JPS6252960A - ハイブリツド光集積回路 - Google Patents
ハイブリツド光集積回路Info
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- JPS6252960A JPS6252960A JP60193386A JP19338685A JPS6252960A JP S6252960 A JPS6252960 A JP S6252960A JP 60193386 A JP60193386 A JP 60193386A JP 19338685 A JP19338685 A JP 19338685A JP S6252960 A JPS6252960 A JP S6252960A
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- JP
- Japan
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- substrate
- optical
- guide
- waveguide
- guides
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、光通信及び光情報処理において必要な、ファ
イバ、光半導体素子等と光導波路との接続が容易であり
、かつ、単一モード系への応用に適したハイブリッド光
集積回路に関するものである。
イバ、光半導体素子等と光導波路との接続が容易であり
、かつ、単一モード系への応用に適したハイブリッド光
集積回路に関するものである。
「従来の技術」
光導波路と、光ファイバ、フィルタ、受発光素子等を同
一基板上で複合一体化したハイブリッド光集積回路は、
光合分波器、光スィッチ等の光通信、光情報処理用光回
路の実現手段として期待されている。しかしながら、こ
の分野は未だ基礎研究段階にあり、実用に供されるに到
った光回路はこれまでほとんど見受けられなかった。
一基板上で複合一体化したハイブリッド光集積回路は、
光合分波器、光スィッチ等の光通信、光情報処理用光回
路の実現手段として期待されている。しかしながら、こ
の分野は未だ基礎研究段階にあり、実用に供されるに到
った光回路はこれまでほとんど見受けられなかった。
ところで、この種のハイブリッド光集積回路として、石
英系光導波路を用いた技術が最近提案され、基礎検討が
なされている〔例えば、特願昭59−167677、お
よびM、 Kawaclin et alIEleot
ron Lett 、 21 x 314 (1984
)) o これらの基礎検討がなされているハイブリッ
ド光集積回路の一例を第1図に示す。1は基板、2はチ
ャネル光導波路、3はファイバガイド、4は光ファイバ
、5はフィルタガイド、6は微小反射鏡ガイド、7は半
導体レーザガイド、8は半導体レーザ、9は微小反射鏡
、10はアバランシュフォトダイオード、11は干渉膜
フィルタであり、同一基板1の上で、光導波路と光フア
イバ受発光素子を複合一体化するためにチャネル光導波
路2と各種ガイド3,5,6.7を一体化している。こ
の回路においては、各種素子なガイド3. 5. 6.
7中に操入するだけで、光導波路2との位置合せが完
了するようになっており、このために導波路2及びガイ
ド3. 5. 6. 7の高さは70〜100μm程度
必要である。従来、この種の光回路においては、多モー
ド用部品に応用していたので、導波路幅は40〜50μ
m程度である。したがって、導波路のアスペクト比(高
さ7幅)は1.5〜2程度であり、強度的に問題はない
構成になっている。
英系光導波路を用いた技術が最近提案され、基礎検討が
なされている〔例えば、特願昭59−167677、お
よびM、 Kawaclin et alIEleot
ron Lett 、 21 x 314 (1984
)) o これらの基礎検討がなされているハイブリッ
ド光集積回路の一例を第1図に示す。1は基板、2はチ
ャネル光導波路、3はファイバガイド、4は光ファイバ
、5はフィルタガイド、6は微小反射鏡ガイド、7は半
導体レーザガイド、8は半導体レーザ、9は微小反射鏡
、10はアバランシュフォトダイオード、11は干渉膜
フィルタであり、同一基板1の上で、光導波路と光フア
イバ受発光素子を複合一体化するためにチャネル光導波
路2と各種ガイド3,5,6.7を一体化している。こ
の回路においては、各種素子なガイド3. 5. 6.
7中に操入するだけで、光導波路2との位置合せが完
了するようになっており、このために導波路2及びガイ
ド3. 5. 6. 7の高さは70〜100μm程度
必要である。従来、この種の光回路においては、多モー
ド用部品に応用していたので、導波路幅は40〜50μ
m程度である。したがって、導波路のアスペクト比(高
さ7幅)は1.5〜2程度であり、強度的に問題はない
構成になっている。
「発明が解決しようとする問題点」
しかし、この回路を単一モード系部品に応用する場合、
導波路幅は5〜10μm程度であるので、導波路のアス
ペクト比は10程度となる。このような細くかつ高いパ
ターンは強度的に不安定であり、このため、ファイバ、
半導体レーザ等の装着時に導波路に欠げを発生する虞が
ある。また、単一モード系光導波路には、多モード系よ
り一桁高い加工精度が要求されるため、この観点からも
導波路部分を70〜100μmの高さにすることは好ま
しくない。
導波路幅は5〜10μm程度であるので、導波路のアス
ペクト比は10程度となる。このような細くかつ高いパ
ターンは強度的に不安定であり、このため、ファイバ、
半導体レーザ等の装着時に導波路に欠げを発生する虞が
ある。また、単一モード系光導波路には、多モード系よ
り一桁高い加工精度が要求されるため、この観点からも
導波路部分を70〜100μmの高さにすることは好ま
しくない。
逆に、ガイド高さを低くして、単一モード系導波路の高
さとして問題がないと考えられる10〜20μmとした
場合は、ガイドの機能が十分に発揮されない。即ち、こ
のような背の低いガイドな用いて、例えば、光ファイバ
を接続する場合、光フアイバ外径を60μm程度にしな
ければならないが、このような細いファイバは取り扱い
に不便なのである。
さとして問題がないと考えられる10〜20μmとした
場合は、ガイドの機能が十分に発揮されない。即ち、こ
のような背の低いガイドな用いて、例えば、光ファイバ
を接続する場合、光フアイバ外径を60μm程度にしな
ければならないが、このような細いファイバは取り扱い
に不便なのである。
このように、従来の構造では、単一モード系光導波路と
ガイドとを両立して製作することは困難な問題があった
。
ガイドとを両立して製作することは困難な問題があった
。
本発明の目的は、従来のガイド付光導波回路を単一モー
ド系に適用すると、導波路の高さと、ガイドの高さを両
立させて設定することが灘しいという問題点を解決し、
単一モード系に適したハイブリッド光集積回路を提供す
ることにある。
ド系に適用すると、導波路の高さと、ガイドの高さを両
立させて設定することが灘しいという問題点を解決し、
単一モード系に適したハイブリッド光集積回路を提供す
ることにある。
「問題点を解決するための手段」
本発明の1つは、ファイバガイドまたは光素子ガイドと
光導波路とを設ける基板に段差を形成し、上段の基板上
面に光導波路を下段の基板上面にファイバガイドまたは
光素子ガイドを設けたものである。
光導波路とを設ける基板に段差を形成し、上段の基板上
面に光導波路を下段の基板上面にファイバガイドまたは
光素子ガイドを設けたものである。
本発明の他の1つは、ファイバガイドまたは光素子ガイ
ドと、光導波路とを設ける基板に段差を形成し、上段の
基板上面に光導波路を下段の基板上面にファイバガイド
または光素子ガイドを設け、上段と下段の基板の内、少
なくとも一方に電気配線支持台を形成し、下段の基板上
面に第1導電膜をまた電気配線支持台の上面に第2導電
膜を相互に絶縁状態で形成したものである。
ドと、光導波路とを設ける基板に段差を形成し、上段の
基板上面に光導波路を下段の基板上面にファイバガイド
または光素子ガイドを設け、上段と下段の基板の内、少
なくとも一方に電気配線支持台を形成し、下段の基板上
面に第1導電膜をまた電気配線支持台の上面に第2導電
膜を相互に絶縁状態で形成したものである。
「作用」
基板に段差を形成し、下段に各ガイドを設は上段に先導
波路を形成すること罠よって、各ガイドの背を高く形成
しつつ光導波路の背を低(形成できるようになる。
波路を形成すること罠よって、各ガイドの背を高く形成
しつつ光導波路の背を低(形成できるようになる。
「実施例」
第1図は、本発明の一実施例を示す光合分波モジュール
であって、図中1aは下部基板(Si基板)を示し、′ この下部基板1aの上面中央部には石英系光導波膜かも
なる上部基板1bが形成され、下部基板1aと上部基f
f1lbとによって段差を有する基板1が構成されてい
る。前記上部基板1bの上面には、該上面の一側から他
側にかげて石英系チャネル光導波路2が、更忙、上部基
板1bの上面中央には、光導波路2の長さ方向中央部を
挾むようにフィルタガイド5,5が各々形成されている
。なお、チャネル光導波路2はクラッド層2aとコア層
2bとからなっている。また、上部基板1bの一側(第
1図の左側)端部側方であって、下部基板1aの上面に
は、ファイバガイド3,3が立設され、上部基板1bの
他側(第2図の右側〕端部側方であって、下部基板1a
の上面には、光導波路2の一端を挾んだ反射鏡ガイド6
.6が立設され、反射鏡ガイド6.6の間であって下部
基板IILの上面には微小反射鏡9が立設されている。
であって、図中1aは下部基板(Si基板)を示し、′ この下部基板1aの上面中央部には石英系光導波膜かも
なる上部基板1bが形成され、下部基板1aと上部基f
f1lbとによって段差を有する基板1が構成されてい
る。前記上部基板1bの上面には、該上面の一側から他
側にかげて石英系チャネル光導波路2が、更忙、上部基
板1bの上面中央には、光導波路2の長さ方向中央部を
挾むようにフィルタガイド5,5が各々形成されている
。なお、チャネル光導波路2はクラッド層2aとコア層
2bとからなっている。また、上部基板1bの一側(第
1図の左側)端部側方であって、下部基板1aの上面に
は、ファイバガイド3,3が立設され、上部基板1bの
他側(第2図の右側〕端部側方であって、下部基板1a
の上面には、光導波路2の一端を挾んだ反射鏡ガイド6
.6が立設され、反射鏡ガイド6.6の間であって下部
基板IILの上面には微小反射鏡9が立設されている。
なお、光導波路2は、その中央部で側方に分岐され、そ
の分岐部分の先端前方であって下部基板1aの上面には
発光素子ガイド7と半導体レーザ8が立設されている。
の分岐部分の先端前方であって下部基板1aの上面には
発光素子ガイド7と半導体レーザ8が立設されている。
一方、前記ガイド3,30間に挿入されているのはファ
イバクラッド層4aとファイバコア部4bとからなる光
ファイバである。なお、前記各ガイド3. 5. 6.
7においてはその外面に石英系光導波膜がエツチング
されている。
イバクラッド層4aとファイバコア部4bとからなる光
ファイバである。なお、前記各ガイド3. 5. 6.
7においてはその外面に石英系光導波膜がエツチング
されている。
以上の如く構成された光合分波モジュールにあっては、
チャネル光導波路2を上部基板lb上に形成したために
、その背を上部基板1bの厚さ分、従来構造よりも低く
することができ、たとえチャネル光導波路2が単モード
系であってもそのアスペクト比を小さくすることができ
る。なお、各ガイド3. 5. 6. 7は、下部基板
1a上面に立設されていて、上部基板1bの厚さにチャ
ネル光導波路2の高さを加えた高さを有するために、各
ガイド3. 5. 6. 7を必要十分な高さに形成す
ることができる。これにより、例えば、単一モード系光
導波路を用いて、この光合分波モジュールを製作した場
合、チャネル光導波路2のアスペクト比を1〜3程度と
小さくすることが可能になり、機械的信頼性が高くなる
。一方、ガイド3の部分では十分な深さく高さ)が確保
できるので、ファイバ位置決め、半導体レーザ位置決め
等の機能を発揮することができる。
チャネル光導波路2を上部基板lb上に形成したために
、その背を上部基板1bの厚さ分、従来構造よりも低く
することができ、たとえチャネル光導波路2が単モード
系であってもそのアスペクト比を小さくすることができ
る。なお、各ガイド3. 5. 6. 7は、下部基板
1a上面に立設されていて、上部基板1bの厚さにチャ
ネル光導波路2の高さを加えた高さを有するために、各
ガイド3. 5. 6. 7を必要十分な高さに形成す
ることができる。これにより、例えば、単一モード系光
導波路を用いて、この光合分波モジュールを製作した場
合、チャネル光導波路2のアスペクト比を1〜3程度と
小さくすることが可能になり、機械的信頼性が高くなる
。一方、ガイド3の部分では十分な深さく高さ)が確保
できるので、ファイバ位置決め、半導体レーザ位置決め
等の機能を発揮することができる。
次に、上述したようなガイド付光導波回路の設計条件を
具体的な数値例を挙げて説明する。第2図は、第1図の
ファイバガイド3付近を、ガイド3の外方より導波路2
叫を見た図である。図中g1は下部基板1aの上面から
、導波路のコア層2bの中心までの高さを示し、e2は
下部基板1aの上面から、導波路2のクラッド石上部ま
での高さで、これはガイド3の高さと等しい。e3は上
部基板上面lbから導波路2のクラッド層2aの上部ま
での高さであり、これは、導波路2の高さと等しい。こ
こで導波路幅は胃とするとともにファイバガイド3,3
の間隔は、2etに設定してお(。したがってファイバ
4の外径を211に設定しておけば、ファイバ4をファ
イバガイド3に挿入するだけで、ファイバコア部4bと
導波路2のコア/42bとの位置合せが達成できる。例
えば、ファイバ4として外径125μm1コア径8μm
のファイバを考える。このとき、ガイド間隔2gtは1
25μmに設定する必要があり、したがって1l=62
.5μmとする。一方、導波路2のコア寸法を、ファイ
バにあわせて、コア層幅(W)=コア層高さ28μmと
する。これに合わせてクラッド層2aまで含めた導波路
2の高さe3は、例えばJ3=15μmにするとともに
ファイバガイド高さ12を例えばez=74μmとする
。この数値例のように設定すれば、導波路2のアスペク
ト比は2程度と小さくできる。一方、ファイバガイド3
としては、高さ60μm程度と十分な高さを採用できる
。これに合わせて、半導体レーザ8も第3図に示すよう
にレーザの基板の厚さを研磨等によって調節しておき、
活性層8aの高さが下部基板lの上面からlIの高さに
なるようにすればよい。また、受光素子の搭載にあたっ
ては、微小反射鏡9の高さを、微小反射鏡ガイド6の高
さと同等のg2に設定し、この上にアバランシュフォト
ダイオード等の受光素子10を第1図の矢印の如く設置
すればよい。また、干渉膜フィルタチップllをフィル
タガイド5に第1図の矢印の如く挿入すれば、光合分波
モジュールを組み立てることができる。このように、本
構成によれば、単一モード系光導波路のアスペクト比を
2程度に抑えて、深さ60μm以上のガイドが形成でき
るために、単一モード系ハイブリッド光集積回路に適用
できる。
具体的な数値例を挙げて説明する。第2図は、第1図の
ファイバガイド3付近を、ガイド3の外方より導波路2
叫を見た図である。図中g1は下部基板1aの上面から
、導波路のコア層2bの中心までの高さを示し、e2は
下部基板1aの上面から、導波路2のクラッド石上部ま
での高さで、これはガイド3の高さと等しい。e3は上
部基板上面lbから導波路2のクラッド層2aの上部ま
での高さであり、これは、導波路2の高さと等しい。こ
こで導波路幅は胃とするとともにファイバガイド3,3
の間隔は、2etに設定してお(。したがってファイバ
4の外径を211に設定しておけば、ファイバ4をファ
イバガイド3に挿入するだけで、ファイバコア部4bと
導波路2のコア/42bとの位置合せが達成できる。例
えば、ファイバ4として外径125μm1コア径8μm
のファイバを考える。このとき、ガイド間隔2gtは1
25μmに設定する必要があり、したがって1l=62
.5μmとする。一方、導波路2のコア寸法を、ファイ
バにあわせて、コア層幅(W)=コア層高さ28μmと
する。これに合わせてクラッド層2aまで含めた導波路
2の高さe3は、例えばJ3=15μmにするとともに
ファイバガイド高さ12を例えばez=74μmとする
。この数値例のように設定すれば、導波路2のアスペク
ト比は2程度と小さくできる。一方、ファイバガイド3
としては、高さ60μm程度と十分な高さを採用できる
。これに合わせて、半導体レーザ8も第3図に示すよう
にレーザの基板の厚さを研磨等によって調節しておき、
活性層8aの高さが下部基板lの上面からlIの高さに
なるようにすればよい。また、受光素子の搭載にあたっ
ては、微小反射鏡9の高さを、微小反射鏡ガイド6の高
さと同等のg2に設定し、この上にアバランシュフォト
ダイオード等の受光素子10を第1図の矢印の如く設置
すればよい。また、干渉膜フィルタチップllをフィル
タガイド5に第1図の矢印の如く挿入すれば、光合分波
モジュールを組み立てることができる。このように、本
構成によれば、単一モード系光導波路のアスペクト比を
2程度に抑えて、深さ60μm以上のガイドが形成でき
るために、単一モード系ハイブリッド光集積回路に適用
できる。
また、光素子への電気配線支持台を形成することがある
。第4図は、半導体レーザ8に、電気配線支持台12を
設けて給電可能な構成とした例を示す図である。
。第4図は、半導体レーザ8に、電気配線支持台12を
設けて給電可能な構成とした例を示す図である。
第4図に示す購造にあっては、上部基板1bの角部に上
部基板1bを貫通した電気配線支持合成な半導体レーザ
8に隣接させ【下部基板1aの上面に設けたものであり
、その池の構成は大計前記実施例と同等である。なお、
本実施例にあっては、電気配線支持台12の上面に、金
)Amx3を、導電膜として形成しである。なお、金属
膜13としては、AJ−Au蒸着膜等を使用すればよい
。また、下部基板1aの表面にも、金属膜IJを形成し
である。下部基板1aの表面上の金属膜13′は半導体
レーザ8の電極と接続しており、また、電気配線支持台
12の上面の金属膜13と活性層上の上部電極8bとは
金線14によってボッディングされている。この場合、
電気配線支持台120幅が単一モード系光導波路幅程度
に挾ければ、上部基板1b上に′i!気配線支持台を形
成することにより、光導波路と同様に、°アスペクト比
が小さく、充分な機械的強度を有する電気配線支持台を
製作することができる。
部基板1bを貫通した電気配線支持合成な半導体レーザ
8に隣接させ【下部基板1aの上面に設けたものであり
、その池の構成は大計前記実施例と同等である。なお、
本実施例にあっては、電気配線支持台12の上面に、金
)Amx3を、導電膜として形成しである。なお、金属
膜13としては、AJ−Au蒸着膜等を使用すればよい
。また、下部基板1aの表面にも、金属膜IJを形成し
である。下部基板1aの表面上の金属膜13′は半導体
レーザ8の電極と接続しており、また、電気配線支持台
12の上面の金属膜13と活性層上の上部電極8bとは
金線14によってボッディングされている。この場合、
電気配線支持台120幅が単一モード系光導波路幅程度
に挾ければ、上部基板1b上に′i!気配線支持台を形
成することにより、光導波路と同様に、°アスペクト比
が小さく、充分な機械的強度を有する電気配線支持台を
製作することができる。
第5図は、本発明の別の実施例であって、下部基板1&
及び上部基板1bともにSi基板からなり、その上には
、石英系先導波膜よりなるチャネル光導波路2、ファイ
バガイド3、半導体レーザガイド7が形成されている。
及び上部基板1bともにSi基板からなり、その上には
、石英系先導波膜よりなるチャネル光導波路2、ファイ
バガイド3、半導体レーザガイド7が形成されている。
この例では、半導体レーザガイド7上に導電膜13が形
成されており、レーザガイド7は電気配線支持台も兼ね
”Cいる。
成されており、レーザガイド7は電気配線支持台も兼ね
”Cいる。
また、ガイド7の形成されている下部基板1aの表面に
も導電11113’が形成されている。この光回路はフ
ァイバガイド3甲にファイバを挿入し、レーザガイド7
に半導体レーザを装着し導電膜13及び13′を利用し
て電気配線を行なうことにより、・ 合流モジュールと
し″′C機能する。この実施例においても、導波路3は
上部基板lb上に形成されているので、この背は低く、
シたがって、アスペクト比は小さくできるので、機械的
強度を十分確保できる。
も導電11113’が形成されている。この光回路はフ
ァイバガイド3甲にファイバを挿入し、レーザガイド7
に半導体レーザを装着し導電膜13及び13′を利用し
て電気配線を行なうことにより、・ 合流モジュールと
し″′C機能する。この実施例においても、導波路3は
上部基板lb上に形成されているので、この背は低く、
シたがって、アスペクト比は小さくできるので、機械的
強度を十分確保できる。
以上説明したように、本発明の1つのハイブリッド光集
積回路は、基板表面に段差を付は上部基板、下部基板の
2段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路につい
ては、上部基板上に形成し、その高さを必要最小限に抑
え、また、ガイドのように、十分な高さがないと機能し
ない構成要素については、下部基板上に形成しているの
で、光導波路のように細いバタンであってモ、ソのアス
ペクト比を1〜2程度に設定することができ、かつ、ガ
イドも十分機能を発揮することができるという利点があ
る。そしてこのような光回路は、特に、単一モード系の
ハイブリッド光集積回路に有効で−ある。
積回路は、基板表面に段差を付は上部基板、下部基板の
2段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路につい
ては、上部基板上に形成し、その高さを必要最小限に抑
え、また、ガイドのように、十分な高さがないと機能し
ない構成要素については、下部基板上に形成しているの
で、光導波路のように細いバタンであってモ、ソのアス
ペクト比を1〜2程度に設定することができ、かつ、ガ
イドも十分機能を発揮することができるという利点があ
る。そしてこのような光回路は、特に、単一モード系の
ハイブリッド光集積回路に有効で−ある。
以上説明したようK、本発明の他の1つのノ・イブリッ
ド光集積回路は、基板表面に段差を付は上部基板、下部
基板の2段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路
については、上部基板上に形成し、その藁さを必要最小
限に抑え、また、ガイドのように、十分な高さがないと
11Meしない構成要素については下部基板上に形成し
ているので、光導波路のように細いバタンであっても、
そのアスペクト比を1〜2程度に設定することができ、
かつ、ガイドも十分機能を発揮することができるという
利点がある。そし℃このような光回路は、特に、単一モ
ード系のハイブリッド光集積回路に有効である。また、
基板上の電気配線支持台の導電膜と基板の4電膜を利用
して回路用の電気配線を施し、給電することができる。
ド光集積回路は、基板表面に段差を付は上部基板、下部
基板の2段構成として、幅の狭い単一モード用光導波路
については、上部基板上に形成し、その藁さを必要最小
限に抑え、また、ガイドのように、十分な高さがないと
11Meしない構成要素については下部基板上に形成し
ているので、光導波路のように細いバタンであっても、
そのアスペクト比を1〜2程度に設定することができ、
かつ、ガイドも十分機能を発揮することができるという
利点がある。そし℃このような光回路は、特に、単一モ
ード系のハイブリッド光集積回路に有効である。また、
基板上の電気配線支持台の導電膜と基板の4電膜を利用
して回路用の電気配線を施し、給電することができる。
第1図は、本発明の一つの一実施列である下部基板S1
、上部基板、石英系光導波膜からなる光合分波モジュー
ルの斜視図、第2図は第1図に示すモジュールのファイ
バガイド部の側面図、第3は第1図に示すモジュールの
半導体レーザガイドの斜視図、第4図は、本発明の他の
一つである電気配線支持台を備えた光回路の斜視図、第
5図は、本発明の別の実施例であり、下部基板、上部基
板ともSlからなる光回路の斜視図、第6図は、従米の
ガイド付光導波回路の例(死金分波モジュール)を示す
8+視図である。 1・・・・・・基板、1a・・・・・・下部基板、1b
・・・・・・上部基板、2・・・・・・チャネル光4波
路、3・・・・・・ファイバガイド、4・・・・・・光
ファイバ、5・・・・・・フィルタガイド、6・・・・
・・微小反射鏡ガイド、7・・・・・・発光素子ガイド
、8・・・・・・半導体レーザ、12・・・・・・電気
配線支持台、13.13’・・・・・・壽電膜。 出願人 日本電信′a1話株式会社 第4図
、上部基板、石英系光導波膜からなる光合分波モジュー
ルの斜視図、第2図は第1図に示すモジュールのファイ
バガイド部の側面図、第3は第1図に示すモジュールの
半導体レーザガイドの斜視図、第4図は、本発明の他の
一つである電気配線支持台を備えた光回路の斜視図、第
5図は、本発明の別の実施例であり、下部基板、上部基
板ともSlからなる光回路の斜視図、第6図は、従米の
ガイド付光導波回路の例(死金分波モジュール)を示す
8+視図である。 1・・・・・・基板、1a・・・・・・下部基板、1b
・・・・・・上部基板、2・・・・・・チャネル光4波
路、3・・・・・・ファイバガイド、4・・・・・・光
ファイバ、5・・・・・・フィルタガイド、6・・・・
・・微小反射鏡ガイド、7・・・・・・発光素子ガイド
、8・・・・・・半導体レーザ、12・・・・・・電気
配線支持台、13.13’・・・・・・壽電膜。 出願人 日本電信′a1話株式会社 第4図
Claims (4)
- (1)基板上に設けられるファイバガイドおよび光素子
ガイドの少なくとも一方と、前記基板上に凸状に形成さ
れる光導波路とを具備したハイブリッド光集積回路にお
いて、前記基板に段差を形成し、上段の基板上面に光導
波路を形成し、下段の基板上面にファイバガイドおよび
光素子ガイドの少なくとも一方を設けてなるハイブリッ
ド光集積回路。 - (2)基板上に設けられるファイバガイドおよび光素子
ガイドの少なくとも一方と、前記基板上に凸状に形成さ
れる光導波路とを具備したハイブリッド光集積回路にお
いて、前記基板に段差を形成し、上段の基板上面に光導
波路を形成し、下段の基板上面にファイバガイドおよび
光素子ガイドの少なくとも一方を設け、前記上段と下段
の基板の内、少なくとも一方に電気配線支持台を形成し
、前記下段の基板上面に第1導電膜をまた電気配線支持
台の上面に第2導電膜を相互に絶縁状態で形成し、給電
可能としたハイブリッド光集積回路。 - (3)下段の基板がSi基板であり、上段の基板および
光導波路と各ガイドと電気配線支持台を石英系光導波膜
で形成した特許請求の範囲第1項または第2項記載のハ
イブリツド光集積回路。 - (4)上段および下段の基板がいずれもSi基板であり
、光導波路と各ガイドと電気配線支持台を石英系光導波
膜で形成した特許請求の範囲第1項または第2項記載の
ハイブリッド光集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19338685A JPH0638490B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | ハイブリツド光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19338685A JPH0638490B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | ハイブリツド光集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6252960A true JPS6252960A (ja) | 1987-03-07 |
JPH0638490B2 JPH0638490B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=16307067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19338685A Expired - Lifetime JPH0638490B2 (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | ハイブリツド光集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0638490B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5195235A (en) * | 1990-05-31 | 1993-03-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Parts mounting apparatus |
JPH0613601A (ja) * | 1991-10-18 | 1994-01-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光信号分配システムとその形成方法 |
JPH07110410A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-04-25 | Nec Corp | 光路変換回路 |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP19338685A patent/JPH0638490B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5195235A (en) * | 1990-05-31 | 1993-03-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Parts mounting apparatus |
JPH0613601A (ja) * | 1991-10-18 | 1994-01-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光信号分配システムとその形成方法 |
JPH07110410A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-04-25 | Nec Corp | 光路変換回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0638490B2 (ja) | 1994-05-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |