JPH04132015A - ＣｏＣｒ垂直磁気記録テープおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、ＣｏＣｒ垂直磁気記録テープおよびその製
造方法に関し、とくに軟磁性裏打ち層および磁気記録層
の結晶配向性を効果的に改善して、磁気記録媒体として
の磁気特性の有利な向上を図ったものである。

（従来の技術） 次世代の高密度磁気記録方式として垂直磁気記録方式が
提案されて以来、垂直磁気記録媒体に関して多くの研究
が行われてきた。その結果、垂直磁気記録媒体としては
ＣｏＣｒ膜が最も有望であることが判明し、現在、その
成膜方法について種々の研究開発がなされている。なお
媒体形式としては、ハードディスク、フロッピーディス
クおよびテープなど様々なものがあり、それに従って製
造方法も異なってくる。中でもテープ媒体の場合は、基
板テープに熱的ダメージを与えず、しかも連続的に結晶
性のよいＣｏＣｒ膜を成膜する必要があるため、技術的
課題も多い。

（発明が解決しようとする課ｊ！！ｉ）ここに上記の技
術的課題の詳細について述べると、次のとおりである。

（１）基板テープとしては、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）な
どの熱可塑プラスチックテープが用いることが好ましい
が、この種テープは通常耐熱性に劣るので、かかるテー
プへの熱的ダメージは極力回避しなければならない。

（２）記録再生出力は磁気記録層の飽和磁化に比例する
ので、なるべく高飽和磁化を呈するＣｏＣｒを用いる方
が好ましいけれども、一般に、高飽和磁化のＣｏＣｒを
結晶性良く成膜することは難しい。

（３）垂直磁気異方性を得るためには、ＣｏＣｒのｈｃ
ｐ結晶構造のＣ軸をテープ面に垂直に配向させる必要が
あるので、移動テープ上に成膜する場合、Ｃ軸が傾いて
しまうキャンティングが生じないように成膜しなければ
ならない。

（４）軟磁性裏打ち層であるパーマロイ層と磁気記録層
である高飽和磁化ＣｏＣｒ層との界面接合を良好にし、
高飽和磁化ＣｏＣｒ磁気記録層のＣ軸の分散角半値幅Δ
θ５０が１０°以下の配向性の良い膜を作る。

（５）以上のプロセスを連続的に成膜速度を低下させず
に行う。

なお成膜法としては、真空蒸着法、３極スパツタリング
法、ＤＣ２極スパッタリング法、ＲＦ２Ｆ２式ッタリン
グ法およびマグネトロンスパッタリング法などが挙げら
れるが、未だ上記の課題を全て克服した製造方法は開発
されていない。

この発明の目的は、上記の課題を効果的に解決して、優
れた磁化特性を有するＣｏＣｒ垂直磁気記録テープを、
その有利な製造方法と共に提案するところにある。

（課題を解決するための手段） さて発明者らは、上記の目的を達成すべく、鋭意研究を
重ねた結果、以下に述べる知見を得た。

ｉ）磁気記録テープとしては、その記録再生上、パーマ
ロイの軟磁性裏打ち層を下地層としてそなえることが望
ましいが、パーマロイは元来結晶性が悪く、従ってその
上に形成されるＣｏＣｒ磁気記録層の結晶性をも悪くし
てしまう。この点発明者らの研究によれば、ＣｏＣｒの
ｈｃｐ　（００２）面とパーマロイのｆｃｃ（１１１）
面とは、ヘテロエピタキシャル効果を有し、従ってパー
マロイ層の形成に先立って結晶性の良いＣｏＣｒの薄膜
を被成しておけば、結晶配向性の良好なパーマロイ層ひ
いては同じく結晶配向性の良好なＣｏＣｒ磁気記録層を
得ることができる。

ｉｉ）対向ターゲット式スパッタ法を用いれば、堆積中
の膜や基板テープにプラズマによる損傷を与えることな
しに、被膜を被成するとこができる。

この発明は、上記の知見に立脚するものである。

すなわちこの発明の要旨構成は次のとおりである。

１、　フレキシブルテープの基板上に、Ｃｒ含有量：２
０ａｔ％以上の低飽和磁化ＣｏＣｒからなり、Ｃ軸の分
散角半値幅Δθ５０≦１０°、厚み２５０〜２００人の
配向度制御層と、 この薄膜上にエピタキシャル成長させた、Ｎｉ含有量：
７５〜８５ａ　ｔ％のパーマロイからなる厚み８１００
Å以上、臨界膜厚以下の軟磁性裏打ち層と、 この軟磁性裏打ち層上にさらに重ねてエピタキシャル成
長させた、Ｃｏ含有量：８０ａｔ％以上の高飽和磁化Ｃ
ｏＣｒ層からなる厚み：４００〜３０００人の磁気記録
層 とをそなえるＣｏＣｒ垂直磁気記録テープ（第１発明）
。

２、　基板であるフレキシブルテープを、３分割された
成膜ゾーンに連続的に供給し、該成膜ゾーンを通過する
間にスパッタ法によって該基板の片面に順次、配向度制
御層、軟磁性裏打ち層および磁気記録層を形成するに当
たり、 各層の形成手段として対向ターゲット式スパッタ法を用
いるものとし、 まず第１成膜ゾーンにて、基板に対する斜め入射を抑制
する狭幅スリットの使用の下に、スパッタＡｒガス圧：
１ｍＴｏｒｒ以下の低圧力で、Ｃｒ含有量：２０ａｔ％
以上の低飽和磁化ＣｏＣｒ層を膜厚：５０〜２００人に
被成し、 ついで第２成膜ゾーンにて、斜め入射を許容する広幅ス
リットの使用の下に、スパッタＡｒガス圧：　５ｍＴｏ
ｒｒ以下で、Ｎｉ含有量：７５〜８５ａｔ％のパーマロ
イ層を厚み：　１００Å以上、臨界膜厚以下に被成し、 引き続き第３成膜ゾーンにて、同じく斜め入射を許容す
る広幅スリットの使用の下に、スパッタＡｒガス圧：　
５ｍＴｏｒｒ以下で、Ｃｏ含有量：８０ａｔ％以上の高
飽和磁化ＣｏＣｒ層を厚み：４００〜３０００人に被成
する ことからなるＣｏＣｒ垂直磁気記録テープの製造方法（
第２発明）。

以下、この発明を具体的に説明する。

第１図に、この発明に従う垂直磁気記録テープの作製要
領を、また第２図ａ　−ｄには、各成膜処理後における
テープ上の被膜形成状態を、それぞれ模式で示す。

図中番号ｌはフレキシブルテープ、２−１．　２−２お
よび２−３はいずれもキャンロール、そして３−１３−
２および３−３はそれぞれ、配向度制御層、軟磁性裏打
ち層および磁気記録層作製用の対向ターゲット式スパッ
タ装置であり、第１図に示すように、基板であるフレキ
シブルテープｌをキャンロール２−１．２−２および２
−３の回転に同期させて搬送する間に、対向ターゲット
式スパッタ装置３−Ｌ　　３−２および３−３を用いて
、フレキシブルテープ１（第２図ａ）上に配向度制御層
４（第２図ｂ）、軟磁性裏打ち層５（第２図Ｃ）および
磁気記録層６（第２図ｄ）をそれぞれ順次に被成するこ
とによって、垂直磁気記録テープを製造するのである。

また第３図に、対向ターゲット式スパッタ装置３を斜視
面で示し、図中番号７−１．７−２が対向配置としたタ
ーゲット、８−１．８−２が各ターゲットの裏側に配置
された永久磁石よりなるを可とする磁極、９はマスク、
そして１０がマスク９に設けたスリットである。

さてかかる対向ターゲット式スパッタ装置３は、スパッ
タ源として、たとえば１０　Ｘ　１０ｃｍｚの２枚のタ
ーゲラ）７−１．７−２を約１０ｃｍ程度離して対向配
置とし、各ターゲットの後ろに設置した磁極８−１゜８
−２により、ターゲット間に各ターゲツト面に垂直に磁
界を走らせつつ、両ターゲッ）７−１．　７−２に負の
ＤＣを印加することにより、プラズマを２枚のターゲッ
ト間に閉じ込めながらスパッタ粒子をテープ基板１に供
給するものである。ここにスパッタ源と基板１との間に
はスリット１０を配し、ターゲットから飛来するスパッ
タ粒子の量を制御する。この時、基板面は２枚のターゲ
ットの端から３〜１０ｃｍ離してターゲツト面に垂直に
そしてターゲット間の中心に設置する。ここでは基板面
の位置にキャンロールに巻付けられたテープ面が該ロー
ルの回転に帯同して通板する間に、テープ面上に連続的
に膜が形成されてゆくのである。この対向ターゲット式
スパッタ法によれば、被処理体がプラズマに曝されない
プラズマフリーの状態で成膜できるので、プラスチック
薄膜のように熱的ダメージを比較的受けやすい物体の上
にも損傷を与えずにコーティングできるのである。

（作　用） さて第１ゾーンにおいて、かりにスリット幅をいっばい
に広げて（例えば１０　ｃｍ　）スパッタを行った場合
には、ターゲット源から飛来するスパッタ粒子のうち、
スリットの中央部を通過したものは垂直入射により、一
方スリットの端部を通過したものは斜め入射によりそれ
ぞれロール曲面に到達し、膜が形成される。このとき斜
め入射によって形成される膜は、Ｃ軸のキャンティング
が生し、その磁気特性は低下する。

かかるキャンティングの防止策としては、スリット幅を
極力績る（例えば２ＣＴ１１程度）ことによって、斜め
入射を阻止すればよいのであるが、この方法では成膜速
度の大幅な低下を招くため、短時間で数千穴の膜を被成
するのは難しい。しかしながら、例えば１０〜２００人
程度の非常に薄い膜であれば狭スリットでも短時間で作
れるので高速成膜が可能となる。

そこでこの発明では、第１ゾーンでは、基板に対する斜
め入射を抑制する狭幅スリットの使用の下に膜厚が２０
０Å以下の下地となる配向度制御層を作る。ここで重要
なことは、スパッタＡｒガス圧Ｐ　Ａｒをｌ　ｍＴｏｒ
ｒ以下、好ましくは０．５　ｗ＋Ｔｏｒｒ以下の非常に
低いガス圧でスパッタを行うことである。

というのはＰＡｒがｌ　ｍＴｏｒｒを超えると結晶性の
劣化を招くからである。この点、対向ターゲット式スパ
ッタ法は他のスパッタ法に比べて１　ｍＴｏｒｒ以下の
低ガス圧でも安定に放電できるという非常に優れた特長
を有している。このためスパッタされた粒子の平均自由
工程が大きくなり、大きな運動エネルギーを持ったまま
基板テープに到達してテープ上で十分にマイグレーショ
ンが起こり、しかもプラズマフリースバッタなので、５
０〜１００人という非常に薄い膜厚から結晶性のよいＣ
ｏＣｒ膜を形成することができるのであり、このことは
電子線回折およびＸ線回折からも確認されている。

なおこの発明において、結晶配向性はＣｏＣｒ層のＣ軸
の分散角半値幅Δθ５０で評価するものとし、この値が
ｌＯ°以下であれば結晶配向性は良好といえる。

ここに配向度制御層としては、Ｃｒの含有量が２０ａｔ
％以上（好ましくは４０ａ　ｔ％以下）の低飽和磁化Ｃ
ｏＣｒ、とくにＣｏ５ｑＣｒｚ＋が好適である。またか
かるＣｏＣｒ下地層の膜厚は、５０〜２００人とする必
要がある。というのは膜厚が５０人に満たないと、キャ
ンティングが太き（なって結晶配向性の指標であるＣ軸
の分散角半値幅Δθ５０が１０°超となって配向度制御
層としての機能を果たし得ず、一方２００人を超えると
やはりキャンティングの増大を招くことの他、その上に
パーマロイ軟磁性裏打ち層を被成した場合に軟磁性の劣
化を生じるからである。

なおその他のスパッタ法、たえばマグネトロンスパッタ
法では、１　ｍＴｏｒｒ以下の低圧力では安定放電が難
しく、しかも基板がプラズマに曝されてしまうので５０
〜２００人の薄膜では微結晶で結晶性の悪い初期層が形
成されてしまう。

次に第２ゾーンでは、スリットをいっばいに開き、軟磁
性裏打ち層としてのパーマロイを上記の配向度制御層の
上に基板テープを送りながら被成する。この時には当然
、垂直入射だけではなく斜め入射も含まれるけれども、
上記したような特殊な下地層である配向度制御層の上で
は、下地のｈｃρ構造の（００２）面上にパーマロイの
ｆｃｃ構造の（１１１）面がエピタキシャルに成長し、
Δθ５０は約８°で（１１１）軸のキャンティグのない
結晶性の良好なパーマロイ層が高い成膜速度で得られる
。これに対し、配向度制御層なしに成膜を行うとパーマ
ロイ層のΔθ５０は２０°以上となり、（１１１）軸キ
ャンティグが起こる。なお、パーマロイとしてはＮｉ含
有量が７５〜８５ａ　ｔ％のもの、とくにＮｉ□ＦｅＢ
が好ましい。この時、ＰＡｒは５　ｍＴｏｒｒ以下とす
る必要がある。というのは５　ｍＴｏｒｒを超えるとス
パッタ粒子とＡｒガスとの散乱が増加して結晶性低下の
原因となるからである。また膜厚は、１００Å以上、臨
界膜厚以下とする必要がある。というのは膜厚が１００
人に満たないと軟磁性裏打ち層としての機能を十分に発
揮できず、一方臨界膜厚を超えると軟磁気特性の劣化を
招くからである。ここに臨界膜厚とは、強い磁−場を印
加するとパーマロイ層の磁化容易軸の方向が瞬時にその
印加磁場方向に回転する現象（ｒｏｔａｔａｂｌｅ　ａ
ｎｉｓｏｔｒｏｐｙ）が生じ始める膜厚であり、膜の作
製条件によって幾分変化するけれども、通常３０００人
程度である。

なおＣｏＣｒ配向度制御層の膜厚が２００Å以下の時に
はパーマロイの軟磁気特性に悪影響を及ぼさないことが
確認された。

次に第３ゾーンでも、スリットをいっばいに開き、Ｃｏ
Ｃｒ磁気記録層を上記のパーマロイ層にテープを送りな
がら被成する。記録再生出力は磁気記録層の飽和磁化に
比例するので、ＣｏＣｒ磁気記録層としてはなるべく高
飽和磁化のＣｏＣｒを用いることが好ましいが、一般に
、高飽和磁化のＣｏＣｒを結晶性良く成膜することは難
しい。ところが、ここでも垂直及び斜め入射粒子を含む
にもかかわらず、上記した結晶配向のよい特殊なパーマ
ロイ層の上では、パーマロイの（１１１）面上にＣｏＣ
ｒの（００２）面がエピタキシャルに成長して、Δθ５
゜が約８＠でＣ軸キャンティグのない結晶配向性の非常
に優れたＣｏＣｒ磁気記録層が高い成膜速度で形成され
るのである。

ここにＣｏＣｒ磁気記録層としては、Ｃｏ含有量が８０
ａｔ％以上（好ましくは９０ａ　ｔ％以下）の高飽和磁
化ＣｏＣｒ、特にＣｏ１１３Ｃｒ１７が好ましい。また
７ｒがあまりに高いとスパッタ粒子とＡｒガスの散乱に
よって結晶性が低下するので、５　ｍＴｏｒｒ以下とす
る必要がある。さらに膜厚が４００人に満たないと面内
磁化膜になってしまい、一方３０００人を超えるとフレ
キシビリティ−が低下するので、膜厚は４００〜３００
０人の範囲に限定した。

上記のようにして得られた被膜は緻密な構造を持ちフレ
キシビリティ−の優れた被膜となる。

こうしてテープ基板の上に（ＣｏＣｒｖｔ気記録層／パ
ーマロイ軟磁性裏打ち層／　ＣｏＣｒ配向度制御層）が
形成できるが、この時の基板テープとしてはポリエチレ
ンナフタレートテープ（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフ
タレートテープ（ＰＦ、Ｔ）およびポリイミドテープな
どが好ましく、またその厚みは５〜５０μ鴫程度とする
のが好適である。

なお、かかる磁気記録媒体には、記録の長期保存の面か
ら耐食性が、また使用時における媒体表面とセンサーと
の高速接触の面から耐摩耗性がそれぞれ要求される。従
ってプラスチック基板上に磁気記録媒体を被成した磁気
記録テープでは、磁気記録媒体表面の保護の目的から表
面にトップコートを、また静電気を防ぎテープ表面の摩
擦係数を下げテープ間の滑りを良くする観点から裏面に
バックコートを施すことが好ましく、かかる保護被膜と
しては、従来公知のものいずれもが適合する。

（実施例） 第４図に、この発明の実施に用いて好適な磁気記録テー
プの製造装置を模式で示す。構成の骨子は第１図に示し
たところと同一なので共通の番号を付して表すものとし
、図中番号２−４および３−４はそれぞれ、保護被膜作
製用のキャンロールおよび対向ターゲット式スパッタ装
置、また１１は真空槽、１２および１３はそれぞれ基板
テープの巻出しロールおよび巻取りロールである。

同図に示したとおり、この製造装置は、真空槽１１中に
４個の成膜ゾーンを有し、各ゾーンには対向ターゲット
式スパッタ源とテープ搬送用キャンロールが設置されて
いる。対向ターゲット式スパッタ源は、約１０１０Ｘ１
０”の２枚のターゲットを面を向かい合わせて１０ｃｍ
離して置き、また各ターゲットの裏側には永久磁石を設
置して２枚のターゲット間に各ターゲツト面に垂直方向
に２５０　（Ｇａｕｓｓ）の磁界を走らせて、両ターゲ
ットに負のＤＣ（約２　ｋＷ）を印加してスパッタ粒子
を基板テープに供給する。スパッタ源と基板テープとの
間にはスリットを配しターゲットから飛来するスパッタ
粒子の量を制御する。この時、基板面は２枚のターゲッ
トの端から１０ｃｍ離してターゲツト面に垂直にそして
ターゲット間の中心に設置する。ここでは基板面の位置
に直径１５ｃｍのキャンロール面に巻き付けられた厚み
１２μｍのポリエチレンナフタレートテープ面が来て、
ロール回転に同期して移動する間にテープ面上に連続的
に膜が形成されるしくみになっている。

ターゲット組成は、第１ゾーンがＣＯｔ＊Ｃ１＋、第２
ゾーンがＮｉｓ＋Ｆｅ＋ｗ、第３ゾーンがＣ０Ｉｌ、Ｃ
ｒＩ？、そして第４ゾーンは保護膜用のカーボンである
。

またスパッタ＾ｒガス圧ＰＡｒは、第１ゾーンで０．２
５ｍＴｏｒｒ　、第２．３および４ゾーンはいずれもｌ
　ｍＴｏｒｒとした。さらにスリット幅は第１ゾーンで
２ｃｍ、第２．３．４ゾーンで１０ｃｍとした。

上記の条件の下に、まず第１ゾーンで膜厚：０゜１００
、２００．３００人のＣｏＣｒ下地層を、第２ゾーンで
は膜厚：　１５５０．２０００人のパーマロイ軟磁性裏
打ち層を、第３ゾーンでは膜厚：　１３００人のＣｏＣ
ｒ磁気記録層を、さらに第４ゾーンでは膜厚：２００人
の保護被膜をそれぞれ被成した。

第５図に、（パーマロイ層／配向度制御用下地層）二層
膜の下地膜厚とパーマロイ層の面内保磁力との関係につ
いて調べた結果を示す。

同図より明らかなように、下地膜厚が２００Å以下では
保磁力の増大はほとんどなく、パーマロイ層の軟磁性に
対する下地層の悪影響は見られない。

次に第６図に、（Ｃｏ、３Ｃｒ、７層／パーマロイ層／
配向度制御用下地層）三層膜における下地膜厚とキャン
ティングとの関係について調べた結果を示す。

同図より明らかなように、下地層がない場合にはキャン
ティングが極めて大きかったのに対し、下地層として５
０〜２００人程度のＣｏ７ｗＣｒｚ＋Ｆｉ膜を被成する
ことにより、キャンティングは大幅に改善されている。

次に第７図に、同じ＜　（Ｃ０５ｚＣｒ＋を層／パーツ
０イ層／配向度制御用下地層）三層膜の下地膜厚とＸ線
回折強度ＩＦおよびΔθ５０との関係を示す。

まずＩ、については、下地層がないとき、パーマロイ層
からはピークが現れず、またＣ０５ｚＣｒ＋を層からも
極弱いピークしか呈しない。この理由は、下地層がない
ときにはパーマロイ層の結晶性が非常に悪く、従ってそ
の上のＣＯ５３Ｃｒｔ７層の結晶性も劣悪になったもの
と考えられる。

これに対し、わずか５０〜２００人程度の特殊なＣｏｙ
＊Ｃｒｚ＋下地層を被成しただけで、Ｎｉ１ｌｆ’ｅ１
４層およびＣＯｓ＋Ｃｒ　ｒ　ｑ層とも強いピークが現
れ、両層の結晶性が大幅に改善されたことが判る。

このことはΔθ５０の変化からも明瞭で、Δθ５０はＣ
ＯｔｗＣｒｚ＋下地層による結晶度配向効果によって大
幅に低減しており、両層の結晶配向性の改善を裏付けて
いる。

（発明の効果） かくして第１発明によれば、パーマロイ裏打ち層をそな
えるＣｏＣｒ垂直磁気記録媒体におむ１て、下地層とし
て低飽和磁化ＣｏＣｒ　′ｆｉＩ膜からなる配向度制御
層を被成することにより、パーマロイ軟磁性裏打ち層さ
らにはＣｏＣｒ磁気記録層の結晶配向性を格段に向上さ
せることができ、ひいては垂直磁気記録媒体としての磁
気特性の大幅な改善が実現できる。

また第２発明によれば、被処理体がプラズマに曝されな
いプラズマフリーの状況で成膜できるので、プラスチン
クテープのような熱的ダメージを比較的受けやすいテー
プ基板の上にも、損傷を与えることなしに、各層をコー
ティングできる。しかもＣ軸キャンティングを除去する
ための狭スリットで成膜される配向度制御層は、極めて
薄くてよいので、短時間で成膜でき、プロセス全体とし
て連続した高速成膜が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明に従う垂直磁気記録テープの作製要
領を示した図、 第２図ａ　％　ｄはそれぞれ、各成膜処理後におけるテ
ープ上の被膜形成状態を示す模式図、第３図は、対向タ
ーゲット式スパッタ装置の斜視図、 第４図は、この発明の実施に用いて好適な垂直磁気記録
テープ製造装置の模式図、 第５図は、（パーマロイ層／配向度制御用下地層）二層
膜の下地膜厚とパーマロイ層の面内保磁力との関係を示
したグラフ、 第６図は、（ＣＯａ３Ｃｒｌ、層／パーツ０イ層／配向
度制御用下地層）三層膜における下地膜厚とキャンティ
ングとの関係を示したグラフ、 第７図は、同じ＜　（ＣｏｓｓＣｒｔｔ層／パーマロイ
層／配向度制御用下地層）三層膜の下地膜厚とＸ線回折
強度ＩＦおよびΔθ５０との関係を示したグラフである
。 １・・・フレキシブルテープ ２−Ｌ　　２−２．　２−３．　２−４・・・キャンロ
ール３−１．　３−２．　３−３．　３−４・・・対向
ターゲット式スパッタ装置 ４・・・配向度制御層　　　５・・・軟磁性裏打ち層６
・・・磁気記録層　　　　７−１．　７−２・・・ター
ゲット８−１．　８−２・・・磁極　　　９・・・マス
ク１０・・・スリット　　　　　１１・・・真空槽１２
・・・ｔ＝出出口ロール　　１３・・・巻取りロール第
１図 １０−一一−スリ・１Ｆ 第４図 １３−−−一壱Ｒ１すａ−ル ８−　ｆ、　８−２−−−−　、ｉｎ、掻第５図 下建膜厚（Ａ） 第６図 Ｔ坩績ＩＩ　（Ａ） 第７図 下すｔａｌｌ（Ａ＞

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、フレキシブルテープの基板上に、 Ｃｒ含有量：２０ａｔ％以上の低飽和磁化ＣｏＣｒから
   なり、ｃ軸の分散角半値幅Δθ＿５＿０≦１０゜、厚み
   ：５０〜２００Åの配向度制御層と、 この薄膜上にエピタキシャル成長させた、 Ｎｉ含有量：７５〜８５ａｔ％のパーマロイからなる厚
   み：１００Å以上、臨界膜厚以下の軟磁性裏打ち層と、 この軟磁性裏打ち層上にさらに重ねてエピタキシャル成
   長させた、Ｃｏ含有量：８０ａｔ％以上の高飽和磁化Ｃ
   ｏＣｒ層からなる厚み：４００〜３０００Åの磁気記録
   層 とをそなえることを特徴とするＣｏＣｒ垂直磁気記録テ
   ープ。 ２、基板であるフレキシブルテープを、３分割された成
   膜ゾーンに連続的に供給し、該成膜ゾーンを通過する間
   にスパッタ法によって該基板の片面に順次、配向度制御
   層、軟磁性裏打ち層および磁気記録層を形成するに当た
   り、各層の形成手段として対向ターゲット式ス パッタ法を用いるものとし、 まず第１成膜ゾーンにて、基板に対する斜め入射を抑制
   する狭幅スリットの使用の下に、スパッタＡｒガス圧：
   １ｍＴｏｒｒ以下の低圧力で、Ｃｒ含有量：２０ａｔ％
   以上の低飽和磁化ＣｏＣｒ層を膜厚：５０〜２００Åに
   被成し、 ついで第２成膜ゾーンにて、斜め入射を許容する広幅ス
   リットの使用の下に、スパッタＡｒガス圧：５ｍＴｏｒ
   ｒ以下で、Ｎｉ含有量：７５〜８５ａｔ％のパーマロイ
   層を厚み：１００Å以上、臨界膜厚以下に被成し、 引き続き第３成膜ゾーンにて、同じく斜め入射を許容す
   る広幅スリットの使用の下に、スパッタＡｒガス圧：５
   ｍＴｏｒｒ以下で、Ｃｏ含有量：８０ａｔ％以上の高飽
   和磁化ＣｏＣｒ層を厚み：４００〜３０００Åに被成す
   る ことを特徴とするＣｏＣｒ垂直磁気記録テープの製造方
   法。