JPH01172724A - 半導体圧力センサの製造方法 - Google Patents

半導体圧力センサの製造方法

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JPH01172724A
JPH01172724A JP33195287A JP33195287A JPH01172724A JP H01172724 A JPH01172724 A JP H01172724A JP 33195287 A JP33195287 A JP 33195287A JP 33195287 A JP33195287 A JP 33195287A JP H01172724 A JPH01172724 A JP H01172724A
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stem
pressure
cap
diaphragm
pressure sensor
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Shogo Asano
浅野 勝吾
Kazuhiko Mizojiri
溝尻 和彦
Takashi Morikawa
森川 貴志
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は自動車などの内燃機関の吸入空気圧や大気圧ま
たはエキゾースト圧などを検出するのに用いる半導体圧
力センサに関する。
従来の技術 近年、自動車などの燃料の節約や排気対策など社会的要
請に伴い、マイクロコンピュータによるエンジンの電子
式燃料噴射、点火時期および排ガス還流量の制御などを
種々なセンサを用いて行なうようになってきた。
このエンジンの電子制御において、大気およびマニホー
ルド内の絶対圧を正確に検出することは極めて重要なこ
とで、信頼性の高い圧力センサが要求される。これに伴
い種々改良された圧力センサが提案されている。
以下、従来の圧力センサの一例を図面を用いて説明する
第10図は従来の半導体圧力センサの概略構成図である
。第10図において101はステム、102は台座で接
合剤103を用いてステム101上に固定している。1
04はダイヤフラム106を有したシリコンダイヤフラ
ムチップで、ダイヤフラム106に圧力検出用ホイース
トンプリノジ抵抗を設けて台座102上に取り付けてい
る。105はステム101からの熱応力を緩和するため
台座102に設けた切り欠き溝である。107は台座1
02を貫通して設けたリードピンで、台座102との隙
間はガラス115でハーメチック封止状態にしている。
108はシリコンダイヤフラムチップ104のブリッジ
電極とリードピン107とを接続した導電性のワイヤで
ある。109はステム101上に取り付けたシリコンダ
イヤフラムチップ104と台座102とを外側から覆っ
て真空チャンバー113を形成するキャップで、封止穴
111を上部に設けている。114はステム101およ
び台座102内を通ってシリコンダイヤフラムチップ1
04の下面に流体を導く圧力導入用のパイプで、ステム
101の下面にロウ付けなどの手段で固定している。ま
た台座102はシリコンダイヤフラムチップ104と近
似する熱膨張係数を有した材質で形成し、切り欠き溝1
05とともにステム101からの熱応力を緩和している
そして上記従来の半導体圧力センサは組み立てる場合、
ステム101にキャップ109を取り付ける前に、まず
ステム101側に台座102、シリコンダイヤフラムチ
ップ104、取付用リードピン107、ワイヤ108お
よび圧力導入パイプ114などを取り付けておく。次に
封止穴111を封止していない状態でキャップ109を
ステム101に取り付け、圧接または溶接などの手段で
ステム101の外周部110に封着接合する。この接合
後、真空中においてキャップ109内の空気を抜くと同
時に封止穴111をハンダ112で密閉封着する。する
とキャップ109内に真空チャンバー113が形成され
て組み立てられる。
したがって、この半導体圧力センサではシリコンダイヤ
フラムチップ104のダイヤフラム106を真空チャン
バー113の中に収納しているので、この真空圧を基準
圧として圧力導入パイプ114から導入する流体を絶対
圧で測定できる。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記従来の半導体圧力センナを用いだ圧力
変換器では、一つのセンサで一つの絶対圧しか測定でき
ない。さらにステム1旧や、台座102とステム101
間の接合剤103からシリコンダイヤフラムチップ10
4に及ぼす熱応力の影響が犬きく、この熱応力がシリコ
ンダイヤフラムチップ104に歪みを与える。このため
ダイヤフラム106に形成したホイーストンブリッジ抵
抗の値が温度によってばらつき、これに伴い圧力検出特
性も大きくばらつく欠点があった。この問題は主にシリ
コンダイヤフラムチップ104、ステム101、台座1
02および接合剤103の熱膨張係数の違いに起因する
ものである。
このため従来の半導体圧力センサの構造では、上述した
ように台座102にシリコンダイヤフラムチップ104
とできるだけ近似する熱膨張係数を有した材質を用いる
とともに、ステム101からの熱応力を緩和する目的で
台座102の厚みを高くしたり、あるいは台座102に
切り欠き溝105を設けるなどの手段を施している。こ
の結果、台座102の加工性が悪く、また接合する箇所
が多くなるため作業性も悪くコスト高になるばかりか信
頼性も低下していた。
本発明はこのような従来の問題を解決するものであり、
−個の半導体圧力センサで少なくとも二つの絶対圧を同
時に検出することができるとともに、圧力検出特性を改
善し、さらに構造を単純化して信頼性の向上と品質の安
定化およびコスト低減を図ることのできる半導体圧力セ
ンサを提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、変形を検出して電
気信号を出力する手段を有する少なくとも二つのダイヤ
フラムを設けた半導体単結晶チップ部と前記チップ部と
一体に成形した台座部とからなる板状部材と、圧力導入
パイプと、複数のリードピンと、前記板状部材と近似す
る熱膨張係数を有した部材で形成されるとともに前記各
ダイヤフラムを対応させて設けた二つの貫通穴と前記リ
ードピンをそれぞれ取り付ける取付穴とを設けたステム
と、ガラスまたはシリコンからなるキャップとを備え、
前記ステムの前記取付穴に前記リードピンをハーメチッ
ク封着するとともに、前記ステムの表面側に前記板状部
材を封着接合させ、かつ前記ダイヤフラムと前記リード
ピンとのワイヤボンディング後、前記キャンプを封着さ
せて前記ステム表面側に真空チャンバーを形成し、さら
に前記ステムの裏面側で前記一方の貫通穴に前記圧力導
入パイプを接合させるとともに他方の貫通穴を開放させ
てなる構成にしたものである。
作用 したがって本発明によれば、ステムの表面側、すなわち
二つのダイヤフラムの反対側に真空チャンバーを形成し
ているので、各ダイヤフラム部で測定される圧力はいず
れも絶対圧になる。しかも一方のダイヤフラムで大気圧
を、他方のダイヤフラムで例えば吸気マニホールド圧な
どを絶対圧でそれぞれ同時に測定できる。
また半導体単結晶チップ部と台座部とを一体に板状部材
で成形し、しかも板状部材とステムとを近似する熱膨張
係数を有した部材で形成しているので、感圧ダイヤフラ
ムに形成したホイーストンプリノジ抵抗系の熱応力によ
る変動差がなくなる。
実施例 第1図乃至第2図は本発明の一実施例の構成を示すもの
である。
第1図乃至第2図において、1は中央部分に二つの貫通
穴2a、 2bを設けたステムで、貫通穴2a。
2bを囲んだ外周部分に10個のリードピン取付穴3を
設けてガラスまたはシリコン材などで一体に成形されて
いる。4は中央に圧力導入孔5を設けた圧力導入パイプ
で、貫通穴2aに圧力導入孔5を対応させてステム1の
下面にガラスハンダで封着接合させている。6は取付穴
3に取り付けているリードピンで、一端がステム1の上
面から突出し他端が下面から突出した状態で10個の取
付穴3に対し個々にハーメチック封着されている。33
はステム1と近似する熱膨張係数を有した材質で形成し
た板状部材で、一対の感圧ダイヤフラムチップ7a。
7bを有した半導体単結晶チップ部8とサンドイッチ台
座部9とを同一部材で一体に成形した状態にしている。
さらに各感圧ダイヤフラムチップ7a。
7bは同一ウェハの隣接した部分に形成され、また圧力
印加部となる各ダイヤフラム面に圧力検出用ホイースト
ンプリノジ抵抗(不図示)を形成している。そして板状
部材33は感圧ダイヤフラムチップ7aを貫通穴2aに
対応させるとともに感圧ダイヤフラムチップ7bを貫通
穴2bに対応させてステム1の上面にAl−3i(アル
ミニューム−シリコン)共晶結合などの手段によって封
着接合されている。
10は各感圧ダイヤフラムチップ7a、 7bの各ダイ
ヤスラム面上に形成した圧力検出用ホイーストンプリノ
ジ抵抗とリードピン6とを電気接合した金線などのワイ
ヤである。11は板状部材33を介してステム1上に真
空中でガラスハンダされたキャップで、感圧ダイヤフラ
ム7a17bの上面に真空チャンバー12を形成してお
り、また板状部材33と近似する熱膨張係数を有したガ
ラスまだはシリコン材などで形成されている。
そして、この実施例による半導体圧力センサは第3図乃
至第9図に示す製造方法に従って作られている。第3図
乃至第9図において第1図乃至第2図と同一符号を付し
たものは第1図乃至第2図と同一のものを示している。
13はステム1が形成されるウェハ状ステムで、第3図
に示すような板状ガラスまたはシリコン材から貫通穴2
a、 2bとリードピン取付穴3を有したステム1に相
当する部分が第4図に示すように略等間隔で連続して形
成されている。14はウェハ状感圧ダイヤフラムで、板
状部材33に相当する部分を略等間隔で連続して設けて
いる。
そしてウェハ状ステムエ3上にウェハ状感圧ダイヤフラ
ム14を第5図に示すよ゛うに載置させ、このとき両者
を陽極接合などで封着接合させる。次いでウェハ状ステ
ム13のリードピン取付穴3にリードピン6を挿入させ
るとともに、貫通穴2aに対応させて圧力導入パイプ4
を配置し、第6図に示すようにリードピン6と圧力導入
パイプ4をウェハ状ステム13上にガラスハンダで封着
接合させる。
次に感圧ダイヤフラムチップ7a、 7bのダイヤフラ
ム面に形成した圧力検出用ホイーストンプリソジ抵抗の
電極とり−ドピン6とにワイヤ10を第7図に示すよう
にボンディングする。そして、この状態まで組み付けた
ウェハ状ステム13を真空中に配置させる。この時、同
じくキャップ11に相当する部分を連続して設けたウェ
ハ状キャンプ15が用意され、真空中でウェハ状キャッ
プ15をウェハ状ステム13上に被せるとともにガラス
ハンダでウェハ状ステム13とウェハ状キャップ15と
を封着接合し、各ステム1に対応する部分の表面側に真
空チャンバー12を第8図に示すように形成する。なお
ウェハ状ステム13とウェハ状キャンプエ5とを封着接
合するときのガラスハンダは、圧力導入パイプ4および
リードピン6を封着接合するのに使用したガラスハンダ
の材質よりも融点が低いものが使用される。そして、こ
の状態まで組み立てだ後、各半導体圧力センサに対応す
る部分毎に、第9図に示すようにカッター16でスライ
スすると、第1図乃至第2図に示す半導体圧力センサ単
体が完成する。
次に、このようにして作られた半導体圧力センサの圧力
測定方法と動作について説明する。
上記実施例において例えば内熱機関の吸入空気圧を測定
する場合は、圧力導入パイプ4の下端を吸気マニホール
ドの吸気孔に接続し、貫通孔2bは大気中に開口させる
すると感圧ダイヤフラムチップ7aには圧力導入パイプ
4および貫通穴2aを通ってマニホールド吸気孔からの
流体が導入されて歪が与えられる。−方、感圧ダイヤ7
ラムチノプ7bには貫通穴2bを通って大気圧が導入さ
れ、この大気圧で歪が与えられる。また、この感圧ダイ
ヤフラムチップ7aと感圧ダイヤフラムチップ7bに各
々与えられた歪は、各ダイヤフラム面に形成した圧力検
出用ホイーストンプリソジの抵抗値をそれぞれ変化させ
、この信号がリードピン6を通して外部へ取り出される
そして、との堆り出された信号を知ることによシ感圧ダ
イヤフラムチップ7a側では吸気マニホールド内の圧力
を絶対圧で測定でき、また感圧ダイヤフラムチップ7b
側では大気圧を絶対圧で測定できる0 したがって、この半導体圧力センサでは一つの半導体圧
力センサで二つの圧力を同時に測定することができる。
また各圧力センサを組み立てる場合、各半導体圧力セン
サを個々に組み立てて行かなくても、複数の半導体圧力
センサにおける導入パイプ4、リードピン6、感圧ダイ
ヤフラムチップ7a、 7b、サンドイッチ台座部9、
ワイヤ10、キャップ11などをそれぞれ同一のウェハ
状ステム13の上に一括して組み付け、この後各半導体
圧カセンサ毎にスライスして分割することにより個々の
半導体圧力センサを作ることができる。この結果、組立
の効率が向上する。
またステム1、感圧ダイヤフラムチップ7a、 7b。
サンドイッチ台座9およびキャンプ11を互いに熱膨張
係数が近似するガラスまたはシリコン材で形成している
ので、各封着接合部分において温度に対する熱応力が低
減できる。これにより封着接合部分において温度に対す
る熱応力が低減できる。
これにより封着接合部分の信頼性が向上する。
まだ、さらにステム1の上面に異種金属を有しない陽極
拡散接合または極薄層のAl−8i(アルミニー−ムー
シリコン)共晶結合などの手段によって感圧ダイヤフラ
ムチップ7a、 7bを有した板状部材33を直接封着
接合しているので、温度変化時にステム1から感圧ダイ
ヤフラムチップ7a、 7bに及ぼされる影響がなくな
る。これによりダイヤフラム面に形成したホイーストン
プリノジ抵抗系に熱応力による歪の差がなくなり、圧力
センサとしての特性が向上する。
また、さらに半導体単結晶チップ部は同一板状部材の隣
接した部分から形成しているので、二つの感圧ダイヤフ
ラムチップ7a、 7bの特性をはソ同一にでき、電気
回路部でのトリミングなどによる温度保償のための調整
が二つのダイヤフラムでほぼ同一にできる。
発明の効果 本発明は上記実施例により明らかのように、一つの半導
体圧力センサで二つの圧力を絶対圧で同時に測定するこ
とができるので、機能性が向上する。また半導体単結晶
チップ部とサンドイッチ台座とを一体成形するとともに
ステム、キャップと近似する熱膨張係数を有した材質で
形成しているので、信頼性並びに特性を向上させること
ができ、さらに組立の効率化が図れコストも低減する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る半導体圧力センサの一
例を示した平面図、第2図は第1図のA−A線に沿う断
面図、第3図乃至第9図は同上半導体圧力センサの製造
工程の一例を示した工程図、第10図は従来の半導体圧
力センサの断面図である。 1・・・ステム、2・・・貫通穴、3・・・リードピン
取付穴、4・・・圧力導入パイプ、5・・圧力導入孔、
6・・・リードピン、7a17b・・・感圧ダイヤフラ
ムチップ、9・・サンドイッチ台座部、10・・・ワイ
ヤ、11・・・キャップ、12・・真空チャンバー、1
3・ウェハ状ステム、14・・ウェハ状感圧ダイヤフラ
ム、15・・・ウェハ状キャンプ、33・・・板状部材
。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名第1図 β 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)変形を検出して電気信号を出力する手段を有する
    少なくとも二つのダイヤフラムを設けた半導体単結晶チ
    ップ部と前記チップ部と一体に成形した台座部とからな
    る板状部材と、圧力導入パイプと、複数のリードピンと
    、前記板状部材と近似する熱膨張係数を有した部材で形
    成されるとともに前記各ダイヤフラムに対応させて設け
    た二つの貫通穴と前記リードピンをそれぞれ取り付ける
    取付穴とを設けたステムと、前記板状部材と近似する熱
    膨張係数を有したガラスまたはシリコン材質からなるキ
    ャップとを備え、前記ステムの前記取付穴に前記リード
    ピンをハーメチック封着するとともに、前記ステムの表
    面側に前記板状部材を封着接合させ、かつ前記ダイヤフ
    ラムと前記リードピンとのワイヤボンディング後、前記
    キャップを封着させて前記ステム表面側に真空チャンバ
    ーを形成し、さらに前記ステムの裏面側で前記一方の貫
    通穴に前記圧力導入パイプを接合させるとともに他方の
    貫通穴を開放させてなる構成にした半導体圧力センサ。
  2. (2)前記ステム、前記板状部材、および前記キャップ
    はそれぞれ各半導体センサ部に相当する部分を連続的に
    設けたウエハ状に形成され、このウエハ状態で前記各封
    着接合と前記リードピンの前記ハーメチック封着および
    前記ダイヤフラムと前記リードピンとのワイヤボンディ
    ングを行ない、この後個々に分割して形成したことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体圧力センサ
  3. (3)前記二つのダイヤフラムを有する前記半導体単結
    晶チップ部は同一ウエハの隣接した部分から形成されて
    いることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項
    記載の半導体圧力センサ。
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