含有量:75〜85at%のパーマロイからなる厚
み:100Å以上、臨界膜厚以下の軟磁性裏打ち層と、 この軟磁性裏打ち層上にさらに重ねてエピタキシャル成
長させた、Co含有量:80at%以上の高飽和磁化C
oCr層からなる厚み:400〜3000Åの磁気記録
層 とをそなえることを特徴とするCoCr垂直磁気記録テ
ープ。 2、基板であるフレキシブルテープを、3分割された成
膜ゾーンに連続的に供給し、該成膜ゾーンを通過する間
にスパッタ法によって該基板の片面に順次、配向度制御
層、軟磁性裏打ち層および磁気記録層を形成するに当た
り、各層の形成手段として対向ターゲット式ス パッタ法を用いるものとし、 まず第1成膜ゾーンにて、基板に対する斜め入射を抑制
する狭幅スリットの使用の下に、スパッタArガス圧:
1mTorr以下の低圧力で、Cr含有量:20at%
以上の低飽和磁化CoCr層を膜厚:50〜200Åに
被成し、 ついで第2成膜ゾーンにて、斜め入射を許容する広幅ス
リットの使用の下に、スパッタArガス圧:5mTor
r以下で、Ni含有量:75〜85at%のパーマロイ
層を厚み:100Å以上、臨界膜厚以下に被成し、 引き続き第3成膜ゾーンにて、同じく斜め入射を許容す
る広幅スリットの使用の下に、スパッタArガス圧:5
mTorr以下で、Co含有量:80at%以上の高飽
和磁化CoCr層を厚み:400〜3000Åに被成す
る ことを特徴とするCoCr垂直磁気記録テープの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25036190A JP2843136B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | CoCr垂直磁気記録テープおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25036190A JP2843136B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | CoCr垂直磁気記録テープおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04132015A true JPH04132015A (ja) | 1992-05-06 |
JP2843136B2 JP2843136B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=17206780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25036190A Expired - Fee Related JP2843136B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | CoCr垂直磁気記録テープおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2843136B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008511946A (ja) * | 2004-08-30 | 2008-04-17 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | 記録媒体 |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP25036190A patent/JP2843136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008511946A (ja) * | 2004-08-30 | 2008-04-17 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | 記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2843136B2 (ja) | 1999-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04132015A (ja) | CoCr垂直磁気記録テープおよびその製造方法 | |
Akiyama et al. | Continuous formation of CoCr films on PEN tape by facing targets sputtering | |
US4526131A (en) | Magnetic recording medium manufacturing apparatus | |
JP3365060B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH01264632A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 | |
JP2794662B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH0451889B2 (ja) | ||
JPH0548530B2 (ja) | ||
JP2003051111A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH04188430A (ja) | 耐摩耗性および耐食性に優れた磁気記録テープおよびその製造方法 | |
JPH1064035A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPH0320816B2 (ja) | ||
JPH08129741A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0916948A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPS61227222A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH061550B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH01303623A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH05166183A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH10208229A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法及びその製造装置 | |
JPS63249926A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH10105951A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0656650B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0798832A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法及び製造装置 | |
JPS608304B2 (ja) | 真空蒸着法 | |
JPS62102414A (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |