JPS63211641A - 半導体デバイス測定方法 - Google Patents
半導体デバイス測定方法Info
- Publication number
- JPS63211641A JPS63211641A JP4430687A JP4430687A JPS63211641A JP S63211641 A JPS63211641 A JP S63211641A JP 4430687 A JP4430687 A JP 4430687A JP 4430687 A JP4430687 A JP 4430687A JP S63211641 A JPS63211641 A JP S63211641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- chip
- stem
- semiconductor chip
- wires
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体デバイスの測定方法に関し、特に半導
体圧力センサデバイス半導体デバイスチップの測定方法
に関する。
体圧力センサデバイス半導体デバイスチップの測定方法
に関する。
従来、この種の半導体圧力センサのデバイスは、シリコ
ンウェハー上に形成された各チップのオフセット特性を
測定する際、コンウェハーから各チップに分離し半導体
用ステムに組立てしてから測定している。第３図は従来
の方法で、各チップのオフセット特性を測定する際の構
造を示す断面図であり、その測定要領は次のとおりであ
る。
ンウェハー上に形成された各チップのオフセット特性を
測定する際、コンウェハーから各チップに分離し半導体
用ステムに組立てしてから測定している。第３図は従来
の方法で、各チップのオフセット特性を測定する際の構
造を示す断面図であり、その測定要領は次のとおりであ
る。
すなわち、シリコンウェハーから分離された半導体チッ
プ１を半導体用ステム２に接着剤６を用いて気密接着す
る。
プ１を半導体用ステム２に接着剤６を用いて気密接着す
る。
次に半導体用ステム２の外部端子３にチップ１からＡｕ
（金）線あるいはＡ！！（アルミニウム）線４を用いて
ボンディングし、オフセット特性を測定している。
（金）線あるいはＡ！！（アルミニウム）線４を用いて
ボンディングし、オフセット特性を測定している。
上述した従来の技術では、接着剤６を用いて半導体用ス
テム２に気密接着しているため、半導体チ・ツブ１と接
着剤６と半導体用ステム２の間に生じる熱膨張差によっ
て発生する半導体チップ１の歪により、チップ状態のオ
フセット特性が正確に測定できないという欠点がある。
テム２に気密接着しているため、半導体チ・ツブ１と接
着剤６と半導体用ステム２の間に生じる熱膨張差によっ
て発生する半導体チップ１の歪により、チップ状態のオ
フセット特性が正確に測定できないという欠点がある。
本発明の目的は上述した欠点を除去し、組立工程によっ
て発生するチップの歪を大幅に排除した半導体デバイス
測定方法を提供することにある。
て発生するチップの歪を大幅に排除した半導体デバイス
測定方法を提供することにある。
本発明の方法は、半導体デバイスのチップのオフセット
特性を測定する半導体デバイス測定方法において、半導
体チップを仮止め治具を用いて半導体用ステムに仮止め
してワイヤーボンディングした後、前記半導体チップを
前記仮止め治具の仮止めから開放して測定する手段を有
して構成される。
特性を測定する半導体デバイス測定方法において、半導
体チップを仮止め治具を用いて半導体用ステムに仮止め
してワイヤーボンディングした後、前記半導体チップを
前記仮止め治具の仮止めから開放して測定する手段を有
して構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体デバイス測定方
法を示す断面図である。半導体圧力センサデバイスの場
合、裏面からダイアフラム状に半導体チップ１が、半導
体用ステム２の外部端子３にＡ、 ｕ線または／１７線
４によってワイヤーボンディングされる構造とするもの
である。すわわち、半導体チップ１は半導体用ステム２
に接することなく外部端子３にワイヤーボンディングさ
れる構造とする。
法を示す断面図である。半導体圧力センサデバイスの場
合、裏面からダイアフラム状に半導体チップ１が、半導
体用ステム２の外部端子３にＡ、 ｕ線または／１７線
４によってワイヤーボンディングされる構造とするもの
である。すわわち、半導体チップ１は半導体用ステム２
に接することなく外部端子３にワイヤーボンディングさ
れる構造とする。
第２図は第１図の状態を実現するための具体的方法を示
す断面図である。第２図において、半導体チップ１を仮
止め治具を５を用いて半導体ステム２に仮止めする。
す断面図である。第２図において、半導体チップ１を仮
止め治具を５を用いて半導体ステム２に仮止めする。
次にＡｕ線またはＡＩ！線４を用いて外部端子３にワイ
ヤーボンディングする。最後に仮止め治具５を開放、除
去することにより、第１図に示すように半導体チップ１
が半導体用ステムに接することなく、外部端子にワイヤ
ーボンディングされた状態となり、この状態でオフセッ
ト特性を正確に測定する。
ヤーボンディングする。最後に仮止め治具５を開放、除
去することにより、第１図に示すように半導体チップ１
が半導体用ステムに接することなく、外部端子にワイヤ
ーボンディングされた状態となり、この状態でオフセッ
ト特性を正確に測定する。
以上述べたように本発明によれば、半導体チップが半導
体用ステムに接することなく外部端子にワイヤーボンデ
ィングされるので、半導体チップと接着剤と半導体用ス
テムとの間に生じる熱膨張差によって発生する半導体チ
ップの歪を大幅に抑圧した状態で半導体圧力センサのチ
ップ状態でのオフセット特性を正確に測定できるという
効果がある。
体用ステムに接することなく外部端子にワイヤーボンデ
ィングされるので、半導体チップと接着剤と半導体用ス
テムとの間に生じる熱膨張差によって発生する半導体チ
ップの歪を大幅に抑圧した状態で半導体圧力センサのチ
ップ状態でのオフセット特性を正確に測定できるという
効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体デバイス測定方
法を示す断面図、第２図は第１図の状態を実現するため
の具体的方法を示す断面図、第３図は従来の方法で、各
チップのオフセット特性を測定する際の構造を示す断面
図である。 １・・・半導体チップ、２・・・半導体ステム、３・・
・外部端子、４・・・Ａｕ線またはＡｆ線、５・・・仮
止め治具、６・・・接着剤。 代理人 弁理士 内 原 音１ 箭 １ 図 箭 ２ 目 箭 ３ 図
法を示す断面図、第２図は第１図の状態を実現するため
の具体的方法を示す断面図、第３図は従来の方法で、各
チップのオフセット特性を測定する際の構造を示す断面
図である。 １・・・半導体チップ、２・・・半導体ステム、３・・
・外部端子、４・・・Ａｕ線またはＡｆ線、５・・・仮
止め治具、６・・・接着剤。 代理人 弁理士 内 原 音１ 箭 １ 図 箭 ２ 目 箭 ３ 図
Claims (1)
- 半導体デバイスのチップのオフセット特性を測定する半
導体デバイス測定方法において、半導体チップを仮止め
治具を用いて半導体用ステムに仮止めしてワイヤーボン
ディングした後、前記半導体チップを前記仮止め治具の
仮止めから開放して測定する手段を有して成ることを特
徴とする半導体デバイス測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4430687A JPH06101499B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 半導体デバイス測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4430687A JPH06101499B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 半導体デバイス測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63211641A true JPS63211641A (ja) | 1988-09-02 |
| JPH06101499B2 JPH06101499B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=12687808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4430687A Expired - Lifetime JPH06101499B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 半導体デバイス測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101499B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018055953A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
-
1987
- 1987-02-26 JP JP4430687A patent/JPH06101499B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018055953A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
| JP2018048965A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
| CN109716087A (zh) * | 2016-09-23 | 2019-05-03 | 株式会社鹭宫制作所 | 压力传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06101499B2 (ja) | 1994-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0875580A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS63211641A (ja) | 半導体デバイス測定方法 | |
| JPS63155731A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0685151A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| US5361970A (en) | Method of producing a semiconductor integrated circuit device having terminal members provided between semiconductor element and leads | |
| JPS6028256A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002039887A (ja) | 半導体力学量センサおよびその製造方法 | |
| JP2000180282A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| CN216559442U (zh) | 低封装应力的mems压阻式压力传感器芯片 | |
| JPH0529484A (ja) | Ｉｃチツプの実装構造 | |
| JPH0778910A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0566979B2 (ja) | ||
| JPH01143963A (ja) | 半導体加速度センサーの製造方法 | |
| JPH0366152A (ja) | 半導体集積回路モジュール | |
| JPH10340933A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03129840A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06148014A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS649734B2 (ja) | ||
| JPH087699Y2 (ja) | 表面弾性波装置 | |
| JPS63288029A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2000009566A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6298649A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01267430A (ja) | 圧力センサの組立方法 | |
| JPH1078364A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| JPS58143539A (ja) | 半導体装置の製造方法 |