JPS6254969A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサの製造方法Info
- Publication number
- JPS6254969A JPS6254969A JP19640885A JP19640885A JPS6254969A JP S6254969 A JPS6254969 A JP S6254969A JP 19640885 A JP19640885 A JP 19640885A JP 19640885 A JP19640885 A JP 19640885A JP S6254969 A JPS6254969 A JP S6254969A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragms
- silicon wafer
- bonding
- holes
- pressure sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00865—Multistep processes for the separation of wafers into individual elements
- B81C1/00888—Multistep processes involving only mechanical separation, e.g. grooving followed by cleaving
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体圧力センサの製造方法に関するもの
である。
である。
第２図（ａ）〜（、ｆ）は従来の半導体圧力センサの製
造方法な示す断面図であり、１はシリコンウェハ、２は
前記シソコンクエバ１１に複数のダイヤフラムを形成す
るための穴部であり、３がそのダイヤフラムを示す。４
は台座用のシリコンウェハで、これには各ダイヤフラム
３に対応して貫通する貫通穴５が形成される。６は前記
台座用のシソコンクエバ４を各ダイヤフラム３ごとに対
応して切断した台座、７は前記ダイヤフラム３と台座６
をそれぞれ接合するための金・シリコンまたは半田等の
接合部材、８はパイプ付きの金属ヘッダで、ダイヤフラ
ム３が取り付けられた台座６が取り付けられ、キャップ
１１によりパッケージされ半導体圧力センサが構成され
る。なお、９はポンディングポスト、１０はこのポンデ
ィングポスト９とダイヤフラム３をワイヤポンディング
するポンディングワイヤである。
造方法な示す断面図であり、１はシリコンウェハ、２は
前記シソコンクエバ１１に複数のダイヤフラムを形成す
るための穴部であり、３がそのダイヤフラムを示す。４
は台座用のシリコンウェハで、これには各ダイヤフラム
３に対応して貫通する貫通穴５が形成される。６は前記
台座用のシソコンクエバ４を各ダイヤフラム３ごとに対
応して切断した台座、７は前記ダイヤフラム３と台座６
をそれぞれ接合するための金・シリコンまたは半田等の
接合部材、８はパイプ付きの金属ヘッダで、ダイヤフラ
ム３が取り付けられた台座６が取り付けられ、キャップ
１１によりパッケージされ半導体圧力センサが構成され
る。なお、９はポンディングポスト、１０はこのポンデ
ィングポスト９とダイヤフラム３をワイヤポンディング
するポンディングワイヤである。
次にこの製造方法について説明する。
まず第２図Ｉｓ）のようにシソコンクエバ１にダイヤフ
ラムを形成するため化学処理または機械的な処理により
複数の穴部２を形成し、タイヤフラム３を形成する。そ
の後、ダイシング工程において第２図（ｂ）のように個
々のダイヤフラム３に切断する。一方、台座用のシリコ
ンウェハ４も第２図（ｃ）Ｋ示すようＫｍ械的処理によ
り第２図（ｂ）の各ダイヤフラム３に対応して連通する
貫通穴５を形成した後、第２図（ｄ） Ｋ示すよ５に個
々の台座６に切断する。その後、第２図（ｅ）のよう［
１１１々のダイヤフラム３と台座６とをそれぞれ接合部
材７を用いて接合する。こうして接合されたものを、パ
イプ付きの金属ヘッダ８に取り付け、ポンディングポス
ト９にポンディングワイヤＩＯＫてワイヤポンディング
し、キャップＩＩＫよってパッケージして第２図（ｆ）
に示すよ５な牛４体圧力センサの組み立てが完了する。
ラムを形成するため化学処理または機械的な処理により
複数の穴部２を形成し、タイヤフラム３を形成する。そ
の後、ダイシング工程において第２図（ｂ）のように個
々のダイヤフラム３に切断する。一方、台座用のシリコ
ンウェハ４も第２図（ｃ）Ｋ示すようＫｍ械的処理によ
り第２図（ｂ）の各ダイヤフラム３に対応して連通する
貫通穴５を形成した後、第２図（ｄ） Ｋ示すよ５に個
々の台座６に切断する。その後、第２図（ｅ）のよう［
１１１々のダイヤフラム３と台座６とをそれぞれ接合部
材７を用いて接合する。こうして接合されたものを、パ
イプ付きの金属ヘッダ８に取り付け、ポンディングポス
ト９にポンディングワイヤＩＯＫてワイヤポンディング
し、キャップＩＩＫよってパッケージして第２図（ｆ）
に示すよ５な牛４体圧力センサの組み立てが完了する。
上記のような工程による従来の製造方法によると、ダイ
ヤフラム３と台座６の接合方法が技術的に＃！かしいば
かりでなく、それぞれ１個１１１１接合が行われるため
組み立てに多くの時間を要し、かつ自動化、機械化かや
りにクク、シたがって、コストが非常忙高くなるという
欠点があった。
ヤフラム３と台座６の接合方法が技術的に＃！かしいば
かりでなく、それぞれ１個１１１１接合が行われるため
組み立てに多くの時間を要し、かつ自動化、機械化かや
りにクク、シたがって、コストが非常忙高くなるという
欠点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためＫなさ
れたもので、半導体圧力センサを信頼性よく、かつ自動
化のやり易い製造方法を得ることを目的とする。
れたもので、半導体圧力センサを信頼性よく、かつ自動
化のやり易い製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体圧力センサの製造方法にあっては
、複数のダイヤフラムの形成されたシリコンウェハと、
前記ダイヤフラムにそれぞれ対応して連通ずる貫通穴が
形成された台座用のシリコンウェハを個々に切断する前
に接合しその後ダイシング工程忙おいて個々に切断し組
み立てる方法をとったものである。
、複数のダイヤフラムの形成されたシリコンウェハと、
前記ダイヤフラムにそれぞれ対応して連通ずる貫通穴が
形成された台座用のシリコンウェハを個々に切断する前
に接合しその後ダイシング工程忙おいて個々に切断し組
み立てる方法をとったものである。
この発明においては、ダイヤフラムと台座を１個ずつ接
合部材によりダイボンドする必要がなく、ダイシング工
程前にクエへ単位にて接合するため一度に数多くのダイ
ヤフラムと台座とが構台される。
合部材によりダイボンドする必要がなく、ダイシング工
程前にクエへ単位にて接合するため一度に数多くのダイ
ヤフラムと台座とが構台される。
第１図（ａ）〜＜ｅ）はこの発明の一実施例の製造工程
を説明するための断面図である。この図で、第２図と同
一符号は同じものを示す。
を説明するための断面図である。この図で、第２図と同
一符号は同じものを示す。
この製造方法は、まず、９１図（、ｉ）のようにシリコ
ンウェハ１に複数のダイヤフラム３を形成するための穴
部２を化学的または機械的処理によって形成する。一方
、第１図（ｂ）のように台座用のシリコンウェハ４に第
１図（ａ）の各ダイヤフラム３にそれぞれ対応して連通
する貫通穴５を形成し工おく。
ンウェハ１に複数のダイヤフラム３を形成するための穴
部２を化学的または機械的処理によって形成する。一方
、第１図（ｂ）のように台座用のシリコンウェハ４に第
１図（ａ）の各ダイヤフラム３にそれぞれ対応して連通
する貫通穴５を形成し工おく。
次に第１図（Ｃ）のように穴部２が形成されてダイヤフ
ラム３が形成されたシリコンウェハ１と、貫通穴５の形
成された台座用のシリコンウェハ４をダイシング工程前
に接合部材７、例えば金・シリコン、または半田により
一度に接合する。その後、第１図（ｄ）のように接合部
材７によって接合されたダイヤフラム３と台座６をタイ
シング工程において個々に切断する。最後に従来法と同
様にしてパイプ付きの金属ヘッダ８に取り付け、ポンデ
ィングポスト９にポンディングワイヤ１０にてワイヤボ
ンディングし、キャンプＩＩＫよってパンケージして第
１図（ｅ） Ｋ示すような半導体圧力センサが完成する
。
ラム３が形成されたシリコンウェハ１と、貫通穴５の形
成された台座用のシリコンウェハ４をダイシング工程前
に接合部材７、例えば金・シリコン、または半田により
一度に接合する。その後、第１図（ｄ）のように接合部
材７によって接合されたダイヤフラム３と台座６をタイ
シング工程において個々に切断する。最後に従来法と同
様にしてパイプ付きの金属ヘッダ８に取り付け、ポンデ
ィングポスト９にポンディングワイヤ１０にてワイヤボ
ンディングし、キャンプＩＩＫよってパンケージして第
１図（ｅ） Ｋ示すような半導体圧力センサが完成する
。
この発明は以上説明したとおり、複数のダイヤフラムが
形成されたシリコンウェハと、前記各ダイヤフラムにそ
れぞれ対応して連通ずる貫通穴が形成された台座用のシ
リコンウニ・１とを、個々に切断するダイシング工程前
にウニへ状悪のまま接合部材により接合した後、個々に
９断するようにしたので、精度良く、かつ安価な半導体
圧力センサが得られ、しかも自動化し易い等の利点があ
る。
形成されたシリコンウェハと、前記各ダイヤフラムにそ
れぞれ対応して連通ずる貫通穴が形成された台座用のシ
リコンウニ・１とを、個々に切断するダイシング工程前
にウニへ状悪のまま接合部材により接合した後、個々に
９断するようにしたので、精度良く、かつ安価な半導体
圧力センサが得られ、しかも自動化し易い等の利点があ
る。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の半導体圧力センサの
製造方法の一実施例を説明するための断面図、第２図（
ａ）〜（ｆ）は従来の半導体圧力センナの製造方法を説
明するための断面図である。 図において、１はシリコンウェハ、２は穴部、３はダイ
ヤフラム、４は台座用のシリコンウェハ。 ５は貫通穴、６は台座、７は接合部材、８は金属ヘッダ
、９はポンディングポスト、１Ｇはボンデイソ／ｒ７メ
ヤ ｌｌＬ＋ｄ−ヤ１ソイ−ｆ＋ｔスなお、各図中の同
一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図
製造方法の一実施例を説明するための断面図、第２図（
ａ）〜（ｆ）は従来の半導体圧力センナの製造方法を説
明するための断面図である。 図において、１はシリコンウェハ、２は穴部、３はダイ
ヤフラム、４は台座用のシリコンウェハ。 ５は貫通穴、６は台座、７は接合部材、８は金属ヘッダ
、９はポンディングポスト、１Ｇはボンデイソ／ｒ７メ
ヤ ｌｌＬ＋ｄ−ヤ１ソイ−ｆ＋ｔスなお、各図中の同
一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図
Claims (1)
- 複数のダイヤフラムが形成されたシリコンウエハと、
前記各ダイヤフラムに対応して連通する貫通穴がそれぞ
れ形成された台座用のシリコンウエハとを、個々に切断
するダイシング工程前に所要の接合部材にて接合したの
ち、ダイシング工程において個々に切断し、その後、金
属ヘツダに取り付けパツケージすることを特徴とする半
導体圧力センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19640885A JPS6254969A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19640885A JPS6254969A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254969A true JPS6254969A (ja) | 1987-03-10 |
Family
ID=16357361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19640885A Pending JPS6254969A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 半導体圧力センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6254969A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0265816A2 (en) * | 1986-10-28 | 1988-05-04 | Sumitomo Electric Industries Limited | Method of measuring semiconductor pressure sensor |
| JPH01172725A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JPH01172724A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| WO2006077867A1 (ja) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Limited | 微小構造体を有する半導体装置および微小構造体の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP19640885A patent/JPS6254969A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0265816A2 (en) * | 1986-10-28 | 1988-05-04 | Sumitomo Electric Industries Limited | Method of measuring semiconductor pressure sensor |
| JPH01172725A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| JPH01172724A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサの製造方法 |
| WO2006077867A1 (ja) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Limited | 微小構造体を有する半導体装置および微小構造体の製造方法 |
| JP2006202909A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Tokyo Electron Ltd | 微小構造体を有する半導体装置および微小構造体の製造方法 |
| JP4578251B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2010-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 微小構造体を有する半導体装置および微小構造体の製造方法 |
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